621.38 Г 695 Горлей, П. Н. Механизмы протекания тока в структурах металл/p-CuInSe[2] [Текст] / П. Н. Горлей, З. Д. Ковалюк [и др.] // Журнал технической физики. - 2004. - Т. 74, N 5. - Библиогр.: c. 142 (6 назв. ) . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Радиоэлектроника--Электроника Кл.слова (ненормированные): барьеры Шоттки -- прохождение тока -- фотопреобразователи Аннотация: Барьеры Шоттки изготовлены путем термического напыления индия на монокристаллы CuInSe[2] p-типа. Обсуждаются температурные зависимости вольт-амперных характеристик и механизмы прохождения тока в исследуемых диодах. Показано, что полученные на поверхностно-барьерных структурах довольно высокие и воспроизводимые результаты таких основных параметров, как напряжение холостого хода и ток короткого замыкания, при довольно простой и дешевой технологии изготовления этих структур свидетельствуют о перспективности данного направления для фотопреобразования солнечного излучения. Перейти: http://www.ioffe.ru/journals/jtf/2004/05/page-141.html.ru Доп.точки доступа: Ковалюк, З. Д.; Орлецкий, В. Б.; Сидор, О. Н.; Нетяга, В. В.; Хомяк, В. В. |
621.315 В 659 Войцеховский, А. В. Барьеры Шоттки кремний-силицид платины с высоколегированным поверхностным слоем [Текст] / А. В. Войцеховский, А. П. Коханенко [и др.] // Известия вузов. Физика. - 2001. - Т.44,N8. - Библиогр.: с.20 (22 назв.) . - ISSN 0021-3411
Кл.слова (ненормированные): барьеры Шоттки -- кремний -- силицид платины -- имплантация -- фотоприемники Аннотация: Для смещения в длинноволновую область спектральной характеристики ИК-фотоприемников на основе барьеров Шоттки кремний-силицид платины предложено создание легированного поверхностного слоя кремния при помощи имплантации бора методом ядер отдачи. Экспериментально исследованы зависимости параметров полученных высоколегированных слоев от режимов высокоэнергетичной имплантации ионов бора. Рассчитаны энергетические диаграммы и понижение высоты барьера для структур p-Si-PtSi с поверхностными высоколегированными слоями, созданными молекулярно-лучевой эпитаксией и имплантацией методом ядер отдачи Доп.точки доступа: Коханенко, А.П.; Несмелов, С.Н.; Ляпунов, С.И.; Комаров, Н.В. |
Войцеховский, А. В. Фотоэлектрические свойства фотоприемников на основе барьеров Шоттки кремний-силицид платины с высоколегированным поверхностным слоем [Текст] / А. В. Войцеховский, А. П. Коханенко [и др.] // Известия вузов. Физика. - 2001. - Т.44,N11. - Библиогр.: с.18 (24 назв.) . - ISSN 0021-3411 Рубрики: Радиоэлектроника--Электроника Кл.слова (ненормированные): барьеры Шоттки -- фотоприемники -- фотоэлектрические характеристики Аннотация: Рассчитаны спектральные, пороговые, шумовые характеристики фотоприемников p-Si-PtSi с поверхностным высоколегированными слоями, созданными при помощи молекулярно-лучевой эпитаксии и короткоимпульсной имплантации примеси методом ядер отдачи Доп.точки доступа: Коханенко, А.П.; Несмелов, С.Н.; Ляпунов, С.И.; Комаров, Н.В. |
621.315 В 659 Войцеховский, А. В. Режимы ограничения пороговых характеристик ИК-фотоприемников на основе барьеров PtSi-Si с поверхностным высоколегированным слоем [Текст] / А. В. Войцеховский, А. П. Коханенко, С. Н. Несмелов, В. Н. Соколов // Известия вузов. Физика. - 2002. - Т.45,N5. - Библиогр.: с.77 (7 назв.) . - ISSN 0021-3411
Кл.слова (ненормированные): барьеры Шоттки -- потенциальный барьер -- фотоприемники Аннотация: Рассмотрено влияние изменения высоты потенциального барьера при создании высоколегированного слоя в полупроводнике PtSi-p-Si-структур на соотношение плотностей фонового фототока и темнового тока и спектральную обнаружительную способность фотоприемника при регистрации теплового излучения в диапазоне длин волн 3-5 мкм Перейти: http://www.tsu.ru/ru/derision/physics Доп.точки доступа: Коханенко, А.П.; Несмелов, С.Н.; Соколов, В.Н. |
