539.19 Ч 494 Черноплеков, Н. А. Сверхпроводниковые технологии [Текст] : современное состояние и перспективы практического применения / Н. А. Черноплеков // Вестник Российской академии наук. - 2001. - Т.71,N4 . - ISSN 0869-5873
Рубрики: Физика--Молекулярная физика Энергетика--Электротехника Радиоэлектроника--Электроника Кл.слова (ненормированные): полупроводниковые материалы -- сверхпроводники -- сверхпроводимость -- низкотемпературная -- сверхпроводящие материалы -- наукоемкие технологии -- провода -- ленточные провода -- изоляция -- электротехника -- силовая сверхпроводимость -- сильноточные технологии -- электроника сверхпроводниковая -- электронные приборы Аннотация: В развитии техники большие надежды связаны с созданием электротехнического оборудования в сверхпроводниковом исполнении.Автор,чл.-кор.РАН,рассказывает о новом поколении сверхпроводниковых технологий.Публикуется его научное сообщение и материалы дискуссии,состоявшейся в Президиуме РАН. Доп.точки доступа: Осипьян, Ю.А.; Гапонов, С.В.; Фортов, В.Е.; Андреев, А.Ф. |
001(09) Г 808 Грехов, И. В. Создатель силовой полупроводниковой электроники [Текст] : к 100-летию со дня рождения академика В. М. Тучкевича / И. В. Грехов // Вестник Российской академии наук. - 2004. - Т. 74, N 12 . - ISSN 0869-5873
Рубрики: Наука. Науковедение--История науки Радиоэлектроника--Электроника Кл.слова (ненормированные): исследования -- ученые -- юбилеи -- полупроводники -- полупрводниковая электроника -- диэлектрики -- диэлектрическая электроника -- рентгеновское излучение -- германиевые диоды -- диоды -- реакторы -- тиристоры Аннотация: Академику Владимиру Максимовичу Тучкевичу - ученый, создатель силовой полупроводниковой электроники. Основными направлениями его работы были исследования электрических свойств диэлектриков и воздействия на них рентгеновского излучения; под его руководством были сделаны первые в стране мощные германиевые диоды, первые полупроводниковые устройства для бесперебойного питания реакторов атомных подводных лодок; проводились работы по созданию мощных тиристоров. Доп.точки доступа: Тучкевич, В. М. |
621.384.6 Г 859 Гришин, В. К. Поляризационное тормозное излучение как средство диагностики структуры фуллеренов [Текст] / В. К. Гришин // Вестник Московского университета. Сер. 3, Физика. Астрономия. - 2004. - N 2. - Библиогр.: с. 71 (5 назв. ) . - ISSN 0201-7385
Рубрики: Радиоэлектроника--Электроника Кл.слова (ненормированные): поляризационное тормозное излучение -- структура фуллеренов -- быстрые заряды -- атомные электроны Аннотация: Рассматриваются свойства поляризационного тормозного излучения ( ПТИ ) , возникающего в результате взаимодействия быстрых зарядов с атомными электронами, на фуллеренах. Показывается, что в этом случае ПТИ имеет ряд характерных особенностей ( осцилляции интенсивности при высоких частотах излучения, резкий всплеск интенсивности при малых чистотах ) , позволяющих идентифицировать фуллерены. |
Бабичев, Г. Г. Кремниевый однопереходный тензотранзистор [Текст] / Г. Г. Бабичев, С. И. Козловский, В. А. Романов, Н. Н. Шаран // Журнал технической физики. - 2002. - Т.72,N4. - Библиогр.: с.71 (15 назв.) . - ISSN 0044-4642 Рубрики: Радиоэлектроника--Электроника Кл.слова (ненормированные): S-приборы -- двухбазовые диоды -- кремний -- однопереходные транзисторы -- тензотранзисторы -- тензочувствителные приборы Аннотация: Приведены результаты исследования однопереходного тензотранзистора на основе кремния. Тензотранзистор относится к тензочувствительным биполярным полупроводниковым приборам с горизонтальной структурой и входной (эмиттерной) вольт-амперной характеристикой S-типа. Определена оптимальная топология прибора, а также рассчитаны его основные характеристики. На основе однопереходного тензотранзистора могут быть созданы релаксационные генераторы с физически интегрированным преобразованием механического напряжения в изменение частоты выходного сигнала Доп.точки доступа: Козловский, С.И.; Романов, В.А.; Шаран, Н.Н. |
