539.2 П 303 Петржик, Е. А. Эффект магнитной "памяти" в монокристаллах ZnO [Текст] / Е. А. Петржик, Е. В. Даринская, Л. Н. Демьянец // Физика твердого тела. - 2008. - Т. 50, вып. 4. - С. 614-616. - Библиогр.: с. 616 (12 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): эффект магнитной "памяти" -- монокристаллы Zn -- микротвердость -- магнитная индукция -- магнитопластический эффект Аннотация: Обнаружено упрочнение монокристаллов ZnO после их выдержки в постоянном магнитном поле (B = 1 - 2 T). Максимальное увеличение микротвердости наблюдается через 3 - 4h после магнитной обработки. Далее происходит постепенное уменьшение эффекта и возврат микротвердости к исходному значению через 2 - 3 суток. Обнаружен пороговый характер чувствительности микротвердости к магнитному воздействию: эффект возникает при величине магнитной индукции выше некоторой критической, быстро нарастает в узком интервале дельта B (около 0. 3 T) и далее выходит на насыщение. Показано, что величина эффекта зависит от ориентации магнитного поля по отношению к полярной оси симметрии кристалла и не зависит от кристаллографической ориентации плоскости измерения. Наибольшее увеличение микротвердости (около 20 %) найдено во всех исследованных гранях (0001), (1120) и (1010) при B || [1010]. В тоже время при направлении B || [1010] не происходит изменения микротвердости. Предложена физическая модель, связанная со спин-зависимыми изменениями в примесной подсистеме кристалла в магнитном поле. Доп.точки доступа: Даринская, Е. В.; Демьянец, Л. Н. |
539.2 П 289 Песчанская, Н. Н. Скачкообразная ползучесть при сжатии монокристаллов цинка в магнитном поле [Текст] / Н. Н. Песчанская, Б. И. Смирнов, А. Ф. Шпейзман // Физика твердого тела. - 2008. - Т. 50, вып. 6. - С. 997-1001. - Библиогр.: с. 1000-1001 (23 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): скачкообразная ползучесть -- ползучесть -- монокристаллы цинка -- магнитопластический эффект -- скачки деформации Аннотация: Скорость ползучести при сжатии монокристаллов цинка измерялась на приращениях деформации образца на 150 nm, что позволяло определить скачки деформации от 300 nm. Показано. что слабое постоянное магнитное поле с индукцией B = 0. 2 T увеличивает среднюю скорость ползучести и уменьшает высоту и резкость субмикронных скачков деформации. Предварительная выдержка в поле также влияет на скорость и характеристики скачков деформации. Данные объясняются с позиции модели, связывающей действие магнитного поля с разрушением барьеров для движения дислокаций. Доп.точки доступа: Смирнов, Б. И.; Шпейзман, А. Ф. |
Вызванные действием магнитного поля изменения примесного состава и микротвердости приповерхностных слоев кристаллов кремния [Текст] / В. А. Макара [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2008. - Т. 42, вып: вып. 9. - С. 1061-1064 . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): магнитное поле -- немагнитные кристаллы -- магнитопластический эффект -- приповерхностные слои кремния Аннотация: Обнаружены вызванные действием магнитного поля эффекты изменения микротвердости и примесного состава приповерхностных слоев кристаллов кремния. Предполагается, что механизм длительной структурной релаксации в кристаллах кремния, лежащий в основе магнитомеханического эффекта (эффекта изменения микротвердости), связан с усилением адсорбционной функции кремния в результате его магнитной обработки. Доп.точки доступа: Макара, В. А.; Васильев, М. А.; Стебленко, Л. П.; Коплак, О. В.; Курилюк, А. Н.; Кобзарь, Ю. Л.; Науменко, С. Н. |
Электростимуляция магнитопластичности и магнитоупрочнения в кристаллах [Текст] / В. И. Альшиц [и др. ] // Письма в журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2008. - Т. 88, вып: вып. 7. - С. 500-507
Рубрики: Физика Общие вопросы физики Кл.слова (ненормированные): магнитопластический эффект -- магнитоупрочнение -- электростимуляция -- кристаллы -- NaCl Аннотация: Исследовано влияние электрического поля E на магнитопластический эффект (МПЭ) в кристаллах NaCl с разными примесями, которые обеспечивали либо пластификацию образцов в магнитном поле (положительный МПЭ), либо их магнитное упрочнение (отрицательный МПЭ). Изучалась подвижность индивидуальных дислокаций в условиях совместного воздействия на кристаллы магнитного и электрического полей, а также механической нагрузки. Обнаружена резкая электростимуляция МПЭ обоих знаков. Доп.точки доступа: Альшиц, В. И.; Даринская, Е. В.; Колдаева, М. В.; Петржик, Е. А. |
Магнитопластический эффект в кремнии: поиск новых методов управления структурно-чувствительными свойствами элементарных полупроводников [Текст] / А. А. Скворцов [и др. ] // Физика твердого тела. - 2009. - Т. 51, вып: вып. 12. - С. 2304-2308. - Библиогр.: с. 2308 (6 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): магнитные поля -- магнитопластический эффект -- кремний -- элементарные полупроводники -- примесные точечные дефекты -- поверхностные дислокационные сегменты -- термический отжиг -- магнитопластичность Аннотация: Рассматривается влияние постоянных магнитных полей (индукцией до 1 T) на состояние примесных точечных дефектов и подвижность дислокационных сегментов в легированном кремнии (0. 01 - Омега х cm). Обнаружены долгоживущие (около 100 h) изменения в состоянии точечных дефектов, детектируемые по подвижности дислокаций, вводимых после магнитной обработки. Изучена концентрационная зависимость магнитопластического эффекта в кремнии p-типа. Зафиксирована пороговая концентрация примеси (10{15} cm {-3}), ниже которой магнитопластический эффект не фиксируется. Рассмотрено влияние предварительного воздействия магнитного поля на времена ожидания дислокаций до открепления и на активационные барьеры открепления дислокаций от стопоров, а также влияние предварительных термических отжигов на магнитопластичность в Si. Доп.точки доступа: Скворцова, А. А.; Орлов, А. М.; Соловьев, А. А.; Белов, Д. И. |