Лямшев, М. Л. Лазерное возбуждение изгибных волн и их рассеяние фрактальными неоднородностями в тонкой пластине [Текст] / М. Л. Лямшев // Журнал технической физики. - 2002. - Т.72,N5. - Библиогр.: с. 140 (10 назв.) . - ISSN 0044-4642 Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): изгибные волны -- лазерное излучение -- тонкие пленки -- фрактальные неоднородности Аннотация: Рассматриваются возбуждение изгибных волн в тонкой пластине (пленке) гармонически модулированным лазерным излучением и их рассеяние на малых статистических фрактальных неоднородностях. Получено выражение для средней интенсивности флуктуаций поля рассеянных волн. Установлена связь интенсивности с параметрами лазерного излучения, характеристиками пластины и фрактальной размерностью неоднородностей. Обсуждается ожидаемая частотная зависимость затухания изгибных волн в пластине, обусловленная их рассеянием на фрактальных неоднородностях |
Веселов, А. А. Магнитные свойства термически напыленных тонких пленок Fe/GaAs (100 [Текст] / А. А. Веселов, А. Г. Веселов [и др.] // Журнал технической физики. - 2002. - Т.72,N8. - Библиогр.: с.142 (13 назв.) . - ISSN 0044-4642 Рубрики: Физика--Электричество и магнетизм Кл.слова (ненормированные): анизотропия -- железо -- намагниченностьо -- тонкие пленки -- ферромагнитный резонанс Аннотация: Термическим испарением при скоростях осаждения 3-30 Angstrem/s и рабочем давлении ~10{-5} Torr получены тонкие (50-200 Angstrem) пленки железа на подложках арсенида галлия (100). Методом ФМР на частоте 9.8 GHz исследованы зависимости намагниченности насыщения, констант кубической и одноосной плоскостной анизотропии, ширины линии ферромагнитного резонанса от толщины пленок. Показано, что параметры термически осажденных пленок Fe/GaAs (001) сравнимы с аналогичными величинами, обеспечиваемыми молекулярно-лучевой эмитаксией Доп.точки доступа: Веселов, А.Г.; Высоцкий, С.Л.; Джумалиев, А.С.; Филимонов, Ю.А. |
539.2 С 895 Сукач, Г. А. Структура и состав пленок нитрида галлия, полученных путем обработки монокристаллов арсенида галлия в атомарном азоте [Текст] / Г. А. Сукач, В. В. Кидалов, М. Б. Котляревский, Е. П. Потапенко // Журнал технической физики. - 2003. - Т.73,N4. - Библиогр.: 10 назв. . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): арсенид галлия -- выращивание пленок -- нитрид галлия -- оже-спектроскопия -- тонкие пленки -- эпитаксиальные слои Аннотация: Выращены тонкие пленки GaN на монокристаллических (001) подложках GaAs путем обработки последних в активных радикалах азота. С примерением вторичной оже-спектроскопии проанализированы профили распределения атомов основных химических элементов, входящих в состав соединений эпитаксиальной пленки GaN и монокристаллической подложки GaAs. Обнаружена существенная нестехиометрия состава пленки GaN на поверхности - избыток азота (~9%), обусловленная присутствием в разрядной камере атомарного азота. Исследовано структурное совершенство эпитаксиальных слоев путем применения высокоразрешающей рентгеновской дифрактографии. Показано, что низкотемпературные процессы (температуры отжига меньше 700`C) способствуют формированию кубической структуры тонких пленок GaN на (001) поверхности кубического GaAs, а более высокотемпературные процессы - гексагональной Доп.точки доступа: Кидалов, В.В.; Котляревский, М.Б.; Потапенко, Е.П. |
22.34 Б 230 Банишев, А. Ф. Нетепловое свечение тонких металлических пластин и пленок, возбуждаемое воздействием лазерных импульсов [Текст] / А. Ф. Банишев, В. Я. Панченко, А. В. Шишков // Журнал технической физики. - 2003. - Т.73,N5. - Библиогр.: 18 назв. . - ISSN 0044-4642 Рубрики: Физика--Оптика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): лазерное излучение -- молибден -- нетепловое свечение -- термодеформация -- тонкие пленки Аннотация: Представлены результаты исследования нетеплового свечения молибденовых пластин и пленок, возбуждаемого термодеформациями, возникающими при воздействии лазерных импульсов. Обнаружена зависимость порога возбуждения свечения от толщины образца. Обсуждается возможный механизм нетеплового свечения Доп.точки доступа: Панченко, В.Я.; Шишков, А.В. |
