22.37 Н 899 Нуприенок, И. С. Влияние лазерного облучения с h*nu =1.96 eV на свойства контакта титан-кремний при термическом отжиге в азоте [Текст] / И. С. Нуприенок, А. Н. Шибко // Журнал технической физики. - 2003. - Т.73,N2. - Библиогр.: с.128 (13 назв.) . - ISSN 0044-4642 Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): выпрямляющие контакты -- лазерное облучение -- термический отжиг -- титан-кремний Аннотация: Исследовано влияние лазерного облучения с h*nu=1.96 eV (lambda=0.63 mum) на контакт титан-кремний при стационарном термическом отжиге в азоте. Установлено, что происходящее при такой обработке изменение фазового состава контакта обусловливает изменение его электрофизических параметров. Использование лазерного облучения позволяет формировать выпрямляющий контакт титан-кремний с необходимыми, заранее определенными электрофизическими параметрами Доп.точки доступа: Шибко, А.Н. |
621.38 Б 796 Болтовец, Н. С. Межфазные взаимодействия и термодеградация контактных структур TiN[x](TiB[x])-n-n{+}-Si, стимулированные быстрыми термическими отжигами [Текст] / Н. С. Болтовец, В. Н. Иванов [и др.] // Журнал технической физики. - 2003. - Т.73,N4. - Библиогр.: 16 назв. . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Радиоэлектроника--Электроника Кл.слова (ненормированные): барьер Шоттки -- бориды титана -- контактные структуры -- межфазные взаимодействия -- нитриды титана -- термический отжиг -- термодеградация Аннотация: Приведены результаты экспериментальных исследований термической стабильности контактов с барьером Шоттки (БШ) TiN[x](TiB[x])-n-n{+}-Si, Au-TiN[x](TiB[x])-n-n{+}-Si и Au-Ti(Mo)-TiN[x](TiB[x])-n-n[+}-Si, подвергнутых быстрым термическим отжигам в атмосфере водорода при T=400,600 и 800oC. Показано, что структурно-морфологические перестройки в слоях сплавов внедрения (бориды и нитриды титана) и связанные с ними процессы деградации электрофизических характеристик барьера происходят начиная с 600`C. Обсуждаются возможные причины, приводящие к нарушению барьерных свойств слоев нитридов и боридов титана Доп.точки доступа: Иванов, В.Н.; Конакова, Р.В.; Миленин, В.В.; Войциховский, Д.И. |
Галиев, Г. Б. Исследование структурного совершенства, распределения и перерапределения кремния в эпитаксиальных пленках GaAs, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках с ориентациями (100), (111)А, (111)В [Текст] / Г. Б. Галиев, В. Г. Мокеров [и др.] // Журнал технической физики. - 2001. - Т.71,N4. - Библиогр.: с. 52 (15 назв.) . - ISSN 0044-4642 Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): эпитаксиальные пленки -- арсенид галлия -- молекулярно-лучевая эпитаксия -- рентгеновская дифрактометрия -- атомно-силовая микроскопия -- ВИМС -- термический отжиг -- легирование -- рельеф поверхности -- ионное травление Аннотация: Методами рентгеновской дифрактометрии и ВИМС исследованы распределение кремния до и после термического отжига в тонких легированных слоях GaAs, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках с ориентациями (100), (111)А, (111)В. С помощью атомно-силового микроскопа исследованы рельефы поверхности выращенных эпитаксиальных пленок вне и внутри кратера ионного травления, возникающего во время измерения методом ВИМС. Выявлены особенности рельефа поверхности внутри кратера для разных ориентаций. Обнаруженные изменения формы профилей легирования объяснены как особенностями развития рельефа поверхности во время ионного травления при измерении методом ВИМС, так и ускоренной диффузией Si по дефектам роста Доп.точки доступа: Мокеров, В.Г.; Сарайкин, В.В.; Слепнев, Ю.В; Шагимуратов, Г.И.; Имамов, Р.М.; Пашаев, Э.М. |
