621.315.55/.58 Н 626 Никитушкина, О. Н. Исследование ударной микроструктуры на поверхности медной пластины, экспонировавшейся в открытом космосе [Текст] / О. Н. Никитушкина, Б. А. Логинов, Л. С. Новиков, В. А. Беспалов // Физика и химия обработки материалов. - 2008. - N 2. - С. 28-31 . - ISSN 0015-3214
Рубрики: Энергетика Проводниковые материалы и изделия Транспорт Космические летательные аппараты Кл.слова (ненормированные): медные пластины -- электронная микроскопия -- туннельная микроскопия -- микрометеорные частицы -- ударная микроструктура -- космический мусор -- космические орбитальные станции Аннотация: Методами сканирующей электронной и туннельной микроскопии исследована поверхность образца меди, экспонировавшегося на борту космической орбитальной станции "Мир". Доп.точки доступа: Логинов, Б. А.; Новиков, Л. С.; Беспалов, В. А. |
Нудельман, Рафаил. Достижения и перспективы [Текст] / Р. Нудельман // Знание-сила. - 2008. - N 6. - С. 54-61 . - ISSN 0130-1640
Рубрики: Наука. Науковедение Биология Общая цитология Антропология Общие вопросы науки Энергетика Проводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): антропогенетика -- геномика -- геном человека -- внегенные факторы -- снипсы -- стволовые клетки -- плюрипотентные стволовые клетки -- рецепторы кожи -- окислы переходных металлов -- сверхпроводники Аннотация: О достижениях науки в 2007 году и перспективах на 2008 год. |
Костюков, Н. С. Моделирование диэлектрического спектра кварца в области установления процессов электронной поляризации [Текст] / Н. С. Костюков, И. Е. Еремин // Известия вузов. Физика. - 2008. - Т. 51, N 11. - С. 32-38. - Библиогр.: c. 38 (9 назв. ) . - ISSN 0021-3411
Рубрики: Проводниковые материалы и изделия Энергетика Физика Электростатика Кл.слова (ненормированные): ионный кристалл -- квантово-механический подход -- кибернетическая модель -- оптическая электронная оболочка -- электротехнические устройства Аннотация: Рассмотрена практическая эффективность имитационного моделирования вещественной частотной характеристики комплексной диэлектрической проницаемости кристалла кварца a-SiО[2], имеющей место в диапазоне частот установления процессов упругой электронной поляризации. При проведении вычислительных экспериментов были использованы различные формулы диэлектрической проницаемости, а также классическая и квантово-механическая модели конфигурации оптических электронных оболочек ионов. Доп.точки доступа: Еремин, И. Е. |
Звягин, И. П. Особенности частотной зависимости низкотемпературной бесфононной проводимости неупорядоченных систем [Текст] / И. П. Звягин, М. А. Ормонт // Вестник Московского университета. Сер. 3. Физика. Астрономия. - 2008. - N 4. - С. 44-47. - Библиогр.: c. 47 (11 назв. ) . - ISSN 0201-7385
Рубрики: Энергетика Проводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): кроссовер -- легированные полупроводники -- неупорядоченные материалы -- низкочастотная проводимость -- проводимость -- проводящие полимеры -- фононы Аннотация: В рамках парного приближения рассмотрена частотная зависимость резонансной бесфононной прыжковой проводимости неупорядоченных систем с точечными центрами локализации в пределе низких температур. Показано, что существующая теория, предсказывающая степенную частотную зависимость низкочастотной бесфононной прыжковой проводимости и переход от линейной к квадратичной зависимости (кроссовер) при повышении частоты, может стать неприменимой, а квадратичная частотная зависимость может вообще не проявляться. Доп.точки доступа: Ормонт, М. А. |
Время жизни носителей заряда в высокохромном GaAs, легированном диффузией хрома [Текст] / Д. Л. Будницкий [и др. ] // Известия вузов. Физика. - 2008. - Т. 51, N 5. - С. 84-88. - Библиогр.: с. 87-88 (10 назв. ) . - ISSN 0021-3411