22.37 Б 910 Бунаков, А. А. Исследование вольт-амперных характеристик тонких пленок полидифениленфталида [Текст] / А. А. Бунаков, А. Н. Лачинов, Р. Б. Салихов // Журнал технической физики. - 2003. - Т.73,N5. - Библиогр.: 31 назв. . - ISSN 0044-4642 Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): вольт-амперные характеристики -- перенос заряда -- полидифениленфталид -- тонкие пленки Аннотация: Целью настоящей работы явилось изучение особенностей переноса заряда вблизи порога перехода полимерных пленок в высокопроводящее состояние, индуцированного малым одноосным давлением. До сих пор не решен вопрос о том, каким образом изменяется энергетическая структура широкозонного органического диэлектрика вблизи этого порога. Были измерены и проанализированы вольт-амперные характеристики пленок полидифениленфталида разной толщины в зависимости от величины одноосного давления. Интерпретация полученных результатов проведена в рамках модели инжекционных токов, ограниченных объемным зарядом. Проведены оценки таких параметров инжекционной модели переноса, как концентрация равновесных электронов, подвижность электронов, степень заполнения ловушечных состояний и др. Анализ полученных оценок позволяет сделать вывод о том, что в запрещенной зоне полимера вблизи квазиуровня Ферми под влиянием избыточного заряда могут создаваться глубокие ловушечные состояния. В результате этого процесса, во-видимому, образуется узкая подзона, перенос по которой приводит к увеличению подвижности носителей заряда и проводимости Доп.точки доступа: Лачинов, А.Н.; Салихов, Р.Б. |
621.38 Б 269 Барыбин, А. А. Анализ параметрического взаимодействия волн пространственного заряда в тонкопленочных полупроводниковых структурах асимметричного типа на основе арсенида галлия n-типа [Текст] / А. А. Барыбин, А. И. Михайлов // Журнал технической физики. - 2003. - Т.73,N6. - Библиогр.: 22 назв. . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Радиоэлектроника--Электроника Кл.слова (ненормированные): арсенид галлия -- волны пространственного заряда -- параметрическое взаимодействие волн -- тонкие пленки -- тонкопленочные полупроводниковые структуры Аннотация: На основе общей теории, ранее разработанной авторами, проведен анализ параметрического взаимодействия волн пространственного заряда в тонкопленочных полупроводниковых структурах с отрицательной дифференциальной проводимостью в приближении жесткой границы дрейфового потока носителей заряда при условии, что частота низкочастотной накачки равна граничной частоте f[c] усиливаемых волн (в рассматриваемом случае f[c] около 30 GHz). Для структур асимметричного типа общая многомодовая система связанных уравнений сведена к двум дифференциальным уравнениям относительно амплитуд возбуждения основной моды волн пространственного заряда на частоте сигнала omegas и холостой частоте omega[i]=omega[s]-omega[p]. Полученные уравнения численно решены на основе арсенида галлия n-типа. Приводятся результаты анализа полученного решения Доп.точки доступа: Михайлов, А.И. |
534 К 854 Крышталь, Р. Г. Особенности распространения поверхностных акустических волн в ниобате лития, "поврежденном" электронным лучом [Текст] / Р. Г. Крышталь, А. В. Медведь // Журнал технической физики. - 2003. - Т.73,N8. - Библиогр.: 5 назв. . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Физика--Акустика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): волноводы -- ниобат лития -- поверхностные акустические волны -- сегнетоэлектрики -- тонкие пленки -- электронное облучение Аннотация: Экспериментально исследовано распространение поверхностных акустических волн (ПАВ) в тонкопленочном алюминиевом волноводе типа Delta v/v, изготовленном на пластине 128`Y-X LiNbO[3] взрывной литографией с "засветкой" электронного резиста непосредственно электронным лучом энергией 20 keV без применения шаблона. Обнаружены скачки и гистерезис на температурной зависимости изменения фазы сигнала, прошедшего через ПАВ-линию задержки, образованную таким волноводом и двумя встречно-штыревыми преобразователями с центральной частотой 486 MHz и помещенную в поток азота. При введении в поток азота паров водосодержащих аналитов обнаружены аномальные изменения фазы, имеющие противоположный знак и больше, чем на порядок величины, превышающие изменения фазы, имеющие место в аналогичных условиях в образцах, изготовленных оптической литографией. Делается вывод о возможности использования обнаруженных явлений для создания датчиков влажности на ПАВ с низким уровнем пороговой чувствительности. Доп.точки доступа: Медведь, А.В. |
539.2 Л 756 Ломтев, А. И. Модуляционная неустойчивость электромагнитных возбуждений в нелокальной джозефсоновской электродинамике тонкой пленки магнитного сверхпроводника [Текст] / А. И. Ломтев // Журнал технической физики. - 2003. - Т.73,N11. - Библиогр.: 29 назв. . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): джозефсоновская электродинамика -- джозефсоновские переходы -- магнитные сверхпроводники -- модуляционная неустойчивость -- сверхпроводники -- тонкие пленки -- электромагнитные возбуждения Аннотация: Для джозефсоновского перехода в тонкой пленке немагнитного и магнитного (двумерного) сверхпроводника исследована модуляционная неустойчивость осциллирующих с джозефсоновской частотой плоских нелинейных волн конечной амплитуды. Получены дисперсионные уравнения для инкремента нарастания малых амплитудных возмущений. Показано, что для такого типа волн в джозефсоновском переходе в тонкой пленке немагнитного сверхпроводника модуляционная неустойчивость развивается в конечной области волновых векторов амплитудных возмущений 0 Перейти: http://www.ioffe.ru/journals/jtf/2003/11/ |
539.2 А 724 Антонец, И. В. Особенности наноструктуры и удельной проводимости тонких пленок различных металлов [Текст] / И. В. Антонец, Л. Н. Котов, С. В. Некипелов, Е. А. Голубев // Журнал технической физики. - 2004. - Т. 74, N 3. - Библиогр.: c. 27 (16 назв. ) . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): тонкие пленки -- металлы -- наноструктура -- удельная проводимость -- морфология поверхности Аннотация: Методом вакуумного осаждения на полимерной подложке выращены аморфные пленки серебра, меди, золота и железа толщиной 6-350 nm. Исследованы особенности наноструктуры пленок. Получена зависимость удельной проводимости от толщины пленки, а также выявлена связь поведения проводимости с особенностями морфологии поверхности. Перейти: http://www.ioffe.ru/journals/jtf/2004/03/page-24.html.ru Доп.точки доступа: Котов, Л. Н.; Некипелов, С. В.; Голубев, Е. А. |
539.2 С 302 Семенов, А. П. Тонкие пленки углерода. I. Техника выращивания пучками заряженных частиц [Текст] / А. П. Семенов, И. А. Семенова // Журнал технической физики. - 2004. - Т. 74, N 4. - Библиогр.: c. 107 (5 назв. ) . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): выращивание пленок -- ионные пучки -- распыление -- тонкие пленки -- углерод Аннотация: Рассмотрим источник ионов и электронов на основе магнетронного разряда с холодным полым и неохлаждаемым стержневым катодами с улучшенными физическими и общетехническими характеристиками. Перейти: http: //www. ioffe. ru/journals/jtf/2004/04/page-98. html. ru Доп.точки доступа: Семенова, И. А. |
