+ Г 964 Гусинский, Г. М. Формирование заданных профилей концентрации внедренных атомов и радиационных дефектов при использовании монохроматических пучков ускоренных ионов [Текст] / Г. М. Гусинский, А. В. Матюков // Журнал технической физики. - 2002. - Т.72,N5. - Библиогр.: с. 71 (11 назв.) . - ISSN 0044-4642 Рубрики: Физика--Атомная физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): ионные пучки -- облучение -- профильные поглотители энергии -- радиационные дефекты Аннотация: Предложен метод формирования пучков ускоренных ионов с энергетическим спектром, отвечающим условию образования в облучаемых образцах заданного профиля внедренных атомов и радиационных дефектов. Проведен строгий математический расчет профилей пленочных поглотителей энергии, формирующих пучки легких и тяжелых ионов с необходимым энергетическим спектром из моноэнергетических ускоренных пучков Доп.точки доступа: Матюков, А.В. |
22.37 С 891 Суворов, А. Л. Автоионно-микроскопические анализы роли различных компонентов слаборазбавленных сплавов вольфрама в формировании дефектной структуры областей развития каскадов атомных смещений [Текст] / А. Л. Суворов, А. Г. Залужный [и др.] // Журнал технической физики. - 2003. - Т.73,N1. - Библиогр.: с.121-122 (16 назв.) . - ISSN 0044-4642 Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): автоинно-микроскопические исследования -- атомные смещения -- вакансии -- вольфрам -- вольфрамовые сплавы -- ионное облучение -- радиационные дефекты Аннотация: Приведены некоторые новые результаты комплексных автоионно-микроскопических исследований радиационных эффектов в сверхчистом вольфраме ВЧВ, технически чистом вольфраме ВА-3 и четырех слаборазбавленных сплавах вольфрама: П39А (W-Hf-C), ВТ-15 (W-1.5% ThO[2]), ВР-5 (W-5% Re), ВЖ-2 (W-2% Fe). Облучение образцов осуществлялось во внешнем устройстве ионами Ar{+} и Ni{+} с энергией 35 keV. Плотность ионного тока во всех случаях поддерживалась равной j=2.0 muA, флюенс облучения составлял Phi {t}=5*10{14} ion/cm{2}. Изучены особенности кластеризации единичных вакансий в облученных образцах во взаимосвязи с уровнем и типом содержащихся в них примесей. Получены и проанализированы распределения комплексов вакансий в облученных образцах по числу объединенных в них единичных вакансий. Обнаружено заметное различие таких распределений для объемов обедненных зон и объемов материала вне их. Косвенно измерены средние значения длин цепочек фокусированных замещающих столкновений атомов в образцах с различным уровнем и разным типом примесей. По этим результатам оценена эффективность захвата собственных междоузельных атомов различными примесями в вольфраме Доп.точки доступа: Залужный, А.Г.; Бобков, А.Ф.; Зайцев, С.В.; Бабаев, В.П.; Гусева, М.И.; Коршунов, С.Н.; Николаева, И.Н.; Залужный, А.А. |
Войтенко, В. А. Процессы в открытых системах на поверхностях кристаллов с низкими индексами Миллера [Текст] / В. А. Войтенко // Журнал технической физики. - 2001. - Т.71,N2. - Библиогр.: с. 110 (24 назв.) . - ISSN 0044-4642 Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): пленки -- структурный фазовый переход -- облучение электронное -- радиационные дефекты -- дивакансии -- самоорганизация -- эволюция Аннотация: Собраны и проанализированы экспозиционные характеристики, полученные при выращивании различных пленок на естественных, с низкими индексами Миллера поверхностях некоторых кристаллов. Построена эволюционная теория, объясняющая их характерный вид. Показано, что наблюдаемая форма дозовых характеристик говорит о реконструкции, неравновесном структурном фазовом преходе, происходящем на поверхности. Проведен количественный анализ существующих экспериментов. В частности, получена количественная оценка того, в какой степени покрытие свинцом замедляет окисление никелевой поверхности. При интенсивном световом или при электронном облучении кремния преимущественными центрами образования точечных и протяженных радиационных дефектов, а также локальных областей плавления являются дивакансии. Для некоторых двумерных систем (дивакансий, атомов серы на поверхностях пассивированных полупроводников, оксидных пленок) определены времена задержки и времена эволюции возникающей самоорганизованной структуры |
