Галиев, Г. Б. Исследование структурного совершенства, распределения и перерапределения кремния в эпитаксиальных пленках GaAs, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках с ориентациями (100), (111)А, (111)В [Текст] / Г. Б. Галиев, В. Г. Мокеров [и др.] // Журнал технической физики. - 2001. - Т.71,N4. - Библиогр.: с. 52 (15 назв.) . - ISSN 0044-4642 Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): эпитаксиальные пленки -- арсенид галлия -- молекулярно-лучевая эпитаксия -- рентгеновская дифрактометрия -- атомно-силовая микроскопия -- ВИМС -- термический отжиг -- легирование -- рельеф поверхности -- ионное травление Аннотация: Методами рентгеновской дифрактометрии и ВИМС исследованы распределение кремния до и после термического отжига в тонких легированных слоях GaAs, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках с ориентациями (100), (111)А, (111)В. С помощью атомно-силового микроскопа исследованы рельефы поверхности выращенных эпитаксиальных пленок вне и внутри кратера ионного травления, возникающего во время измерения методом ВИМС. Выявлены особенности рельефа поверхности внутри кратера для разных ориентаций. Обнаруженные изменения формы профилей легирования объяснены как особенностями развития рельефа поверхности во время ионного травления при измерении методом ВИМС, так и ускоренной диффузией Si по дефектам роста Доп.точки доступа: Мокеров, В.Г.; Сарайкин, В.В.; Слепнев, Ю.В; Шагимуратов, Г.И.; Имамов, Р.М.; Пашаев, Э.М. |
548:537.611.46 Г 982 Гынгазов, С. А. Применение метода ВИМС для исследования гетеродиффузии в щелочно-галоидных кристаллах [Текст] / С. А. Гынгазов, А. П. Суржиков, Т. С. Франгульян, А. В. Чернявский // Известия вузов. Физика. - 2002. - Т.45,N8. - Библиогр.: с.25 (8 назв.) . - ISSN 0021-3411
Кл.слова (ненормированные): бромид калия -- гетеродиффузия -- диффузия -- коэффициент диффузии -- масс-спектрометрия -- щелочно-галоидные кристаллы Аннотация: В работе представлены результаты исследований методом вторично-ионной масс-спектрометрии (ВИМС) высокотемпературной диффузии ионов Na, Mg в монокристаллах бромида калия. Показано, что диффузионные профили имеют неэлементарный характер, и в приповерхностном слое происходит торможение диффузии. Для определения объемных коэффициентов диффузии необходимо апроксимировать участки профилей глубиной более 1 мкм. Эффективность применявшейся методики определения коэффициентов диффузии подтверждается сравнением величин коэффициентов диффузии ионов Na, определенных авторами, с аналогичными величинами, полученными с применением других методов, обладающих высокой надежностью и точностью измерений. Определены коэффициенты диффузии примеси магния, находящейс в различных исходных химических состояниях Перейти: http://www.tsu.ru/ru/derision/physics Доп.точки доступа: Суржиков, А.П.; Франгульян, Т.С.; Чернявский, А.В. |
548-162:539.16.04 С 900 Суржиков, А. П. Исследование диффузии магния в кристаллах фторида лития методом ВИМС [Текст] / А. П. Суржиков, А. В. Чернявский, С. А. Гынгазов, Т. С. Франгульян // Известия вузов. Физика. - 2002. - Т.45,N12. - Библиогр.: с.47 (11 назв.) . - ISSN 0021-3411
Кл.слова (ненормированные): вторично-ионная масс-спектрометрия -- диффузия -- коэффициент диффузии -- магний -- фторид лития Аннотация: Методом вторично-ионной масс-спектрометрии исследована диффузия примеси магния во фториде лития. Установлена температурная зависимость коэффициентов диффузии магния в области температур (870-1073)К, которая описывается выражением вида D=2,8*10{-3}*exp(-1,5/kT)[см{2}/с]. С привлечением данных по самодиффузии катионов и результатов измерений ионной проводимости проведена оценка термодинамических параметров, характеризующих диффузионный скачок диффузанта. Приводятся значения вычесленных значений частоты перескова примесного иона в вакансию катиона Перейти: http://www.tsu.ru/ru/derision/physics.phtml Доп.точки доступа: Чернявский, А.В.; Гынгазов, С.А.; Франгульян, Т.С. |
