621.38 Б 796 Болтовец, Н. С. Межфазные взаимодействия и термодеградация контактных структур TiN[x](TiB[x])-n-n{+}-Si, стимулированные быстрыми термическими отжигами [Текст] / Н. С. Болтовец, В. Н. Иванов [и др.] // Журнал технической физики. - 2003. - Т.73,N4. - Библиогр.: 16 назв. . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Радиоэлектроника--Электроника Кл.слова (ненормированные): барьер Шоттки -- бориды титана -- контактные структуры -- межфазные взаимодействия -- нитриды титана -- термический отжиг -- термодеградация Аннотация: Приведены результаты экспериментальных исследований термической стабильности контактов с барьером Шоттки (БШ) TiN[x](TiB[x])-n-n{+}-Si, Au-TiN[x](TiB[x])-n-n{+}-Si и Au-Ti(Mo)-TiN[x](TiB[x])-n-n[+}-Si, подвергнутых быстрым термическим отжигам в атмосфере водорода при T=400,600 и 800oC. Показано, что структурно-морфологические перестройки в слоях сплавов внедрения (бориды и нитриды титана) и связанные с ними процессы деградации электрофизических характеристик барьера происходят начиная с 600`C. Обсуждаются возможные причины, приводящие к нарушению барьерных свойств слоев нитридов и боридов титана Доп.точки доступа: Иванов, В.Н.; Конакова, Р.В.; Миленин, В.В.; Войциховский, Д.И. |
621.315.592 Б 447 Беляев, А. Е. Термостойкий диод Шоттки TiB[х]-n-GaP [Текст] / А. Е. Беляев, Н. С. Болтовец [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2008. - Т. 42, вып. 4. - С. 463-467 . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): фосфид галлия -- магнетронное напыление -- омические контакты -- термостойкие диоды -- диоды -- барьеры Шоттки -- Шоттки барьеры Аннотация: Изучалось влияние быстрой термической обработки на параметры барьеров Шоттки TiBx-n-GaP и межфазные взаимодействия на границе раздела TiB[x]-GaP. Показано, что контактная система TiB[x]-n-GaP обладает повышенной термостойкостью без изменения электрофизических параметров барьера Шоттки вплоть до T=600oC. Доп.точки доступа: Болтовец, Н. С.; Иванов, В. Н.; Камалов, А. Б.; Капитанчук, Л. М.; Конакова, Р. В.; Кудрик, Я. Я.; Литвин, О. С.; Миленин, В. В.; Насыров, М. У. |
621.315.592 Б 447 Беляев, А. Е. О механизме токопереноса, обусловленном дислокациями в нитридгаллиевых диодах Шоттки [Текст] / А. Е. Беляев, Н. С. Болтовец [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2008. - Т. 42, вып. 6. - С. 706-710 . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): механизм токопереноса -- нитридгаллиевые диоды -- диоды Шоттки -- Шоттки диоды -- длина волны де Бройля -- де Бройля длина волны -- туннелирование Аннотация: Исследован механизм токопереноса в диодах Шоттки Au-TiB[x-n]-GaN, область пространственного заряда в которых значительно превышает длину волны де Бройля в GaN. Анализ температурных зависимостей вольт-амперных характеристик (ВАХ) прямосмещенных барьеров Шоттки показал, что в интервале температур 80-380 K токоперенос осуществляется туннелированием вдоль дислокаций, пересекающих область пространственного заряда. Оценка плотности дислокаций po из вольт-амперных характеристик в соответствии с моделью туннелирования по дислокационной линии дает величину po~1. 7 х 10\{7\} см\{-2\}, что близко по величине к плотности дислокаций, измеренной методом рентгеновской дифрактометрии. Доп.точки доступа: Болтовец, Н. С.; Иванов, В. Н.; Кладько, В. П.; Конакова, Р. В.; Кудрик, Я. Я.; Кучук, А. В.; Миленин, В. В.; Свешников, Ю. Н.; Шеремет, В. Н. |
621.315.592 А 852 Арсентьев, И. Н. Свойства барьерных контактов к InP с наноразмерными слоями TiB[x] [Текст] / И. Н. Арсентьев, А. В. Бобыль [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2008. - Т. 42, вып. 7. - С. 793-798 . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): многослойные барьерные структуры -- наноразмерные слои -- пористые подложки -- газофазная эпитаксия -- магнетронное распыление -- барьер Шоттки -- Шоттки барьер Аннотация: Исследованы структурные и электрические свойства многослойных барьерных структур Au-TiB[х]-nn\{+\}n\{++\}-InP и TiB[x]-nn\{+\}n\{++\}-InP на стандартных ("жестких") и пористых ("мягких") подложках n\{++\}-InP. Полупроводниковые слои были изготовлены методом газофазной эпитаксии, металлические - магнетронным распылением, а пористые подложки - электрохимическим травлением стандартного InP. Образцы на пористых подложках имеют преимущества по следующим параметрам: токи утечек обратной ветви вольт-амперной характеристики меньше в 10 раз; на порядок больше диапазон экспоненциального роста тока на прямой ветви; при изменении площади контакта в 100 раз изменение фактора идеальности и высоты барьера Шоттки соответственно в 3 и ~ 10 раз меньше; более стабильная структура слоев при отжигах до 800 градусов C. Доп.