Дмитрук, Н. Л. Влияние гамма-облучения на характеристики фотопреобразования барьерных структур металл--арсенид галлия с текстурированной границей раздела [Текст] / Н. Л. Дмитрук, О. Ю. Борковская [и др.] // Журнал технической физики. - 2002. - Т.72,N6. - Библиогр.: с. 48-49 (15 назв.) . - ISSN 0044-4642 Рубрики: Радиоэлектроника--Электроника Кл.слова (ненормированные): барьер Шоттки -- барьерные структуры -- гамма-облучение -- солнечные элементы -- фотопреобразование Аннотация: Проведено сравнительное исследование влияния gamma-облучения {60}Co в диапазоне доз 10{3}-2*10{5} Gy на характеристики фотопреобразования и темновые ВАХ солнечных элементов (СЭ) поверхностно-барьерного типа (Au/GaAs) в зависимости от морфологии микрорельефа границы раздела, создаваемого с целью увеличения эффективности фотопреобразования. Показано, что из двух типов морфологии микрорельефа (дендритный и квазирешеточный), полученных методом химического анизотропного травления (100) поверхности n-GaAs, более перспективным для использования в СЭ, особенно космического назначения, является микрорельеф квазирешеточного типа, поскольку он позволяет получить СЭ с большей эффективностью и радиационной стойкостью Доп.точки доступа: Борковская, О.Ю.; Конакова, Р.В.; Мамонтова, И.Б.; Мамыкин, С.В.; Войциховский, Д.И. |
621.38 Б 796 Болтовец, Н. С. Межфазные взаимодействия и термодеградация контактных структур TiN[x](TiB[x])-n-n{+}-Si, стимулированные быстрыми термическими отжигами [Текст] / Н. С. Болтовец, В. Н. Иванов [и др.] // Журнал технической физики. - 2003. - Т.73,N4. - Библиогр.: 16 назв. . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Радиоэлектроника--Электроника Кл.слова (ненормированные): барьер Шоттки -- бориды титана -- контактные структуры -- межфазные взаимодействия -- нитриды титана -- термический отжиг -- термодеградация Аннотация: Приведены результаты экспериментальных исследований термической стабильности контактов с барьером Шоттки (БШ) TiN[x](TiB[x])-n-n{+}-Si, Au-TiN[x](TiB[x])-n-n{+}-Si и Au-Ti(Mo)-TiN[x](TiB[x])-n-n[+}-Si, подвергнутых быстрым термическим отжигам в атмосфере водорода при T=400,600 и 800oC. Показано, что структурно-морфологические перестройки в слоях сплавов внедрения (бориды и нитриды титана) и связанные с ними процессы деградации электрофизических характеристик барьера происходят начиная с 600`C. Обсуждаются возможные причины, приводящие к нарушению барьерных свойств слоев нитридов и боридов титана Доп.точки доступа: Иванов, В.Н.; Конакова, Р.В.; Миленин, В.В.; Войциховский, Д.И. |
621.38 М 268 Маркович, В. В. Моделирование шумов в полевом транзисторе с барьером Шоттки с двойным затвором на основе температур шумовых волн [Текст] / В. В. Маркович, О. Р. Пронич // Радиотехника и электроника. - 2004. - Т. 49, N 10. - Библиогр.: с. 1280 (8 назв. ) . - ISSN 0033-8494
Рубрики: Радиоэлектроника--Электроника Кл.слова (ненормированные): полевой транзистор -- барьер Шоттки -- шумовые волны -- паразитные сигналы Аннотация: Описана малосигнальная шумовая модель полевого транзистора с барьером Шоттки (ПТШ) с двойным затвором. В модели использованы эквивалентные схемы двух каскадных однозатворных эквивалентных ПТШ с шестью соответствующими температурами шумовых волн. Эквивалентные схемы находятся внутри сети, представляющей паразитные сигналы устройства. Волновой подход к описанию шумов позволяет определить шумовые параметры каждого однозатворного ПТШ. На основе такого подхода разработана программа, ориентированная на системы автоматизированного проектирования, которая позволяет выявлять параметры модели ПТШ в двойным затвором и шумовые температуры. Моделируемые характеристики шумовых параметров хорошо согласуются с результатами соответствующих измерений. Доп.точки доступа: Пронич, О. Р. |