Рубрики: Проводниковые материалы и изделия Физика полупроводников и диэлектриков Физика Энергетика Кл.слова (ненормированные): арсенид галлия -- диффузия хрома -- носители заряда -- полупроводники -- приемники ионизирующего излучения -- фотопроводимость монокристаллов -- фотоэлектрические свойства материалов Аннотация: Использование высокоомного (ВО) GaAs для формирования прием ников ионизирующих излучений стимулирует исследования его физических свойств. Изучение фотоэлектрических свойств позволяет установить механизмы рекомбинации носителей заряда и особенности их транспорта в электрических полях, оценить времена жизни. В работе представлены результаты исследований Фотопроводимости и фотоэффекта Холла в высокоомном GaAs, легированном диффузией хрома. Установлено, что типичная люкс-амперная характеристика (ЛАХ) состоит из сверхлинейного и сублинейного участков. Изучено изменение холловской подвижности при освещении. Сделан ряд упрощений и оценены времена жизни электронов (тау n) и дырок (тау p) для высокого и низкого уровней возбуждения. Установлено, что тау p > тау n. Показано, что фотоэлектрические свойства ВО GaAs: Cr могут быть объяснены с помощью модели "искривленных" зон. Высказано предположение о трансформации потенциальных барьеров при фотовозбуждении. Доп.точки доступа: Будницкий, Д. Л.; Новиков, В. А.; Толбанов, О. П.; Прудаев, Д. А. |
Кинетика релаксации фотопроводимости в кремнии р-типа, компенсированном атомами фосфора [Текст] / М. Каримов [и др. ] // Известия вузов. Физика. - 2009. - Т. 52, N 5. - С. 9-12. - Библиогр.: c. 12 (7 назв. ) . - ISSN 0021-3411
Рубрики: Физика Теоретическая физика Энергетика Проводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): глубокоуровневые центры -- иридий -- кинетика фотопроводимости -- компенсирование (физика) -- компенсирующие центры (физика) -- кремний -- легирование -- микронеоднородность кремния -- нейтронно-легированный кремний -- постоянная времен релаксации основных носителей заряда -- радиационный дефект -- термоотжиг радиационных дефектов -- фосфор -- фотопроводимость кремния Аннотация: Обсуждается кинетика релаксации Фотопроводимости нейтронно-легированного кремния (НЛК) р-типа. Обнаружено, что в компенсированном p-Si<В, Р> и контрольном p-Si<В> релаксационный процесс происходит различным образом. Различие объясняется на базе представлений о разной степени микронеоднородности по проводимости материала. Для определения термоотжига структурных дефектов предлагается метод, основанный на изучении зависимости подвижности носителей заряда от времени отжига. Доп.точки доступа: Каримов, М.; Махкамов, Ш.; Турсунов, Н. А.; Махмудов, Ш. А.; Бегматов, К. А.; Караходжаев, А. К.; Садиков, А. Х. |
Войцеховский, А. В. Исследование методами проводимости и фотоэдс МДП-структур на основе варизонного гетероэпитаксиального HgCdTe, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии [Текст] / А. В. Войцеховский, С. Н. Несмелов, С. М. Дзядух // Известия вузов. Физика. - 2009. - Т. 52, N 10. - С. 3-18. - Библиогр.: c. 18 (28 назв. ) . - ISSN 0021-3411
Рубрики: Энергетика Проводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): варизонные слои -- гетероэпитаксиальные структуры -- дифференциальное сопротивление -- диэлектрики -- метод молекулярно-лучевой эпитаксии -- метод проводимости -- МЛЭ -- полупроводники -- пространственный заряд в МДП-структурах -- теллурид кадмия ртути Аннотация: Исследовано влияние варизонных слоев на величину дифференциального сопротивления области пространственного заряда в МДП-структурах на основе HgCdTe МЛЭ. Показано, что учет влияния сопротивления объема эпитаксиальной пленки на измеряемые емкость и сопротивление необходим для корректного определения параметров области пространственного заряда. Наличие приповерхностных слоев с повышенным содержанием Сd приводит к увеличению сопротивления области пространственного заряда в сильной инверсии. Несмотря на подавление туннельной генерации-рекомбинации через глубокие уровни в МДП-структурах с варизонными слоями, получены значения произведения сопротивления полупроводника на площадь порядка 15 Ом. см[2], что может быть связано с фоновой фотогенерацией и диффузией неосновных носителей. Доп.точки доступа: Несмелов, С. Н.; Дзядух, С. М. |