621.3 Б 81 Бондарь, И. В. Фотоэлектрические явления в барьерах Шоттки Cu (AI, ln) /p-Culn[3]Se[5] [Текст] / И. В. Бондарь, В. Ю. Рудь, Ю. В. Рудь // Физика и техника полупроводников. - 2007. - Т. 41, N 1. - С. 44-47 . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика--Электротехника Кл.слова (ненормированные): барьеры Шоттки -- фотоэлектрические явления -- квантовая эффективность -- межзонные переходы Аннотация: На кристаллах p-CuIn[3]Se[5] созданы структуры и исследованы фотоэлектрические явления в барьерах Шоттки Cu/p-CuIn[3]Se[5], Al/p-CuIn[3]Se[5] и In/p-CuIn[3]Se[5]. Получены первые спектры квантовой эффективности фотопреобразования новых структур. Обсуждается характер межзонных переходов и определена ширина запрещенной зоны CuIn[3]Se[5]. Сделан вывод о возможностях применения кристаллов CuIn[3]Se[5] при создании высокоэффективных широкополосных фотопреобразователей оптического излучения. Доп.точки доступа: Рудь, В. Ю.; Рудь, Ю. В. |
621.3 И 48 Ильчук, Г. А. Фотоэлектрические свойства структур In/In[2]Se[3] [Текст] / Г. А. Ильчук, В. В. Кусьнэж [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2007. - Т. 41, N 1. - С. 53-55 . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика--Электротехника Кл.слова (ненормированные): направленная кристаллизация -- кристаллы -- барьеры Шоттки -- алмазоподобные соединения -- выращенные кристаллы Аннотация: Методом направленной кристаллизации расплава, близкого по составу к стехиометрическому, а также парофазным методом выращены кристаллы In[2]Se[3] гексагональной модификации, и впервые созданы барьеры Шоттки In/n-In[2]Se[3], фоточувствительные в широкой области энергий падающих фотонов 1 - 3. 8 эВ при 300 К. Изучен характер межзонного фотоактивного поглощения, оценены высота энергетического барьера и энергии межзонных оптических переходов. Сделан вывод о возможностях применения выращенных кристаллов в широкополосных фотопреобразователях оптического излучения. Доп.точки доступа: Кусьнэж, В. В.; Петрусь, Р. Ю.; Рудь, В. Ю.; Рудь, Ю. В.; Украинец, В. О. |
621.3 Б 81 Бондарь, И. В. Барьеры Шоттки на основе пленок n-In[2]S[3], полученных лазерным испарением [Текст] / И. В. Бондарь, В. А. Полубок [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2007. - Т. 41, N 1. - С. 48-52 . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика--Электротехника Кл.слова (ненормированные): импульсное лазерное испарение -- лазерное испарение -- барьеры Шоттки -- тонкие пленки -- фотопреобразование Аннотация: Методом импульсного лазерного испарения исходных мишеней с последующим осаждением на стеклянные подложки при температурах 480 - 720 К выращены гомогенные тонкие (0. 6 - 1. 5мкм) пленки n-In[2]S[3], на которых впервые созданы барьеры Шоттки In/n-In[2]S[3]. Изучена температурная зависимость удельного сопротивления пленок n-типа проводимости и определена энергия активации донорных центров в них. Исследованы спектральные зависимости квантовой эффективности фотопреобразования полученных барьеров. Из анализа спектральных зависимостей сделан вывод о характере межзонных переходов и оценена ширина запрещенной зоны в пленках In[2]S[3]. Сделан вывод о возможностях применения тонких пленок In[2]S[3] в широкополосных фотопреобразователях оптического излучения. Доп.точки доступа: Полубок, В. А.; Гременок, В. Ф.; Рудь, В. Ю.; Рудь, Ю. В. |