точки доступа: Бобыль, А. В.; Тарасов, И. С.; Болтовец, Н. С.; Иванов, В. Н.; Беляев, А. Е.; Камалов, А. Б.; Конакова, Р. В.; Кудрик, Я. Я.; Литвин, О. С.; Миленин, В. В.; Руссу, Е. В. |
621.315.592 Б 447 Беляев, А. Е. Межфазное взаимодействие в контактах TiB[x]-n-GaP при микроволновой обработке [Текст] / А. Е. Беляев, Н. С. Болтовец [и др.] // Физика и химия обработки материалов. - 2008. - N 1. - С. 28-31 . - ISSN 0015-3214
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): микроволновая обработка -- термическая обработка -- быстрая термическая обработка -- межфазное взаимодействие в контактах -- гомогенизация переходных слоев -- полупроводники Аннотация: Экспериментально изучено влияние микроволновой обработки на межфазное взаимодействие в контактах TiB[x]-n-GaP до и после быстрой термической обработки. Доп.точки доступа: Болтовец, Н. С.; Иванов, В. Н.; Камалов, А. Б.; Конакова, Р. В.; Капитанчук, Л. М.; Кудрик, Я. Я.; Миленин, В. В.; Насыров, М. У. |
621.315.592 А 852 Арсентьев, И. Н. Морфология поверхности автоэпитаксиальных слоев на пористых подложках InP и вольтамперные характеристики диодов Шоттки на их основе [Текст] / И. Н. Арсентьев, М. В. Байдакова [и др.] // Физика и химия обработки материалов. - 2008. - N 2. - С. 43-47 . - ISSN 0015-3214
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): автоэпитаксиальные пленки -- полупроводниковые структуры -- тонкопленочные полупроводниковые структуры -- пористые подложки -- стандартные подложки -- безбуферные подложки -- подложки с буфером -- диоды Шоттки -- Шоттки диоды -- эпитаксиальные слои Аннотация: Изучена морфология поверхности автоэпитаксиальных пленок n-InP, выращенных на пористых и стандартных "жестких" подложках n{+}-InP ( 100) с буферным слоем и без него. Доп.точки доступа: Байдакова, М. В.; Бобыль, А. В.; Конников, С. Г.; Ситникова, А. А.; Улин, В. П.; Болтовец, Н. С.; Иванов, В. Н.; Беляев, А. Е.; Камаилов, А. Б.; Конакова, Р. В.; Кудрик, Я. Я.; Литвин, О. С.; Миленин, В. В. |
Термо- и радиационно стабильные контакты к SiC на основе квазиаморфных пленок ZrB[2] [Текст] / А. Е. Беляев [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып: вып. 6. - С. 755-758 : ил. - Библиогр.: с. 758 (15 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Проводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): контакты -- радиационная стабильность -- термическая стабильность -- вольт-яркостные характеристики -- ВЯХ -- барьеры Шоттки -- Шоттки барьеры -- вольт-фарадные характеристики -- ВФХ -- пленки -- магнетронное распыление -- монокристаллы -- термический отжиг -- оже-анализы -- ZrB[2] Аннотация: Методами вольт-амперных и вольт-фарадных характеристик в сочетании с послойным оже-анализом исследовались радиационная и термическая стабильность структур с барьером Шоттки, изготовленных магнетронным распылением диборида циркония на поверхность (0001) монокристаллов n-6H (15R) SiC, выращенных методом Лели, с концентрацией нескомпенсированых доноров ~10{18}см{-3}. Показано, что использование квазиаморфных пленок ZrB[2] при изготовлении контактов на n-6H (15R) SiC не приводит к изменениям характеристик барьеров Шоттки при быстрых термических отжигах до 800oC в диапазоне доз облучения gamma-квантами {60}Co10{3}-10{7} Гр. Доп.точки доступа: Беляев, А. Е.; Болтовец, Н. С.; Иванов, В. Н.; Капитанчук, Л. М.; Конакова, Р. В.; Кудрик, Я. Я.; Миленин, В. В. |