Дмитрук, Н. Л. Влияние гамма-облучения на характеристики фотопреобразования барьерных структур металл--арсенид галлия с текстурированной границей раздела [Текст] / Н. Л. Дмитрук, О. Ю. Борковская [и др.] // Журнал технической физики. - 2002. - Т.72,N6. - Библиогр.: с. 48-49 (15 назв.) . - ISSN 0044-4642 Рубрики: Радиоэлектроника--Электроника Кл.слова (ненормированные): барьер Шоттки -- барьерные структуры -- гамма-облучение -- солнечные элементы -- фотопреобразование Аннотация: Проведено сравнительное исследование влияния gamma-облучения {60}Co в диапазоне доз 10{3}-2*10{5} Gy на характеристики фотопреобразования и темновые ВАХ солнечных элементов (СЭ) поверхностно-барьерного типа (Au/GaAs) в зависимости от морфологии микрорельефа границы раздела, создаваемого с целью увеличения эффективности фотопреобразования. Показано, что из двух типов морфологии микрорельефа (дендритный и квазирешеточный), полученных методом химического анизотропного травления (100) поверхности n-GaAs, более перспективным для использования в СЭ, особенно космического назначения, является микрорельеф квазирешеточного типа, поскольку он позволяет получить СЭ с большей эффективностью и радиационной стойкостью Доп.точки доступа: Борковская, О.Ю.; Конакова, Р.В.; Мамонтова, И.Б.; Мамыкин, С.В.; Войциховский, Д.И. |
Чеснис, A. Вольт-амперная характеристика и параметры области шнура тока в барьерной негисторной гетероструктурe аморфный теллурид галлия-кристаллический кремний [Текст] / A. Чеснис, C. -А. Карпинскас, А. Урбялис // Журнал технической физики. - 2002. - Т.72,N10. - Библиогр.: с.62 (14 назв.) . - ISSN 0044-4642 Рубрики: Радиоэлектроника--Электроника Кл.слова (ненормированные): вольт-амперные характеристики -- гетероструктуры -- отрицательное дифференциальное сопротивление -- шнурование тока Аннотация: Приведены результате исследования переходной вольт-амперной характеристики негисторной барьерной гетероструктуры аморфный GaTe[3]-кристаллический n-Si в условиях проявления отрицательного дифференциального сопротивления. Определены основные параметры (радиус поперечного сечения, плотность тока и удельное сопротивление) области повышенной плотности (шнура) тока в аморфном слое данной структуры. Они сопоставлены с соответствующими параметрами токового шнура в контрольной безбарьерной структуре C-аморфный GaTe[3]-C. Показано, что электропроводность области шнурования тока исследованной гетероструктуры в указанных выше условиях определяется в основном процессами, происходящими в ее кристаллическом компоненте Доп.точки доступа: Карпинскас, C.-А.; Урбялис, А. |
32.85 Т 462 Тихов, С. В. Влияние водорода на фотоэлектрические свойства диодов Шоттки палладий/анодный окисел/арсенид галлия [Текст] / С. В. Тихов, Е. Л. Шоболов, В. В. Подольский, С. Б. Левичев // Журнал технической физики. - 2003. - Т.73,N2. - Библиогр.: с.92 (17 назв.) . - ISSN 0044-4642 Рубрики: Радиоэлектроника--Электроника Кл.слова (ненормированные): арсенид галлия -- водород -- диоды Шоттки -- фотоэдс -- хемасорбция Аннотация: Исследовано влияние водорода на фотоэдс и вольт-амперные характеристики диодов Шоттки палладий/анодный окисел/арсенид галлия. Определены оптимальные значения толщины окисла, при которой диоды имели высокую чувствительность к водороду, и глубина проникновения атомарного водорода в окисел. Установлен механизм воздействия водорода, заключающийся в хемасорбции атомарного водорода на поверхности арсенида галлия, что приводит к уменьшению высоты барьера и увеличению рекомбинационной составляющей тока. Показана неоднородность пленки туннельно-тонкого анодного окисла по толщине и обнаружено увеличение вероятности туннелирования через окисел под действием водорода. Установлено, что регистрация водорода по отклику фотоэдс характеризовалась большей чувствительностью и обнаружительной способностью, но меньшим быстродействием по сравнению с откликом по обратному току Доп.точки доступа: Шоболов, Е.Л.; Подольский, В.В.; Левичев, С.Б. |