20.1 Б 202 Балашова, С. П. Тяжелые металлы в почвах урбанизированных территорий [Текст] / С. П. Балашова, А. Е. Самонов, В.Н. и др. Еремин // ЭКиП: Экология и промышленность России. - 2001. - N3 Рубрики: Естественные науки--Охрана природы Кл.слова (ненормированные): загрязнения почвенные -- металлы тяжелые -- окружающая среда -- опыт -- охрана природы -- почвенные загрязнения -- почвы -- среда окружающая -- территории урбанизированные -- технологии -- тяжелые металлы -- урбанизированные территории -- экология Аннотация: Об исследованиях, которые выполнялись с целью оценки степени токсичности аномалий по миграционным свойствам тяжелых металлов, зонирования территории города по этому критерию и разработки типовых природоохранных решений для выделенных зон Доп.точки доступа: Самонов, А.Е.; Еремин, В.Н. и др. |
02(09) А 46 Александров, А. Е. (библиотековед, чл. Союза журналистов Москвы). Путь в науку проходит через библиотеку [Текст] / А. Е. Александров // АиФ - Новая библиотека. - 2006. - N 3. - С. 8-10. - Ил.: фот. . - ISSN XXXX-XXXX
Рубрики: Библиотечное дело--История библиотечного дела--Россия, 20 в. Кл.слова (ненормированные): юбилеи библиотек; научно-технические библиотеки; НТБ; ученые; НИИ; институты; частные институты; научные учреждения; руководители; директоры; книжные фонды Аннотация: Рассказ о Владимире Васильевиче Аршинове, ученом, общественном деятеле, создателе и первом директоре Всероссийского института минерального сырья (ВИМС) . Его имя носит научно-техническая библиотека института, фонд которой начинался в 1915 году с личного книжного собрания ученого. Краткая биографическая справка об авторе статьи. Доп.точки доступа: Аршинов, Владимир Васильевич (д-р геолого-минерал. наук, профессор ; 1879-? гг.); Серпер, Надежда Александровна (зав. библиотекой); Всероссийский институт минерального сырья им. Н. Федоровского (ВИМС) \научно-техническая библиотека\; НТБ ВИМС |
539.2 Д 26 Деев, А. Н. Локальная атомная структура материалов Cu (In[x]Ga[1-x]) Se[2] (x = 0. 25, 0. 5, 0. 75) для солнечных элементов [Текст] / А. Н. Деев, Р. Г. Валеев, Ф. З. Гильмутдинов, Д. Е. Гай // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. - 2007. - N 1. - С. 46-49 . - ISSN 0207-3528
Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): тонкие слои -- атомная структура -- локальная атомная структура -- твердые растворы -- кристаллические твердые растворы -- квазибинарные твердые растворы -- EXAFS-спектроскопия -- ВИМС -- вторично-ионная масс-спектрометрия Аннотация: Методами ВИМС и EXAFS-спектроскопии изучалась локальная атомная структура тонких слоев на поверхности кристаллических квазибинарных твердых растворов Cu (In[x]Ga[1-x]) Se[2]. Методом ВИМС обнаружено, что наиболее значительное изменение элементного состава в образцах происходит в тонких слоях на глубине 5-10 нм, а далее концентрации компонентов соответствуют объемным значениям. Методом EXAFS-спектроскопии в режиме рентгеновской флуоресценции показано, что полученные результаты согласуются с предположением о том, что в четырехкомпонентных кристаллических твердых растворах Cu (In[x]Ga[1-x]) Se[2] имеется локальное разупорядочение при наличии среднего дальнего порядка, который обнаруживается из данных по рассеянию рентгеновских лучей. Доп.точки доступа: Валеев, Р. Г.; Гильмутдинов, Ф. З.; Гай, Д. Е. |
