Беляев, А. П. Влияние термодиффузии на совершенство кристаллической структуры, формирующейся при конденсации из паровой фазы [Текст] / А. П. Беляев, В. П. Рубец, М. Ю. Нуждин, И. П. Калинкин // Журнал технической физики. - 2002. - Т.72,N4. - Библиогр.: с.123 (6 назв.) . - ISSN 0044-4642 Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): кристаллическая структура -- синтез пленок -- теллурид кадмия -- термодиффузия Аннотация: Сообщается о результатах изучения влияния неоднородных условий синтеза, стимулирующих термодиффузию, на совершенство кристаллической структуры пленок теллурида кадмия, синтезируемых в вакууме путем конденсации из паровой фазы. Приводятся результаты технологических, геометрических, электрографических и электронно-микроскопических исследований. Показана "пороговость" положительного влияния неоднородных условий на совершенство формирующейся кристаллической структуры. Выявлено, что в присутствии термодиффузии температура подложки нетривиально влияет на совершенство кристаллической структуры формирующейся пленки. Ее повышение способствует не совершенству, а разупорядоченности структуры. Установлено, что термодиффузия изменяет продолжительность стадии оствальдовского созревания и тем самым создает условия для управления процессами формирования структуры. Продемонстрировано согласие экспериментальных данных с современной теорией процессов формирования пленок Доп.точки доступа: Рубец, В.П.; Нуждин, М.Ю.; Калинкин, И.П. |
22.37 П 180 Паранчич, С. Ю. Исследование выпрямляющих и фотоэлектрических свойств барьерных структур на основе теллурида кадмия, легированного ванадием [Текст] / С. Ю. Паранчич, Л. Д. Паранчич [и др.] // Журнал технической физики. - 2003. - Т.73,N5. - Библиогр.: 9 назв. . - ISSN 0044-4642 Рубрики: Радиоэлектроника--Физика твердого тела--Электроника Кл.слова (ненормированные): барьерные структуры -- выпрямляющие свойства -- диоды Шоттки -- теллурид кадмия Аннотация: Термическим напылением хрома на высокоомные подложки теллурида кадмия, легированного ванадием (CdTe:V) с концентрацией примеси 5ъ10{18} cm{-3}, получены структуры типа диодов Шоттки. На барьерных структурах Cr-CdTe:V исследованы вольт-амперные и спектральные характеристики и оценены их выпрямляющие свойства Доп.точки доступа: Паранчич, Л.Д.; Макогоненко, В.Н.; Танасюк, Ю.В.; Юрценюк, Р.Н. |
Беляев, А. П. Формирование ориентированных пленок теллурида кадмия на аморфной подложке в резко неравновесных условиях [Текст] / А. П. Беляев, В. П. Рубец, И. П. Калинкин // Журнал технической физики. - 2001. - Т.71,N4. - Библиогр.: с. 135 (4 назв.) . - ISSN 0044-4642 Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): теллурид кадмия -- ориентированные пленки -- неориентирующая подложка -- гетероэпитаксия -- солитонная модель Аннотация: Сообщается о первых экспериментах по выращиванию ориентированных пленок теллурида кадмия на неориентирующей подложке (стекло), охлажденной до отрицательной температуры (в резко неравновесных условиях). Представлены данные технологических, электронографических и рентгеновских исследований. Получена диаграмма конденсации, отличающаяся наличием двух температурных областей с аномально низкой скоростью формирования пленок. Показано, что пленки, синетзированные в режимах с аномально низкой скоростью формирования, имеют достаточно хорошее кристаллическое совершенство (текстура). Процессы формирования ориентированных пленок на аморфной подложке при резко неравновесных условиях успешно интерпретируются в рамках солитонной модели гетероэпитаксии Доп.точки доступа: Рубец, В.П.; Калинкин, И.П. |
