Чеснис, A. Вольт-амперная характеристика и параметры области шнура тока в барьерной негисторной гетероструктурe аморфный теллурид галлия-кристаллический кремний [Текст] / A. Чеснис, C. -А. Карпинскас, А. Урбялис // Журнал технической физики. - 2002. - Т.72,N10. - Библиогр.: с.62 (14 назв.) . - ISSN 0044-4642 Рубрики: Радиоэлектроника--Электроника Кл.слова (ненормированные): вольт-амперные характеристики -- гетероструктуры -- отрицательное дифференциальное сопротивление -- шнурование тока Аннотация: Приведены результате исследования переходной вольт-амперной характеристики негисторной барьерной гетероструктуры аморфный GaTe[3]-кристаллический n-Si в условиях проявления отрицательного дифференциального сопротивления. Определены основные параметры (радиус поперечного сечения, плотность тока и удельное сопротивление) области повышенной плотности (шнура) тока в аморфном слое данной структуры. Они сопоставлены с соответствующими параметрами токового шнура в контрольной безбарьерной структуре C-аморфный GaTe[3]-C. Показано, что электропроводность области шнурования тока исследованной гетероструктуры в указанных выше условиях определяется в основном процессами, происходящими в ее кристаллическом компоненте Доп.точки доступа: Карпинскас, C.-А.; Урбялис, А. |
Боровицкий, С. И. Метод оценки погрешностей измерения вольт-амперных характеристик джозефсоновских контактов [Текст] / С. И. Боровицкий, В. Д. Геликонова [и др.] // Журнал технической физики. - 2002. - Т.72,N11. - Библиогр.: с.68 (12 назв.) . - ISSN 0044-4642 Рубрики: Физика--Электричество и магнетизм Кл.слова (ненормированные): вольт-амперные характеристики -- джозефсоновские контакты -- погрешности -- самокалибровка Аннотация: Рассмотрен метод определения параметров суммарной ступеньки тока на вольт-амперной характеристике цепочки джозефсоновских переходов. Метод основан на статистическом приближении определенным образом выбранной аппроксимирующей кривой к экспериментальной характеристике. Предложен алгоритм самокалибровки цепочек контактов, предназначенных для работы в составе программируемых эталонов Вольта Доп.точки доступа: Геликонова, В.Д.; Комков, А.В.; Айнитдинов, Х.А.; Клушин, А.М. |
22.37 Б 910 Бунаков, А. А. Исследование вольт-амперных характеристик тонких пленок полидифениленфталида [Текст] / А. А. Бунаков, А. Н. Лачинов, Р. Б. Салихов // Журнал технической физики. - 2003. - Т.73,N5. - Библиогр.: 31 назв. . - ISSN 0044-4642 Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): вольт-амперные характеристики -- перенос заряда -- полидифениленфталид -- тонкие пленки Аннотация: Целью настоящей работы явилось изучение особенностей переноса заряда вблизи порога перехода полимерных пленок в высокопроводящее состояние, индуцированного малым одноосным давлением. До сих пор не решен вопрос о том, каким образом изменяется энергетическая структура широкозонного органического диэлектрика вблизи этого порога. Были измерены и проанализированы вольт-амперные характеристики пленок полидифениленфталида разной толщины в зависимости от величины одноосного давления. Интерпретация полученных результатов проведена в рамках модели инжекционных токов, ограниченных объемным зарядом. Проведены оценки таких параметров инжекционной модели переноса, как концентрация равновесных электронов, подвижность электронов, степень заполнения ловушечных состояний и др. Анализ полученных оценок позволяет сделать вывод о том, что в запрещенной зоне полимера вблизи квазиуровня Ферми под влиянием избыточного заряда могут создаваться глубокие ловушечные состояния. В результате этого процесса, во-видимому, образуется узкая подзона, перенос по которой приводит к увеличению подвижности носителей заряда и проводимости Доп.точки доступа: Лачинов, А.Н.; Салихов, Р.Б. |
621.38 Б 194 Бакланов, С. Б. Формирование полярно-чувствительных входных вольт-амперных характеристик симисторной структуры [Текст] / С. Б. Бакланов, Н. Т. Гурин [и др.] // Журнал технической физики. - 2003. - Т.73,N9. - Библиогр.: 4 назв. . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Радиоэлектроника--Электроника Кл.слова (ненормированные): вольт-амперные характеристики -- отрицательное дифференциальное сопротивление -- симисторные структуры -- симисторы Аннотация: Получено семейство входных вольт-амперных характеристик структуры планарно-диффузионного симистора. Предложено объяснение механизма формирования на входной характеристике N-образного участка. Показано, что входная N-образная характеристика в зависимости от полярности напряжения на силовых электродах формируется в разных входных цепях симисторной структуры. Доп.точки доступа: Гурин, Н.Т.; Лычагин, Е.В.; Новиков, С.Г.; Картавенко, А.В.; Костылов, М.А. |