Влияние параметров узкозонных включений на тип и величину вторично-ионного фотоэффекта в гетерофазных фотопроводниках [Текст] / С. В. Стецюра [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып: вып. 8. - С. 1102-1108 : ил. - Библиогр.: с. 1107-1108 (12 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Проводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): фотоэффекты -- вторично-ионные фотоэффекты -- ВИФЭ -- типы -- величины -- фотопроводники -- гетерофазные фотопроводники -- твердые растворы -- пересыщенные твердые растворы -- распад -- технология Ленгмюра-Блоджетт -- технология ЛБ -- Ленгмюра-Блоджетт технология -- ЛБ технология -- узкозонные включения -- преципитаты -- масс-спектрометрия -- масс-спектры -- масс-спектрометрический метод -- вторично-ионная масс-спектрометрия -- ВИМС -- математическое моделирование -- распыление -- глубина распыления -- корреляция -- экспериментальные данные -- сульфид кадмия -- Cds -- сульфид свинца -- PbS Аннотация: Применение технологии Ленгмюра-Блоджетт при получении гетерофазных поликристаллических пленочных образцов CdS-PbS позволило определить параметры образованных в результате распада пересыщенного твердого раствора CdS и PbS узкозонных преципитатов PbS с использованием методов анализа масс-спектров и математического моделирования. Обнаружена корреляция между размерами преципитатов и величиной вторично-ионного фотоэффекта. На основе экспериментальных данных и результатов моделирования предлагается объяснение впервые обнаруженной смены типа вторично-ионного фотоэффекта с увеличением глубины распыления. Сделан вывод о нелинейной зависимости вторично-ионного фотоэффекта от размеров преципитатов PbS и о существовании минимального среднего размера преципитата, при котором наблюдается влияние узкозонных включений PbS на тип вторично-ионного фотоэффекта. Доп.точки доступа: Стецюра, С. В.; Маляр, И. В.; Сердобинцев, А. А.; Климова, С. А. |
Особенности совместной диффузии бора и гадолиния в кремний из наноразмерных гибридных органо-неорганических пленок [Текст] / И. В. Смирнова [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып: вып. 10. - С. 1434-1439 : ил. - Библиогр.: с. 1439 (27 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Проводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): бор -- гадолиний -- диффузия -- кремний -- пленки -- органо-неорганические пленки -- наноразмерные пленки -- гибридные пленки -- вторичная ионная масс-спектроскопия -- ВИМС -- метод вторичной ионной масс-спектроскопии -- метод золь-гель технологии -- численное моделирование -- оксидные слои -- редкоземельные элементы -- золь-гель технология Аннотация: Методом золь-гель технологии получены наноразмерные органо-неорганические пленки, которые использованы в качестве усовершенствованных источников диффузии бора и гадолиния в кремний. С помощью вторичной ионной масс-спектрометрии исследованы особенности диффузионных профилей распределения бора при его раздельной и совместной с гадолинием диффузии из полученных пленок. Составлена программа и проведено численное моделирование, обеспечившее адекватное описание сложных участков экспериментально полученных диффузионных профилей бора. Предложена модель, учитывающая перераспределение бора между стекловидной пленкой и оксидным слоем, что позволило найти оптимальные значения коэффициентов диффузии бора, при которых наблюдается наилучшее соответствие между экспериментальными и расчетными результатами. Доп.точки доступа: Смирнова, И. В.; Шилова, О. А.; Мошников, В. А.; Гамарц, А. Е. |