621.3 К 480 Клевков, Ю. В. Электрофизические свойства нелегированных высокоомных поликристаллов n-CdTe [Текст] / Ю. В. Клевков, С. А. Колосов, А. Ф. Плотников // Физика и техника полупроводников. - 2007. - Т. 41, Вып. 6. - С. 670-673 . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика--Электротехника Кл.слова (ненормированные): поликристаллы -- нелегированные высокоомные поликристаллы -- высокоомные поликристаллы -- теллурид кадмия -- электрофизические свойства Аннотация: Исследованы транспортные свойства нелегированных высокоомных поликристаллов n-CdTe, выращенных по новой технологии. Определены характерные особенности температурных зависимостей проводимости, фотопроводимости и дрейфа ноcителей в этих поликристаллах. Полученные результаты лишь частично укладываются в рамки общепринятых представлений. Доп.точки доступа: Колосов, С. А.; Плотников, А. Ф. |
502.36 Н 342 Наумов, А. В. Солнечная энергетика - будут ли другие проблемы, кроме нехватки кремния? [Текст] / А. В. Наумов // ЭКиП: Экология и промышленность России. - 2007. - N 6. - С. 44-47. - Библиогр.: с. 47 (5 назв. ) . - ISSN ХХХХ-ХХХХ
Рубрики: Экология--Природопользование--Охрана природы--Россия Кл.слова (ненормированные): солнечная энергетика -- альтернативная энергетика -- перспективные материалы -- нехватка кремния -- теллурид кадмия -- диселенид меди -- диселенид индия -- мышьяк -- галлий -- германий -- новые технологии Аннотация: Поиск новых технологий производства СЭ не должен прекращаться. И российские производители получают хороший шанс выйти на растущий рынок сбыта с новыми перспективными материалами. |
546.49 М 364 Махний, В. П. Влияние термического отжига на физические свойства поверхностных слоев монокристаллического теллурида кадмия [Текст] / В. П. Махний // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. - 2007. - N 2. - С. 108-112 . - ISSN 0207-3528
Рубрики: Химия--Неорганическая химия Кл.слова (ненормированные): теллурид кадмия -- монокристаллический теллурид кадмия -- поверхностный слой -- термический отжиг -- оптические свойства -- структурные свойства Аннотация: Показано, что термический отжиг монокристаллических подложек теллурида кадмия на воздухе приводит к существенному изменению структурных и оптических свойств поверхностного слоя. Наблюдаемые особенности, которые возникают при определенных режимах отжига, объясняются в рамках теории квантово-размерных эффектов. |
621.3 У 932 Ушаков, В. В. Микрофотолюминесценция нелегированного теллурида кадмия, полученного неравновесным методом прямого синтеза в потоке паров компонентов [Текст] / В. В. Ушаков, авт. Ю. В. Клевков // Физика и техника полупроводников. - 2007. - Т. 41, N 2. - С. 140-143 . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика--Электротехника Кл.слова (ненормированные): кристаллы CdTe -- CdTe -- теллурид кадмия -- фотолюминесценция Аннотация: Методом микрофотолюминесцентного спектрального анализа и имиджинга исследованы свойства нелегированного CdTe, полученного неравновесным методом прямого синтеза в потоке паров компонентов. Несмотря на весьма значительное увеличение скорости кристаллизации, большая интенсивность краевой полосы с разрешением спектроскопических деталей внутри ее контура при температурах ~100 K свидетельствовала о высоком качестве кристаллического материала с размером монокристаллических зерен до 0. 5 мм. Люминесцентные топограммы исследованных образцов напоминали по форме топограммы кристаллов, выращенных квазиравновесными методами, однако механизм сегрегации примесей на межзеренных границах в исследованных кристаллических структурах не был связан с диффузионными процессами, а имел иную природу. Доп.точки доступа: Клевков, Ю. В. |