Моисеев, А. Г. Оценка области применения метода теории возмущений для решения кинетического уравнения Больцмана при расчете времени релаксации носителей заряда в изотропном поликристаллическом кремнии р-типа [Текст] / А. Г. Моисеев // Известия вузов. Физика. - 2009. - Т. 52, N 10. - С. 19-26. - Библиогр.: c. 26 (12 назв. ) . - ISSN 0021-3411
Рубрики: Энергетика Проводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): Больцмана уравнение -- время релаксации (физика) -- изотропный поликристаллический кремний р-типа -- кинетическое уравнение Больцмана -- метод теории возмущений -- носители заряда -- поликристаллы Аннотация: Сформулировано условие применения метода теории возмущений для решения кинетического уравнения Больцмана при расчете времени релаксации носителей заряда в изотропном поликристалле кремния, когда рассеяние дырок происходит как на неупорядоченной системе потенциальных барьеров на поверхностях кристаллитов, так и на неупорядоченной сетке атомов кремния, характеризуемой наличием локального порядка. Проведена оценка результирующего удельного сопротивления изотропного поликристаллического кремния р-типа. |
Бродовой, А. В. Влияние предварительной магнитной обработки на твердость сплавов Ti-Ni [Текст] / А. В. Бродовой, С. Г. Бунчук, А. Н. Лукьянов // Письма в "Журнал технической физики". - 2010. - Т. 36, вып: вып. 4. - С. 8-11 : ил. - Библиогр.: с. 11 (4 назв. ) . - ISSN 0320-0116
Рубрики: Энергетика Проводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): магнитная обработка -- твердые сплавы -- фазовый состав -- однородные магнитные поля -- неоднородные магнитные поля -- Ti -- Ni -- титан -- никель -- магнитные поля Аннотация: Экспериментально исследовано влияние магнитного поля на фазовый состав и твердость Ti-Ni сплавов. Показано, что в зависимости от вида магнитного поля (однородное или неоднородное) происходит изменение фазового состава образцов, что приводит к существенному изменению их твердости. Доп.точки доступа: Бунчук, С. Г.; Лукьянов, А. Н. |
Плотность каскадов смещений кластерного иона: методика расчета и влияние на образование структурных нарушений в ZnO и GaN [Текст] / П. А. Карасев [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып: вып. 6. - С. 721-729 : ил. - Библиогр.: с. 729 (34 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Проводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): ионы -- кластерные ионы -- статистический расчет -- каскады -- структурные нарушения -- оксид цинка -- нитрид галлия -- каскады смещений Аннотация: Предложен метод статистического расчета параметров усредненного индивидуального каскада столкновений, создаваемого кластерным ионом, состоящим из небольшого числа атомов. Результаты расчета сопоставляются с экспериментальными данными по накоплению структурных нарушений в ZnO и GaN, облучаемых при комнатной температуре ионами PF[n] (n=0, 2, 4), с энергией 1. 3 кэВ/а. е. м. Показано, что для ZnO плотность каскада смещений не оказывает влияния на концентрацию стабильных постимплантационных повреждений в районе объемного пика, но существенно влияет на нее в приповерхностной области. Для GaN с ростом плотности каскада смещений наблюдается как рост концентрации стабильных дефектов в области объемного максимума дефектов, так и увеличение толщины поверхностного аморфного слоя. Доп.точки доступа: Карасев, П. А.; Азаров, А. Ю.; Титов, А. И.; Кучеев, С. О. |