Диоды с барьером Шоттки Au-TiBx-n-6H-SiC: особенности токопереноса в выпрямляющих и невыпрямляющих контактах [Текст] / О. А. Агеев [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып: вып. 7. - С. 897-903 : ил. - Библиогр.: с. 902 (22 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Проводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): токоперенос -- барьеры Шоттки -- Шоттки барьеры -- диоды Шоттки -- Шоткки диоды -- вольт-амперные характеристики -- ВАХ -- выпрямляющие контакты -- омические контакты -- монокристаллы -- карбид кремния -- туннельные токи -- концентрация -- дислокации -- пространственный заряд Аннотация: Исследован механизм токопереноса в диоде на основе карбида кремния с барьером Шоттки, сформированным квазиаморфной фазой внедрения TiB[х] на поверхности монокристаллов n-6H-SiC (0001), с концентрацией нескомпенсированных доноров (азот) ~10{18}см{-3}и концентрацией дислокаций ~ (10{6}-10{8}) см{-2}. Показано, что при температурах T= Доп.точки доступа: Агеев, О. А.; Беляев, А. Е.; Болтовец, Н. С.; Иванов, В. Н.; Конакова, Р. В.; Кудрик, Я. Я.; Литвин, П. М.; Миленин, В. В.; Савченко, А. В. |
Радиационные эффекты в многослойных омических контактах Au-Ti-Al-Ti-n-GaN [Текст] / А. Е. Беляев [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып: вып. 7. - С. 904-908 : ил. - Библиогр.: с. 908 (13 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Проводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): радиационные эффекты -- омические контакты -- высокотемпературный отжиг -- структурные контакты -- металлизация -- примесные атомы кислорода -- радиационно-термическая обработка -- массоперенос -- многослойная металлизация -- контактная металлизация -- радиационные воздействия -- радиационно-термическая обработка Аннотация: Рассмотрены радиационные эффекты в многослойной металлизации Au-Ti-Al-Ti-n-GaN при воздействии gamma-квантов {60}Co в диапазоне доз 4х10[6]-2х10[7] Гр на исходные и подвергнутые кратковременному высокотемпературному отжигу в атмосфере азота контактные структуры. Радиационные воздействия не оказывают существенного влияния на свойства структур, не подвергнутых термообработкам. Кратковременный отжиг при 700{o}C приводит к разрушению слоевой структуры контактов. Морфологические и структурные трансформации в контактной металлизации, вызванные термоотжигом, усиливаются при радиационных воздействиях. Комбинированная радиационно-термическая обработка способствует усилению массопереноса между контактирующими слоями. Кроме того, после облучения до дозы 2х10[7] Гр примесные атомы кислорода пронизывают всю контактную структуру и в значительном количестве наблюдаются в приконтактной области GaN. Доп.точки доступа: Беляев, А. Е.; Болтовец, Н. С.; Иванов, В. Н.; Капитанчук, Л. М.; Конакова, Р. В.; Кудрик, Я. Я.; Литвин, П. М.; Миленин, В. В.; Шеремет, В. Н.; Свешников, Ю. Н. |
Свойства контактов GaN (SiC) - (Ti, Zr) B[x], подвергнутых быстрым термоотжигам [Текст] / А. Е. Беляев [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып: вып. 8. - С. 1125-1130 : ил. - Библиогр.: с. 1130 (23 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Проводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): контакты -- GaN (SiC) - (Ti, Zr) B[x] -- электрофизические свойства -- структурные свойства -- межфазные границы -- МФГ -- барьеры Шоттки -- Шоттки барьеры -- отжиг -- термический отжиг -- быстрый термический отжиг -- вольт-амперные характеристики -- ВАХ -- окислы бора -- стеклообразующие окислы бора -- стеклообразующие металлы -- структурные исследования -- слои -- стекловидные слои -- аморфные слои -- оже-анализ -- рентгенодифракционные исследования -- диодные структуры -- термоотжиг Аннотация: Исследовано влияние быстрой термической обработки на структурные и электрофизические свойства контактов Au- (Ti, Zr) B[x]-GaN (SiC) и диодных структур на их основе. Рентгенодифракционные исследования и послойный оже-анализ показали, что фазовый состав и структура контактов к GaN и SiC сохраняются до температуры 900 и 1000° С соответственно. Стабильность межфазных границ подтверждается практически неизменными электрофизическими свойствами контактов до и после быстрых термообработок. Высота барьера Шоттки для контактов к GaN составляет 0. 89-0. 9 эВ и к SiC - 0. 79-0. 83 эВ; фактор идеальности вольт-амперной характеристики для контактов Au-TiB[x] (ZrB[x]) -n-GaN (SiC) составляет п = 1. 2, а для Au-ZrB[x]-n-n{+}-4HSiC n ~ 1. 12. Структурные исследования указывают на наличие стеклообразующих окислов бора и металлов на межфазной границе раздела, которые образуют тонкий аморфный стекловидный слой, устойчивый к быстрым термическим отжигам, и являются диффузионным барьером для межфазного переноса. Доп.точки доступа: Беляев, А. Е.; Болтовец, Н. С.; Иванов, В. Н.; Конакова, Р. В.; Кладько, В. П.; Кудрик, Я. Я.; Лебедев, А. А.; Миленин, В. В.; Шеремет, В. Н. |