539.2 А 903 Аскерзаде, И. Н. Влияние ангармоничной зависимости ток-фаза на гистерезис вольт-амперной характеристики джозефсоновского перехода [Текст] / И. Н. Аскерзаде // Журнал технической физики. - 2003. - Т.73,N11. - Библиогр.: 17 назв. . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): вольт-амперные характеристики -- гистерезис -- джозефсоновские переходы Аннотация: В рамках модифицированной резистивной модели исследуется влияние ангармоничной зависимости ток-фаза на гистерезис вольт-амперной характеристики джозефсоновского перехода. Перейти: http://www.ioffe.ru/journals/jtf/2003/11/ |
Бормонтов, Е. Н. Теория планарно-неоднородного МОП транзистора в области слабой инверсии. Методика определения поверхностных параметров [Текст] / Е. Н. Бормонтов, М. Н. Левин, С. А. Вялых, С. Н. Борисов // Журнал технической физики. - 2001. - Т.71,N2. - Библиогр.: с. 66 (19 назв.) . - ISSN 0044-4642 Рубрики: Радиоэлектроника--Электроника Кл.слова (ненормированные): МОП -- транзистор -- вольт-амперные характеристики -- поверхностные состояния -- эффективный заряд окисла Аннотация: Представлена модификация известной модели вольт-амперных характеристик Оверстратена и др. [1] для МОП транзистора в области слабой инверсии, учитывающая планарную неоднородность поверхностного потенциала полупроводника. Предложена простая и удобная методика определения спектральной плотности поверхностных состояний и флуктуационного параметра по выходным (сток-стоковым) и передаточным (сток-затворным) однопороговым вольт-амперным характеристикам. Дополнительное измерение порогового напряжения МОП транзистора дает возможность рассчитать эффективный заряд окисла. Методика позволяет определять указанные поверхностные параметры МОП транзисторов с достаточно хорошей точностью и удобна для текстового конторля интегральных микросхем Доп.точки доступа: Левин, М.Н.; Вялых, С.А.; Борисов, С.Н. |
Кагадей, В. А. Вольт-амперные характеристики отражательного разряда с полым катодом и самокалящимся элементом [Текст] / В. А. Кагадей, А. В. Козырев, И. В. Осипов, Д. И. Проскуровский // Журнал технической физики. - 2001. - Т.71,N3. - Библиогр.: с. 28 (11 назв.) . - ISSN 0044-4642 Рубрики: Физика--Электричество и магнетизм Кл.слова (ненормированные): отражательный разряд -- полый катод -- вольт-амперные характеристики -- самокалящийся элемент -- разрядная ячейка -- горение разряда Аннотация: Проведены экспериментальные исследования вольт-амперных характеристик отражательного разряда с полым катодом и самокалящимся элементом, используемого в источнике атомарного водорода. Выполнен теоретический анализ процессов в разрядной ячейке, определяющих основные особенности полученных характеристик. Предложено объяснение основных закономерностей горения разряда. Показано, что скачкообразное уменьшение напряжения горения разряда, происходящее при увеличении расхода водорода, связано с проникновением плазмы в полый катод и зажиганием разряда с полым катодом. Продемонстрировано, что по мере возрастания тока разряда происходит плавный переход от режима горения тлеющего разряда к режиму горения дугового разряда с накаленным катодом Доп.точки доступа: Козырев, А.В.; Осипов, И.В.; Проскуровский, Д.И. |
Карманенко, С. Ф. Исследование влияния примесей марганца на диэлектрические характеристики пленок BSTO [Текст] / С. Ф. Карманенко, А. И. Дедык [и др.] // Журнал технической физики. - 2001. - Т.71,N4. - Библиогр.: с. 140 (15 назв.) . - ISSN 0044-4642 Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): сегнетоэлектрические пленки -- BSTO -- дефекты -- вакансии -- вольт-амперные характеристики -- вольт-фарадные характеристики Аннотация: Проводилось сравнение вольт-фарадных и вольт-амперных характеристик сегнетоэлектрических пленок BSTO, содержащих примесь диоксида марганца (~1.5-2mol%), и беспримесных образцов. Показано, что в образцах, легированных Mn, tgдельта уменьшался до 10{-3}, а также изменялся характер зависимости tgдельта от приложенного напряжения. ВАХ таких образцов были строго омическими и при больших напряжениях не имели участков нелинейного возрастания тока. Предложена модель влияния Mn в пленках BSTO на зарядовое состояние дефектов, обусловленных кислородными вакансиями Доп.точки доступа: Дедык, А.И.; Исаков, Н.Н.; Гордейчук, А.С.; Семенов, А.А.; Тер-Мартиросян, Л.Т.; Hagberg, J. |