Бобков, А. Ф. Некоторые аспекты использования углеродных материалов в автоэлектронных эмиссионных катодах [Текст] / А. Ф. Бобков, Е. В. Давыдов [и др.] // Журнал технической физики. - 2001. - Т.71,N6. - Библиогр.: с. 102-103 (30 назв.) . - ISSN 0044-4642 Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): углеродный волокна -- плоские графиты -- автоэмиссионные катоды -- автоэлектронная эмиссия -- радиационные технологии -- термический отжиг Аннотация: Проведен детальный анализ преимуществ и недостатков использования углеродных волокон и плоских графитов с развитой поверхностью в качестве материалов катодов на основе автоэлектронной эмиссии. Приведены оригинальные результаты экспериментальных исследований элементного состава углеродных материалов, влияния термического отжига на их структуру и эмиссионные свойства, снижения работы выхода при имплантации в них цезия. Рассмотрены возможности радиационных технологий при создании плоских автоэмиссионных катодов с развитой поверхностью, оценена динамика изменения рельефа эмиттирующей поверхности в результате ее бомбардировки низкоэнергетичными ионами остаточных газов. Даны соображения о целесообразности реализации тех или иных конструктивных решений автоэмиссионных катодов для различных практических целей Доп.точки доступа: Давыдов, Е.В.; Зайцев, С.В.; Карпов, А.В.; Козодаев, М.А.; Николаева, И.Н.; Попов, М.О.; Скороходов, Е.Н.; Суворов, А.Л.; Чеблуков, Ю.Н. |
Гаман, В. И. Влияние термического отжига на электрические и газочувствительные свойства туннельных МОП-диодов на основе кремния [Текст] / В. И. Гаман, В. И. Балюба [и др.] // Известия вузов. Физика. - 2001. - Т.44,N11. - Библиогр.: с.7 (7 назв.) . - ISSN 0021-3411 Рубрики: Радиоэлектроника--Электроника Кл.слова (ненормированные): МОП-диоды -- газочувствительные элементы -- термический отжиг Аннотация: Представлены результаты экспериментального исследования влияния кратковременного (10 мин) термического отжига туннельных МОП-диодов на их электрические свойства и величину отклика по емкости, активной проводимости и напряжению плоских зон при воздействии водорода. Термический отжиг проводился в вакууме и в комнатной атмосфере при температурах 573, 613, 653 и 673 К. Установлено, что отжиг в вакууме при всех температурах приводит к уменьшению напряжения плоских зон и значительному увеличению отклика по емкости и активной проводимости. После термического отжига в вакууме МОП-диоды можно использовать в качестве газочувствительных элементов при напряжении, равном нулю. Отжиг в комнатной атмосфере приводит примерно к тем же эффектам, но только при температуре отжига, равной 573 К. При повышении отжига до 613 К газочувствительные свойства МОП-диодов резко ухудшаются Доп.точки доступа: Балюба, В.И.; Грицык, В.Ю.; Давыдова, Т.А.; Калыгина, В.М.; Хлудкова, Л.С. |
535 В 754 Воронов, Д. Л. Исследование процессов деградации многослойных рентгеновских зеркал Sc/Si при нагреве и облучении лазером методами рентгеновской дифракции и электронной микроскопии [Текст] / Д. Л. Воронов, Е. Н. Зубарев [и др.] // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. - 2007. - N 5. - С. 13-20 . - ISSN 0207-3528
Рубрики: Физика--Оптика Кл.слова (ненормированные): многослойные рентгеновские зеркала -- рентгеновские зеркала -- термический отжиг -- лазерное излучение Аннотация: Структура и фазовый состав многослойных рентгеновских зеркал Sc/Si исследовались методами просвечивающей электронной микроскопии поперечных срезов, малоугловой рентгеновской дифракции, сканирующей электронной микроскопии, рентгеновского фазового анализа. Установлены закономерности деградации рентгеновских зеркал при термическом отжиге и под воздействием рентгеновского лазерного излучения. Доп.точки доступа: Зубарев, Е. Н.; Першин, Ю. П.; Севрюкова, В. А.; Пеньков, А. В.; Кондратенко, В. В.; Виноградов, А. В.; Артюков, И. А.; Успенский, Ю. А.; Vaschenko, G.; Grisham, М.; Menoni, С. S.; Rocca, J. J. |