535 Б 684 Бланк, Т. В. Фотоприемник канцерогенного ультрафиолетового излучения на основе 4H-SiC [Текст] / Т. В. Бланк, Ю. А. Гольдберг, Е. В. Калинина, О. В. Константинов // Журнал технической физики. - 2008. - Т. 78, N 1. - С. 86-89. - Библиогр.: c. 88-89 (11 назв. ) . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Физика Оптика Кл.слова (ненормированные): Шоттки барьеры -- фотоприемники -- ультрафиолетовое излучение -- селективные фотоприемники -- квантовая эффективность -- карбид кремния -- канцерогенное излучение -- барьеры Шоттки -- бактерицидное излучение -- p-n-переходы Аннотация: Канцерогенное (бактерицидное) излучение (200-300 nm с максимумом при 254 nm) присутствует в естественных (Солнце) и искусственных (лампы) источниках ультрафиолетового излучения. Его интенсивность очень мала по сравнению с другими видами излучения, но оно оказывает сильное влияние на здоровье человека. Для профилактики онкологических заболеваний необходимо контролировать уровень канцерогенного излучения, т. е. необходимы селективные фотоприемники. Предложен фотоприемник ультрафиолетового излучения на основе n-4H-SiC барьеров Шоттки и p{+}-n-переходов. Спектр квантовой эффективности таких приборов очень близок к спектру относительного воздействия на человека канцерогенного излучения. Квантовая эффективность в максимуме спектра (254 nm) составляет около 0. 3 el/ph при практически полной нечувствительности в других спектральных областях. Квантовая эффективность в интервале длин волн 247-254 nm практически не зависела от температуры в интервале -100-+100{o}C. Перейти: http://www.ioffe.ru/journals/jtf/2008/01/p86-89.pdf Доп.точки доступа: Гольдберг, Ю. А.; Калинина, Е. В.; Константинов, О. В. |
621.315.592 Б 447 Беляев, А. Е. Термостойкий диод Шоттки TiB[х]-n-GaP [Текст] / А. Е. Беляев, Н. С. Болтовец [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2008. - Т. 42, вып. 4. - С. 463-467 . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): фосфид галлия -- магнетронное напыление -- омические контакты -- термостойкие диоды -- диоды -- барьеры Шоттки -- Шоттки барьеры Аннотация: Изучалось влияние быстрой термической обработки на параметры барьеров Шоттки TiBx-n-GaP и межфазные взаимодействия на границе раздела TiB[x]-GaP. Показано, что контактная система TiB[x]-n-GaP обладает повышенной термостойкостью без изменения электрофизических параметров барьера Шоттки вплоть до T=600oC. Доп.точки доступа: Болтовец, Н. С.; Иванов, В. Н.; Камалов, А. Б.; Капитанчук, Л. М.; Конакова, Р. В.; Кудрик, Я. Я.; Литвин, О. С.; Миленин, В. В.; Насыров, М. У. |
621.315.592 С 763 Стамов, И. Г. Особенности долговременной релаксации емкости в выпрямляющих структурах на основе моноклинного ZnP[2] n-типа проводимости [Текст] / И. Г. Стамов, авт. Д. В. Ткаченко // Физика и техника полупроводников. - 2008. - Т. 42, вып. 6. - С. 679-685 . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): моноклинная модификация -- дифосфид цинка -- биэкситоны -- барьеры Шоттки -- Шоттки барьеры Аннотация: Приводятся результаты исследования электрических свойств структур, включающих металл, проводящий окисел (ITO) и полупроводник бета-ZnP[2] n-типа проводимости. Установлено, что полное сопротивление исследуемых структур определяется глубокими уровнями собственных дефектов в запрещенной зоне полупроводника. Обнаружена долговременная релаксация емкости и проводимости после выключения обратного смещения при низких температурах, связанная с восстановлением неравновесного заряда в области пространственного заряда. Построены модели процессов, в которых удовлетворительно описываются экспериментальные результаты. Доп.точки доступа: Ткаченко, Д. В. |
Матчанов, Н. А. Влияние содержания Ge на высоту барьера Шоттки в структурах на основе твердых растворов Si[1-x]Ge[x] [Текст] / Н. А. Матчанов // Журнал технической физики. - 2008. - Т. 78, N 8. - С. 140-143. - Библиогр.: c. 143 (12 назв. ) . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Физика Физика полупроводников и диэлектриков Кл.