621.315.592 У 932 Ушаков, В. В. Y- и Z-люминесценция поликристаллического теллурида кадмия, полученного неравновесной реакцией прямого синтеза компонентов [Текст] / В. В. Ушаков, авт. Ю. В. Клевков // Физика и техника полупроводников. - 2008. - Т. 42, Вып. 5. - С. 536-541 . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): микрофотолюминисцентные методы -- теллурид кадмия -- имиджинг -- экситоны Аннотация: Микрофотолюминесцентными методами спектрального анализа и топографии исследованы свойства поликристаллического CdTe с размером зерен 10-20 мкм, полученного неравновесным методом прямого синтеза в потоке паров компонентов при низкой температуре. Присутствие в спектрах Y- и Z-полос отражало явный неравновесный характер процессов кристаллизации. Определенные в данной работе сверхлинейные зависимости интенсивности этих полос от уровня межзонного возбуждения, необычно слабое электрон-фононное взаимодействие, а также данные монохроматической микролюминесцентной топографии соответствуют представлению об излучении экситонов на различных протяженных дефектах с делокализацией связывающего потенциала (элементах дислокаций, двойниковых ламелях, дефектах упаковки), генерируемых в исследованных образцах концентрационными и термическими флуктуациями на ростовой поверхности вследствие динамических неустойчивостей в паровой фазе в зоне кристаллизации. Доп.точки доступа: Клевков, Ю. В. |
Якунин, С. Н. О структурных особенностях гетерокомпозиций теллурида кадмия - ртути, выращенных молекулярно-лучевой эпитаксией [Текст] / С. Н. Якунин, Н. Н. Дремова // Письма в журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2008. - Т. 87, вып: вып. 9. - С. 580-583 . - ISSN 0370-274Х
Рубрики: Физика Общие вопросы физики Кл.слова (ненормированные): гетерокомпозиции -- теллурид кадмия -- ртуть -- молекулярно-лучевая эпитаксия Аннотация: Проведены исследования структурных и композиционных характеристик твердых растворов теллурида кадмия - ртути, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии. Обнаружено, что содержание кадмия в твердом растворе, определенное методами рентгеновской дифрактометрии и энергодисперсионного микроанализа, различается более чем на 10%. Наблюдаемое различие объясняется эффектом сжатия кристаллической решетки за счет высокой концентрации точечных дефектов - вакансий ртути. Доп.точки доступа: Дремова, Н. Н. |
Электрические и гальваномагнитные свойства пленок теллурида кадмия, синтезированных в резко неравновесных условиях [Текст] / А. П. Беляев [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2008. - Т. 42, вып: вып. 11. - С. 1309-1313
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): теллурид кадмия -- пленки теллурида кадмия -- электрические свойства -- гальваномагнитные свойства -- неравновесные условия синтеза Аннотация: Сообщается о результатах экспериментальных исследований электрических и гальваномагнитных свойств пленок CdTe, синтезированных в резко неравновесных условиях, путем конденсации пара на подложку, охлажденную жидким азотом. Приводятся температурные зависимости темновой проводимости, темновые и световые вольт-амперные характеристики, температурные зависимости коэффициента Холла R[H] и эффективной холловской подвижности мю[H] в планарной геометрии и темновые вольт-амперные характеристики в сэндвич-геометрии. Выявлена анизотропия проводимости. Продемонстрировано, что электрические и гальваномагнитные свойства пленок непротиворечиво описываются моделью перколяционного переноса заряда, согласно которой при высоких температурах токоперенос осуществляется по уровню протекания валентной зоны, а при низких - по уровню протекания примесной зоны. Доп.точки доступа: Беляев, А. П.; Рубец, В. П.; Антипов, В. В.; Гришин, В. В. |
Дергачева, М. Б. Электроосаждение теллурида кадмия из электролитов на основе этиленгликоля [Текст] / М. Б. Дергачева, Н. В. Пенькова, И. Э. Ким // Журнал прикладной химии. - 2010. - Т. 83, вып: вып. 3. - С. 431-434. - Библиогр.: c. 434 (10 назв. ) . - ISSN 0044-4618
Рубрики: Химия Электрохимия Кл.слова (ненормированные): CdTe -- метод вольтамперометрии -- полупроводниковые материалы -- стеклоуглеродные электроды -- теллурид кадмия -- электролиты -- электроосаждение пленок -- этиленгликоль Аннотация: Определен фазовый состав и размер частиц электроосажденных пленок CdTe. Доп.точки доступа: Пенькова, Н. В.; Ким, И. Э. |