539.2 Д 534 Дмитриев, С. Г. Выделение конвективных токов в изолирующих слоях структур металл- диэлектрик-полупроводник и токов эмиссии на границе раздела полупроводник-диэлектрик из динамических вольт-амперных характеристик [Текст] / С. Г. Дмитриев, Ю. В. Маркин // Радиотехника и электроника. - 2003. - Т.48,N3. - Библиогр.:с.353 (35 назв.) . - ISSN 0033-8494
Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): вольт-амперные характеристики -- диэлектрики -- конвективные токи -- металл-диэлектрик-полупроводник -- полупроводники Аннотация: Предложен экспериментальный метод определения конвективных токов носителей заряда в пленках диэлектриков структур металл-диэлектрик- полупроводник и токов эмиссии на границе раздела полупроводник- диэлектрик. Метод основан на синхронных измерениях динамических вольт-амперных характеристик и низкочастотных вольт-фарадных характеристик и дополнительных измерениях зависимости релаксации поверхностного потенциала полупроводника от низкочастотной емкости структуры. Перейти: http://www.maik.ru Доп.точки доступа: Маркин, Ю.В. |
621.38 Л 94 Люминесцентные лампы общего назначения [Текст] // Радио. - 2006. - N 8. - С. 52-54. - Ил.: 5 рис., 2 табл. . - ISSN 0033-765X
Рубрики: Радиоэлектроника--Электроника Кл.слова (ненормированные): лампы -- люминесцентные лампы -- вольт-амперные характеристики -- обозначения ламп -- импортные лампы -- светильники -- настенные светильники -- потолочные светильники Аннотация: Говорится о том, что из себя представляет люминесцентная лампа, показана вольт-амперная характеристика лампы, описаны обозначения ламп, которые используют зарубежные производители, приведены технические характеристики большинства импортных ламп, наиболее часто используемых в настенных и потолочных светильниках. |
533.9 А 39 Акишев, Ю. С. О форме токовой трубки отрицательной короны острие-плоскость в воздухе [Текст] / Ю. С. Акишев, М. Е. Грушин [и др.] // Физика плазмы. - 2003. - Т. 29, N 8. - С. 775-784. - Библиогр.: с. 784 (15 назв. ). - ил.: 10 рис. . - ISSN 0367-2921
Рубрики: Физика--Ядерная физика Кл.слова (ненормированные): плазма -- токовые трубки -- корона острие-плоскость -- параболические аппроксимации -- вольт-амперные характеристики Аннотация: На основании экспериментов в контролируемых геометрических условиях получена параболическая аппроксимация для стационарной ВАХ отрицательной короны острие-плоскость в воздухе с указанием области применимости. Полученная аппроксимация использована для определения формы усредненной во времени токовой трубки отрицательной короны. Доп.точки доступа: Грушин, М. Е.; Каральник, В. Б.; Монич, А. Е.; Трушкин, Н. И. |
537.585.373.186 Ш 95 Шуаибов, А. К. Об управлении характеристиками импульсно-периодического объемного разряда в фреоне-12 и смеси аргон/фреон-12 [Текст] / А. К. Шуаибов, А. И. Дащенко, И. В. Шевера // Физика плазмы. - 2003. - Т. 29, N 11. - С. 1067-1069. - Библиогр.: с. 1069 (11 назв. ). - ил.: 2 рис. . - ISSN 0367-2921
Рубрики: Физика--Ядерная физика Кл.слова (ненормированные): плазма -- импульсно-периодические разряды -- фреон-12 -- аргон -- вольт-амперные характеристики -- спектры излучения -- излучения плазмы Аннотация: Исследованы электрические и оптические характеристики объемного разряда: вольт-амперные характеристики, спектры излучения плазмы, осциллограммы переменной составляющей напряжения на разрядном промежутке, тока и яркости суммарного излучения плазмы. Доп.точки доступа: Дащенко, А. И.; Шевера, И. В. |
533.9. Ш 95 Шуаибов, А. К. Образование молекул XeI (B) и I[2] (B) в стационарной электроразрядной плазме на смеси ксенона с парами иода [Текст] / А. К. Шуаибов, Л. Л. Шимон, И. А. Грабовая // Физика плазмы. - 2004. - Т. 30, N 8. - С. 763-766. - Библиогр.: с. 766 (12 назв. ). - ил.: 3 рис., 1 табл. . - ISSN 0367-2921