539.2 С 302 Семенов, А. П. Тонкие пленки углерода. II. Строение и свойства [Текст] / А. П. Семенов, А. Ф. Белянин [и др.] // Журнал технической физики. - 2004. - Т. 74, N 5. - Библиогр.: c. 104 (10 назв. ) . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): атомно-силовая микроскопия -- выращивание пленок -- ионные пучки -- распыление -- рентгенофазовый анализ -- спектроскопия комбинационного рассеяния света -- тонкие пленки -- углерод -- электронные пучки Аннотация: Исследованы процессы выращивания тонких пленок углерода различных структурных модификаций распылением графита ионным пучком и воздействием на структуру углеродного конденсата либо электронным, либо ионным пучками при низких температурах и давлениях. Изучены фазовый состав, строение, морфология поверхности и автоэмиссионные свойства полученных тонких пленок методами рентгенофазового анализа, спектроскопии комбинационного рассеяния света и атомно-силовой микроскопии. Перейти: http://www.ioffe.ru/journals/jtf/2004/05/page-101.html.ru Доп.точки доступа: Белянин, А. Ф.; Семенова, И. А.; Пащенко, П. В.; Барнаков, Ю. А. |
539.2 К 636 Комолов, А. С. Незаполненные электронные состояния и формирование интерфейca пленок олиго (фенилен-винилена) с поверхностью Ge (111 [Текст] / А. С. Комолов // Журнал технической физики. - 2004. - Т. 74, N 5. - Библиогр.: c. 116-117 (25 назв. ) . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): интерфейсы -- незаполненные электронные состояния -- олигомеры фенилен-винилена -- тонкие пленки Аннотация: Тонкие пленки три-олиго (фенилен-винилена) , замещенного ди-бутил-тиолом (tOPV) , были нанесены на Ge (111) и подложку в условиях высокого вакуума. Потенциал поверхности и структура незаполненных электронных состояний (DOUS) в интервале энергий 5-20 eV выше уровня Ферми (E[F]) измерялись в процессе нанесения пленок посредством пучка низкоэнергетических электронов в соответствии с методом спектроскопии полного тока (TCS) . Электронная работа выхода поверхности изменялась в процессе нанесения пленок и достигла стабильного значения 4. 3+ 0. 1 eV при толщине tOPV пленок 8-10 nm. Нанесению tOPV пленок до 3 nm соотвествовало появление промежуточной DOUS, а при дальнейшем нанесении пленок до 8-10 nm следовало изменение DOUS. Наличие промежуточной DOUS связывается с существенным изменением электронной структуры tOPV вследствие взаимодействия с поверхностью Ge (111) . Анализ TCS данных позволил определить зоны незаполненных состояний в tOPV: 5. 5-6. 5 и 7. 5-9. 5 eV выше E[F] как pi*-зоны и 11-14 и 16-19 eV выше E[F] как sigma*-зоны. Перейти: http://www.ioffe.ru/journals/jtf/2004/05/page-113.html.ru |
539.2 С 240 Свалов, А. В. Изменение "закритического" состояния пленок Ni[75]Fe[16]Cu[5]Mo[4], полученных радиочастотным напылением [Текст] / А. В. Свалов, Г. В. Курляндская [и др.] // Журнал технической физики. - 2004. - Т. 74, N 7. - Библиогр.: c. 65 (12 назв. ) . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): анизотропия -- магнитная мягкость -- магнитные пленки -- радиочастотное напыление -- тонкие пленки Аннотация: Измерены величины намагниченности насыщения, констант перпендикулярной анизотропии и вращающейся анизотропии, коэрцитивной силы тонких магнитных пленок сплава Ni[75]Fe[16]Cu[5]Mo[4], полученных радиочастотным напылением в исходном состоянии и после отжига. Определена связь между наличием перпендикулярной анизотропии и "закритическим" состоянием образцов. Показана возможность улучшения магнитной мягкости данных пленок с помощью дополнительных термообработок. Перейти: http://www.ioffe.ru/journals/jtf/2004/07/page-62.html.ru Доп.точки доступа: Курляндская, Г. В.; Хаммер, Х.; Савин, П. А.; Тутынина, О. И. |
539.2 Г 944 Гуляев, Ю. В. Влияние поверхностного состава на плавление тонких пленок InSb [Текст] / Ю. В. Гуляев, А. А. Веселов [и др.] // Журнал технической физики. - 2004. - Т. 74, N 8. - Библиогр.: c. 115 (5 назв. ) . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): антимонид индия -- плавление -- синтез пленок -- тонкие пленки Аннотация: Показана возможность плавления тонких (0. 1-0. 5 mum) пленок InSb непосредственно в атмосфере под защитным слоем собственных окислов с целью получения высокой величины подвижности основных носителей (до 25 000 cm{2}/V*s) . Экспериментально исследованы особенности синтеза пленок, в основу которого положено термическое импульсное испарение порошка InSb в вакууме. Технология позволила обеспечить необходимую неоднородность состава осажденной пленки по толщине для последующего плавления на воздухе. Перейти: http://www.ioffe.ru/journals/jtf/2004/08/page-113.html.ru Доп.точки доступа: Веселов, А. А.; Веселов, А. Г.; Бурылин, Е. И.; Джумалиев, А. С.; Зюпюкин, Ю. А.; Кирясова, О. А.; Рябушкин, С. Л. |