546.49 М 364 Махний, В. П. Влияние термического отжига на физические свойства поверхностных слоев монокристаллического теллурида кадмия [Текст] / В. П. Махний // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. - 2007. - N 2. - С. 108-112 . - ISSN 0207-3528
Рубрики: Химия--Неорганическая химия Кл.слова (ненормированные): теллурид кадмия -- монокристаллический теллурид кадмия -- поверхностный слой -- термический отжиг -- оптические свойства -- структурные свойства Аннотация: Показано, что термический отжиг монокристаллических подложек теллурида кадмия на воздухе приводит к существенному изменению структурных и оптических свойств поверхностного слоя. Наблюдаемые особенности, которые возникают при определенных режимах отжига, объясняются в рамках теории квантово-размерных эффектов. |
Балсанова, Л. В. Синтез и электрические свойства тройных молибдатов [Текст] / Л. В. Балсанова, Б. Г. Базаров // Журнал прикладной химии. - 2008. - Т. 81, вып: вып. 7. - С. 1213-1215. - Библиогр.: с. 1215 (13 назв. ) . - ISSN 0044-4618
Рубрики: Химическая технология Электрохимические производства Кл.слова (ненормированные): диоксид гафния -- дифференциально-термический анализ -- ионная проводимость -- карбонаты одновалентных металлов -- кислородные соединения молибдена -- порошковые рентгенограммы -- твердофазные реакции -- термический отжиг -- тригональная сингония -- тройные молибдаты -- цирконий -- электрические свойства Аннотация: Твердофазной реакцией получены тройные молибдаты, исследована проводимость. Доп.точки доступа: Базаров, Б. Г. |
Эффект воздействия лазерного и термического отжигов на оптические и структурные свойства металлических аморфных сплавов [Текст] / В. Г. Кравец [и др.] // Известия вузов. Физика. - 2002. - Т. 45, N 4. - С. 29-36. - Библиогр.: с. 36 (13 назв. ) . - ISSN 0021-3411
Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): аморфные сплавы -- лазерный отжиг -- металлы -- термический отжиг Аннотация: Проведены эллипсометрические исследования свежих и отожженных аморфных сплавов на основе 3d-переходных металлов (Fe, Ni, Co) с металлоидами. С помощью оже-спектроскопии и спектров комбинационного рассеяния света определены состав сплавов, напрвления установившихся между их компонентами связей, а также частоты оже-электронных переходов. Получены частоты колебаний металл-металлоид и изучены деформации в образовавшихся нанообластях кристаллической фазы. Выявлен различный характер влияния термического и лазерного воздействия на оптические свойства сплавов, а также проведено сравнение уровней изменений этих свойств, вызванных такими воздействиями. Доп.точки доступа: Кравец, В. Г.; Косско, И. А.; Колесник, М. А.; Поперенко, Л. В. |
Изменение длины волны излучения InGaAs/GaAs/InGaP лазеров посредством ионной имплантации [Текст] / С. А. Ахлестина [и др. ] // Письма в "Журнал технической физики". - 2010. - Т. 36, вып: вып. 4. - С. 81-87 : ил. - Библиогр.: с. 87 (8 назв. ) . - ISSN 0320-0116
Рубрики: Физика Экспериментальные методы и аппаратура оптики Кл.слова (ненормированные): InGaAs/GaAs/InGaP лазеры -- ионная имплантация -- длина волны -- лазерные структуры -- квантовые ямы -- имплантация протонов -- термический отжиг -- энергия протонов -- двухполосные излучения -- оптоэлектронные схемы -- лазеры Аннотация: Исследована возможность управления длиной волны излучения лазерной структуры InGaAs/GaAs/InGaP с напряженными квантовыми ямами посредством имплантации протонов и последующего термического отжига. Показано, что выбор энергии протонов связан с расположением квантовых ям в структуре (150 keV для глубины ~ 1. 3 мюm). Использование дозы ионов 6· 10{14} cm{-2} и отжига при 700oC позволяет уменьшить длину волны излучения модифицированной области лазера на 8-10 nm с минимальной потерей интенсивности. Наблюдаемый эффект может быть использован для получения двухполосного излучения на одном чипе и иметь широкое применение при разработке оптоэлектронных схем. Доп.точки доступа: Ахлестина, С. А.; Васильев, В. К.; Вихрова, О. В.; Данилов, Ю. А.; Звонков, Б. Н.; Некоркин, С. М. |