Межфазные взаимодействия и механизм токопереноса в омических контактах Au-TiB[x]-AuGe-n-GaP [Текст] / А. Е. Беляев [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып: вып. 11. - С. 1468-1472 : ил. - Библиогр.: с. 1472 (20 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Проводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): омические контакты -- Au-TiB[x]-AuGe-n-GaP -- токоперенос -- перенос тока -- термическая обработка -- термообработка -- контактные сопротивления -- проводимость -- шунты -- металлические шунты -- температура Аннотация: Исследованы омические контакты Au-TiB[x]-AuGe-n-GaP до и после быстрой термической обработки при T=723, 773 и 873 K в течение 60 с в H[2]. Показано, что удельное контактное сопротивление с ростом температуры уменьшается в интервале 77-232 K, что обусловлено термоэлектронным механизмом токопрохождения в неоднородном омическом контакте, а в интервале 232-386 K возрастает, что может быть связано с проводимостью по металлическим шунтам. Доп.точки доступа: Беляев, А. Е.; Болтовец, Н. С.; Иванов, В. Н.; Камалов, А. Б.; Капитанчук, Л. М.; Кладько, В. П.; Конакова, Р. В.; Кудрик, Я. Я.; Миленин, В. В.; Насыров, М. У.; Неволин, П. В. |
Влияние микроволновой обработки на механизмы протекания тока в омических контактах Au-TiB[x]-Al-Ti-n{+}-n-n{+}-GaN-Al[2]O[3] [Текст] / А. Е. Беляев [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып: вып. 6. - С. 775-781 : ил. - Библиогр.: с. 780-781 (26 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): омические контакты -- температурные зависимости -- быстрая термическая обработка -- БТО -- микроволновая обработка -- комнатная температура -- термообработка -- термическая обработка -- микроволновые излучения -- металлическая проводимость Аннотация: Исследованы температурные зависимости удельного контактного сопротивления rhoc омических контактов Au-TiB[x]-Al-Ti-n{+}-n-n{+}-GaN-Al[2]O[3] до и после микроволновой обработки и последующего хранения образцов в течение 9 месяцев при комнатной температуре. Температурные зависимости rho[c] исходных образцов измерялись дважды. При первом измерении rho[c] обнаружена типичная для омических контактов температурная зависимость rho[c], при повторном измерении в области температур >270 K обнаружен рост rho[c], обсусловленный металлической проводимостью. После микроволновой обработки металлическая проводимость в омическом контакте не наблюдается, что предположительно связано с локальным разогревом металлических включений Ga при воздействии микроволнового излучения и формированием, вследствие большой химической активности жидкого галлия, его соединений с другими компонентами металлизации. Температурная зависимость rho[c] в этом случае определяется обычными механизмами токопереноса. После 9 месяцев хранения при комнатной температуре температурная зависимость rho[c] описывается туннельным механизмом токопереноса. Доп.точки доступа: Беляев, А. Е.; Болтовец, Н. С.; Витусевич, С. А.; Иванов, В. Н.; Конакова, Р. В.; Кудрик, Я. Я.; Лебедев, А. А.; Миленин, В. В.; Свешников, Ю. Н.; Шеремет, В. Н. |
Радиационные эффекты и межфазные взаимодействия в омических и барьерных контактах к фосфиду индия, стимулированные быстрыми термическими обработками и облучением gamma-квантами {60}Co [Текст] / А. Е. Беляев [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып: вып. 12. - С. 1607-1614 : ил. - Библиогр.: с. 1613-1614 (16 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Физика Движение заряженных частиц в электрических и магнитных полях Кл.