621.3 К 630 Комарь, В. К. Влияние смещающего электрического поля на спектральное распределение фотодиэлектрического эффекта в структурах с барьером Шоттки на основе кристаллов теллурида кадмия-цинка [Текст] / В. К. Комарь, В. М. Пузиков [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2007. - Т. 41, Вып. 6. - С. 711-717 . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика--Электротехника Кл.слова (ненормированные): кристаллы Cd[1-x]Zn[x]Te -- теллурид кадмия-цинка -- диэлектрическая проницаемость кристаллов -- барьер Шоттки -- Шоттки барьер -- фотодиэлектрический эффект -- смещающее электрическое поле -- электрическое поле -- спектральное распределение фотодиэлектрического эффекта Аннотация: Измерены спектральные зависимости эффективных значений действительной и мнимой частей низкочастотной диэлектрической проницаемости кристаллов Cd[1-x]Zn[x]Te (x=0. 12-0. 16), на поверхности которых создан барьер Шоттки. Установлено, что граничные длины волн характеристических участков измеренных зависимостей, представленных в комплексной плоскости, соответствуют энергиям фотонов, вызывающих качественные изменения в состоянии отрицательно заряженных и электронейтральных локализованных акцепторных состояний. Обнаружены изменения энергетического спектра локализованных состояний, определяемые величиной и полярностью приложенного к барьеру Шоттки электрического смещения. Доп.точки доступа: Пузиков, В. М.; Чугай, О. Н.; Наливайко, Д. П.; Сулима, С. В.; Абашин, С. Л. |
621.3 М 915 Мурыгин, В. И. Аномальные зависимости барьерной емкости диода от напряжения смещения и температуры [Текст] / В. И. Мурыгин, А. У. Фаттахдинов, Д. А Локтев, В. Б. Гундырев // Физика и техника полупроводников. - 2007. - Т. 41, вып. 10. - С. 1207-1213 . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Электротехника Кл.слова (ненормированные): барьерная емкость диода -- диоды -- барьер Шоттки -- емкость переходного слоя -- Шоттки барьер Аннотация: Рассчитана емкость барьера Шоттки и p\{+\}-n-перехода, в n-области которых имеются мелкие доноры и глубокие акцепторы с уровнями в верхней половине запрещенной зоны. Емкость представлялась в виде двух последовательно расположенных емкостей - приконтактной области, содержащей только ионы донорной примеси, и переходного слоя на границе объемного заряда с базой диода с учетом концентрации свободных носителей заряда и ее зависимости от потенциала. Доп.точки доступа: Фаттахдинов, А. У.; Локтев, Д. А; Гундырев, В. Б. |
621.3 А 361 Айзенштат, Г. И. Измерение высоты барьера на границе металл-полуизолирующий арсенид галлия [Текст] / Г. И. Айзенштат, М. А. Лелеков, О. П. Толбанов // Физика и техника полупроводников. - 2007. - Т. 41, вып. 11. - С. 1327-1328 . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Электротехника Кл.слова (ненормированные): арсенид-галлиевые детекторы -- барьер Шоттки -- Шоттки барьер -- вольт-амперные характеристики Аннотация: Проведен анализ вольт-амперных характеристик структур из полуизолирующего арсенида галлия с различными контактами. Высота барьера Шоттки измерялась с использованием двух методик; полученные значения для контактов на основе ванадия составили 0. 81. 0. 02 В. Доп.точки доступа: Лелеков, М. А.; Толбанов, О. П. |
621.3 Б 611 Биленко, Д. И. Влияние давления атмосферного воздуха на токоперенос в структурах с окисленным пористым кремнием [Текст] / Д. И. Биленко, О. Я. Белобровая [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2007. - Т. 41, Вып. 8. - С. 945-949 . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика--Электротехника Кл.