Фазовые превращения в полупроводниках A[II] B[V] при высоком давлении [Текст] / А. Ю. Моллаев [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып: вып. 6. - С. 730-734 : ил. - Библиогр.: с. 734 (15 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Проводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): полупроводники -- фазовые превращения -- высокое давление -- электросопротивление -- коэффициент Холла -- Холла коэффициент Аннотация: При гидростатическом давлении до 9 ГПа и квазигидростатическом до 50 ГПа в области комнатных температур измерены удельное электросопротивление и коэффициент Холла в n-CdAs[2] и p-ZnAs[2]. В n-CdAs[2] обнаружен фазовый переход при P=5. 5 ГПа, для p-ZnAs[2] имеют место два фазовых перехода - первый при P=10-15 ГПа и второй при P=35-40 ГПа. Доп.точки доступа: Моллаев, А. Ю.; Сайпулаева, Л. А.; Алибеков, А. Г.; Маренкин, С. Ф.; Бабушкин, А. Н. |
Структура пленок твердых растворов селенотеллуридов кадмия, выращенных методом теплового экрана при резко неравновесных условиях [Текст] / А. П. Беляев [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып: вып. 6. - С. 735-738 : ил. - Библиогр.: с. 737 (5 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Проводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): твердые растворы -- ТР -- пленки твердых растворов -- кадмий -- селенотеллуриды -- метод теплового экрана -- неравновесные условия -- технологические эксперименты -- результаты исследований Аннотация: Приведены результаты технологических экспериментов и структурных исследований пленок твердых растворов CdSe[x]Te[1-x], синтезируемых методом теплового экрана на нагретых и охлажденных подложках (резко неравновесные условия). Показано, что в резко неравновесных условиях из механических порошков CdSe и CdTe одного состава возможен синтез всего спектра составов пленок твердых растворов со структурой от эпитаксиальной до аморфной. Приводятся электронограммы и микрофотографии поверхностных пленок. Доп.точки доступа: Беляев, А. П.; Рубец, В. П.; Антипов, В. В.; Тошходжаев, Х. А. |
Перераспределение глубоких примесей селена и серы в кремнии при легировании поверхности фосфором [Текст] / Ю. А. Астров [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып: вып. 6. - С. 739-744 : ил. - Библиогр.: с. 744 (19 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Проводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): селен -- сера -- кремний -- примеси -- глубокие примеси -- легирование -- фосфор -- диффузия -- инжекция Аннотация: Исследуется воздействие кратковременного высокотемпературного прогрева на образцы Si : Se и Si : S, поверхностные слои которых легированы фосфором с высокой концентрацией. Обнаружено существенное увеличение удельного сопротивления объема пластин вплоть до глубин ~10 мкм. Экспериментальные данные свидетельствуют, что эффект обусловлен ускоренной диффузией халькогена в присутствии легированной фосфором приповерхностной области. В основе явления лежит инжекция неравновесных межузельных атомов кремния из сильно легированного фосфором слоя в объем образца. Это ведет к смещению равновесия между концентрациями узельных и межузельных положений примеси (в сторону роста последней) и, как следствие, к увеличению доли быстродиффундирующей межузельной компоненты примеси. Доп.точки доступа: Астров, Ю. А.; Козлов, В. А.; Лодыгин, А. Н.; Порцель, Л. М.; Шуман, В. Б.; Gurevich, E. L.; Hergenroder, R. |
Распределение электрических полей в монокристаллах ZnS : Mn при электролюминесценции [Текст] / М. Ф. Буланый [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып: вып. 6. - С. 745-749 : ил. - Библиогр.: с. 749 (5 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Проводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): электрические поля -- кристаллы -- монокристаллы -- вольт-яркостные характеристики -- ВЯХ -- барьеры Шоттки -- Шоттки барьеры -- электролюминесценция -- ЭЛ -- ZnS : Mn Аннотация: Исследованы вольт-яркостные характеристики монокристаллов ZnS : Mn и их зависимость от частоты и напряженности электрического поля. Предложена модель механизма возбуждения электролюминесценции в данных кристаллах на основе возбуждения центров свечения электролюминесценции электронами, ускоренными в электрических полях барьеров типа Шоттки. Такие барьеры образованы дислокациями в местах прерывания ими дефектов упаковки. Получено хорошее согласие между экспериментальными и расчетными данными. Доп.точки доступа: Буланый, М. Ф.; Коваленко, А. В.; Полежаев, Б. А.; Прокофьев, Т. А. |