слова (ненормированные): германий -- барьеры Шоттки -- Шоттки барьеры -- твердые растворы -- самопассивация поверхности Аннотация: Исследовано влияние содержания Ge на высоту барьера Шоттки в структурах Au-p-i-n/Al на основе объемных твердых растворов Si[1-x]Ge[x] (0), выращенных методом электронно-лучевой бестигельной зонной плавки. В исследованных структурах Au-i-Si[1-x]Ge[x], Au-alphaGe/Si (Li), Au-alphaGe/Si и Au-nSi[1-x]Ge[x] высота энергетического барьера составляла ~1 eV, что превышает значения этого параметра для кремния, приведенные в литературе. Показано, что избыточная концентрация Ge в приповерхностной области Si[1-x]Ge[x] кристалла приводит к самопассивации поверхности, которая приводит к увеличению высоты барьера. Установлено, что в структурах Au-i-Si[1-x]Ge[x] с ростом содержания Ge увеличивается высота барьера Шоттки от 0. 97 до 1. 03 eV в интервале 0. |
Стамов, И. Г. Влияние электрического поля на фотоэффект в барьерах Шоттки на электронном дифосфиде кадмия [Текст] / И. Г. Стамов // Физика и техника полупроводников. - 2008. - Т. 42, вып: вып. 9. - С. 1079-1085 . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): фотоэффект -- барьеры Шоттки -- Шоттки барьеры -- электронный дифосфид кадмия -- выпрямляющие структуры -- алмазоподобные полупроводники Аннотация: Представлены результаты исследования фотоэлектрических свойств барьеров Шоттки на CdP[2] n-типа проводимости. Изучено влияние электрического поля барьера на фототоки, связанные с фотоэлектронной эмиссией из металла и оптической генерацией неравновесных носителей заряда в полупроводнике. Установлено, что зависимость фототока от частоты модуляции интенсивности светового потока определяется временами перезарядки уровней на границах области пространственного заряда (ОПЗ) с областью квазинейтральности и полупроводника с металлом. Получено хорошее согласие между теоретическими и экспериментальными результатами. Доп.точки доступа: Ткаченко, Д. В. |
Поляризационная фоточувствительность барьеров Шоттки на кристаллах ZnAs[2] моноклинной модификации [Текст] / Ю. А. Николаев [и др. ] // Журнал технической физики. - 2009. - Т. 79, N 11. - С. 36-40. - Библиогр.: c. 40 (9 назв. ) . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Физика Оптические свойства твердых тел Кл.слова (ненормированные): барьеры Шоттки -- Шоттки барьеры -- арсенид цинка -- фоточувствительность -- поляризационная фоточувствительность -- фоточувствительные барьеры Шоттки -- направленная кристаллизация Аннотация: Методом направления кристаллизации близкого к стехиометрическому составу соединения расплава выращены монокристаллы ZnAs[2] моноклинной модификации, на которых созданы первые фоточувствительные барьеры Шоттки Cu (In) /p-ZnAs[2] и получены их первые спектры фоточувствительности в естественном и линейнополяризованном излучении. Обнаружена поляризационная фоточувствительность новых структур. На основании анализа спектров фотоактивного поглощения моноклинной модифицации ZnAs[2] установлено, что минимальные прямые межзонные переходы в этих кристаллах преимущественно разрешены в поляризации E|| оси OZ и могут быть использованы, в частности, при создании новых устройств - поляризационно-управляемых переключателей спектрального диапазона фоторегистрации падающего излучения. Доп.точки доступа: Николаев, Ю. А.; Рудь, В. Ю.; Рудь, Ю. В.; Теруков, Е. И. |
Особенности диэлектрических свойств тонких сегнетоэлектрических пленок Sn[2]P[2]S[6], полученных методом термического испарения [Текст] / Д. Н. Санджиев [и др. ] // Журнал технической физики. - 2009. - Т. 79, N 11. - С. 61-64. - Библиогр.: c. 64 (13 назв. ) . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Физика Электрические и магнитные свойства твердых тел Кл.слова (ненормированные): тонкие пленки -- сегнетоэлектрические пленки -- термическое испарение -- сегнетоэлектрики -- барьеры Шоттки -- Шоттки барьеры Аннотация: Исследованы структура, микроструктура, температурные и полевые зависимости диэлектрических свойств тонких (0. 5-8 mum) пленок сегнетоэлектрика Sn[2]P[2]S[6], полученных методом вакуумного термического испарения в квазизамкнутом объеме на подложках из стекла и алюминиевой фольги. Зависимость диэлектрических свойств от толщины и частоты, а также униполярность вольт-фарадных характеристик, объясняются наличием приповерхностных барьерных слоев типа Шоттки. Доп.точки доступа: Санджиев, Д. Н.; Абдулвахидов, К. Г.; Шонов, В. Ю.; Раевский, И. П. |