Сверхпроводящие свойства кремниевых наноструктур [Текст] / Н. Т. Баграев [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып: вып. 11. - С. 1481-1495 : ил. - Библиогр.: с. 1494 (53 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Проводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): наноструктуры -- кремниевые наноструктуры -- сандвич-наноструктуры -- квантовые ямы -- КЯ -- кремниевые квантовые ямы -- delta-барьеры -- бор -- сопротивления -- удельные сопротивления -- термоэдс -- теплоемкость -- статическая магнитная восприимчивость -- циклотронный резонанс -- ЦР -- самоупорядоченная кремниевая квантовая яма -- СККЯ -- сканирующая туннельная микроскопия -- СТМ -- корреляционная энергия -- отрицательная корреляционная энергия -- акцепторы бора -- дырочные биполяроны -- высокотемпературная сверхпроводимость -- наноструктурированные delta-барьеры -- локальная туннельная спектроскопия -- ЛТС -- вольт-амперные характеристики -- ВАХ -- оптические свойства -- электрические свойства -- сверхпроводящие свойства -- температурная зависимость -- полевая зависимость -- осцилляция -- квантование -- критическая температура -- вторичная ионная масс-спектроскопия -- ВИМС -- электронный парамагнитный резонанс -- ЭПР -- сверхтоки Аннотация: Сверхпроводящие свойства кремниевых сандвич-наноструктур на поверхности Si (100) n-типа, которые представляют собой сверхузкие кремниевые квантовые ямы p-типа, ограниченные delta-барьерами, сильно легированными бором, проявляются в измерениях температурных и полевых зависимостей удельного сопротивления, термоэдс, теплоемкости и статической магнитной восприимчивости. Данные исследований циклотронного резонанса, сканирующей туннельной микроскопии и ЭПР идентифицируют наличие в наноструктурированных delta-барьерах одиночных тригональных дипольных центров бора, B{+}-B{-}, с отрицательной корреляционной энергией, которые сформированы вследствие реконструкции мелких акцепторов бора, 2B{0}- B{+}+B{-}. Полученные результаты свидетельствуют о том, что эти центры с отрицательной корреляционной энергией ответственны за перенос дырочных биполяронов малого радиуса, который, по-видимому, лежит в основе механизма высокотемпературной сверхпроводимости TC=145 K. Причем значение величины сверхпроводящей щели, 0. 044 эВ, определенное с помощью измерений критической температуры при использовании вышеуказанных методик, практически идентично данным локальной туннельной спектроскопии и прямой регистрации туннельных ВАХ. Квантование характеристик сверхпроводимости кремниевых сандвич-наноструктур проявляется в температурных и полевых зависимостях теплоемкости и статической магнитной восприимчивости, которые демонстрируют осцилляции второго критического поля и критической температуры, возникающие вследствие квантования сверхтока. Доп.точки доступа: Баграев, Н. Т.; Клячкин, Л. Е.; Кудрявцев, А. А.; Маляренко, А. М.; Романов, В. В. |
Использование кластерных вторичных ионов Ge[2-], Ge[3-] для повышения разрешения по глубине при послойном элементном анализе полупроводниковых гетероструктур GeSi/Si методом ВИМС [Текст] / М. Н. Дроздов [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып: вып. 3. - С. 418-421 : ил. - Библиогр.: с. 421 (12 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): ионы -- кластерные вторичные ионы -- Ge[2-] -- Ge[3-] -- послойный элементный анализ -- полупроводниковые гетероструктуры -- гетероструктуры -- GeSi/Si -- вторично-ионная масс-спектрометрия -- ВИМС -- метод вторично-ионной масс-спектрометрии -- оптические профилометры -- Talysurf CCI-2000 -- TOF. SIMS-5 -- шероховатости -- ионное распыление -- аппаратурные эффекты -- установки ВИМС Аннотация: Обсуждаются новые возможности повышения разрешения по глубине при послойном элементном анализе полупроводниковых гетероструктур GeSi/Si методом вторично-ионной масс-спектрометрии на установке TOF. SIMS-5. С использованием оптического профилометра Talysurf CCI-2000 для контроля формы и шероховатости дна кратера распыления проведен детальный анализ вкладов артефактов ионного распыления и аппаратурных эффектов в разрешение по глубине. Установлено, что использование ионов Cs{+} для распыления позволяет минимизировать развитие шероховатости при послойном анализе структур GeSi/Si вплоть до глубины 1-1. 5 мкм. Показано, что использование вторичных кластерных ионов Ge[2-] и Ge[3-] вместо Ge[1-] и Ge{+} позволяет снизить величину переходных областей в регистрируемых профилях. Доп.точки доступа: Дроздов, М. Н.; Дроздов, Ю. Н.; Лобанов, Д. Н.; Новиков, А. В.; Юрасов, Д. В. |