621.38 З 430 Звездин, А. К. Вольт-амперные характеристики спинового полуметаллического транзистора [Текст] / А. К. Звездин, А. С. Мищенко, А. В. Хвальковский // Журнал технической физики. - 2003. - Т.73,N4. - Библиогр.: 29 назв. . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Радиоэлектроника--Электроника Кл.слова (ненормированные): спиновые полуметаллические транзисторы -- спиновые транзисторы -- транзисторы -- ферромагнитные полуметаллы Аннотация: Предложена новая конструкция спинового транзистора на основе ферромагнитных полуметаллов, называемого спиновым полуметаллическим транзистором, и теоретически исследованы его вольт-амперные характеристики. Новое устройство подобно биполярному транзистору способно усиливать ток. В то же время свойства спинового полуметаллического транзистора кардинально зависят от взаимной ориентации намагниченностей трех его контактов. Также в работе предложен Fuparrow-Fdownarrow-переход. Это устройство состоит из двух однодоменных полуметаллических частей с противоположными направлениями намагниченности. В некотором диапазоне напряжений вольт-амперные характеристики Fuparrow-Fdownarrow-перехода и полупроводникового диода схожи между собой. Исследовано поведение Fuparrow-Fdownarrow-перехода при различных условия Доп.точки доступа: Мищенко, А.С.; Хвальковский, А.В. |
621.38 Б 796 Болтовец, Н. С. Межфазные взаимодействия и термодеградация контактных структур TiN[x](TiB[x])-n-n{+}-Si, стимулированные быстрыми термическими отжигами [Текст] / Н. С. Болтовец, В. Н. Иванов [и др.] // Журнал технической физики. - 2003. - Т.73,N4. - Библиогр.: 16 назв. . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Радиоэлектроника--Электроника Кл.слова (ненормированные): барьер Шоттки -- бориды титана -- контактные структуры -- межфазные взаимодействия -- нитриды титана -- термический отжиг -- термодеградация Аннотация: Приведены результаты экспериментальных исследований термической стабильности контактов с барьером Шоттки (БШ) TiN[x](TiB[x])-n-n{+}-Si, Au-TiN[x](TiB[x])-n-n{+}-Si и Au-Ti(Mo)-TiN[x](TiB[x])-n-n[+}-Si, подвергнутых быстрым термическим отжигам в атмосфере водорода при T=400,600 и 800oC. Показано, что структурно-морфологические перестройки в слоях сплавов внедрения (бориды и нитриды титана) и связанные с ними процессы деградации электрофизических характеристик барьера происходят начиная с 600`C. Обсуждаются возможные причины, приводящие к нарушению барьерных свойств слоев нитридов и боридов титана Доп.точки доступа: Иванов, В.Н.; Конакова, Р.В.; Миленин, В.В.; Войциховский, Д.И. |
621.38 Б 269 Барыбин, А. А. Анализ параметрического взаимодействия волн пространственного заряда в тонкопленочных полупроводниковых структурах асимметричного типа на основе арсенида галлия n-типа [Текст] / А. А. Барыбин, А. И. Михайлов // Журнал технической физики. - 2003. - Т.73,N6. - Библиогр.: 22 назв. . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Радиоэлектроника--Электроника Кл.