621.315.592 П 318 Пешев, В. В. Образование центров E4 (E[c]-0,76 эВ) в арсениде галлия [Текст] / В. В. Пешев, А. П. Суржиков // Известия вузов. Физика. - 2002. - Т.45,N2. - Библиогр.: с.5 (13 назв.) . - ISSN 0021-3411
Кл.слова (ненормированные): арсенид галлия -- радиационные дефекты -- центры -- электронное облучение Аннотация: В работе исследовались влияние энергии бомбардирующих электронов на скорость образования центров E4 (E[c]-0,76 эВ), а также температурные зависимости эффективности образования этих дефектов в нейтральном объеме (НО) и области пространственного заряда (ОПЗ) арсенида галлия n-типа. В качестве образцов использовались диоды с барьером Шоттки, полученные напылением титана на эпитаксиальные слои n-GaAs с n=(2-4)*10{15} см{3}. Концентрация центров определялась из спектров DLTS. Показано, что с увеличением энергии бомбардирующих электронов от 1,3 до 2,2 МэВ количество центров E4 резко возрастает в общем количестве радиационных дефектов. Установлено, что скорость введения центров Е4 в ОПЗ не зависит от температуры облучения и существенно больше, чем в НО. В НО скорость введения нелинейно возрастает с увеличением температуры облучения. Предполагается, что центр Е4 - комплекс, состоящий из двух элементарных дефектов, созданных в соседних узлах подрешеток Ga и As в едином акте соударения. При этом окончательная конфигурация комплекса формируется в результате взаимодействия этих дефектов, которое зависит от динамики преобразования их начальных зарядовых состояний Перейти: http://www.tsu.ru/ru/derision/physics Доп.точки доступа: Суржиков, А.П. |
621.315.592 В 659 Войцеховский, А. В. Расчет профилей радиационных дефектов в КРТ при импульсном ионном воздействии [Текст] / А. В. Войцеховский, А. П. Коханенко, С. А. Шульга // Известия вузов. Физика. - 2002. - Т.45,N6. - Библиогр.: с.89 (15 назв.) . - ISSN 0021-3411
Кл.слова (ненормированные): дефектообразование -- диффузия -- ионное облучение -- радиационные дефекты Аннотация: В работе рассматривается возникновение и эволюция профилей радиационных дефектов в КРТ при воздействии на него высокоточными ионными импульсами. Приводится математическая модель радиационного дефектообразования с учетом влияния на него возникающего неоднородного нестационарного температурного поля, а также полей механических квазистатических и динамических напряжений. Приводятся примеры расчета и сравнение расчетных и экспериментальных данных Перейти: http://www.tsu.ru/ru/derision/physics Доп.точки доступа: Коханенко, А.П.; Шульга, С.А. |
621.315.592 П 318 Пешев, В. В. Введение радиационных дефектов в GaAs при высоких температурах [Текст] / В. В. Пешев // Известия вузов. Физика. - 2002. - Т.45,N11. - Библиогр.: с.90 (5 назв.) . - ISSN 0021-3411
Кл.слова (ненормированные): арсенид галлия -- облучение -- радиационные дефекты Аннотация: Изучены дозовые зависимости концентрации радиационных дефектов при облучении GaAs в температурном интервале 380-550`C Перейти: http://www.tsu.ru/ru/derision/physics.phtml |
539.1/18 К 604 Колин, Н. Г. (???? 1). Ядерное легирование и радиционное модифицирование полупроводников: состояние и перспективы [Текст] / Н. Г. Колин // Известия вузов. Физика. - 2003. - N6. - Библиогр.: 48 назв. . - ISSN 0021-3411
Рубрики: Физика--Ядерная физика Кл.слова (ненормированные): наведенная радиактивность -- нейтроны реактора -- радиационные дефекты -- тепловые нейроны -- ядерное легирование Аннотация: Представлен обзор развития в стране технологий ядерного легирования и радиционного модифицирования полупроводниковых материалов. Рассматриваются преимущества ядерно-легированных и радиционно-мрдифицированных материалов по сравнению с материалами, легированными в процессе выращивания. Обсуждаются основные задачи и перспективы развития радиционных технологий в России на базе действующих исследовательских и промышленных ядерных реакторов типа РБМК |