Крутоголов, Ю. К. Механизм компенсации донорной примеси в приповерхностном слое GaP при термообработке в парах фосфора [Текст] / Ю. К. Крутоголов // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып: вып. 6. - С. 782-789 : ил. - Библиогр.: с. 789 (30 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): вторичная ионная масс-спектрометрия -- ВИМС -- вольт-фарадные измерения -- вольт-амперные характеристики -- ВАХ -- барьеры Шоттки -- Шоттки барьеры -- газофазная эпитаксия -- метод газофазной эпитаксии -- донорные примеси -- термообработка -- термическая обработка -- пары фосфора -- электронные ловушки -- давление паров -- приповехностные слои -- GaP -- межузельный фосфор Аннотация: С помощью вторичной ионной масс-спектрометрии и вольт-фарадных измерений изучен механизм образования приповерхностного слоя с низкой концентрацией нескомпенсированных доноров в GaP n-типа проводимости, выращенном методом газофазной эпитаксии и подвергнутом термообработке при различном давлении паров фосфора. Зависимость толщины указанного слоя от давления паров фосфора имеет минимум при давлении (1. 5±0. 5) x10{3} Па. Показано, что при давлениях паров выше указанного подходящим кандидатом на роль компенсирующего акцептора является межузельный фосфор, образующий глубокую электронную ловушку. При низких давлениях вероятным компенсирующим центром является вакансия фосфора, создающая глубокий уровень с энергией E[c]- (0. 21±0. 01) эВ. При 700{o}C эффективный коэффициент диффузии межузельного фосфора составляет ~ (3±1) x10{-15} см{2}/с, а вакансии фосфора ~ (3±1) x10{-14} см{2}/с. |
621.38 О-754 Особенности формирования CoSi[2] при двухстадийном быстром термическом отжиге структур Ti/Co/Ti/Si (100) [Текст] / В. И. Рудаков [и др.] // Письма в "Журнал технической физики". - 2011. - Т. 37, вып. 3. - С. 36-44 : ил. - Библиогр.: с. 44 (10 назв. ) . - ISSN 0320-0116
Рубрики: Радиоэлектроника Электроника в целом Кл.слова (ненормированные): структуры -- термический отжиг -- быстрый термический отжиг -- БТО -- Ti/Co/Ti/Si (100) -- магнетронное распыление -- двухстадийный термический отжиг -- азот -- масс-спектрометрия -- вторично-ионная масс-спектрометрия -- ВИМС -- электронная спектроскопия -- оже-электронная спектроскопия -- ОЭС -- электронная микроскопия -- сканирующая электронная микроскопия -- СЭМ -- рентгеновский анализ -- энергодисперсионный анализ -- рентгеновский энергодисперсионный анализ -- поверхностные слои -- остаточные примеси -- химическое удаление -- низкорезистивные фазы Аннотация: Для формирования CoSi[2] в качестве исходной была выбрана структура Ti (8 nm) /Co (10 nm) /Ti (5 nm) /Si (100) -подложка, полученная магнетронным распылением. После двухстадийного быстрого термического отжига (БТО) в азоте образцы структур на каждой стадии исследовались с помощью времяпролетной ВИМС, ОЭС, СЭМ и рентгеновского энергодисперсионного анализа. В результате БТО-1 (550{o}C, 45 s) образуется поверхностный "жертвенный" слой TiN[x]O[y] с захватом остаточной примеси (O, C и N) из внутренних границ раздела исходной структуры. После химического удаления слоев TiN[x]O[y] и обогащения кобальтом в результате БТО-2 (830{o}C, 25 s) формировалась низкорезистивная фаза CoSi[2]. Перейти: http://journals.ioffe.ru/pjtf/2011/03/p36-44.pdf Доп.точки доступа: Рудаков, В. И.; Денисенко, Ю. И.; Наумов, В. В.; Симакин, С. Г. |