слова (ненормированные): арсенид галлия -- волны пространственного заряда -- параметрическое взаимодействие волн -- тонкие пленки -- тонкопленочные полупроводниковые структуры Аннотация: На основе общей теории, ранее разработанной авторами, проведен анализ параметрического взаимодействия волн пространственного заряда в тонкопленочных полупроводниковых структурах с отрицательной дифференциальной проводимостью в приближении жесткой границы дрейфового потока носителей заряда при условии, что частота низкочастотной накачки равна граничной частоте f[c] усиливаемых волн (в рассматриваемом случае f[c] около 30 GHz). Для структур асимметричного типа общая многомодовая система связанных уравнений сведена к двум дифференциальным уравнениям относительно амплитуд возбуждения основной моды волн пространственного заряда на частоте сигнала omegas и холостой частоте omega[i]=omega[s]-omega[p]. Полученные уравнения численно решены на основе арсенида галлия n-типа. Приводятся результаты анализа полученного решения Доп.точки доступа: Михайлов, А.И. |
621.38 Д 648 Долов, А. М. Применение методики контроля хаоса для устранения автомодуляции в лампе обратной волны [Текст] / А. М. Долов, С. П. Кузнецов // Журнал технической физики. - 2003. - Т.73,N8. - Библиогр.: 20 назв. . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Радиоэлектроника--Электроника Кл.слова (ненормированные): автомодуляция -- лампы обратной волны -- подавление автомодуляции -- хаос Аннотация: Предлагается метод подавления автомодуляции в лампе обратной волны. Для этого вводится дополнительная цепь запаздывающей обратной связи, благодаря чему уровень амплитуды выходного сигнала оказывает влияние на величину поступающего в пространство взаимодействия тока электронного пучка. Результаты численного моделирования демонстрируют возможность увеличения рабочего тока примерно вдвое при сохранении одночастотного режима генерации. Доп.точки доступа: Кузнецов, С.П. |
621.38 Б 194 Бакланов, С. Б. Формирование полярно-чувствительных входных вольт-амперных характеристик симисторной структуры [Текст] / С. Б. Бакланов, Н. Т. Гурин [и др.] // Журнал технической физики. - 2003. - Т.73,N9. - Библиогр.: 4 назв. . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Радиоэлектроника--Электроника Кл.слова (ненормированные): вольт-амперные характеристики -- отрицательное дифференциальное сопротивление -- симисторные структуры -- симисторы Аннотация: Получено семейство входных вольт-амперных характеристик структуры планарно-диффузионного симистора. Предложено объяснение механизма формирования на входной характеристике N-образного участка. Показано, что входная N-образная характеристика в зависимости от полярности напряжения на силовых электродах формируется в разных входных цепях симисторной структуры. Доп.точки доступа: Гурин, Н.Т.; Лычагин, Е.В.; Новиков, С.Г.; Картавенко, А.В.; Костылов, М.А. |
621.38 А 235 Агафонов, А. В. Динамика нарушения магнитной изоляции и самоорганизация электронного потока в магнетронном диоде [Текст] / А. В. Агафонов, В. П. Тараканов, В. М. Федоров // Журнал технической физики. - 2004. - N 1. - Библиогр.: c. 102-103 (35 назв. ) . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Радиоэлектроника--Электроника Кл.слова (ненормированные): магнитная изоляция -- самоорганизация -- электронные потоки -- магнетронные диоды -- обратная бомбардировка -- нарушение магнитной изоляции Аннотация: Приведены результаты численного моделирования динамики нестабильности типа обратной бомбардировки (ВКВ) в магнетронном диоде (коаксиальный диод в магнитном поле, B=B[0z]=B[0]) . Получен "квазистационарный" режим утечки электронов поперек сильного магнитного поля (B[0]/B[cr]>1. 1, B[cr] - критическое поле изоляции) . Электронный поток в зазоре разбивается в азимутальном направлении на ряд сгустков и создает компоненту электрического поля E[theta] (r, theta, t) . Это поле ускоряет некоторые электроны, и они, получив дополнительную энергию, бомбардируют катод, вызывая вторичную эмиссию электронов. Другие электроны теряют кинетическую энергию и уходят на анод. Неустойчивость поддерживается, если катод имеет малую первичную эмиссию и коэффициент вторичной эмиссии k[es]=I[es]/I[eBKB]>1. Численный расчет сопоставлен с известными экспериментальными данными и показано их согласие. Предложена физическая модель BKB нестабильности. Коллективные колебания заряженных потоков происходят в зазоре со скрещенными электрическим и магнитным полями ( ExB-поле) при обменах импульсом и энергией между электронами и ExB-полем. Автогенерация и самоорганизация потоков происходят благодаря вторичной эмиссии электронов с катода. Перейти: http: //www. ioffe. ru/journals/jtf/2004/01/ Доп.точки доступа: Тараканов, В. П.; Федоров, В. М. |