621.315.592 П 318 Пешев, В. В. Отжиг радиационных дефектов в n-GaAs [Текст] / В. В. Пешев // Известия вузов. Физика. - 2004. - N 10. - Библиогр.: с. 111 (7 назв. ) . - ISSN 0021-3411
Рубрики: Энергетика--Использование электрической энергии Кл.слова (ненормированные): дефекты -- радиационные дефекты -- отжиг дефектов -- активация миграции -- изохронный отжиг -- точечные дефекты -- радиационное дефектообразование Аннотация: Изменение зарядового состояния дефектов может изменить вероятность их взаимодействия, энергию активации миграции, стабильность комплексов, что может проявляться в процессах отжига дефектов. |
669 Д 761 Дружков, А. П. Влияние интерметаллидных выделений на накопление радиационных дефектов в аустенитных Fe-Ni-Ti-сплавах [Текст] / А. П. Дружков, В. Л. Арбузов, Д. А. Перминов, К. В. Шальнов // Физика металлов и металловедение. - 2003. - Т.96,N5. - Библиогр.:с.77-78 (29 назв.) . - ISSN 0015-3230
Рубрики: Машиностроение--Металлургия. Металлы и сплавы Кл.слова (ненормированные): интерметаллиды -- радиационные дефекты -- аустениты -- сплавы -- железо -- никель -- титан -- аннигиляция -- позитроны -- аустенитные стали Аннотация: Методом аннигиляции позитронов исследовано влияние интерметаллидных когерентных частиц выделений Ni[3]Ti на накопление дефектов вакансионного типа в облученном электронами сплаве Fe-36.5 мас.% Ni-2.5 мас.% Ti. Перейти: http://www.maik.ru Доп.точки доступа: Арбузов, В.Л.; Перминов, Д.А.; Шальнов, К.В. |
539.2 Р 449 Реутов, В. Ф. О вкладе нанокластеров в радиационное упрочнение металов [Текст] / В. Ф. Реутов // Физика металлов и металловедение. - 2003. - Т.96,N6. - Библиогр.:с.99 (7 назв.) . - ISSN 0015-3230
Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): нанокластеры -- радиационные дефекты -- упрочнение -- металлы -- схемы -- молибден -- микротвердость -- электронные микроскопы Аннотация: В работе приведены экспериментальные результаты исследований и измерения микротвердости облученных образцов Мо с целью установления вклада скоплений радиационных дефектов в виде нанокласстеров/петель в радиационное упрочнение. Перейти: http://www.maik.ru |
669.017 П 318 Пешев, В. В. Введение и отжиг радиационных дефектов в арсениде галлия [Текст] / В. В. Пешев // Физика и химия обработки материалов. - 2004. - N 5 . - ISSN 0015-3214
Рубрики: Машиностроение--Металловедение Кл.слова (ненормированные): отжиги -- дефекты -- радиационные дефекты -- арсениды галлия -- галлий -- введение дефектов -- метастабильные пары -- аннигиляция -- перезарядка дефектов -- стабилизация дефектов Аннотация: В арсениде галлия скорость введения и термическая стабильность ловушек электронов в нейтральной области и области пространственного заряда существенно различаются. С увеличением энергии атомов отдачи различие в скоростях введения дефектов исчезает, а различие термической стабильности сохраняется. |
669.017 К 630 Комаров, Ф. Ф. Остаточные дефекты в кремнии, имплантированном ионами бора и фосфора [Текст] / Ф. Ф. Комаров, М. Джадан [и др.] // Физика и химия обработки материалов. - 2004. - N 4 . - ISSN 0015-3214
Рубрики: Машиностроение--Металловедение Кл.слова (ненормированные): остаточные дефекты -- дефекты -- ионы -- бор -- фосфор -- кремний -- радиационные дефекты -- дислокационные петли -- стержнеобразные дефекты -- термообработка -- кластеризация -- исследования Аннотация: Исследовано накопление радиационных дефектов в Si, имплантированном ионами B{+} и P{+}, и образование остаточных нарушений при последующей термообработке. Доп.точки доступа: Джадан, М.; Гайдук, П. И.; Челядинский, А. Р.; Явид, В. Ю.; Жуковский, П. В.; Партыка, Я.; Венгерек, П. |
53(091) П 15 Памяти Александра Леонидовича Суворова [Текст] // Успехи физических наук. - 2006. - Т. 176, N 4. - С. 455-456. - ил.: 1 фот. . - ISSN 0042-1294