621.315.592 О-754 Особенности получения разбавленных магнитных полупроводников в системе узкозонных твердых растворов GaInAsSb [Текст] / К. Д. Моисеев [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2011. - Т. 45, вып. 6. - С. 788-793 : ил. - Библиогр.: с. 792 (23 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): магнитные полупроводники -- твердые растворы -- GaInAsSb -- лазерное осаждение -- метод лазерного осаждения -- атомы марганца -- марганец -- эпитаксиальные слои -- гетероструктуры -- рентгеновская дифракция -- метод рентгеновской дифракции -- вторичные ионы масс-спектроскопии -- ВИМС -- метод вторичных ионов масс-спектроскопии -- жидкофазная эпитаксия -- метод жидкофазной эпитаксии -- масс-спектроскопия вторичных ионов -- магнитные примеси -- магнитные свойства -- кристаллы -- напыление марганца -- решетки Аннотация: Разработана нанотехнология получения разбавленных магнитных полупроводников на основе соединений GaInAsSb с помощью метода лазерного осаждения атомов марганца на эпитаксиальный слой четверного твердого раствора, полученный методом жидкофазной эпитаксии. Изготовленные гетероструктуры исследовались методом рентгеновской дифракции с высоким разрешением для брэгговской и скользящей геометрии дифракции, а также проведен послойный анализ методом масс-спектрометрии вторичных ионов. Было установлено, что приграничная область слоя Ga[0. 96]In[0. 04]As[0. 11]Sb[0. 89] вблизи поверхности напыления атомарного марганца демонстрирует наличие пятикомпонентного соединения с атомами марганца в решетке и бинарных включений типа Mn[3]As[2]. Насыщение многокомпонентного разбавленного полупроводника GaIn (Mn) AsSb соединениями марганца позволит задавать концентрацию магнитной примеси в кристалле и управлять магнитными свойствами гетероструктуры. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2011/06/p788-793.pdf Доп.точки доступа: Моисеев, К. Д.; Лесников, В. П.; Подольский, В. В.; Kudriavtsev, Yu.; Koudriavtseva, O.; Escobosa, A.; Sanchez-Resendiz, V. |
543 Е 924 Ефремов, А. А. Матричные эффекты в масс-спектрах вторичных ионов при распылени кварца ионами молекулярного кислорода [Текст] / А. А. Ефремов, П. И. Диденко, Г. Ф. Романова // Известия РАН. Серия физическая. - 2006. - Т. 70, N 6. - С. 862-866. - Библиогр.: с. 866 (12 назв. ) . - ISSN 0367-6765
Рубрики: Химия Аналитическая химия Кл.слова (ненормированные): матричные эффекты в ионах -- вторично-ионная масс-спектрометрия -- ВИМС -- ионные перемещения -- вторичные ионы -- ВИ -- компьтерное моделирование Аннотация: Методом ВИМС исследован широкий набор кремний-кислородных матриц. Доп.точки доступа: Диденко, П. И.; Романова, Г. Ф. |
533.537 П 621 Послойный анализ наноразмерных структур методом ВИМС: функция разрешения по глубине [Текст] / Ю. Кудрявцев [и др.] // Известия РАН. Серия физическая. - 2008. - Т. 72, N 7. - С. 947-950. - Библиогр.: c. 950 (11 назв. ) . - ISSN 0367-6765
Рубрики: Физика Общие вопросы физики Кл.слова (ненормированные): вторично-ионная масс-спектрометрия -- наноразмерные структуры -- функция разрешения по глубине -- ионное облучение -- поверхности -- ионное вбивание -- моделирование -- шероховатость -- ионное перемешивание Аннотация: В работе рассмотрена новая модель функции разрешения по глубине для метода вторично-ионной масс-спектрометрии, рассматривающая процессы ионного вбивания и перемешивания и формирования рельефа на поверхности в процессе ионного облучения. Доп.точки доступа: Кудрявцев, Ю.; Гаярдо, С.; Вьегас, А.; Рамирес, Г.; Асомоза, Р. |
