Изменение длины волны излучения InGaAs/GaAs/InGaP лазеров посредством ионной имплантации [Текст] / С. А. Ахлестина [и др. ] // Письма в "Журнал технической физики". - 2010. - Т. 36, вып: вып. 4. - С. 81-87 : ил. - Библиогр.: с. 87 (8 назв. ) . - ISSN 0320-0116
Рубрики: Физика Экспериментальные методы и аппаратура оптики Кл.слова (ненормированные): InGaAs/GaAs/InGaP лазеры -- ионная имплантация -- длина волны -- лазерные структуры -- квантовые ямы -- имплантация протонов -- термический отжиг -- энергия протонов -- двухполосные излучения -- оптоэлектронные схемы -- лазеры Аннотация: Исследована возможность управления длиной волны излучения лазерной структуры InGaAs/GaAs/InGaP с напряженными квантовыми ямами посредством имплантации протонов и последующего термического отжига. Показано, что выбор энергии протонов связан с расположением квантовых ям в структуре (150 keV для глубины ~ 1. 3 мюm). Использование дозы ионов 6· 10{14} cm{-2} и отжига при 700oC позволяет уменьшить длину волны излучения модифицированной области лазера на 8-10 nm с минимальной потерей интенсивности. Наблюдаемый эффект может быть использован для получения двухполосного излучения на одном чипе и иметь широкое применение при разработке оптоэлектронных схем. Доп.точки доступа: Ахлестина, С. А.; Васильев, В. К.; Вихрова, О. В.; Данилов, Ю. А.; Звонков, Б. Н.; Некоркин, С. М. |