621.38 А 465 Александров, С. Е. Устройство пирометрического контроля температуры подложки GaAs для установки молекулярно-лучевой эпитаксии [Текст] / С. Е. Александров, Г. А. Гаврилов [и др.] // Журнал технической физики. - 2004. - N 1. - Библиогр.: c. 127 (8 назв. ) . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Радиоэлектроника--Электроника Кл.слова (ненормированные): пирометрический контроль -- арсенид галлия -- молекулярно-лучевая эпитаксия -- подложки -- температура подложки -- оптические пирометры Аннотация: Рассматривается оптический пирометр, специально разработанный для прецизионного контроля температуры GaAs подложки во время эпитаксиального роста в условиях молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ) . Особенностью разработанного устройства является возможность его калибровки на некоторую характерную абсолютную температуру, определяемую визуально по изменению картины дифракции быстрых электронов (ДБЭ) . Это позволяет рассчитать абсолютную температуру подложки с учетом ее излучательной способности и свести к минимуму погрешности определения температуры по излучению, связанные с запылением пирометрического окна установки ростовыми материалами. Перейти: http: //www. ioffe. ru/journals/jtf/2004/01/ Доп.точки доступа: Гаврилов, Г. А.; Капралов, А. А.; Сотникова, Г. Ю.; Черных, Д. Ф.; Алексеев, А. Н.; Дудин, А. Л.; Коган, И. В.; Шкурко, А. П. |
621.38 Ш 978 Шутов, С. В. Напряжения лавинного пробоя n-p-n-транзисторов И{2}Л элементов [Текст] / С. В. Шутов, А. Н. Фролов, А. А. Фролов // Журнал технической физики. - 2004. - Т. 74, N 2. - Библиогр.: c. 129 (4 назв. ) . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Радиоэлектроника--Электроника Кл.слова (ненормированные): транзисторы -- лавинный пробой -- интегральня инжекционная логика Аннотация: Экспериментально проверена методика определения напряжения лавинного пробоя вертикальных переключающих n-p-n-транзисторов И2Л элементов. Перейти: http: //www. ioffe. ru/journals/jtf/2004/02/ Доп.точки доступа: Фролов, А. Н.; Фролов, А. А. |
621.38 Ш 978 Шутов, С. В. Определение толщины базы вертикальных n-p-n-транзисторов И{2}Л элементов по напряжению "gрокола" базы [Текст] / С. В. Шутов, А. Н. Фролов, В. Н. Литвиненко, А. А. Фролов // Журнал технической физики. - 2004. - Т. 74, N 2. - Библиогр.: c. 132 (6 назв. ) . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Радиоэлектроника--Электроника Кл.слова (ненормированные): транзисторы -- база -- толщина базы -- напряжение прокола -- интегральня инжекционная логика Аннотация: Предложен и экспериментально проверен метод определения толщины базовых областей n-p-n-транзисторов И2Л элементов по заданному напряжению "прокола" базы. Изготовлены и исследованы И2Л элементы. Перейти: http: //www. ioffe. ru/journals/jtf/2004/02/ Доп.точки доступа: Фролов, А. Н.; Литвиненко, В. Н.; Фролов, А. А. |