537.534.8:577.15 И 889 Исследование процессов в буферных растворах биоорганических систем методом ВИМС [Текст] / В. Н. Мельников [и др.] // Известия РАН. Серия физическая. - 2008. - Т. 72, N 7. - С. 983-987. - Библиогр.: c. 987 (15 назв. ) . - ISSN 0367-6765
Рубрики: Физика Движение заряженных частиц в электрических и магнитных полях Кл.слова (ненормированные): глюкоза -- вторично-ионная масс-спектрометрия -- биоорганические системы -- буферные растворы -- ферментативного окисление -- гидролиз -- глюконовая кислота -- биосенсоры -- глицерин -- экспериментальные данные Аннотация: Работа посвящена применению метода ВИМС с использованием жидкой матрицы для исследования процессов ферментативного окисления глюкозы в системе, моделирующей биосенсор на глюкозу. Доп.точки доступа: Мельников, В. Н.; Литвинов, В. А.; Коппе, В. Т.; Бобков, В. В. |
543.51:546.28 К 604 Количественный безэталонный анализ концентрации изотопов {28, 29, 30}Si в кремнии методом ВИМС на установке TOF. SIMS-5 [Текст] / М. Н. Дроздов [и др.] // Известия РАН. Серия физическая. - 2010. - Т. 74, N 1. - С. 84-86 : Рис. - Библиогр.: c. 86 (5 назв. ) . - ISSN 0367-6765
Рубрики: Химия Аналитическая химия в целом Кл.слова (ненормированные): вторично-ионная масс-спектрометрия -- изотопы {28, 29, 30}Si -- количественный безэталонный анализ -- концентрация изотопов -- кремний -- метод ВИМС -- плазмохимическое осаждение -- установка TOF. SIMS-5 Аннотация: Показана возможность количественного безэталонного определения содержания изотопов {28-30}Si в образцах кремния методом ВИМС на установке TOF. SIMS-5. Доп.точки доступа: Дроздов, М. Н.; Дроздов, Ю. Н.; Пряхин, Д. А.; Шашкин, В. И.; Сенников, П. Г.; Поль, П. Г. |
537.534.8:577.15 И 889 Исследование методом ВИМС влияния ультрафиолетового облучения на аминокислоты [Текст] / В. А. Литвинов [и др.] // Известия РАН. Серия физическая. - 2010. - Т. 74, N 2. - С. 203-207. - Библиогр.: c. 207 (26 назв. ) . - ISSN 0367-6765
Рубрики: Физика Движение заряженных частиц в электрических и магнитных полях Кл.слова (ненормированные): аминокислоты -- аргинин -- вторично-ионная масс-спектроскопия -- глицериновые растворы -- глутаминовая кислота -- продукты диссоциации -- радиационные повреждения -- триптофан -- ультрафиолетовое излучение -- фотобиологические реакции Аннотация: Приведены результаты исследования радиационных повреждений молекул аминокислот аргинина, глутаминовой кислоты и триптофана, растворенных в глицериновой матрице, при ультрафиолетовом облучении. Показано, что в результате разрушающего действия ультрафиолета уменьшается абсолютное количество целых молекул и одновременно увеличивается удельная концентрация фрагментов целых молекул. Доп.точки доступа: Литвинов, В. А.; Коппе, В. Т.; Логачев, Ю. Е.; Бобков, В. В. |
538.971 И 889 Исследование осажденных слоев Ge и C на подложке кремния с помощью ВИМС-профилирования [Текст] / В. С. Харламов [и др.] // Известия РАН. Серия физическая. - 2010. - Т. 74, N 2. - С. 262-265. - Библиогр.: c. 265 (13 назв. ) . - ISSN 0367-6765
Рубрики: Физика Общие вопросы физики Кл.слова (ненормированные): баллистические процессы -- ВИМС-профилирование -- диффузионные процессы -- ионное травление -- карбид кремния -- компьютерное моделирование -- кремниевые технологии -- молекулярно-пучковая эпитаксия -- осаждение атомов германия -- осаждение атомов углерода -- поверхности -- распределение атомных компонент по глубине Аннотация: Проведено экспериментальное и теоретическое исследование структур, полученных методом молекулярно-пучковой эпитаксии при осаждении атомов углерода и/или германия на поверхность (111) кремния. Экспериментальные профили распределения компонент по глубине получены при помощи ВИМС-профилирования, а расчетные - с применением комплексного метода компьютерного моделирования, учитывающего диффузионные и баллистические процессы. Доп.точки доступа: Харламов, В. С.; Куликов, Д. В.; Трушин, Ю. В.; Надер, Р.; Мазри, П.; Штауден, Т.; Пецольдт, Й. |