Пагава, Т. А. Влияние энергии фотовозбуждения в процессе электронного облучения на дефектообразование в кристаллах n-Si [Текст] / Т. А. Пагава, Н. И. Майсурадзе // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып: вып. 6. - С. 750-754 : ил. - Библиогр.: с. 754 (14 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Проводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): кристаллы -- электронное облучение -- дефектообразование -- радиационные дефекты -- РД -- метод Холла -- Холла метод -- изохронный отжиг -- n-Si Аннотация: Исследовано влияние подсветки кристаллов n-Si в процессе облучения электронами на природу радиационных дефектов. Образцы, облученные электронами с энергией 2 МэВ, подвергались изохронному отжигу в интервале температур 200-600oC. После каждого цикла 20-минутного отжига методом Холла измерялась концентрация электронов в интервале температур 77-300 K. Показано, что при возбуждении в процессе облучения E-центров квантами с энергией hnu=0. 44 эВ (длина волны lambda=2. 8 мкм) в кристаллах n-Si образуются двухвакансионные фосфорсодержащие дефекты типа PV[2], что приводит к увеличению радиационной стойкости исследуемых кристаллов. При возбуждении отрицательных вакансий V- квантами с hnu=0. 28 эВ (lambda=4. 4 мкм) общее количество радиационных дефектов растет в 1. 2 раза. Доп.точки доступа: Майсурадзе, Н. И. |
Термо- и радиационно стабильные контакты к SiC на основе квазиаморфных пленок ZrB[2] [Текст] / А. Е. Беляев [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып: вып. 6. - С. 755-758 : ил. - Библиогр.: с. 758 (15 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Проводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): контакты -- радиационная стабильность -- термическая стабильность -- вольт-яркостные характеристики -- ВЯХ -- барьеры Шоттки -- Шоттки барьеры -- вольт-фарадные характеристики -- ВФХ -- пленки -- магнетронное распыление -- монокристаллы -- термический отжиг -- оже-анализы -- ZrB[2] Аннотация: Методами вольт-амперных и вольт-фарадных характеристик в сочетании с послойным оже-анализом исследовались радиационная и термическая стабильность структур с барьером Шоттки, изготовленных магнетронным распылением диборида циркония на поверхность (0001) монокристаллов n-6H (15R) SiC, выращенных методом Лели, с концентрацией нескомпенсированых доноров ~10{18}см{-3}. Показано, что использование квазиаморфных пленок ZrB[2] при изготовлении контактов на n-6H (15R) SiC не приводит к изменениям характеристик барьеров Шоттки при быстрых термических отжигах до 800oC в диапазоне доз облучения gamma-квантами {60}Co10{3}-10{7} Гр. Доп.точки доступа: Беляев, А. Е.; Болтовец, Н. С.; Иванов, В. Н.; Капитанчук, Л. М.; Конакова, Р. В.; Кудрик, Я. Я.; Миленин, В. В. |
Влияние примеси хлора на длинноволновый край полосы поглощения монокристаллов CdTe [Текст] / В. Д. Попович [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып: вып. 6. - С. 759-763 : ил. - Библиогр.: с. 763 (26 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Проводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): спектры -- спектры поглощения -- оптические спектры -- хлор -- легирование -- монокристаллы CdTe -- CdTe монокристаллы -- теллурид кадмия -- правило Урбаха -- Урбаха правило Аннотация: Исследованы оптические спектры поглощения номинально чистых и легированных хлором монокристаллов CdTe, выращенных модифицированным методом физического транспорта через газовую фазу, в области длинноволнового края собственного поглощения при комнатной температуре. Показано, что экспоненциальная зависимость коэффициента поглощения нелегированных и слабо легированных образцов может быть объяснена выполнением правила Урбаха. В сильно легированных кристаллах край поглощения формируется оптическими переходами с участием хвостов плотности состояний, образованных вследствие флуктуации концентрации легирующей примеси. Рассчитаны характерный энергетический размер флуктуаций примесного потенциального рельефа и концентрации заряженных центров для случая сильно легированного материала. Доп.точки доступа: Попович, В. Д.; Potera, P.; Вирт, И. С.; Билык, М. Ф. |