621.38 М 268 Марков, О. И. Повышение эффективности ветви термоэлемента при линейном законе распределения концентрации носителей [Текст] / О. И. Марков // Журнал технической физики. - 2004. - Т. 74, N 2. - Библиогр.: c. 140 (5 назв. ) . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Радиоэлектроника--Электроника Кл.слова (ненормированные): термоэлементы -- температурные поля -- ветви термоэлементов -- термоэлектрическая добротность Аннотация: Численно решена одномерная граничная задача по определению стационарного температурного поля ветви термоэлемента в режиме максимального температурного перепада в интервале температур горячего конца ветви 100-300 K. В расчете учтены эффект Томсона, распределенный эффект Пельтье и температурная зависимость подвижности носителей заряда. Проведена оптимизация по току и концентрации носителей. Перейти: http: //www. ioffe. ru/journals/jtf/2004/02/ |
621.38 Н 553 Несмелова, И. М. Неохлаждаемые термочувствительные элементы на основе кристаллических полупроводников [Текст] / И. М. Несмелова, Н. П. Цицина, В. А. Андреев // Журнал технической физики. - 2004. - Т. 74, N 2. - Библиогр.: c. 143 (4 назв. ) . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Радиоэлектроника--Электроника Кл.слова (ненормированные): термочувствительные элементы -- антимонид индия -- болометрические элементы Аннотация: На примере монокристаллов антимонида индия рассмотрена возможность создания неохлаждаемых термочувствительных элементов для ИК области спектра. Рассчитаны оптимальные электрические параметры InSb для получения болометрических элементов с максимальной чувствительностью. Результаты расчета сравниваются с экспериментальными данными, полученными на термодатчиках из антимонида индия. Перейти: http: //www. ioffe. ru/journals/jtf/2004/02/ Доп.точки доступа: Цицина, Н. П.; Андреев, В. А. |
621.38 Г 695 Горлей, П. Н. Механизмы протекания тока в структурах металл/p-CuInSe[2] [Текст] / П. Н. Горлей, З. Д. Ковалюк [и др.] // Журнал технической физики. - 2004. - Т. 74, N 5. - Библиогр.: c. 142 (6 назв. ) . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Радиоэлектроника--Электроника Кл.слова (ненормированные): барьеры Шоттки -- прохождение тока -- фотопреобразователи Аннотация: Барьеры Шоттки изготовлены путем термического напыления индия на монокристаллы CuInSe[2] p-типа. Обсуждаются температурные зависимости вольт-амперных характеристик и механизмы прохождения тока в исследуемых диодах. Показано, что полученные на поверхностно-барьерных структурах довольно высокие и воспроизводимые результаты таких основных параметров, как напряжение холостого хода и ток короткого замыкания, при довольно простой и дешевой технологии изготовления этих структур свидетельствуют о перспективности данного направления для фотопреобразования солнечного излучения. Перейти: http://www.ioffe.ru/journals/jtf/2004/05/page-141.html.ru Доп.точки доступа: Ковалюк, З. Д.; Орлецкий, В. Б.; Сидор, О. Н.; Нетяга, В. В.; Хомяк, В. В. |
621.38 А 194 Аверин, С. В. Импульсный отклик МПМ фотодиода с гетеробарьером [Текст] / С. В. Аверин // Журнал технической физики. - 2004. - Т. 74, N 6. - Библиогр.: c. 56 (20 назв. ) . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Радиоэлектроника--Электроника Кл.слова (ненормированные): гетеробарьеры -- дрейф носителей заряда -- МПМ диоды -- фотодиоды Аннотация: В рамках двумерной модели исследуются процессы дрейфа фотогенерированных носителей заряда в активном объеме быстродействующих фотодиодов в системе выпрямляющих контактов металл-полупроводник-металл (МПМ) обычной планарной структуры и структуры с гетеробарьером. Дается сравнение двух типов фотодиодных структур с точки зрения характеристик сигнала импульсного отклика детектора и квантовой эффективности. Анализируются ограничения в отклике планарного МПМ диода, возникающие при последовательном уменьшении размеров встречно-штыревой системы контактов. Обсуждается возможность увеличения скорости отклика МПМ диода. Показано, что структура с InP/GaInAs гетеробарьером сильно видоизменяет движение фотогенерированных носителей заряда и существенно увеличивает скорость отклика МПМ фотодиода. Перейти: http://www.ioffe.rssi.ru/journals/jtf/2004/06/page-51.html.ru |