Характеризация кремния, легированного натрием при высоковольтной имплантации [Текст] / В. М. Король [и др. ] // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. - 2009. - N 4. - С. 41-46
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): имплантированный натрий -- зонная плавка -- отжиг -- слои кремния -- термический отжиг -- атомы натрия Аннотация: Изучены профили распределения по глубине атомов натрия в кремнии при высоковольтной имплантации (300 кэВ, 5 ? 10\{14\} и 3 ? 10\{15\} см\{–2\}) до и после отжига в интервале температур T[отж] = 300–900 градусов С (t[отж] = 30 мин). Использовался p-Si, выращенный зонной плавкой ( = 3–5 кОм · см). После отжига электрически активной является лишь малая доля внедренных атомов, расположенных на достаточно удаленном расстоянии от области наибольших повреждений. Показано, что при высоковольтной имплантации натрия, благодаря бoльшей удаленности от поверхности созданного источника диффузии, поверхностная плотность активных атомов в диффузионном слое почти на порядок выше, чем при низковольтной (50–70 кэВ). При этом объемная концентрация доноров вблизи поверхности увеличивается в пять–десять раз. Доп.точки доступа: Король, В. М.; Кудрявцев, Ю.; Заставной, А. В.; Веденяпин, С. А. |
Костишко, Б. М. Моделирование деградации рельефа нанопористого кремния в процессе отжига в неоднородном температурном поле [Текст] / Б. М. Костишко, А. В. Золотов, Ю. С. Нагорнов // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып: вып. 3. - С. 372-375
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): нанопористый кремний -- бездефектные гетероэпитаксиальные слои кремния -- эпитаксиальные пленки -- термический отжиг -- отжиг -- поры Аннотация: Представлены результаты моделирования процессов термического отжига пористого кремния под действием высокотемпературного нагрева как в однородном температуром поле, так и в условиях наличия в системе линейного градиента температур. Доп.точки доступа: Золотов, А. В.; Нагорнов, Ю. С. |
Термо- и радиационно стабильные контакты к SiC на основе квазиаморфных пленок ZrB[2] [Текст] / А. Е. Беляев [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып: вып. 6. - С. 755-758 : ил. - Библиогр.: с. 758 (15 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Проводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): контакты -- радиационная стабильность -- термическая стабильность -- вольт-яркостные характеристики -- ВЯХ -- барьеры Шоттки -- Шоттки барьеры -- вольт-фарадные характеристики -- ВФХ -- пленки -- магнетронное распыление -- монокристаллы -- термический отжиг -- оже-анализы -- ZrB[2] Аннотация: Методами вольт-амперных и вольт-фарадных характеристик в сочетании с послойным оже-анализом исследовались радиационная и термическая стабильность структур с барьером Шоттки, изготовленных магнетронным распылением диборида циркония на поверхность (0001) монокристаллов n-6H (15R) SiC, выращенных методом Лели, с концентрацией нескомпенсированых доноров ~10{18}см{-3}. Показано, что использование квазиаморфных пленок ZrB[2] при изготовлении контактов на n-6H (15R) SiC не приводит к изменениям характеристик барьеров Шоттки при быстрых термических отжигах до 800oC в диапазоне доз облучения gamma-квантами {60}Co10{3}-10{7} Гр. Доп.точки доступа: Беляев, А. Е.; Болтовец, Н. С.; Иванов, В. Н.; Капитанчук, Л. М.; Конакова, Р. В.; Кудрик, Я. Я.; Миленин, В. В. |