Басалаев, Ю. М. Особенности электронных и колебательных свойств кристаллов A{I} B{V} X{V}[2] [Текст] / Ю. М. Басалаев, А. В. Кособуцкий, А. С. Поплавной // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып: вып. 6. - С. 764-768 : ил. - Библиогр.: с. 768 (12 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Проводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): кристаллы -- свойства кристаллов -- кристаллы халькопирита -- спектры -- колебательные спектры -- зонные спектры -- валентные зоны Аннотация: Первопринципным методом функционала плотности с использованием псевдопотенциалов, с оптимизацией структуры, вычислены зонные и колебательные спектры LiPN[2], NaPN[2]. Особенности кристаллической структуры (сильно сжатый халькопирит) и состава проявляются как в качественном подобии зонных спектров и химической связи с кристаллами халькопирита, так и в некоторых существенных отличиях. Вторая зона валентной полосы имеет 4 ветви, а не 2, как в кристаллах халькопирита, и содержит вклады p-состояний атомов P и N, а не s-состояний катиона B в соединениях халькопирита ABX[2]. Вершина валентной зоны находится в боковых точках зоны Бриллюэна, дно зоны проводимости - в центре, край поглощения непрямой. Вклады колебаний щелочных металлов существенны в области низкочастотных мод, фосфора и азота - в высокочастотном диапазоне, что обусловлено сильной ковалентной составляющей связи между этими атомами. Доп.точки доступа: Кособуцкий, А. В.; Поплавной, А. С. |
Фукс, Б. И. Использование теории переходных процессов в высокоомных полупроводниках для определения структуры холодной Вселенной [Текст] / Б. И. Фукс // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып: вып. 6. - С. 769-773 : ил. - Библиогр.: с. 772 (11 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Проводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): полупроводники -- высокоомные полупроводники -- переходные процессы -- Вселенная -- структура Вселенной -- инфракрасное излучение Аннотация: Рассматривается задача определения интенсивности и спектра слабого космического инфракрасного излучения на основании переходного фотоотклика примесного фотопроводника. Решение этой задачи позволяет повысить точность наших знаний о строении и развитии Вселенной. |
Олих, О. Я. Изменение активности рекомбинационных центров в кремниевых p-n-структурах в условиях акустического нагружения [Текст] / О. Я. Олих // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып: вып. 6. - С. 774-779 : ил. - Библиогр.: с. 779 (21 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Проводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): p-n структуры -- вольт-амперные характеристики -- ВАХ -- кремниевые структуры -- ультразвук -- УЗ -- акустические нагружения -- ультразвуковые нагружения Аннотация: Используя метод дифференциальных коэффициентов вольт-амперных характеристик, исследованы глубокие уровни в Cz-Si p-n-структурах в условиях ультразвукового нагружения (продольные волны частотой 4-26 МГц и интенсивностью до 0. 6 Вт/см{2}). Выявлены уровни с термической энергией активации 0. 44, 0. 40, 0. 37, 0. 48 и 0. 46 эВ. Предполагается, что эти уровни связаны с E-центром, бистабильным комплексом B[s]O[2i], а также межузельными атомами, захваченными дислокационными петлями, соответственно. Установлено, что ультразвук индуцирует увеличение вклада в рекомбинационные процессы более мелких уровней и уменьшение энергии активации дефектов. Проанализирована возможность акустоиндуцированной обратимой перестройки конфигурации комплекса B[s]O[2i]. |