слова (ненормированные): структуры с окисленным пористым кремнием -- пористый кремний -- токоперенос -- давление атмосферного воздуха -- полярные молекулы -- атмосферный воздух -- вольт-амперные характеристики -- барьер Шоттки -- Шоттки барьер Аннотация: Исследованы процессы токопереноса в структурах с окисленным пористым кремнием (ПКО) при адсорбции и десорбции полярных молекул из атмосферы при вариации давления воздуха. Показано, что причиной существования напряжения холостого хода в структурах Pd-ПКО-p\{+\}-Si-Al в исходном состоянии является изменение поверхностного заряда на интерфейсе Pd-ПКО за счет адсорбции полярных молекул из атмосферного воздуха. Десорбция молекул атмосферного воздуха приводит к изменению вольт-амперных характеристик структур, росту барьера металл-ПКО в образцах с барьером Шоттки, возникновению нестабильностей тока. Нанокристаллическая природа ПКО проявляется в локализации носителей заряда в квантовых точках при десорбции в образцах с токами, ограниченными объемным зарядом. Доп.точки доступа: Белобровая, О. Я.; Жаркова, Э. А.; Терин, Д. В.; Хасина, Е. И. |
621.315.592 И 201 Иванов, А. М. Влияние облучения электронами и протонами на характеристики поверхностно-барьерных структур SiC-детекторов ядерных излучений [Текст] / А. М. Иванов, Н. Б. Строкан, В. В. Козловский, А. А. Лебедев // Физика и техника полупроводников. - 2008. - Т. 42, вып. 3. - С. 370-377 . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): барьер Шоттки -- Шоттки барьер -- поверхностно-барьерные структуры -- SiC-детекторы -- пары Френкеля -- Френкеля пары -- радиационное дефектообразование Аннотация: Структуры с барьером Шоттки на основе CVD-пленок 4H-SiC облучались 8 МэВ протонами и 900 кэВ электронами. Максимальные дозы составили 10\{14\} см\{-2\} и 3 х 10\{16\} см\{-2\} соответственно. В случае электронов первично вводимые радиационные дефекты являлись близко расположенными парами Френкеля. Сопоставлялись изменения электрофизических характеристик структур. Использовались емкостные методики и техника ядерной спектрометрии. С ее помощью определялась эффективность переноса заряда при импульсной ионизации alpha-частицами. Доп.точки доступа: Строкан, Н. Б.; Козловский, В. В.; Лебедев, А. А. |
621.315.592 А 852 Арсентьев, И. Н. Свойства барьерных контактов к InP с наноразмерными слоями TiB[x] [Текст] / И. Н. Арсентьев, А. В. Бобыль [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2008. - Т. 42, вып. 7. - С. 793-798 . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): многослойные барьерные структуры -- наноразмерные слои -- пористые подложки -- газофазная эпитаксия -- магнетронное распыление -- барьер Шоттки -- Шоттки барьер Аннотация: Исследованы структурные и электрические свойства многослойных барьерных структур Au-TiB[х]-nn\{+\}n\{++\}-InP и TiB[x]-nn\{+\}n\{++\}-InP на стандартных ("жестких") и пористых ("мягких") подложках n\{++\}-InP. Полупроводниковые слои были изготовлены методом газофазной эпитаксии, металлические - магнетронным распылением, а пористые подложки - электрохимическим травлением стандартного InP. Образцы на пористых подложках имеют преимущества по следующим параметрам: токи утечек обратной ветви вольт-амперной характеристики меньше в 10 раз; на порядок больше диапазон экспоненциального роста тока на прямой ветви; при изменении площади контакта в 100 раз изменение фактора идеальности и высоты барьера Шоттки соответственно в 3 и ~ 10 раз меньше; более стабильная структура слоев при отжигах до 800 градусов C. Доп.точки доступа: Бобыль, А. В.; Тарасов, И. С.; Болтовец, Н. С.; Иванов, В. Н.; Беляев, А. Е.; Камалов, А. Б.; Конакова, Р. В.; Кудрик, Я. Я.; Литвин, О. С.; Миленин, В. В.; Руссу, Е. В. |
Эмиссия электронов из многослойных ансамблей вертикально связанных квантовых точек InAs в матрице n-GaAs [Текст] / А. А. Гуткин [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2008. - Т. 42, вып: вып. 9. - С. 1122-1125 . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): эмиссия электронов -- барьер Шоттки -- Шоттки барьер -- квантовые точки -- туннелирование Аннотация: Методом адмиттанс-спектроскопии в структурах с барьером Шоттки проведено исследование эмиссии электронов из многослойных массивов вертикально связанных квантовых точек InAs в матрицу n-GaAs (концентрация электронов n~2 10[16] см[-3]). Установлено, что в области температур ниже ~70 K эмиссия электронов в диапазоне темпов 3 10[4]-3 10[6] c[-1] происходит путем термически активированного туннелирования через промежуточные виртуальные состояния. При увеличении числа слоев в массиве квантовых точек от 3 до 10 наблюдается уменьшение скорости эмиссии электронов. Доп.точки доступа: Гуткин, А. А.; Брунков, П. Н.; Егоров, А. Ю.; Жуков, А. Е.; Конников, С. Г. |