Александров, О. В. Моделирование взаимодействия никеля с карбидом кремния при формировании омических контактов [Текст] / О. В. Александров, В. В. Козловский // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып: вып. 7. - С. 917-923 : ил. - Библиогр.: с. 922-923 (30 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Проводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): омические контакты -- никель (Ni) -- карбид кремния (SiC) -- силициды -- диффузия -- термический отжиг -- облучение протонами -- твердофазные реакции -- радиационные дефекты -- металлы -- полупроводники -- протонное облучение Аннотация: Впервые разработана количественная модель взаимодействия силицидообразующего металла Ni с монокристаллическим SiC на основе взаимной диффузии компонентов и объемной реакции образования силицидов. Модель позволяет удовлетворительно описать основные свойства перераспределения компонентов при термическом отжиге, а также при облучении системы Ni-SiC протонами при повышенных температурах, а именно: наличие протяженной реакционной зоны, превышение концентрации углерода над концентрацией кремния на границе с подложкой SiC, накопление углерода вблизи поверхности. Показано, что стимулирование взаимодействия металла Ni с SiC протонным облучением при повышенной температуре происходит вследствие увеличения коэффициента диффузии металла и возрастания констант скоростей твердофазных реакций образования силицидов. Ускорение диффузии металла связывается с генерацией простейших радиационных дефектов- межузельных атомов и вакансий, а возрастание констант скоростей твердофазных реакций - с генерацией вакансий, являющихся поставщиками свободного объема. Доп.точки доступа: Козловский, В. В. |
Свойства контактов GaN (SiC) - (Ti, Zr) B[x], подвергнутых быстрым термоотжигам [Текст] / А. Е. Беляев [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып: вып. 8. - С. 1125-1130 : ил. - Библиогр.: с. 1130 (23 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Проводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): контакты -- GaN (SiC) - (Ti, Zr) B[x] -- электрофизические свойства -- структурные свойства -- межфазные границы -- МФГ -- барьеры Шоттки -- Шоттки барьеры -- отжиг -- термический отжиг -- быстрый термический отжиг -- вольт-амперные характеристики -- ВАХ -- окислы бора -- стеклообразующие окислы бора -- стеклообразующие металлы -- структурные исследования -- слои -- стекловидные слои -- аморфные слои -- оже-анализ -- рентгенодифракционные исследования -- диодные структуры -- термоотжиг Аннотация: Исследовано влияние быстрой термической обработки на структурные и электрофизические свойства контактов Au- (Ti, Zr) B[x]-GaN (SiC) и диодных структур на их основе. Рентгенодифракционные исследования и послойный оже-анализ показали, что фазовый состав и структура контактов к GaN и SiC сохраняются до температуры 900 и 1000° С соответственно. Стабильность межфазных границ подтверждается практически неизменными электрофизическими свойствами контактов до и после быстрых термообработок. Высота барьера Шоттки для контактов к GaN составляет 0. 89-0. 9 эВ и к SiC - 0. 79-0. 83 эВ; фактор идеальности вольт-амперной характеристики для контактов Au-TiB[x] (ZrB[x]) -n-GaN (SiC) составляет п = 1. 2, а для Au-ZrB[x]-n-n{+}-4HSiC n ~ 1. 12. Структурные исследования указывают на наличие стеклообразующих окислов бора и металлов на межфазной границе раздела, которые образуют тонкий аморфный стекловидный слой, устойчивый к быстрым термическим отжигам, и являются диффузионным барьером для межфазного переноса. Доп.точки доступа: Беляев, А. Е.; Болтовец, Н. С.; Иванов, В. Н.; Конакова, Р. В.; Кладько, В. П.; Кудрик, Я. Я.; Лебедев, А. А.; Миленин, В. В.; Шеремет, В. Н. |