слова (ненормированные): радиационные эффекты -- межфазные взаимодействия -- омические контакты -- барьерные контакты -- фосфид индия -- термическая обработка -- облучение gamma-квантами -- gamma-кванты -- радиационная стойкость -- внешние воздействия -- электрофизические характеристики -- распределение компонентов -- фазовые составы -- слои металлизации -- металлизация -- термическое облучение -- слоевые структуры -- радиационно-стимулированный массоперенос -- поликристаллические пленки -- контактообразующие слои -- электрофизические свойства Аннотация: Исследована радиационная стойкость исходных и прошедших быструю термическую обработку омических контактов Au-Pd-Ti-Pd-n{++}-InP и барьерных Au-TiB[x]-n-n{+}-n{++}-InP при облучении gamma-квантами {60}Co до доз 10{9} P. До и после внешних воздействий измерялись электрофизические характеристики барьерных и омических контактов, профили распределения компонентов и фазовый состав в слоях металлизации. В омических контактах Pd-Ti-Pd-Au, прошедших быструю термическую обработку и облучение, происходит заметное нарушение слоевой структуры металлизации, обусловленное термическим и радиационно-стимулированным массопереносом Pd по границам зерен в поликристаллических пленках Ti и Au, но величина удельного контактного сопротивления rhoc существенно не изменяется, что связано со сравнительно постоянным фазовым составом контактообразующего слоя на границе раздела Pd-n{+}-InP. В исходном и прошедшем быструю термическую обработку при T=400{o}C образце с барьерными контактами Au-TiBx-n-n{+}-n{++}InP, облученном до дозы 2·10{8} P, сохраняется слоевая структура металлизации. После облучения до дозы 10{9} P в образцах, подвергнутых быстрой термической обработке при T=400{o}C слоевая структура металлизации полностью нарушается, однако она сохраняется в исходном образце. Электрофизические свойства контактной структуры значительно деградируют лишь после облучения образца, предварительно прошедшего быструю термическую обработку при T=400{o}C. Доп.точки доступа: Беляев, А. Е.; Болтовец, Н. С.; Бобыль, А. В.; Иванов, В. Н.; Капитанчук, Л. М.; Кладько, В. П.; Конакова, Р. В.; Кудрик, Я. Я.; Корчевой, А. А.; Литвин, О. С.; Миленин, В. В.; Новицкий, С. В.; Шеремет, В. Н. |
621.315.592 Т 327 Температурная зависимость контактного сопротивления омических контактов Au-Ti-Pd[2]Si-n{+}-Si, подвергнутых микроволновому облучению [Текст] / А. Е. Беляев [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2012. - Т. 46, вып. 3. - С. 344-347 : ил. - Библиогр.: с. 347 (17 назв.) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): омические контакты -- температурная зависимость -- сопротивление -- микроволновая обработка -- МО -- ОПЗ -- область пространственного заряда -- токоперенос -- микроволновое облучение -- облучение микроволнами Аннотация: На основе теоретического анализа температурной зависимости контактного сопротивления R[c] омического контакта Au-Ti-Pd[2]Si-n{+}-Si предложен механизм токопереноса, объясняющий растущие с повышением температуры измерения в диапазоне 100-380 K величины R[c], наблюдаемые экспериментально. Показано, что микроволновая обработка таких контактов приводит к уменьшению разброса R[c] по пластине и уменьшению величины R[c] при сохранении роста R[c] в диапазоне температур 100-380 K. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2012/03/p344-347.pdf Доп.точки доступа: Беляев, А. Е.; Болтовец, Н. С.; Конакова, Р. В.; Кудрик, Я. Я.; Саченко, А. В.; Шеремет, В. Н.; Виноградов, А. О. |
539.2 В 586 Влияние перегрева p-n-перехода на деградацию мощных импульсных кремниевых лавинно-пролетных диодов [Текст] / А. Е. Беляев [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2011. - Т. 45, вып. 2. - С. 256-262 : ил. - Библиогр.: с. 262 (18 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): p-n переходы -- импульсные диоды -- кремниевые диоды -- лавинно-пролетные диоды -- ЛПД -- деградация диодов -- диоды -- длина волны -- генерация -- рентгенофазовый анализ -- омические контакты -- температура p-n перехода -- удельное тепловое сопротивление Аннотация: Приведена оценка тепловых ограничений в импульсном режиме работы двухдрейфового лавинно-пролетного диода 8-миллиметрового диапазона длин волн с мощностью генерации до 30-35 Вт. Показано, что при длительности рабочего импульса 300 нс и амплитуде тока питания 11. 3-15 A перегрев p-n-перехода относительно окружающей среды составляет 270-430{o}C. Определена граничная температура перегрева перехода, равная 350{o}C, выше которой лавинно-пролетные диоды интенсивно деградируют. Приведены результаты рентгенофазового анализа и профили распределения компонентов в омических контактах Au-Pt-Ti-Pd-Si, подтверждающие тепловые ограничения в импульсном режиме работы лавинно-пролетного диода. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2011/02/p256-262.pdf Доп.точки доступа: Беляев, А. Е.; Басанец, В. В.; Болтовец, Н. С.; Зоренко, А. В.; Капитанчук, Л. М.; Кладько, В. П.; Конакова, Р. В.; Колесник, Н. В.; Коростинская, Т. В.; Крицкая, Т. В.; Кудрик, Я. Я.; Кучук, А. В.; Миленин, В. В.; Атаубаева, А. Б. |