539.2 А 724 Антонец, И. В. Проводящие и отражающие свойства тонких металлических пленок [Текст] / И. В. Антонец, Л. Н. Котов, С. В. Некипелов, Е. Н. Карпушов // Журнал технической физики. - 2004. - Т. 74, N 11. - Библиогр.: c. 106 (22 назв. ) . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): аморфные пленки -- металлические пленки -- отражение волн -- проводимость -- СВЧ волны -- тонкие пленки Аннотация: Методом вакуумного осаждения на полимерной подложке выращены аморфные пленки серебра, меди, золота и железа толщиной 6-60 nm. Получены зависимости удельной проводимости и коэффициента отражения для СВЧ волн от толщины пленок и выявлена их связь. Перейти: http://www.ioffe.ru/journals/jtf/2004/11/page-102.html.ru Доп.точки доступа: Котов, Л. Н.; Некипелов, С. В.; Карпушов, Е. Н. |
539.2 М 125 Магкоев, Т. Т. Адсорбционные и электронные свойства тонких пленок никеля на поверхности грани (110) кристалла вольфрама [Текст] / Т. Т. Магкоев, М. Сонг, Т. Магомэ, Й. Мурата // Журнал технической физики. - 2004. - Т. 74, N 12. - Библиогр.: c. 84-85 (22 назв. ) . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): абсорбционная спектроскопия -- адсорбция -- вольфрам -- металлические пленки -- никель -- тонкие пленки -- фотоэлектронная спектроскопия Аннотация: В условиях сверхвысокого вакуума методами отражательной инфракрасной абсорбционной спектроскопии (ИКС) и ультрафиолетовой фотоэлектронной спектроскопии (УФЭС) исследованы изменения свойств упорядоченных пленок Ni на поверхности кристалла W (110) при увеличении их толщины от одного до трех моноатомных слоев. Структура пленок соответствует структуре грани (111) кристалла Ni. Метод ИКС применен для исследования колебательных свойств тестовых молекул NO, адсорбированных на поверхности формируемых пленок Ni. В процессе роста толщины пленки происходит весьма заметное видоизменение колебательных и фотоэмиссионных спектров, что указывает на изменение адсорбционных и электронных свойств пленки при увеличении ее толщины от одного до трех моноатомных слоев. Стабилизация ИК и фотоэлектронных спектров при толщине пленки, соответствующей трем моноатомным слоям, позволяет предположить, что завершение формирования основных адсорбционных и электронных свойств пленки происходит при этой толщине пленки. Наряду с этим молекулы NO, адсорбированные на моноатомной пленке, проявляют колебательные особенности, характерные при адсорбции на поверхности массивного кристалла W [110]. Перейти: http://www.ioffe.rssi.ru/journals/jtf/2004/12/page-80.html.ru Доп.точки доступа: Сонг, М.; Магомэ, Т.; Мурата, Й. |
539.2 К 181 Камзин, А. С. Влияние концентрации азота на магнитные свойства Fe-Ta-N тонких пленок [Текст] / А. С. Камзин, С. Ю. Мальцев [и др.] // Журнал технической физики. - 2004. - Т. 74, N 12. - Библиогр.: c. 89 (17 назв. ) . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): азот -- магнетронное распыление -- магнитная анизотропия -- магнитомягкие пленки -- нанокристаллы -- отжиг -- тонкие пленки Аннотация: Синтезированы нанокристаллические магнитомягкие тонкие пленки с высоким содержанием Ta (10 wt%) с использованием метода реактивного радиочастотного магнетронного распыления и последующего отжига. Показано, что микроструктура и магнитные свойства зависят от величины парциального давления азота при распылении и температуры последующего отжига. При отжиге аморфных пленок фомируются нанокристаллы alpha-Fe, свойства и взаимодействия которых определяют параметры пленок. Так, уменьшение размеров alpha-Fe гранул в пленке до величин, меньших длины ферромагнитного обменного взаимодействия, приводит к резкому улучшению магнитомягких свойств пленок. Установлена роль ионов азота в формировании структуры нанокристаллов alpha-Fe и одноосной магнитной анизотропии Fe-Ta-N пленок. Определены технологические режимы осаждения и термической обработки соединений Fe-Ta-N, при которых синтезируются нанокристаллические тонкие пленки Fe-Ta-N с высокими магнитомягкими характеристиками (B[s]=1. 6 T, H[c]=0. 2 Oe и mu[1] (1 MGz) =3400) . Перейти: http://www.ioffe.rssi.ru/journals/jtf/2004/12/page-86.html.ru Доп.точки доступа: Мальцев, С. Ю.; Камзин, С. А.; Вей Фулинь; Янг Зхенг |