Роль распределения напряжений на границе раздела пленка- (барьерный подслой) в формировании силицидов меди [Текст] / А. В. Панин [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып: вып. 1. - С. 118-125 : ил. - Библиогр.: с. 124 (17 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Проводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): медь -- силициды меди -- тонкие пленки -- Cu -- отжиг -- термический отжиг -- термоотжиг -- напряжения -- распределение напряжений -- температура -- границы раздела пленок -- барьерный подслой -- кристаллографическая ориентация -- подложки -- кристаллиты -- Cu[3]Si -- атомно-силовая микроскопия -- АСМ -- растровая электронная микроскопия -- РЭМ -- рентгеновская дифракция -- энергодисперсионный анализ -- коэффициент термического расширения -- КТР -- дефекты упаковки -- экспериментальные исследования Аннотация: Методами атомно-силовой и растровой электронной микроскопии, рентгеновской дифракции, а также энергодисперсионного микроанализа исследован процесс образования силицидов в тонких пленках Cu при термическом отжиге. Показано, что периодическое распределение напряжений, возникающее при повышенных температурах на границе раздела пленка- (барьерный подслой), может определять характер формирования силицидов меди. Исследовано влияние материала барьерного подслоя и кристаллографической ориентации подложки на плотность распределения и форму кристаллитов Cu[3]Si. Доп.точки доступа: Панин, А. В.; Шугуров, А. Р.; Ивонин, И. В.; Шестериков, Е. В. |
Магнитопластический эффект в кремнии: поиск новых методов управления структурно-чувствительными свойствами элементарных полупроводников [Текст] / А. А. Скворцов [и др. ] // Физика твердого тела. - 2009. - Т. 51, вып: вып. 12. - С. 2304-2308. - Библиогр.: с. 2308 (6 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): магнитные поля -- магнитопластический эффект -- кремний -- элементарные полупроводники -- примесные точечные дефекты -- поверхностные дислокационные сегменты -- термический отжиг -- магнитопластичность Аннотация: Рассматривается влияние постоянных магнитных полей (индукцией до 1 T) на состояние примесных точечных дефектов и подвижность дислокационных сегментов в легированном кремнии (0. 01 - Омега х cm). Обнаружены долгоживущие (около 100 h) изменения в состоянии точечных дефектов, детектируемые по подвижности дислокаций, вводимых после магнитной обработки. Изучена концентрационная зависимость магнитопластического эффекта в кремнии p-типа. Зафиксирована пороговая концентрация примеси (10{15} cm {-3}), ниже которой магнитопластический эффект не фиксируется. Рассмотрено влияние предварительного воздействия магнитного поля на времена ожидания дислокаций до открепления и на активационные барьеры открепления дислокаций от стопоров, а также влияние предварительных термических отжигов на магнитопластичность в Si. Доп.точки доступа: Скворцова, А. А.; Орлов, А. М.; Соловьев, А. А.; Белов, Д. И. |
Исследование нанокристаллов кремния в слоях субоксида кремния методом комбинационного рассеяния света [Текст] / Н. Е. Маслова [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып: вып. 8. - С. 1074-1077 : ил. - Библиогр.: с. 1076-1077 (17 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): нанокристаллы кремния -- субоксид кремния -- комбинационное рассеяние света -- КРС -- метод комбинационного рассеяния света -- термический отжиг -- термоотжиг -- температура отжига -- фононы -- кристаллические фазы -- аморфные фазы Аннотация: Методом спектроскопии комбинационного рассеяния света исследованы слои субоксида кремния SiO[x] (x~1), подвергнутые термическому отжигу при температурах от 950 до 1200{o}C для формирования в них нанокристаллов кремния. Сравнением полученных экспериментальных данных с моделью пространственного ограничения фононов найдены объемные доли кристаллической и аморфной фаз кремния в исследуемых слоях. Установлено, что средний размер нанокристаллов кремния увеличивается с 4 до 6. 5 нм с ростом температуры отжига, что объясняется укрупнением нанокристаллов за счет кристаллизации аморфной фазы кремния, а также процессами слияния соседних нанокристаллов, происходящими при максимальных температурах отжига. Доп.точки доступа: Маслова, Н. Е.; Антоновский, А. А.; Жигунов, Д. М.; Тимошенко, В. Ю.; Глебов, В. Н.; Семиногов, В. Н. |