621.315.592 В 586 Влияние микроволнового облучения на сопротивление омических контактов Au-TiB[x]-Ge-Au-n-n{+}-n{++}- GaAs(InP) [Текст] / А. Е. Беляев [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2012. - Т. 46, вып. 4. - С. 558-561 : ил. - Библиогр.: с. 561 (25 назв.) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): омические контакты -- микроволновое облучение -- облучение микроволнами -- микроволны -- арсенид галлия -- GaAs -- фосфид индия -- InP -- температурные зависимости -- экспериментальные исследования -- теоретические исследования -- внутренние механические напряжения -- ВМН -- микроволновое излучение Аннотация: Экспериментально и теоретически исследованы температурные зависимости удельного контактного сопротивления rho[c] омических контактов Au-TiB[x]-Ge-Au-n-n{+}-n{++} (GaAs) -InP до и после кратковременной (10 с) микроволновой обработки. Показано, что после микроволновой обработки rho[c] может уменьшаться во всем температурном интервале измерений 100-400 K. Получено хорошее согласие экспериментальных и теоретических зависимостей rho[c] (T), объяснение дано в предположении изменения плотности дислокаций в приконтактной области полупроводника, стимулированного микроволновым излучением. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2012/04/p558-561.pdf Доп.точки доступа: Беляев, А. Е.; Саченко, А. В.; Болтовец, Н. С.; Иванов, В. Н.; Конакова, Р. В.; Кудрик, Я. Я.; Матвеева, Л. А.; Миленин, В. В.; Новицкий, С. В.; Шеремет, В. Н. |
621.315.592 К 110 К вопросу о механизме формирования контактного сопротивления на шлифованных образцах n-Si / А. В. Саченко [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2013. - Т. 47, вып. 3. - С. 426-431 : ил. - Библиогр.: с. 431 (28 назв.) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Техника Обработка материалов Кл.слова (ненормированные): аномальные температурные зависимости -- температурные зависимости -- удельное контактное сопротивление -- контактное сопротивление -- сопротивление -- омические контакты -- наноразмерные металлические шунты -- металлические шунты -- шунты -- ток -- протекание -- дислокации -- рассеивающие дислокации -- проводящие дислокации -- кремний -- Si Аннотация: Получены аномальные температурные зависимости удельного контактного сопротивления омических контактов rho[c] (T) Pd[2]Si-Ti-Au к шлифованному n-Si с концентрацией легирующей примеси 5 x 10{16}, 3 x 10{17} и 8 x 10{17} см{-3}. Аномальные зависимости rho[c] (T) были объяснены в предположении протекания тока по наноразмерным металлическим шунтам, совмещенным с дислокациями с учетом диффузионного ограничения подвода носителей. Определены плотности проводящих и рассеивающих дислокаций в приконтактной области полупроводника. We obtained anomalous temperature dependences rho[c] (T) of resistivity of Pd[2]Si-Ti-Au ohmic contacts to lapped n-Si with dopant concentration of 5 x 10{16}, 3 x 10{17} and 8 x 10{17} cm{-3}. The anomalous rho[c] (T) dependences were explained assuming that current flows through nanosized metal shunts associated with dislocations, with allowance made for diffusion limitation of charge current supply. The densities of "conducting" and "scattering" dislocations in the semiconductor near-surface region are determined. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2013/03/p426-431.pdf Доп.точки доступа: Саченко, А. В.; Беляев, А. Е.; Болтовец, Н. С.; Виноградов, А. О.; Капитанчук, Л. М.; Конакова, Р. В.; Костылев, В. П.; Кудрик, Я. Я.; Кладько, В. П.; Шеремет, В. Н. |