Гах, С. Г. Объемный заряд и токи термодеполяризации в тонких пленках цирконата-титаната свинца [Текст] / С. Г. Гах, Е. Д. Рогач, Е. В. Свиридов // Журнал технической физики. - 2001. - Т.71,N1. - Библиогр.: с.52 (12 назв.) . - ISSN 0044-4642 Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): тонкие пленки -- цирконат-титанат свинца -- объемный заряд -- токи термодеполяризацииый резонанс -- дефекты Аннотация: В тонких пленках цирконата-титаната свинца, полученных методом ВЧ катодного распыления, исследовались эффекты, связанные с объемным зарядом. В сегнетоэлектрической фазе наблюдались эффекты, свидетельствующие о формировании объемного заряда при диэлектрическом старении. Процессы накопления и разрушения объемного заряда исследовались методом токов термостимулированной деполяризации. Определены пики токов, обусловленные предварительной поляризацией постоянным электрическим полем, а также связанные с диэлектрическим старением. Впервые наблюдались эффекты, которые можно объяснить перестройкой структуры точечных дефектов с образованием более сложных комплексов дефектов, например димеров. Приведены значения энергии активации опустошения ловушек (0.98 eV) и разрушения комплексов дефектов (1.20 eV) Доп.точки доступа: Рогач, Е.Д.; Свиридов, Е.В. |
Стогний, А. И. Низкотемпературное окисление пленок CoCu длительным облучением пучком ионов кислорода [Текст] / А. И. Стогний, С. В. Корякин, В. А. Вирченко // Журнал технической физики. - 2001. - Т.71,N6. - Библиогр.: с. 94 (16 назв.) . - ISSN 0044-4642 Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): тонкие пленки -- поверхность -- облучение -- ионы кислорода -- рентгеновская спектроскопия -- окисление -- рельеф поверхности Аннотация: Представлены результаты исследований поверхности и поверхностного слоя тонких пленок неоднородных сплавов Co[x]Cu[100-x], подвергнутых длительному (до 100 min) пучковому облучению ионами кислорода. Пленки получали электролитическим осаждением. Методами рентгеновской фотоэлектронной и конверсионной электронной мессбауэровской спектроскопии показано формирование в результате облучения окисленного поверхностного слоя, сплошность и толщина которого определяются степенью шероховатости исходного рельефа поверхности пленок. Установлено, что для пленок с содержанием кобальта 8= Доп.точки доступа: Корякин, С.В.; Вирченко, В.А. |
Мягков, В. Г. Твердофазные реакции и фазовый переход порядок-беспорядок в тонких пленках [Текст] / В. Г. Мягков, Л. Е. Быкова [и др.] // Журнал технической физики. - 2001. - Т.71,N6. - Библиогр.: с. 109 (28 назв.) . - ISSN 0044-4642 Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): твердофазные реакции -- тонкие пленки -- фазовые переходы -- температура Курнакова -- температура инициирования Аннотация: Проведен сравнительный анализ температур инициирования твердофазных реакций в двухслойных тонких пленках и температур Курнакова фаз, образующихся в продуктах реакции. Для типичных в явлении упорядочения сверхструктур показано, что температура Курнакова совпадает с температурой инициирования твердофазных реакций, если по диаграмме состояния переходу порядок-беспорядок не предшествуют другие твердофазные структурные превращения. Предложено правило для определения пленочных пар, между которыми возможны твердофазные реакции, и их температур инициирования Доп.точки доступа: Быкова, Л.Е.; Бондаренко, Г.Н.; Бондаренко, Г.В.; Мягков, Ф.В. |