Влияние примеси хлора на длинноволновый край полосы поглощения монокристаллов CdTe [Текст] / В. Д. Попович [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып: вып. 6. - С. 759-763 : ил. - Библиогр.: с. 763 (26 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Проводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): спектры -- спектры поглощения -- оптические спектры -- хлор -- легирование -- монокристаллы CdTe -- CdTe монокристаллы -- теллурид кадмия -- правило Урбаха -- Урбаха правило Аннотация: Исследованы оптические спектры поглощения номинально чистых и легированных хлором монокристаллов CdTe, выращенных модифицированным методом физического транспорта через газовую фазу, в области длинноволнового края собственного поглощения при комнатной температуре. Показано, что экспоненциальная зависимость коэффициента поглощения нелегированных и слабо легированных образцов может быть объяснена выполнением правила Урбаха. В сильно легированных кристаллах край поглощения формируется оптическими переходами с участием хвостов плотности состояний, образованных вследствие флуктуации концентрации легирующей примеси. Рассчитаны характерный энергетический размер флуктуаций примесного потенциального рельефа и концентрации заряженных центров для случая сильно легированного материала. Доп.точки доступа: Попович, В. Д.; Potera, P.; Вирт, И. С.; Билык, М. Ф. |
Влияние самокомпенсации на время жизни электрона в теллуриде кадмия, легированном галлием [Текст] / Е. В. Рабенок [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып: вып. 7. - С. 878-883 : ил. - Библиогр.: с. 882 (13 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Проводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): самокомпенсация -- электроны -- время жизни электронов -- теллурид кадмия -- легирование -- галлий -- фотопроводимость -- сверхвыкокочастотная фотопроводимость -- катодолюминесценция -- элементарные процессы -- заряженные частицы -- твердые растворы -- поликристаллические твердые растворы -- датчики интроскопии -- фотоотклик -- амплитуда -- характеристическое время -- фотогенерированные электроны -- энергетические ловушки Аннотация: Методами сверхвысокочастотной фотопроводимости и катодолюминесценции исследованы элементарные процессы с участием заряженных частиц в поликристаллических твердых растворах на основе теллурида кадмия CdTe-GaTe и CdTe-Ga[2]Te[3] - перспективных активных средах датчиков интроскопии человека с низкой дозовой нагрузкой. Экспериментально установлено, что амплитуда, характеристическое время и форма спада фотоотклика зависели от уровня легирования, причем характеристическое время спада увеличивалось с ростом уровня легирования. Показано, что изменение кинетики гибели фотогенерированных электронов в легированном теллуриде кадмия (по сравнению с исходным) обусловлено эффектом самокомпенсации, приводящим к перераспределению ловушек по энергиям. Доп.точки доступа: Рабенок, Е. В.; Гапанович, М. В.; Новиков, Г. Ф.; Один, И. Н. |
Набиев, Г. А. О механизмах эффекта аномально больших фотонапряжений в пленках CdTe [Текст] / Г. А. Набиев // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып: вып. 7. - С. 926-927 : ил. - Библиогр.: с. 927 (5 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Проводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): аномально большие напряжения -- АФН -- эффект аномально больших наряжений -- АНФ-эффект -- пленки CdTe -- пленки теллурида кадмия -- n-p переходы -- p-n-p структуры -- p-n переходы -- теллурид кадмия -- CdTe Аннотация: Предлагается метод определения вкладов асимметрии освещения и различия параметров p-n- и n-p-переходов p-n-p-структуры на эффект аномально больших фотонапряжений в пленках теллурида кадмия. |