Исследование распределения потенциала на локально металлизированной поверхности n-GaAs методом атомно-силовой микроскопии [Текст] / Н. А. Торхов [и др. ] // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. - 2009. - N 11. - С. 57-66
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): атомно-силовая микроскопия -- металлические пленки -- поверхностный потенциал -- полупроводники -- барьер Шоттки -- Шоттки барьер -- арсенид галлия -- метод Кельвина -- Кельвина метод Аннотация: В предлагаемой работе с использованием атомно-силовой микроскопии в варианте метода Кельвина проведены исследования потенциала свободной поверхности арсенида галлия и поверхности GaAs с нанесенными на нее (локально или сплошь) тонкими слоями золота или платины. Полученные результаты показывают, что измеряемый потенциал в системе зонд-металл в целом соответствует ее контактной разности потенциалов (КРП). Для системы зонд-арсенид галлия измеренные значения КРП зависят от типа обработки, что может быть связано с влиянием обработки на электронное сродство полупроводника. Обнаружен размерный латеральный эффект, заключающийся в наличии значительной (порядка ~ 10 мкм) переходной области (ореола) между металлическим контактом и свободной поверхностью GaAs. В этой области потенциал плавно изменяется между значениями потенциалов металлического контакта и свободной поверхности полупроводника. При этом на потенциал контакта влияют его геометрические размеры (диаметр и толщина) и свойства материала подложки (GaAs). Доп.точки доступа: Торхов, Н. А.; Божков, В. Г.; Ивонин, И. В.; Новиков, В. А. |
Чижов, А. И. Методика расчета согласующих цепей сверхвысокочастотных усилителей [Текст] / А. И. Чижов // Радиотехника и электроника. - 2009. - Т. 54, N 5. - С. 584-591. - Библиогр.: с. 591 (9 назв. ) . - ISSN 0033-8494
Рубрики: Радиоэлектроника Общая радиотехника Кл.слова (ненормированные): сверхвысокочастотные усилители -- транзисторы -- барьер Шоттки -- Шоттки барьер -- однокаскадные усилители -- СВЧ-усилители Аннотация: Разработана методика расчета цепей согласования при комплексных сопротивлениях генератора и нагрузки. Приведены результаты проверки этой методики на примере расчета параметров и экспериментального измерения характеристик сверхвысокочастотного усилителя, выполненного на полевом транзисторе с барьером Шоттки. |
621.37/.39 М 197 Малошумящий приемник для микроволновой озонометрии [Текст] / С. Б. Розанов [и др.] // Известия вузов. Радиофизика. - 2011. - Т. 54, № 8/9. - С. 708-718. - Библиогр.: с. 718 (6 назв. ) . - ISSN 0021-3462
Рубрики: Радиоэлектроника Радиоэлектроника в целом Кл.слова (ненормированные): микроволновая озонометрия -- барьер Шоттки -- Шоттки барьер -- малошумящий супергетеродинный приемник Аннотация: Представлено описание малошумящего супергетеродинного приемника со смесителем на диоде с барьером Шоттки для нового передвижного микроволнового озонометра на частоту 142, 2 ГГц, предназначенного для измерений вертикального распределения концентрации озона в стратосфере и мезосфере. Приведены расчетные и экспериментальные характеристики входных квазиоптических узлов приемника на гауссовых пучках, результаты измерений диаграммы направленности антенны приемника и его шумовой температуры. Доп.точки доступа: Розанов, С. Б.; Завгородний, А. С.; Логвиненко, С. В.; Лукин, А. Н.; Штанюк, А. М.; Большаков, О. С. |
621.315.55/.58 В 586 Влияние тылового контакта на электрофизические и функциональные характеристики пленочных CdTe-детекторных структур с барьером Шоттки [Текст] / Ш. А. Мирсагатов [и др.] // Известия вузов. Физика. - 2012. - Т. 55, № 2. - С. 47-52 : рис. - Библиогр.: c. 52 (11 назв. ) . - ISSN 0021-3411