Рубрики: Физика--История физики Кл.слова (ненормированные): персоналии -- физика -- ученые -- физика твердого тела -- радиационные дефекты -- облучение -- автоионная микроскопия Аннотация: А. Л. Суворов являлся одним из пионеров отечественных автоионномикроскопических исследований твердых тел и был крупным специалистом в области радиационной физики твердого тела, реакторного материаловедения, физики поверхности. Перейти: http://www.ufn.ru Доп.точки доступа: Суворов, Александр Леонидович |
53 К 124 Кабышев, А. В. Оптические свойства поликристаллического оксида алюминия после облучения ионами железа и отжига [Текст] / А. В. Кабышев, авт. Ф. В. Конусов // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. - 2007. - N 4. - С. 90-96 . - ISSN 0207-3528
Рубрики: Физика--Общие вопросы физики Кл.слова (ненормированные): оксид алюминия -- поликристаллический оксид алюминия -- оптическое поглощение -- облучение ионами железа -- ионы железа -- отжиг в вакууме -- дефекты замещения -- радиационные дефекты Аннотация: Исследовано оптическое поглощение поликристаллического корунда (поликора) после облучения ионами железа и последующего отжига в вакууме. Установлено влияние дефектов замещения, собственных (радиационных и биографических) дефектов, комплексов на их основе на параметры поглощения, характер оптических переходов между локализованными состояниями и разрешенными зонами. Выделены вклады в изменение оптических свойств отдельных дефектов замещения, их кластеров и комплексов с участием дефектов замещения и радиационных дефектов. Оценено влияние дефектов и формирующихся при отжиге оксидов железа на поглощение. Установлена наиболее вероятная природа кластеров дефектов замещения и комплексов примесно-вакансионного типа. Доп.точки доступа: Конусов, Ф. В. |
621.3 П 126 Пагава, Т. А. Особенности отжига радиационных дефектов в облученных кристаллах p-Si [Текст] / Т. А. Пагава // Физика и техника полупроводников. - 2007. - Т. 41, Вып. 6. - С. 651-653 . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика--Электротехника Кл.слова (ненормированные): радиационные дефекты -- отжиг радиационных дефектов -- кристаллы p-Si -- облученные кристаллы -- монокристаллы -- метод Чохральского -- Чохральского метод -- метод Холла -- Холла метод Аннотация: Исследовались монокристаллы p-кремния полученные методом Чохральского, с концентрацией дырок p=6 10\{13\} см\{-3\}. Образцы облучались электронами с энергией 8 МэВ при 300 K. Изохронный отжиг облученных кристаллов производился в интервале температур T[ann]=100-500/{o}C. Исследования проводились методом Холла в интервале 77-300 K. |
530.1 Б 825 Борисов, М. М. Исследование образования кластеров радиационных дефектов в графите с использованием рассеяния синхротронного излучения [Текст] / М. М. Борисов, А. Н. Морковин [и др.] // Журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2008. - Т. 134, вып. 1. - С. 128-140. - Библиогр.: с. 139-140 . - ISSN 0044-4510
Рубрики: Физика Теоретическая физика Кл.слова (ненормированные): кластеры радиационных дефектов -- синхротронное излучение -- графит -- радиационные дефекты -- образование кластеров -- рассеяние синхротронного излучения Аннотация: С использованием синхротронного излучения проведено исследование образования кластеров радиационных дефектов в графите. Доп.точки доступа: Морковин, А. Н.; Ковальчук, М. В.; Рязанов, А. И.; Мухамеджанов, Э. Х.; Перегудов, В. Н.; Латушкин, С. Т.; Унежев, В. Н. |
621.315.592 Б 890 Брудный, В. Н. Электрофизические свойства диарсенида кадмия-кремния, облученного ионами H{+} [Текст] / В. Н. Брудный, авт. Т. В. Ведерникова // Известия вузов. Физика. - 2007. - Т. 50, N 8. - С. 12-15. - Библиогр.: с. 15 (10 назв. ) . - ISSN 0021-3411