Гибкие солнечные модули на основе сульфида и теллурида кадмия [Текст] / Г. С. Хрипунов [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып: вып. 8. - С. 1084-1089 : ил. - Библиогр.: с. 1088 (14 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Проводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): солнечные элементы -- СЭ -- гибкие солнечные элементы -- теллурид кадмия -- сульфиды -- математическое моделирование -- физико-технические параметры -- вакуумные методы Аннотация: Исследованы выходные параметры и световые диодные характеристики гибких тонкопленочных солнечных элементов ITO/CdS/CdTe/Cu/Au, сформированных на полиимидных пленках вакуумными методами. Путем математического моделирования влияния световых диодных характеристик на эффективность проведена оптимизация физико-технических параметров формирования таких приборных структур. Это позволило получить лабораторные образцы гибких солнечных элементов на основе сульфида и теллурида кадмия с эффективностью 11. 4%. Впервые сформированы солнечные модули с эффективностью 4. 5% на основе разработанных гибких солнечных элементов. Доп.точки доступа: Хрипунов, Г. С.; Черных, Е. П.; Ковтун, Н. А.; Белоногов, Е. К. |
Электрофизические и морфологические свойства пленок CdTe, синтезированных методом молекулярного наслаивания [Текст] / В. А. Майоров [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып: вып. 5. - С. 590-593 : ил. - Библиогр.: с. 592-593 (12 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): теллурид кадмия -- CdTe -- пленки -- молекулярное наслаивание -- метод молекулярного наслаивания -- подложки -- вольт-фарадные характеристики -- ВФХ -- электрофизические свойства -- морфологические свойства -- синтез Аннотация: Пленки теллурида кадмия синтезированы методом молекулярного наслаивания на подложках из графита, слюды и кремния. Получены однородные фоточувствительные слои площадью 65 см{2}, толщиной от 0. 5 до 5 мкм с концентрацией дырок 6. 3x10{1}6 см{-3} (300 K). Доп.точки доступа: Майоров, В. А.; Афясов, А. М.; Божевольнов, В. Б.; Раданцев, В. Ф. |
Новиков, Г. Ф. Роль подбарьерных переходов в процессах гибели избыточных носителей тока в полупроводниках A{II}B{VI} [Текст] / Г. Ф. Новиков, Е. В. Рабенок, М. В. Гапанович // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып: вып. 5. - С. 600-605 : ил. - Библиогр.: с. 605 (22 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): полупроводниковые соединения -- теллурид кадмия -- сульфид кадмия -- сульфид цинка -- фотопроводимость -- СВЧ фотопроводимость -- метод СВЧ фотопроводимости -- фотоотклик -- спад фотоотклика -- температура -- подбарьерные переходы -- носители зарядов -- рекомбинация -- туннельная рекомбинация -- ловушки Аннотация: Методом СВЧ фотопроводимости изучена кинетика гибели носителей тока, генерируемых импульсами излучения азотного лазера, в полупроводниковых соединениях группы A{II}B{VI}: теллуриде кадмия n- и p-типа проводимости, сульфиде кадмия. Спады фотоотклика после выключения света состояли из быстрой (проявляющейся при временах <30 нс) и медленной (при временах >50 нс) компонент. Форма спада медленной компоненты практически не зависела от температуры и при больших временах, закон спада соответствовал линейной зависимости фотоотклика от логарифма времени. Результаты позволили предположить, что медленная компонента спада фотоотклика отражает процесс гибели захваченных в ловушки зарядов благодаря туннельной рекомбинации. Доп.точки доступа: Рабенок, Е. В.; Гапанович, М. В. |