Управление длиной волны излучения квантовых ям InGaAs/GaAs и лазерных структур на их основе с помощью протонного облучения [Текст] / С. А. Ахлестина [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 46, вып: вып. 11. - С. 1494-1497 : ил. - Библиогр.: с. 1497 (8 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): гетероструктуры -- InGaAs/GaAs -- квантовые ямы -- КЯ -- лазерные структуры -- длина волны -- протонное облучение -- облучение протонами -- термический отжиг -- температура отжига -- лазерное излучение -- имплантация ионов -- границы раздела -- ионы Аннотация: Исследованы особенности управления длиной волны излучения лазерных гетероструктур с напряженными квантовыми ямами InGaAs/GaAs посредством облучения протонами средних энергий (до 150 кэВ). Установлено, что облучение ионами H{+} и последующий термический отжиг при температуре 700{o}C позволяют уменьшить длину волны излучения квантовых ям. С ростом дозы ионов от 10{13} до 10{16} см{-2} величина изменения длины волны увеличивается до 20 нм. При этом начиная с дозы 10{15} см{-2} наблюдается значительное уменьшение интенсивности излучения. Определены оптимальные дозы ионов H{+} (6 x 10{14} см{-2}) и температура отжига (700{o}C) для модифицирования лазерных структур InGaAs/GaAs/InGaP и показано, что в этом случае можно получить сдвиг ~8-10 нм длины волны лазерного излучения с малыми потерями интенсивности при сохранении качества поверхности лазерных структур. Наблюдаемый "синий" сдвиг обусловлен стимулированными имплантацией процессами перемешивания атомов Ga и In на границах раздела InGaAs/GaAs. Доп.точки доступа: Ахлестина, С. А.; Васильев, В. К.; Вихрова, О. В.; Данилов, Ю. А.; Звонков, Б. Н.; Некоркин, С. М. |
536.42 Ф 796 Формирование и методика исследования ультратонких слоев силицида кобальта в структурах Ti/Co/Ti, TiN/Ti/Co и TiN/Co на кремнии [Текст] / В. И. Рудаков [и др.] // Журнал технической физики. - 2012. - Т. 82, № 2. - С. 122-128. - Библиогр.: c. 128 (16 назв. ) . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Физика Термодинамика твердых тел Кл.слова (ненормированные): силицид кобальта -- ультратонкие слои -- магнетронное распыление -- термический отжиг -- кремний -- аморфный кремний -- Si -- alpha-Si -- жертвенные слои -- масс-спектрометрия -- ионная масс-спектрометрия -- времяпролетная масс-спектрометрия -- оже-электронная спектроскопия -- сканирующая электронная микроскопия -- рентгеновский дисперсионный микроанализ Аннотация: Исследованы процессы формирования ультратонких слоев CoSi2 в структурах Ti (8 nm) /Co (10 nm) /Ti (5 nm), TiN (18 nm) /Ti (2 nm) /Co (8 nm) и TiN (18 nm) /Co (8 nm), полученных магнетронным распылением на поверхности Si (100). Структуры подвергались двухстадийному быстрому термическому отжигу. В промежутке между стадиями отжига с поверхности химически удалялся "жертвенный" слой, а на две последние структуры дополнительно наносился аморфный кремний alpha-Si толщиной 17 nm. На различных этапах технологического маршрута проводилось комплексное исследование структур с помощью времяпролетной "катионной" вторичной ионной масс-спектрометрии, оже-электронной спектроскопии и сканирующей электронной микроскопии, совмещенной с рентгеновским дисперсионным микроанализом. Показано, что представленный комплекс аналитических измерений позволяет эффективно решать проблемы, связанные с физическим контролем процесса образования ультратонких слоев силицидов. Перейти: http://journals.ioffe.ru/jtf/2012/02/p122-128.pdf Доп.точки доступа: Рудаков, В. И.; Денисенко, Ю. И.; Наумов, В. В.; Симакин, С. Г. |