Фотоэлектрические свойства гетероструктур с самоформирующимися нанокластерами GeSi/Si, выращенных методом сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии в среде GeH[4] [Текст] / Д. О. Филатов [и др. ] // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. - 2009. - N 9. - С. 58-67
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): нанокластеры -- гетероструктуры -- фоточувствительность -- спектры фоточувствительности -- сублимационная эпитаксия -- молекулярно-лучевая эпитаксия -- межзонные оптические переходы -- барьеры Шоттки -- Шоттки барьеры Аннотация: Методами спектроскопии фотоэдс на барьере полупроводник/электролит (ФПЭ), фотоэдс и фототока барьеров Шоттки исследованы спектры фоточувствительности (ФЧ) гетероструктур с нанокластерами GeSi/Si (001), выращенных методом сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии в среде GeH[4], в том числе температурная зависимость спектров ФЧ барьеров Шоттки в диапазоне температур 10-300 К. В спектрах ФЧ наблюдались полосы, связанные с фононными и бесфононными пространственно-непрямыми межзонными оптическими переходами в нанокластерах GeSi, в том числе при 300 К. Теоретически рассмотрено влияние дисперсии нанокластеров по размерам и/или составу на форму края спектров ФЧ. Развита теория эмиссии фотовозбужденных носителей из квантовых ям нанокластеров GeSi/Si, встроенных в барьер Шоттки (p-n-переход, барьер полупроводник/электролит). Доп.точки доступа: Филатов, Д. О.; Круглова, М. В.; Исаков, М. А.; Горшков, А. П.; Шенгуров, В. Г.; Чалков, В. Ю.; Денисов, С. А. |
Немлихер, Ю. А. Новый подход в оптимизации резистивных преобразователей частоты на диодах с барьером Шоттки [Текст] / Ю. А. Немлихер, И. А. Струков // Радиотехника и электроника. - 2009. - Т. 54, N 2. - С. 229-235. - Библиогр.: с. 235 (2 назв. ) . - ISSN 0033-8494
Рубрики: Радиоэлектроника Радиоэлектроника в целом Кл.слова (ненормированные): барьеры Шоттки -- Шоттки барьеры -- генераторы -- передаточные характеристики Аннотация: Исследован новый подход в оптимизации передаточных характеристик резистивных преобразователей частоты, при котором определяется требуемая мощность гетеродина для заданной, с учетом практической реализации, проводимости генератора сигнала. Показано, что это также является необходимым условием, обеспечивающим нулевую чувствительность потерь преобразования к небольшим флуктуациям мощности гетеродина. Получены необходимые расчетные формулы. Доп.точки доступа: Струков, И. А. |
Фоточувствительность барьеров Шоттки Ni-n-GaAs [Текст] / Д. Мелебаев // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып: вып. 1. - С. 34-37 . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): метод химического осаждения -- слои никеля -- ультрафиолетовое излучение -- арсенид галлия -- оптоэлектроника -- барьеры Шоттки -- Шоттки барьеры Аннотация: Методом химического осаждения получены структуры с барьером Шоттки Ni-n-GaAs. Толщина слоев никеля с зеркальной наружной поверхностью варьировалась в пределах 150-220 Angstrem. Впервые экспериментально обнаружено, что фоточувствительность полученных барьеров при их освещении со стороны полупрозрачных слоев Ni в фаулеровской области спектра hnu=0. 9-1. 5 эВ практически отсутствует. Эта закономерность связывается в основном с тем, что при освещении со стороны слоя Ni излучение с энергией фотонов hnu<1. 3 эВ сильно отражается от поверхности никеля. Установлено, что разработанные структуры Ni-n-GaAs могут использоваться в качестве высокоэффективных широкодиапазонных фотопреобразователей видимого и ультрафиолетового излучения. Доп.точки доступа: Мелебаев, Д.; Мелебаева, В. Ю.; Рудь, В. Ю.; Рудь, Ю. В. |
Кагадей, В. А. Численное моделирование процесса гидрогенизации GaAs [Текст] / В. А. Кагадей, Е. В. Нефедцев // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып: вып. 1. - С. 128-135
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): гидрогенизация арсенида галлия -- водородная плазма -- барьеры Шоттки -- Шоттки барьеры -- водородные частицы -- гидрогенизация-охлаждение -- водород-примесь Аннотация: Проведено моделирование эволюции концентрационных профилей всех типов водородных частиц, носителей заряда и активной легирующей примеси в приповерхностной области GaAs p-типа в процессе гидрогенизации. Численный эксперимент выполнен на базе развернутой математической модели с минимальными упрощениями. Обсуждаются закономерности накопления и транспорта частиц водорода и роль в этих процессах электрического поля. Численными и аналитическими расчетами обосновывается малая эффективность образования комплексов водород- (легирующая примесь) при типичных температурах гидрогенизации GaAs (T больше 150 градусов C). Доп.точки доступа: Нефедцев, Е. В. |
Распределение электрических полей в монокристаллах ZnS : Mn при электролюминесценции [Текст] / М. Ф. Буланый [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып: вып. 6. - С. 745-749 : ил. - Библиогр.: с. 749 (5 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Проводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): электрические поля -- кристаллы -- монокристаллы -- вольт-яркостные характеристики -- ВЯХ -- барьеры Шоттки -- Шоттки барьеры -- электролюминесценция -- ЭЛ -- ZnS : Mn Аннотация: Исследованы вольт-яркостные характеристики монокристаллов ZnS : Mn и их зависимость от частоты и напряженности электрического поля. Предложена модель механизма возбуждения электролюминесценции в данных кристаллах на основе возбуждения центров свечения электролюминесценции электронами, ускоренными в электрических полях барьеров типа Шоттки. Такие барьеры образованы дислокациями в местах прерывания ими дефектов упаковки. Получено хорошее согласие между экспериментальными и расчетными данными. Доп.точки доступа: Буланый, М. Ф.; Коваленко, А. В.; Полежаев, Б. А.; Прокофьев, Т. А. |
Термо- и радиационно стабильные контакты к SiC на основе квазиаморфных пленок ZrB[2] [Текст] / А. Е. Беляев [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып: вып. 6. - С. 755-758 : ил. - Библиогр.: с. 758 (15 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Проводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): контакты -- радиационная стабильность -- термическая стабильность -- вольт-яркостные характеристики -- ВЯХ -- барьеры Шоттки -- Шоттки барьеры -- вольт-фарадные характеристики -- ВФХ -- пленки -- магнетронное распыление -- монокристаллы -- термический отжиг -- оже-анализы -- ZrB[2] Аннотация: Методами вольт-амперных и вольт-фарадных характеристик в сочетании с послойным оже-анализом исследовались радиационная и термическая стабильность структур с барьером Шоттки, изготовленных магнетронным распылением диборида циркония на поверхность (0001) монокристаллов n-6H (15R) SiC, выращенных методом Лели, с концентрацией нескомпенсированых доноров ~10{18}см{-3}. Показано, что использование квазиаморфных пленок ZrB[2] при изготовлении контактов на n-6H (15R) SiC не приводит к изменениям характеристик барьеров Шоттки при быстрых термических отжигах до 800oC в диапазоне доз облучения gamma-квантами {60}Co10{3}-10{7} Гр. Доп.точки доступа: Беляев, А. Е.; Болтовец, Н. С.; Иванов, В. Н.; Капитанчук, Л. М.; Конакова, Р. В.; Кудрик, Я. Я.; Миленин, В. В. |