Особенности механизма электропроводности полуизолирующих монокристаллов CdTe [Текст] / Л. А. Косяченко [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып: вып. 6. - С. 729-734 : ил. - Библиогр.: с. 733-734 (8 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): электропроводность -- монокристаллы -- полуизолирующие монокристаллы -- теллурид кадмия -- CdTe -- температурные зависимости -- электрические характеристики -- акцепторы -- энергия ионизации -- контакт Шоттки -- Шоттки контакт -- уровень Ферми -- Ферми уровень -- акцепторные примеси Аннотация: Исследованы температурные зависимости электрических характеристик полуизолирующих монокристаллов p-CdTe, выявившие существенные особенности их электропроводности, не описанные в литературе. Энергия активации материала p-типа проводимости, близкой к собственной, может быть как меньше, так и превышать половину ширины запрещенной зоны полупроводника. Результаты анализа статистики электронов и дырок на основе уравнения электронейтральности показали, что наблюдаемые особенности электрических свойств материала объясняются спецификой компенсационных процессов. Предложена методика определения энергии ионизации и степени компенсации акцепторов, ответственных за электропроводность материала. Показано, что в пределах климатических изменений температуры может наблюдаться инверсия типа проводимости материала и, как следствие, исчезновение контакта Шоттки в детекторе рентгеновского и gamma-излучения на основе CdTe. Доп.точки доступа: Косяченко, Л. А.; Маслянчук, О. Л.; Мельничук, С. В.; Склярчук, В. М.; Склярчук, О. В.; Аоки, Т. |
Оптические и электрофизические свойства дефектов в высокочистом CdTe [Текст] / В. С. Багаев [и др. ] // Физика твердого тела. - 2010. - Т. 52, вып: вып. 1. - С. 37-42. - Библиогр.: с. 42 (19 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): электронный спектр дефектов -- теллурид кадмия -- остаточные примеси замещения -- энергии активации -- двойникование -- проводимость -- фотопроводимость -- фотолюминесценция Аннотация: С помощью фотолюминесценции, фотопроводимости, а также анализа температурной зависимости проводимости исследован электронный спектр дефектов, образующихся при низкотемпературном синтезе и росте высокочистого [111] CdTe из паровой фазы исходных компонентов. Помимо сравнительно мелких центров, включающих в основном доноры и акцепторы из состава остаточных примесей замещения, в кристаллах обнаружены глубокие акцепторные состояния с энергиями активации 0. 25, 0. 6 и 0. 86 eV, различающиеся характером и величиной локализующего потенциала. В то время как глубокие центры 0. 6 и 0. 86 eV характеризуются сильной локализацией электронных состояний, центр с энергией активации 0. 25 eV связан с дефектами, для которых основная часть локализующего потенциала равномерно распределена в пространстве на несколько элементарных ячеек. Предполагаемым источником таких центров являются протяженные дефекты, вызванные двойникованием. Доп.точки доступа: Багаев, В. С.; Клевков, Ю. В.; Колоссов, С. А.; Шепель, А. А. |
Фотовольтаические детекторы рентгеновского излучения на основе кристаллов CdTe с p-n-переходом [Текст] / В. Ф. Дворянкин [и др. ] // Журнал технической физики. - 2010. - Т. 80, N 7. - С. 156-158. - Библиогр.: c. 158 (7 назв. ) . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Физика Рентгеновские лучи. Гамма-лучи Экспериментальные методы и аппаратура ядерной физики Кл.слова (ненормированные): детекторы рентгеновского излучения -- рентгеновское излучение -- рентгеновские детекторы -- напряжение смещения -- фотовольтаические детекторы -- теллурид кадмия -- p-n-переходы Аннотация: Изготовлены детекторы рентгеновского излучения на основе CdTe с p-n-переходами, полученными диффузией In в p-CdTe. Впервые исследованы основные характеристики детектора. Показана высокая чувствительность детектора к рентгеновскому излучению при малых напряжениях смещения (до -50 V) в диапазоне эффективных энергий рентгеновского излучения 28-72 keV. Продемонстрировано преимущество фотовольтаических детекторов на основе CdTe c p-n-переходами перед рентгеновскими детекторами на основе Cd[0. 9]Zn[0. 1]Te. Доп.точки доступа: Дворянкин, В. Ф.; Дворянкина, Г. Г.; Иванов, Ю. М.; Кудряшов, А. А.; Петров, А. Г. |