Рубрики: Энергетика Проводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): барьер Шоттки -- детекторы с барьером Шоттки -- инжекция -- кадмий теллур -- окисел-полупроводник -- пленочные CdTe-детекторные структуры -- пленочные структуры -- тыловой контакт -- Шоттки барьер -- шумовые характеристики Аннотация: Для регистрации ядерных излучений созданы пленочные CdTe-детекторные структуры с барьером Шоттки. Структуры изготовлены на основе крупноблочных p-CdTe-пленок с удельным сопротивлением p=10{2}-10{7}Ом. см. Измерены вольт-фарадные, вольт-амперные, амплитудные и шумовые характеристики структур и определены механизмы переноса носителей тока при различных величинах напряжения смещения. Установлено, что ограничение функциональных характеристик детекторных структур связано с возникновением процессов инжекции в области тылового Мо-контакта. Обнаружено, что источником инжекции электронов является соединение МоО[3] между пленкой и молибденовой подложкой. Доп.точки доступа: Мирсагатов, Ш. А.; Ачилов, А. С.; Заверюхин, Б. Н.; Баиев, М. С. |
621.382 М 646 Мирсагатов, Ш. А. Инжекционный фотодиод на основе p-CdTe [Текст] / Ш. А. Мирсагатов, авт. А. К. Утениязов // Письма в "Журнал технической физики". - 2012. - Т. 38, вып. 1. - С. 70-76 : ил. - Библиогр.: с. 76 (10 назв. ) . - ISSN 0320-0116
Рубрики: Радиоэлектроника Полупроводниковые приборы Фотоэлектрические приборы Кл.слова (ненормированные): фотодиоды -- инжекционные фотодиоды -- кадмий -- теллурид кадмия -- теллуриды -- крупноблочные пленки -- фоточувствительные пленки -- фоточувствительные крупноблочные пленки -- удельное сопротивление -- барьер Шоттки -- Шоттки барьер -- токи -- молибденовые контакты -- уровни освещенности -- токовая чувствительность -- спектральная чувствительность -- фотоприемники -- идеальные фотоприемники -- излучения -- длины волн -- волны излучения Аннотация: На основе фоточувствительных крупноблочных пленок теллурида кадмия p-типа с удельным сопротивлением rho~ 10{6}-10{7}Omega· cm создана Al-p-CdTe-Mo-структура с барьером Шоттки, которая обладает свойствами инжекционного фотодиода. При пропускном направлении тока (когда "+" приложен к молибденовому контакту) и высоких уровнях освещенности она имеет токовую чувствительность S[ lambda]~ 2. 6 A/W при lambda=0. 625 mum, которая в 5 раз превышает спектральную чувствительность идеального фотоприемника при этой длине волны излучения. Перейти: http://journals.ioffe.ru/pjtf/2012/01/p70-76.pdf Доп.точки доступа: Утениязов, А. К. |
539.2 М 646 Мирсагатов, Ш. А. Механизм переноса тока в диодах с барьером Шоттки на основе крупноблочных пленок CdTe [Текст] / Ш. А. Мирсагатов, А. К. Утениязов, А. С. Ачилов // Физика твердого тела. - 2012. - Т. 54, вып. 9. - С. 1643-1654. - Библиогр.: с. 1654 (24 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): токи -- перенос тока в диодах -- крупноблочные пленки -- барьер Шоттки -- Шоттки барьер Аннотация: Показаны возможности создания барьера Шоттки на Al-p-CdTe-структурах с минимальной плотностью поверхностных состояний, что подтверждено измерениями высоты потенциального барьера вольт-фарадными и фотоэлектрическими методами. Установлено, что при различных напряжениях прямых смещений реализуются различные экспоненциальные зависимости тока от напряжения, которые связаны с изменением кинетических параметров базы Al-p-CdTe-Mo-структуры. Показано, что Al-p-CdTe-Mo-структура при прямом направлении тока, высоких уровнях освещения выступает в качестве инжекционного фотодиода. Такой инжекционный фотодиод обладает высокой токовой чувствительностью. При включении тока в обратном направлении после полного охвата базы структуры объемным зарядом из тылового контакта инжектируются электроны, которые определяют механизм переноса тока и шумовые характеристики структуры. Доп.точки доступа: Утениязов, А. К.; Ачилов, А. С. |