Рубрики: Физика--Ядерная физика--Электричество и магнетизм Кл.слова (ненормированные): физика плазмы -- плазма -- низкотемпературная плазма -- тлеющие разряды -- димеры иода -- иодиды ксенона -- вольт-амперные характеристики Аннотация: Исследовались вольт-амперные характеристики тлеющего разряда, спектры излучения плазмы в диаметре 200-650 нм, зависимость интенсивности (яркости) излучения спектральных линий (молекулярных полос) от величины электрической мощности тлеющего разряда и парциального давления ксенона в смеси Xe/I[2]. Доп.точки доступа: Шимон, Л. Л.; Грабовая, И. А. |
537.1/.621 А 48 Алемский, И. Н. Электрические характеристики поверхностного барьерного разряда с плазменным индукционным электродом [Текст] / И. Н. Алемский, В. М. Лелевкин, А. В. Токарев, В. А. Юданов // Физика плазмы. - 2006. - Т. 32, N 7. - С. 666-672. - Библиогр.: с. 671-672 (10 назв. ). - ил.: 9 рис. . - ISSN 0367-2921
Рубрики: Физика--Ядерная физика--Электричество и магнетизм Кл.слова (ненормированные): физика плазмы -- плазма -- низкотемпературная плазма -- вольт-амперные характеристики -- вольт-кулоновские характеристики -- электрические характеристики Аннотация: Исследованы статические и динамические воль-амперные и вольт-кулоновские характеристики поверхностного барьерного разряда с плазменным индукционным электродом. Определены зависимости тока от давления газа в разрядном электроде, шага навивки коронирующего электрода и коэффициента мощности от подаваемого на разрядный узел напряжения. Доп.точки доступа: Лелевкин, В. М.; Токарев, А. В.; Юданов, В. А. |
621.3 Н 69 Нифтиев, Н. Н. Термополевой эффект Френкеля в слоистых монокристаллах MnGaInS[4] [Текст] / Н. Н. Нифтиев, авт. О. Б. Тагиев // Физика и техника полупроводников. - 2007. - Т. 41, N 1. - С. 17-19 . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика--Электротехника Кл.слова (ненормированные): эффект Френкеля -- вольт-амперные характеристики -- монокристаллы MnGalnS[4] -- теория Френкеля Аннотация: Исследованы вольт-амперные характеристики в области сильных электрических полей в монокристаллах MnGaInS[4]. Показано, что ток в нелинейной области вольт-амперной характеристики обусловлен термопо-левым эффектом Френкеля. Определены диэлектрическая проницаемость, концентрация ловушек, а также форма потенциальной ямы. Доп.точки доступа: Тагиев, О. Б. |
538.9 Б 828 Борман, В. Д. Наблюдение локализации электронов в шероховатых нанокластерах золота на поверхности графита [Текст] / В. Д. Борман, П. В. Борисюк [и др.] // Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2007. - Т. 86, вып. 6. - С. 450-455 . - ISSN 0370-274X
Рубрики: Физика Общие вопросы физики Кл.слова (ненормированные): нанокластеры золота -- Au -- графит -- электронные состояния -- вольт-амперные характеристики -- энергия Ферми -- Ферми энергия Аннотация: Представлены результаты исследования электронных состояний нанокластеров Au на поверхности графита методом сканирующей туннельной спектроскопии. Установлено, что туннельный ток в разных точках нанокластера с шероховатой поверхностью различается. Измеренная дифференциальная вольт-амперная характеристика кластеров вблизи энергии Ферми носит немонотонный характер, а туннельная проводимость уменьшается почти в два раза с изменением объема кластера от 1 до 0. 1 нм\{3\}, что может свидетельствовать об изменении плотности электронных состояний вблизи энергии Ферми. Обнаруженные особенности качественно описаны в рамках механизма локализации электронов в неупорядоченных системах. Доп.точки доступа: Борисюк, П. В.; Васильев, О. С.; Пушкин, М. А.; Тронин, В. Н.; Тронин, И. В.; Троян, В. И.; Скородумова, Н. В.; Йоханссон, Б. |
539.2 М 353 Матюшин, В. М. Влияние атомарного водорода на поверхность гетерогенной полупроводниковой структуры [Текст] / В. М. Матюшин, авт. Д. А. Полеха // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. - 2007. - N 10. - С. 93-95 . - ISSN 0207-3528
