621.382 Г 180 Гаман, В. И. Пороговые характеристики кремниевых осцилляторов [Текст] / В. И. Гаман, П. Н. Дробот // Известия вузов. Физика. - 2001. - Т.44,N1. - Библиогр.: с.49 (11 назв.) . - ISSN 0021-3411
Кл.слова (ненормированные): кремниевые осцилляторы -- пороговые характеристики -- винтовая неустойчивость -- полупроводниковая плазма -- n+-пи-p+ Аннотация: Представлены результаты экспериментального исследования зависимости пороговых параметров кремниевых осцилляторов от магнитной индукции, температуры и расстояния между инжектирующими контактами. Показано, что в широком интервале температур от 77 до 400 К в осцилляторах возбуждается объемная винтовая неустойчивость полупроводниковой плазмы. Зависимости пороговой напряженности электрического поля (при которой возникает неустойчивость), порогового напряжения, пороговых силы тока и мощности электрического питания от указанных выше факторов хорошо описываются в рамках теории возбуждения винтовой неустойчивости в полупроводниковой пластине конечных размеров при наличии градиента концентрации неравновесных носителей заряда в направлении, перпендикулярном векторам напряженности электрического поля и магнитной индукции. Приближенная оценка показала, что среднее значение относительного градиента концентрации в исследованных образцах при 77 и 291 К порядка 1000 м(-1) Доп.точки доступа: Дробот, П.Н. |
Гаман, В. И. Влияние термического отжига на электрические и газочувствительные свойства туннельных МОП-диодов на основе кремния [Текст] / В. И. Гаман, В. И. Балюба [и др.] // Известия вузов. Физика. - 2001. - Т.44,N11. - Библиогр.: с.7 (7 назв.) . - ISSN 0021-3411 Рубрики: Радиоэлектроника--Электроника Кл.слова (ненормированные): МОП-диоды -- газочувствительные элементы -- термический отжиг Аннотация: Представлены результаты экспериментального исследования влияния кратковременного (10 мин) термического отжига туннельных МОП-диодов на их электрические свойства и величину отклика по емкости, активной проводимости и напряжению плоских зон при воздействии водорода. Термический отжиг проводился в вакууме и в комнатной атмосфере при температурах 573, 613, 653 и 673 К. Установлено, что отжиг в вакууме при всех температурах приводит к уменьшению напряжения плоских зон и значительному увеличению отклика по емкости и активной проводимости. После термического отжига в вакууме МОП-диоды можно использовать в качестве газочувствительных элементов при напряжении, равном нулю. Отжиг в комнатной атмосфере приводит примерно к тем же эффектам, но только при температуре отжига, равной 573 К. При повышении отжига до 613 К газочувствительные свойства МОП-диодов резко ухудшаются Доп.точки доступа: Балюба, В.И.; Грицык, В.Ю.; Давыдова, Т.А.; Калыгина, В.М.; Хлудкова, Л.С. |
Гаман, В. И. Пороговая частота винтовой неустойчивости электронно-дырочной плазмы в кремниевых осциллисторах [Текст] / В. И. Гаман, П. Н. Дробот // Известия вузов. Физика. - 2001. - Т.44,N11. - Библиогр.: с.44 (9 назв.) . - ISSN 0021-3411 Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): винтовые неустойчивости -- осциллисторы -- плазма -- пороговая частота Аннотация: Представлены результаты экспериментального исследования зависимости пороговой частоты кремниевых осциллисторов от напряженности порогового электрического поля, магнитной индукции, температуры и расстояния между инжектирующими контактами. Показано, что в интервале температур, в котором приблизительно выполняется критерий слабого магнитного поля, результаты эксперимента удовлетворительно объясняются квазикласической теорией объемной винтовой неустойчивости в несобственной плазме. Пороговая частота в этом интервале температур определяется суммой двух составляющих. Одна составляющая обусловлена амбиполярным сносом винтовых возмущений плазмы, а вторая - наличием градиента концентрации носителей заряда в направлении, перпендикулярном векторам напряженности электрического поля и магнитной индукции. При температуре 77 К в осциллисторах малой длины (0,85*10{-3}, 2,38*10{-3}м) полупроводниковая плазма при возбуждении винтовой неустойчивости близка к собственной и пороговая частота определяется скоростью вращения винтовых возмущений Доп.точки доступа: Дробот, П.Н. |
621.3 Г 180 Гаман, В. И. (???? 1). Временная зависимость емкости кремниевого туннельного моп-диода при воздействии водорода [Текст] / В. И. Гаман, В. М. Калыгина // Известия вузов. Физика. - 2003. - N4. - Библиогр.: 7 назв. . - ISSN 0021-3411
Рубрики: Энергетика--Электротехника Кл.слова (ненормированные): Моп-структуры -- водород -- газовая смесь -- диффузия -- туннельный МОП-диод Аннотация: Представлены результаты теоритического и экспериментального исследования временной зависимости емкости кремниевых МОП-структур с туннельно тонким диэлектриком и палладиевым полевым элетродом при воздействии на них газовой смеси, содержащий водород. Получены аналитические выражения, описывающе временную зависимость емкости области пространственного заряда ( ОПЗ ) туннельного МОП-диода, помещенного в газовую смесь, обусловлена процессом диффузии атомов водорода от полевого электрода до границы раздела Перейти: http://www.tsu.ru/ru/derision/physics.phtml/ Доп.точки доступа: Калыгина, В.М. |
541.128.3 Г 180 Гаман, В. И. Физические основы работы полупроводниковых сенсоров водорода [Текст] / В. И. Гаман // Известия вузов. Физика. - 2008. - Т. 51, N 4. - С. 84-98. - Библиогр.: c. 98 (23 назв. ) . - ISSN 0021-3411
Рубрики: Физика Элементарные частицы Кл.слова (ненормированные): газовые сенсоры -- диоксид олова -- полупроводниковые сенсоры -- сенсоры водорода Аннотация: Рассмотрены наиболее вероятные физические модели сенсоров водорода на основе тонких пленок диоксида олова, а также на основе МОП-структур и туннельных МОП-диодов. Основное внимание уделяется механизмам формирования отклика сенсоров на воздействие водорода. Для всех типов сенсоров приводятся аналитические выражения, описывающие зависимость отклика от концентрации водорода [Н2]. Представлены выражения, описывающие зависимость проводимости сенсора на основе пленки диоксида олова и его отклика от абсолютной влажности газовой смеси. Показано, что время релаксации отклика [рел] для сенсоров на основе диоксида олова и МОП-структур определяется временем релаксации процесса адсорбции атомов водорода [а] на поверхности SnO[2] и SiO[2] соответственно. Для МОП-диодов при [H2] 3 10 ppm [рел] = [a], а при [H2] 7, 5 10{3} ppm [рел] = [д] - время релаксации процесса диффузии атомов водорода через слой SiO[2]. |
621.315.592 Г 180 Гаман, В. И. Механизм формирования отклика газового сенсора водорода на основе кремниевого МОП диода [Текст] / В. И. Гаман, В. И. Балюба [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2008. - Т. 42, вып. 3. - С. 341-345 . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): газовый сенсор водорода -- структуры металл-окисел-полупроводник -- вольт-фарадные характеристики Аннотация: Обсуждаются экспериментальные данные по зависимости напряжения плоских зон и времени релаксации емкости области пространственного заряда МОП диода (Pd-SiO[2]-n-Si) от концентрации водорода в газовой смеси водород/воздух. Предполагается, что в МОП структуре с толщиной слоя SiO[2] d=369 нм изменение напряжения плоских зон U[fb] при воздействии газовой смеси водород/воздух можно объяснить образованием диполей в зазоре Pd-SiO[2] за счет поляризации атомов водорода (H[a]). Получено аналитическое выражение, описывающее зависимость изменения напряжения плоских зон дельтa U[fb] от концентрации водорода nH[2]. В МОП структурах с d=< 4 нм (или МОП диодах) дельтa U[fb] в основном обусловлено процессом пассивации атомами водорода центров, ответственных за наличие на границе SiO[2]-n-Si поверхностных состояний акцепторного типа. Получены аналитические выражения, описывающие зависимости дельтa U[fb] и времени релаксации емкости области пространственного заряда от nH[2]. Приводятся значения плотности центров адсорбции и теплоты адсорбции атомов водорода на границах раздела Pd-SiO[2] и SiO[2]-n-Si. Доп.точки доступа: Балюба, В. И.; Грицык, В. Ю.; Давыдова, Т. А.; Калыгина, В. М. |
Влияние паров воды на электрические и газочувствительные свойства тонкопленочных сенсоров на основе диоксида олова [Текст] / В. И. Гаман [и др. ] // Известия вузов. Физика. - 2008. - Т. 51, N 8. - С. 50-56. - Библиогр.: c. 56 (11 назв. ) . - ISSN 0021-3411
Рубрики: Химия Химия высокомолекулярных соединений Кл.слова (ненормированные): влияние паров воды на свойства сенсоров -- газочувствительность сенсоров -- диоксид олова -- сенсоры водорода -- тонкопленочные сенсоры -- электропроводность газовых сенсоров Аннотация: Представлены результаты теоретического и экспериментального исследования влияния паров воды на электропроводность газового сенсора и его отклик при воздействии водорода. На основе гипотезы о наличии областей пространственного заряда, обедненных электронами, между зернами Sn02 в поликристаллической пленке диоксида олова получено выражение, описывающее зависимость электрической проводимости в чистом воздухе Go от абсолютной влажности. За счет диссоциативной хемосорбции молекул воды уменьшается изгиб энергетических зон на границе раздела зерен Sn02 и увеличивается концентрация вакансий кислорода в зернах, что приводит к росту Go. Получено выражение для отклика сенсора на воздействие водорода (отношение проводимости сенсора при наличии молекулярного водорода в газовой смеси G1 к Go). Это выражение хорошо описывает зависимость G1/GO от концентрации водорода пН2 в интервале 50--{) '1 03 ррт, а также от изгиба зон на границе раздела зерен и от температуры сенсора. Полученные в результате обработки экспериментальных данных зависимости проводимости сенсора, максимально возможной проводимости, изгиба энергетических зон от температуры и аб-солютной влажности соответствуют предсказаниям теории. Доп.точки доступа: Гаман, В. И.; Анисимов, О. В.; Максимова, Н. К.; Сергейченко, Н. В.; Севастьянов, Е. Ю.; Черников, Е. В. |
Влияние золота на свойства сенсоров диоксида азота на основе тонких пленок WO[3] [Текст] / О. В. Анисимов [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып: вып. 3. - С. 383-389 : ил. - Библиогр.: с. 389 (12 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): тонкие пленки -- WO[3] -- золото -- Au -- легирование -- дисперсные слои золота -- микроструктуры -- напыление -- проводимость пленок -- диоксид азота -- сенсоры -- свойства сенсоров -- кристаллиты -- энергия активации -- адсорбция -- десорбция Аннотация: Исследованы микроструктура и свойства легированных золотом тонких пленок WO[3] (WO[3] : Au) до и после напыления на их поверхность дисперсного слоя Au. Установлено, что в слоях WO[3] : Au появляется фаза gamma-WO[2. 72] и существенно увеличивается проводимость пленок. Напыление дисперсного слоя золота способствует возрастанию отклика сенсоров на воздействие NO[2] в несколько раз. В предположении о наличии в пленках мостиков проводимости между кристаллитами WO[3] получены аналитические выражения для концентрационных и временных зависимостей отклика сенсоров при воздействии диоксида азота. Анализ экспериментальных данных с помощью этих выражений позволил определить значения энергий активации процессов адсорбции и десорбции молекул NO[2] на поверхность WO[3] : Au, а также теплоту адсорбции. Доп.точки доступа: Анисимов, О. В.; Гаман, В. И.; Максимова, Н. К.; Найден, Ю. П.; Новиков, В. А.; Севастьянов, Е. Ю.; Рудов, Ф. В.; Черников, Е. В. |
539.2 Г 180 Гаман, В. И. Влияние адсорбции кислорода на поверхностный потенциал металлооксидного полупроводника [Текст] / В. И. Гаман // Известия вузов. Физика. - 2011. - Т. 54, № 10. - С. 75-81. - Библиогр.: c. 81 (9 назв. ) . - ISSN 0021-3411
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): адсорбция кислорода -- адсорбция окислительных газов -- металлооксидные полупроводники -- поверхностная плотность ионов кислорода -- поверхностный потенциал -- теплота адсорбции -- хемосорбция Аннотация: Представлены аналитические выражения, описывающие зависимости поверхностной плотности адсорбированных ионов кислорода и изгиба энергетических зон в приповерхностной области металлооксидного полупроводника от концентрации кислорода, которые учитывают не только процесс адсорбции нейтральных частиц газа, но и их перезарядку за счет захвата электрона из зоны проводимости. Показано, что теплота адсорбции ионов кислорода равна сумме теплоты адсорбции нейтральной частицы и энергетического зазора между уровнем Ферми и уровнем иона кислорода на поверхности полупроводника. В период установления адсорбционного равновесия аналитическое выражение, описывающее зависимость изгиба энергетических зон от времени, может быть получено только для случая малых изменений концентрации кислорода в газовой смеси. |
537.2 Г 180 Гаман, В. И. Физические основы работы сенсоров окислительных газов на основе металлооксидных полупроводников [Текст] / В. И. Гаман // Известия вузов. Физика. - 2011. - Т. 54, № 12. - С. 58-65. - Библиогр.: c. 65 (6 назв. ) . - ISSN 0021-3411
Рубрики: Физика Электростатика Кл.слова (ненормированные): диоксид азота -- канальная проводимость -- кислород -- металлооксидные полупроводники -- надбарьерная проводимость -- поликристаллические пленки -- сенсоры диоксид азота -- сенсоры кислорода -- сенсоры окислительных газов -- теплота адсорбции -- хемосорбция -- энергия активации десорбции Аннотация: Рассмотрены физические принципы работы сенсоров кислорода и диоксида азота на основе тонких поликристаллических пленок металлооксидных полупроводников. Представлены аналитические выражения, описывающие зависимости проводимости сенсора и его отклика от концентрации окислительного газа, геометрических и физических параметров полупроводниковой пленки. Проведено сопоставление полученных в теории закономерностей с имеющимися результатами экспериментальных исследований. |
621.382 Х 200 Характеристики полупроводниковых резистивных сенсоров водорода при работе в режиме термоциклирования / В. И. Гаман [и др.] // Известия вузов. Физика. - 2013. - Т. 56, № 12. - С. 96-102. - Библиогр.: c. 102 (8 назв. ) . - ISSN 0021-3411
Рубрики: Радиоэлектроника Полупроводниковые приборы Кл.слова (ненормированные): газочувствительные характеристики сенсоров -- полупроводниковые резистивные сенсоры -- проводимость сенсоров водорода -- сенсоры -- термоциклирование Аннотация: Представлены результаты исследования временной зависимости проводимости сенсоров водорода на основе тонких поликристаллических пленок диоксида олова, работающих в режиме термоциклирования. Предложены метод определения изгиба энергетических зон на границе раздела контактирующих микрокристаллов SnO_2 в пленке диоксида олова, а также два метода измерения малых концентраций водорода (n H_2<10 Доп.точки доступа: Гаман, В. И.; Севастьянов, Е. Ю.; Максимова, Н. К.; Алмаев, А. В.; Сергейченко, Н. В. |
621.38 Х 200 Характеристики полупроводниковых резистивных сенсоров монооксида углерода при работе в режиме термоциклирования / В. И. Гаман [и др.] // Известия вузов. Физика. - 2014. - Т. 57, № 3. - С. 44-49 : рис., табл. - Библиогр.: c. 49 (6 назв. ) . - ISSN 0021-3411
Рубрики: Радиоэлектроника Диэлектрические приборы Кл.слова (ненормированные): газовые сенсоры -- диоксид олова -- изгиб энергетических зон -- монооксид углерода -- оксид углерода -- определение малых концентраций оксида углерода -- определение оксид углерода -- полупроводниковые резистивные сенсоры -- режим термоциклирования -- сенсоры монооксида углерода Аннотация: Представлены результаты исследования временной зависимости проводимости сенсоров оксида углерода на основе тонких поликристаллических пленок диоксида олова, работающих в режиме термоциклирования. Получены выражения, описывающие зависимости отклика и чувствительности сенсора от концентрации СО в газовой смеси, и на их основе предложены два метода определения концентраций этого газа без использования градуировочных графиков. Показано, что сенсоры данного типа при работе в режиме термоциклирования характеризуются достаточно большими значениями отклика и чувствительности на воздействие СО. Доп.точки доступа: Гаман, В. И.; Севастьянов, Е. Ю.; Сергейченко, Н. В.; Максимова, Н. К. |