539.26 И 889 Исследование многослойных полупроводниковых SiGe-структур методами рентгеновской дифрактометрии, малоугловой рефлектометрии и масс-спектрометрии вторичных ионов / П. А. Юнин [и др.]. // Физика и техника полупроводников. - 2013. - Т. 47, вып. 12. - С. 1580-1585 : ил. - Библиогр.: с. 1584-1585 (14 назв.) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Физика Экспериментальные методы и аппаратура молекулярной физики Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): многослойные полупроводниковые структуры -- SiGe/Si -- рентгеновская дифрактометрия -- метод рентгеновской дифрактометрии -- РД -- малоугловая рефлектометрия -- метод малоугловой рефлектометрии -- МУР -- вторично-ионная масс-спектрометрия -- ВИМС -- метод вторично-ионной масс-спектрометрии -- масс-спектроскопия вторичных ионов -- вторичные ионы -- матричные эффекты -- рентгеновское излучение -- артефакты ионного распыления -- ионное распыление -- травление -- результаты анализа -- гетероэпитаксиальные структуры Аннотация: В рамках данной работы проведено исследование многослойной непериодической структуры SiGe/Si методами рентгеновской дифрактометрии, малоугловой рефлектометрии и вторично-ионной масс-спектрометрии. Особое внимание уделяется обработке измеренного профиля распределения состава в методе вторично-ионной масс-спектрометрии и учету наиболее существенных экспериментальных искажений, создаваемых методом. Предложена методика обработки измеряемого профиля распределения состава с последовательным учетом влияния матричных эффектов, вариации скорости травления и артефактов ионного распыления. Результаты такой обработки сравниваются с моделью структуры, полученной при совместном анализе данных рентгеновской дифрактометрии и малоугловой рефлектометрии. Установлено хорошее соответствие между результатами. Показано, что совместное использование независимых методов позволяет усовершенствовать методики вторично-ионной масс-спектрометрии и малоугловой рефлектометрии применительно к анализу многослойных гетероэпитаксиальных структур, повысить их точность и информативность. Multilayered nonperiodic SiGe/Si structure is studied by X-ray diffractometry (XRD), grazing incidence X-ray reflectometry (XRR) and secondary ions mass spectrometry (SIMS). Special attention is given to the processing of measured SIMS depth profile and allowance for the most significant experimental distortions of the actual profile. The special method of SIMS profile processing is proposed. It takes into account matrix effects, sputtering rate compositional dependence, and profile broadening induced by ion sputtering. The result of such processing procedure is compared with the model, obtained by joint analysis of the XRD and XRR data. Good correspondence of the SIMS and X-ray analysis data is demonstrated. It is shown that joint use of the independent techniques can improve the relevancy and the accuracy of the multilayered structures analysis. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2013/12/p1580-1585.pdf Доп.точки доступа: Юнин, П. А.; Дроздов, Ю. Н.; Дроздов, М. Н.; Королев, С. А.; Лобанов, Д. Н.; Институт физики микроструктур Российской академии наук (Нижний Новгород); Институт физики микроструктур Российской академии наук (Нижний Новгород); Институт физики микроструктур Российской академии наук (Нижний Новгород); Институт физики микроструктур Российской академии наук (Нижний Новгород); Институт физики микроструктур Российской академии наук (Нижний Новгород)Нанофизика и Наноэлектроника, симпозиум (2013 ; Нижний Новгород) |