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): полупроводниковые структуры -- гетерогенные полупроводниковые структуры -- атомарный водород -- водород -- медь -- германий -- электрофизические свойства -- вольт-амперные характеристики Аннотация: Рассматривается воздействие атомарного водорода на электрофизические свойства системы медь-германий. Кристаллы германия с пленкой меди на поверхности подвергались воздействию атомов водорода разной концентрации на протяжении разного времени при температуре, близкой к комнатной. Контроль изменения электрофизических свойств исследуемых образцов выполнялся путем снятия вольт-амперных характеристик (ВАХ), а также с помощью термоактивационной токовой спектроскопии. Было обнаружено, что при малых временах обработки на образцах создается выпрямляющая структура с диодной ВАХ. Доп.точки доступа: Полеха, Д. А. |
535-31 А 527 Алтухов, А. А. Матричные фоточувствительные элементы ультрафиолетового диапазона на основе алмаза [Текст] / А. А. Алтухов, А. М. Клочкова, А. Ю. Митягин, Г. А. Орлова // Радиотехника и электроника. - 2008. - Т. 53, N 8. - С. 994-998. - Библиогр.: с. 998 (10 назв. ) . - ISSN 0033-8494
Рубрики: Физика Ультрафиолетовые лучи Кл.слова (ненормированные): фоточувствительные элементы -- ультрафиолетовые диапазоны -- спектральные измерения -- вольт-амперные характеристики Аннотация: Рассмотрены принципы построения и технология создания матричных фотоприемных устройств ультрафиолетового излучения на основе алмаза. Проведены измерения спектральных, вольт-амперных характеристик, темновых токов утечки при различных прикладываемых напряжениях для линейных (2 х 64) и матричных (64 х 64) фотоприемных устройств. Впервые показана принципиальная возможность создания таких структур, обладающих высокой чувствительностью. Показано, что поверхностные токи утечки играют доминирующую роль в ограничении фоточувствительности данных структур. Обнаружен значительный разброс темнового тока и фототока матричных фотоприемников на основе натурального алмаза, связанных с неоднородностью дефектной структуры. Доп.точки доступа: Клочкова, А. М.; Митягин, А. Ю.; Орлова, Г. А. |
621.3 С 162 Салихов, Р. Б. О механизмах проводимости в гетероструктурах кремний-полимер-металл [Текст] / Р. Б. Салихов, А. Н. Лачинов, Р. Г. Рахмеев // Физика и техника полупроводников. - 2007. - Т. 41, вып. 10. - С. 1182-1186 . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Электротехника Кл.слова (ненормированные): гетероструктуры -- проводимость -- широкозонные полимеры -- тонкие пленки -- вольт-амперные характеристики Аннотация: Посвящена экспериментальному изучению механизмов проводимости в тонких пленках широкозонных полимеров, входящих в состав гетероструктур на основе кремния. В качестве основного метода было выбрано измерение температурной зависимости вольт-амперных характеристик образцов в интервале 80-300 K. Для измерений были приготовлены многослойные структуры: Si-SiO[2]-полимер-металл. В качестве полимерного слоя были использованы пленки полидифениленфталида, в которых наблюдается переход из диэлектрического в высокопроводящее состояние. На основе полученных результатов особенности переноса заряда в исследованных образцах можно объяснить в рамках моделей прыжкового транспорта по ловушечным уровням, эмиссии Шоттки и полевой туннельной эмиссии. Перенос заряда в полимерной пленке осуществляется по области глубоких электронных локализованных состояний, расположенных вблизи уровня Ферми. Доп.точки доступа: Лачинов, А. Н.; Рахмеев, Р. Г. |
621.3 И 487 Ильчук, Г. А. Создание и свойства точечных структур на монокристаллах n-InSe [Текст] / Г. А. Ильчук, В. В. Кусьнэж [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2007. - Т. 41, вып. 10. - С. 1187-1189 . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Электротехника Кл.слова (ненормированные): точечные структуры -- монокристаллы -- фоточувствительность структур -- электрические разряды -- вольт-амперные характеристики Аннотация: Методом электрического разряда созданы точечные структуры на основе монокристаллов InSe. Исследованы стационарные вольт-амперные характеристики и фоточувствительность структур (точечный контакт) /n-InSe. Обнаружено выпрямление и измерены первые спектры фоточувствительности полученных электрическим разрядом структур. Обнаружены и обсуждаются широкополосный характер и экситонная особенность спектров фоточувствительности структур (точечный контакт) /n-InSe. Установлена возможность применения точечных структур в качестве широкодиапазонных фотопреобразователей оптического излучения. Доп.точки доступа: Кусьнэж, В. В.; Петрусь, Р. Ю.; Рудь, Ю. В.; Украинец, В. О.; Рудь, В. Ю. |