621.315.592 М 550 Механизм формирования контактного сопротивления к A{3}N гетероструктурам с высокой плотностью дислокаций / А. В. Саченко [и др.]. // Физика и техника полупроводников. - 2013. - Т. 47, вып. 9. - С. 1191-1195 : ил. - Библиогр.: с. 1194-1195 (24 назв.) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): температурные зависимости -- удельное контактное сопротивление -- контактное сопротивление -- омические контакты -- широкозонные полупроводники -- плотность дислокаций -- гетероструктуры -- высокие температуры -- термический отжиг -- термоотжиг -- донорные примеси -- токоперенос Аннотация: Исследованы температурные зависимости удельного контактного сопротивления rho[c] (T) омических контактов Pd-Ti-Pd-Au к широкозонным полупроводникам n-GaN и n-AlN с высокой плотностью дислокаций. На зависимостях rho[c] (T) для обеих контактных систем наблюдаются участки экспоненциального спада rho[c] (T), а также участки весьма слабой зависимости rho[c] (T) при более высоких температурах. Кроме того, в низкотемпературной области для контакта Au-Pd-Ti-Pd-n-GaN наблюдается участок насыщения rho[c] (T). Этот участок появляется только после быстрого термического отжига. В принципе появление участка насыщения может быть связано как с предварительным сильным легированием приконтактной области мелкой донорной примесью, так и с легированием в процессе получения контакта в результате быстрого термического отжига, если в состав контактообразующего слоя входит материал, являющийся мелким донором в A{3}N. Полученные зависимости не объясняются существующими механизмами токопереноса. Предложены вероятные механизмы объяснения экспериментальных зависимостей rho[c] (T) для омических контактов к n-GaN и n-AlN. We studied temperature dependences of resistivity, p[c] (T), of Pd-Ti-Pd-Au ohmic contacts to wide-gap semiconductors n-GaN and n-AlN with high dislocation density. Both p[c] (T) curves have portions of exponential decrease, as well as those with very slight p[c] (T) dependence at higher temperatures. Besides, the Au-Pd-Ti-Pd-n-GaN contacts have a portion of p[c] (T) flattening out in the low-temperature region. This portion appears only after rapid thermal annealing (RTA). In principle, its appearance may be due to previous heavy doping of the near contact region with a shallow donor impurity as well as doping in the course of contact formation as a result of RTA if the contact forming layer involves a material whose atoms serve as shallow donors in the III-N compounds. The obtained p[c] (T) dependences cannot be explained by the existing mechanisms of current flow. We propose other mechanisms explaining the experimental p[c] (T) curves for ohmic contacts to n-GaN and n-AlN. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2013/09/p1191-1195.pdf Доп.точки доступа: Саченко, А. В.; Беляев, А. Е.; Болтовец, Н. С.; Жиляев, Ю. В.; Капитанчук, Л. М.; Кладько, В. П.; Конакова, Р. В.; Кудрик, Я. Я.; Наумов, А. В.; Пантелеев, В. Н.; Шеремет, В. Н.; Институт физики полупроводников им. В. Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины; Институт физики полупроводников им. В. Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины; Государственное предприятие НИИ "Орион" (Украина); Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе Российской академии наук (Санкт-Петербург); Институт электросварки им. Е. О. Патона Национальной академии наук Украины; Институт физики полупроводников им. В. Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины; Институт физики полупроводников им. В. Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины; Институт физики полупроводников им. В. Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины; Институт физики полупроводников им. В. Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины; Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе Российской академии наук (Санкт-Петербург); Институт физики полупроводников им. В. Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины |
621.373/.374 И 730 Интегральная схема СВЧ-модулятора сантиметрового диапазона на слоях поликристаллической алмазной пленки / В. В. Басанец [и др.] // Журнал технической физики. - 2013. - Т. 83, № 3. - С. 113-117. - Библиогр.: c. 117 (14 назв. ) . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Радиоэлектроника Импульсные устройства Электроника в целом Кл.слова (ненормированные): СВЧ-модуляторы -- модуляторы сантиметрового диапазона -- модуляторы -- интегральные схемы -- алмазные пленки -- поликристаллические пленки -- микрополосковые интегральные схемы -- коммутирующие интегральные схемы -- сверхвысокочастотные интегральные схемы -- многослойная металлизация -- контактная металлизация -- металлизация -- синтетические алмазы -- кремний -- p-i-n-диоды -- термостойкость металлизации Аннотация: Представлены экспериментальные результаты измерений параметров микрополосковой коммутирующей сверхвысокочастотной интегральной схемы в диапазоне частот 3-7 GHz на подложке из поликристаллической алмазной пленки толщиной ~100 mum. Показано, что затухание в экспериментальных модуляторах в открытом состоянии не превышает 1. 5 dB, а в закрытом составляет не менее 30 dB. Приведен физико-химический анализ технологии формирования многослойной контактной металлизации к синтетическому алмазу и кремниевому p-i-n-диоду. Показана ее термостойкость до температуры 400{o}C. Перейти: http://journals.ioffe.ru/jtf/2013/03/p113-117.pdf Доп.точки доступа: Басанец, В. В.; Болтовец, Н. С.; Гуцул, А. В.; Зоренко, А. В.; Ральченко, В. Г.; Беляев, А. Е.; Кладько, В. П.; Конакова, Р. В.; Кудрик, Я. Я.; Кучук, А. В.; Миленин, В. В. |
539.2 Т 516 Токоперенос по металлическим шунтам в oмических контактах к n{+}-Si / А. В. Саченко [и др.]. // Физика и техника полупроводников. - 2014. - Т. 48, вып. 4. - С. 509-513 : ил. - Библиогр.: с. 512-513 (15 назв.) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): термообработка -- термическая обработка -- омические контакты -- границы раздела -- металлизация -- металлические шунты -- шунты -- температурные зависимости -- структурные дефекты -- токоперенос Аннотация: Экспериментально установлено, что в процессе термообработки при T=450°С в течение 10 мин в вакууме ~10{-6} Торр омический контакт на основе металлизации Au-Pt-Ti-Pd-n{+}-Si формируется за счет возникновения в области границы раздела с n{+}-Si наноразмерных металлических шунтов, элементный состав которых состоит из Si, Au и Pt. Высокая плотность шунтов, сопряженных с дислокациями и другими несовершенствами, подтверждается температурной зависимостью удельного контактного сопротивления rho[c] (T). Плотность проводящих дислокаций, рассчитанная из температурной зависимости rho[c], составляет ~5 x 10{9} см{-2} и коррелирует с плотностью структурных дефектов, определенных по ямкам травления после удаления слоев металлизации. It was found experimentally that in the course of thermal annealing at a temperature T = 450°C for 10min in a vacuum (pressure of ~ 10{? 4} Pa), an Au-Pt-Ti-Pd-n{+}-Si ohmic contact was formed owing to appearance of nanosized metal shunts near the metallization n{+}-Si interface. Their elemental composition involved Si, Au and Pt. High concentration of shunts associated with dislocations (the so-called conducting dislocations) and other imperfections is confirmed by temperature dependence of contact resistivity rho[c] (T). The density of conducting dislocations calculated from rho[c] (T) was ~ 5 x 10{9} cm{-2]. This correlates with the density of structural defects determined from etch pits after removal of metallization layers. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2014/04/p509-513.pdf Доп.точки доступа: Саченко, А. В.; Беляев, А. Е.; Пилипенко, В. А.; Петлицкая, Т. В.; Анищик, В. А.; Болтовец, Н. С.; Конакова, Р. В.; Кудрик, Я. Я.; Виноградов, А. О.; Шеремет, В. Н.; Институт физики полупроводников им. В. Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины; Институт физики полупроводников им. В. Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины; Государственный центр "Белмикроанализ" Филиала научно-технического центра "Белмикросистемы" ОАО "ИНТЕГРАЛ" (Минск); Государственный центр "Белмикроанализ" Филиала научно-технического центра "Белмикросистемы" ОАО "ИНТЕГРАЛ" (Минск); Белорусский государственный университет; Институт физики полупроводников им. В. Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины; Институт физики полупроводников им. В. Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины; Институт физики полупроводников им. В. Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины; Институт физики полупроводников им. В. Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины; Институт физики полупроводников им. В. Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины |