Махний, В. П. Влияние изовалентной примеси магния на температурную стабильность голубой люминесценции селенида цинка [Текст] / В. П. Махний, М. М. Слетов, Ю. Я. Чабан // Журнал технической физики. - 2002. - Т.72,N6. - Библиогр.: с. 136 (6 назв.) . - ISSN 0044-4642 Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): изовалентная примесь -- магний -- селенид цинка -- фотолюминесценция Аннотация: Исследовано влияние изовалентной примеси Mg на формирование фотолюминесцентного излучения специально нелегированных кристаллов ZnSe и содержащих донорную примесь Al. Обнаружено аномально слабое температурное тушение голубой полосы в образцах с примесью магния Доп.точки доступа: Слетов, М.М.; Чабан, Ю.Я. |
539.2 М 364 Махний, В. П. Зеленая люминесценция диффузионных слоев селенида цинка [Текст] / В. П. Махний, М. М. Слетов, И. В. Ткаченко // Журнал технической физики. - 2004. - Т. 74, N 6. - Библиогр.: c. 138 (12 назв. ) . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): зеленая люминесценция -- селенид цинка -- фотолюминесценция Аннотация: Отжигом монокристаллических подложек селенида цинка в парах теллура и цинка получены диффузионные слои с доминирующей зеленой полосой излучения при комнатных температурах. Перейти: http://www.ioffe.ru/journals/jtf/2004/06/page-137.html.ru Доп.точки доступа: Слетов, М. М.; Ткаченко, И. В. |
535.37 Б 243 Барасюк, Я. Н. (???? 1). Оптические свойства слоев селенида цинка, полученные методом изовалентного замещения [Текст] / Я. Н. Барасюк, В. П. Махний, М. М. Слетов, Е. В. Стец // Известия вузов. Физика. - 2003. - N7. - Библиогр.: 9 назв. . - ISSN 0021-3411
Рубрики: Физика--Оптика Кл.слова (ненормированные): изовалентное замещение -- селенид цинка -- фотолюминесценция Аннотация: Исследованы спектры отражения и фотолюминесценции слоев селенида цинка кубической и гексагональной модификаций, полученных методом изовалентного замещения. Установлено, что при 300 К основной в спектре фотолюминесценции является краевая полоса излучения, обусловленная аннигиляцией экситонов при их неупругом рассеянии на свободных носителях заряда Перейти: http://www.tsu.ru/ru/derision/physics.phtml/ Доп.точки доступа: Махний, В.П. (???? 1); Слетов, М.М. (???? 1); Стец, Е.В. (???? 1) |
539.2 М 36 Махний, В. П. Полуизолирующие слои теллурида кадмия [Текст] / В. П. Махний // Журнал технической физики. - 2005. - Т. 75, N 11. - С. 122-123. - Библиогр.: c. 123 (4 назв. ) . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): высокоомные слои; полуизолирующие слои; теллурид кадмия Аннотация: Диффузией олова в подложки теллурида кадмия с любыми типами и величиной проводимости получены слои с удельным сопротивлением ~10{10} Omega*cm при 300 K. Перейти: http://www.ioffe.rssi.ru/journals/jtf/2005/11/page-122.html.ru |
535.37 М 36 Махний, В. П. Влияние сверхстехиометрических компонент на люминесценцию нелегированных кристаллов селенида цинка [Текст] / В. П. Махний, А. М. Слетов, М. М. Слетов, И. В. Ткаченко // Известия вузов. Физика. - 2005. - Т. 48, N 1. - С. 56-60. - Библиогр.: с. 60 (11 назв. ) . - ISSN 0021-3411
Рубрики: Физика--Оптика Кл.слова (ненормированные): люминесценция; фотолюминесценция; полупроводниковые материалы; легирование; дефектообразование; точечные дефекты; беспримесные кристаллы; селенид цинка; стехиометрия Аннотация: Анализируется эволюция спектров фотолюминесценции и Х-лучевых кривых качания кристаллов селенида цинка, подвергнутых отжигу в насыщенных парах собственных компонент в температурном диапазоне 400-1000 С. Предлагаются механизмы дефектообразования и схемы излучательных переходов. Доп.точки доступа: Слетов, А. М.; Слетов, М. М.; Ткаченко, И. В. |
621.3 Г 829 Гривул, В. И. Природа краевой люминесценции диффузионных слоев ZnSe : Sn [Текст] / В. И. Гривул, В. П. Махний, М. М. Слетов // Физика и техника полупроводников. - 2007. - Т. 41, Вып. 7. - С. 806-807 . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика--Электротехника Кл.слова (ненормированные): диффузионные слои -- ZnSe: Sn -- люминесценция -- краевая люминесценция Аннотация: Выявлена сложная структура голубой полосы люминесценции диффузионных слоев ZnSe : Sn, полученных отжигом монокристаллических подложек в парах олова. Обсуждаются механизмы излучательных переходов и природа рекомбинационных центров. Доп.точки доступа: Махний, В. П.; Слетов, М. М. |
546.49 М 364 Махний, В. П. Влияние термического отжига на физические свойства поверхностных слоев монокристаллического теллурида кадмия [Текст] / В. П. Махний // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. - 2007. - N 2. - С. 108-112 . - ISSN 0207-3528
Рубрики: Химия--Неорганическая химия Кл.слова (ненормированные): теллурид кадмия -- монокристаллический теллурид кадмия -- поверхностный слой -- термический отжиг -- оптические свойства -- структурные свойства Аннотация: Показано, что термический отжиг монокристаллических подложек теллурида кадмия на воздухе приводит к существенному изменению структурных и оптических свойств поверхностного слоя. Наблюдаемые особенности, которые возникают при определенных режимах отжига, объясняются в рамках теории квантово-размерных эффектов. |
Махний, В. П. Люминесценция слоев оксида цинка, полученных методом изовалентного замещения на подложках селенида цинка [Текст] / В. П. Махний, М. М. Слетов, С. В. Хуснутдинов // Известия вузов. Физика. - 2009. - Т. 52, N 2. - С. 92-93. - Библиогр.: c. 93 (7 назв. ) . - ISSN 0021-3411
Рубрики: Физика Люминесценция Термодинамика и статистическая физика Кл.слова (ненормированные): гетерослои -- люминесценция слоев оксида цинка -- метод изовалентного замещения -- оксид цинка -- селенид цинка -- селенид цинка Аннотация: Показана люминесценция слоев оксида цинка, полученных методом изовалентного замещения на подложках селенида цинка. Доп.точки доступа: Слетов, М. М.; Хуснутдинов, С. В. |
Природа краевой люминесценции диффузионных слоев CdTe : Mg [Текст] / В. П. Махний [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып: вып. 9. - С. 1203-1205 : ил. - Библиогр.: с. 1204-1205 (9 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): диффузионные слои -- люминесценция -- краевая люминесценция -- изовалентные примеси -- CdTe -- Mg -- легирование -- межзонная рекомбинация -- аннигиляция экситонов -- экситоны -- диффузия Аннотация: Исследовано влияние изовалентной примеси Mg на люминесценцию CdTe. Легирование методом диффузии позволяет получать слои CdTe : Mg с эффективной краевой люминесценцией. Данное излучение обусловлено межзонной рекомбинацией и аннигиляцией экситонов, связанных на изовалентной примеси Mg. Доп.точки доступа: Махний, В. П.; Косоловский, В. В.; Слетов, М. М.; Скрипник, Н. В.; Слетов, А. М. |
539.21:537 М 364 Махний, В. П. Детектор ультрафиолетового излучения с внутренним усилением на основе гетероструктуры SnO[2]-ZnSe [Текст] / В. П. Махний, В. В. Мельник, И. Г. Орлецкий // Письма в "Журнал технической физики". - 2011. - Т. 37, вып. 8. - С. 21-25 : ил. - Библиогр.: с. 25 (6 назв. ) . - ISSN 0320-0116
Рубрики: Физика Электрические и магнитные свойства твердых тел Радиоэлектроника Фотоэлектрические приборы Кл.слова (ненормированные): гетероструктуры -- излучения -- ультрафиолетовые излучения -- детекторы ультрафиолетового излучения -- токовая чувствительность -- электрические характеристики -- фотоэлектрические характеристики Аннотация: Изготовлены гетероструктуры SnO[2]-ZnSe с высокой токовой чувствительностью, достигающей в максимуме 60 A/W, и измерены их электрические и фотоэлектрические характеристики. Перейти: http://journals.ioffe.ru/pjtf/2011/08/p21-25.pdf Доп.точки доступа: Мельник, В. В.; Орлецкий, И. Г. |
621.315.592 М 364 Махний, В. П. Определение энергии ионизации уровней ванадия в селениде цинка [Текст] / В. П. Махний, авт. О. В. Кинзерская // Физика и техника полупроводников. - 2012. - Т. 46, вып. 2. - С. 150-151 : ил. - Библиогр.: с. 151 (5 назв.) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Физика Физическая оптика Кл.слова (ненормированные): энергия ионизации -- ионизация -- спектры оптического поглощения -- оптическое поглощение -- фотопроводимость -- формулы Луковского -- Луковского формулы -- ванадий -- селенид цинка -- ZnSe -- экспериментальные спектры -- акцепторные уровни Аннотация: Сопоставлением экспериментальных спектров оптического поглощения и фотопроводимости с формулами Луковского установлено, что примесь V в ZnSe образует акцепторные уровни с энергией ионизации 0. 62 эВ. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2012/02/p150-151.pdf Доп.точки доступа: Кинзерская, О. В. |
539.2 М 364 Махний, В. П. Механизмы прохождения тока в контактах Au-CdTe с модифицированной поверхностью [Текст] / В. П. Махний, авт. Н. В. Скрипник // Физика и техника полупроводников. - 2011. - Т. 45, вып. 3. - С. 322-325 : ил. - Библиогр.: с. 325 (12 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): вольт-амперные характеристики -- ВАХ -- поверхностно-барьерные диоды -- ПБД -- модифицированные поверхности -- водные растворы -- соли щелочных металлов -- щелочные металлы Аннотация: Исследованы обратные вольт-амперные характеристики поверхностно-барьерных диодов на основе n-CdTe с модифицированной поверхностью, полученной обработкой в водном растворе солей щелочных металлов. Установлено, что обратный ток при низких смещениях имеет туннельную природу, а при больших обусловлен лавинным умножением носителей в результате ударной ионизации. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2011/03/p322-325.pdf Доп.точки доступа: Скрипник, Н. В. |
539.2 М 364 Махний, В. П. Природа голубой полосы излучения в ZnSe с изовалентной примесью S / В. П. Махний, А. М. Слетов, Е. В. Стец // Физика и техника полупроводников. - 2014. - Т. 48, вып. 9. - С. 1192-1193 : ил. - Библиогр.: с. 1193 (8 назв.) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): краевая люминесценция -- люминесценция -- изовалентные примеси -- межзонная рекомбинация -- аннигиляция экситонов -- экситоны -- свободные носители зарядов Аннотация: Исследована краевая люминесценция гетрослоев ZnSe, полученных изовалентным замещением на подложках ZnSe. Показано, что полоса голубого излучения обусловлена межзонной рекомбинацией и аннигиляцией экситонов при их неупругом рассеянии на свободных носителях заряда. The edge luminescence of ZnSe heterolayers obtained by isovalent substitution on ZnS substrates is investigated. It is shown that the band of blue emission is formed by the interband recombination and annihilation of excitons at their inelastic scattering on free charge carriers. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2014/09/p1192-1193.pdf Доп.точки доступа: Слетов, А. М.; Стец, Е. В.; Черновицкий национальный университет им. Ю. Федьковича; Черновицкий национальный университет им. Ю. ФедьковичаНациональный технический университет Украины КПИ |
539.2 М 364 Махний, В. П. Эффект Холла в кристаллах CdTe, легированных Sn из паровой фазы / В. П. Махний, И. И. Герман, О. А. Парфенюк // Физика и техника полупроводников. - 2014. - Т. 48, вып. 11. - С. 1467-1468 : ил. - Библиогр.: с. 1468 (9 назв.) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): эффект Холла -- Холла эффект -- кристаллы -- теллурид кадмия -- CdTe -- олово -- Sn -- примеси олова -- электроны -- донорные центры -- паровые фазы Аннотация: Исследован эффект Холла в полуизолирующих кристаллах CdTe, легированных примесью Sn из паровой фазы в закрытом объеме. Установлено, что проводимость обусловлена донорным центром с E[t]~0. 7 эВ, а концентрация электронов и их подвижность при 300 K составляют (4-8) x 10{6} см{-3} и 200-300 см{2}/В x с соответственно. The Hall effect in semi-insulating crystals CdTe, doped Sn vapor in a closed volume was investigated. Foundthat the conductivity is due to the donor center with energyE[t] ~ 0. 74 eV. Obtained electron concentration and mobilityat 300K are equal (4-8) x 10{6} cm (-3}, and 200-300 cm{2}/V x s. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2014/11/p1467-1468.pdf Доп.точки доступа: Герман, И. И.; Парфенюк, О. А.; Черновицкий национальный университет им. Юрия Федьковича; Черновицкий национальный университет им. Юрия ФедьковичаЧерновицкий национальный университет им. Юрия Федьковича |