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): диарсенид кадмия-кремния -- протонное облучение -- радиационные дефекты -- термическая стабильность -- уровень Ферми -- Ферми уровень Аннотация: Исследовано влияние протонного облучения на электрофизические свойства кристаллов -CdSiAs[2]. В результате облучения получены полуизолирующие образцы CdSiAs[2] с положением уровня Ферми вблизи [g]/2. Выполнены расчеты энергетического положения <нейтральной> точки соединения CdSiAs[2], исследована термическая стабильность радиационных дефектов. Доп.точки доступа: Ведерникова, Т. В. |
621.3 И 201 Иванов, А. М. Влияние низкотемпературного отжига на характеристики SiC-детекторов с введенными радиационными дефектами [Текст] / А. М. Иванов, Н. Б. Строкан, А. В. Садохин, А. А. Лебедев // Физика и техника полупроводников. - 2007. - Т. 41, Вып. 8. - С. 998-1002 . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика--Электротехника Кл.слова (ненормированные): SiC-детекторы -- детекторы -- p\{+\}-n-n\{+\}-структуры детекторов -- радиационные дефекты -- низкотемпературный отжиг Аннотация: Исследовались p\{+\}-n-n\{+\}-структуры детекторов, изготовленных на основе CVD-пленок с содержанием нескомпенсированных доноров 2 10\{14\} см\{-3\}. P\{+\}-область создавалась имплантацией ионов Al. Предварительно детекторы были облучены протонами с энергией 8 МэВ и дозой 3 10\{14\} см\{-2\}. Отжиг проводился при температуре 600 C в течение 1 ч. В измерениях, выполненных в интервале температур 20-150 C, сопоставлялись режимы прямого и обратного смещений. Показано, что отжиг способствует более полному переносу носителей заряда, созданных ядерных излучением, а также снижению заряда, накопленного ловушками при тестировании. Несмотря на положительное воздействие отжига, сохраняется значительное количество радиационных дефектов, проявляющихся, в частности, в кинетике прямого тока. Доп.точки доступа: Строкан, Н. Б.; Садохин, А. В.; Лебедев, А. А. |
539.2 Д 132 Давидюк, Г. Е. Влияние дефектного состояния образцов на спектры люминесценции облученных электронами монокристаллов CdS [Текст] / Г. Е. Давидюк, В. В. Божко, Г. Л. Мирончук, В. З. Панкевич // Физика твердого тела. - 2007. - Т. 49, вып. 12. - С. 2133-2136. - Библиогр.: с. 2135-2136 (23 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): люминесценция -- монокристаллы сульфида кадмия -- облученные электронами монокристаллы -- облученные электронами монокристаллы -- радиационные дефекты -- спектры люминесценции -- сульфид кадмия -- электромагнитное излучение Аннотация: Исследовались спектры фотолюминесценции в видимой и инфракрасной областях электромагнитного излучения облученных электронами (E = 1. 2 MeV, Ф = 2*10{17} cm{-2}) монокристаллов CdS. Для увеличения концентрации исходных структурных повреждений часть монокристаллов предварительно облучалась нейтронами (E = 2 MeV, Ф = 2*10{18} cm{-2}). На основании анализа интенсивности максимумов фотолюминесценции облученных монокристаллов с лямда[m] = 0. 72, 1. 03 и 0. 605 мюm делается вывод о наибольшей радиационной стойкости к электронной радиации малодефектных в исходном состоянии образцов CdS. Предполагается, что за наблюдаемую перестройку спектров фотолюминесценции в электронно облученных дефектных монокристаллах CdS могут быть ответственны механизмы подпорогового дефектообразования или перестройка дефектных комплексов в полях упругого и электрического происхождения вблизи крупных структурных повреждений решетки. Доп.точки доступа: Божко, В. В.; Мирончук, Г. Л.; Панкевич, В. З. |
Силин, В. П. Металлические соединения урана в условиях нейтронного облучения и возможность их неразрушающего контроля [Текст] / В. П. Силин, А. З. Солонцев // Доклады Академии наук. - 2004. - Т. 395, N 4. - С. 467-469. - Библиогр.: с. 469 (11 назв. ) . - ISSN 0869-5652
Рубрики: Физика Ядерная физика Кл.слова (ненормированные): уран -- соединения урана -- металлические соединения -- нейтронное облучение -- облучение -- неразрушающий контроль -- ядерные топлива -- радиационные дефекты Аннотация: Предложена модель влияния нейтронного облучения на металлические соединения урана, учитывающая два противоположных явления: эффективное расширение их кристаллической решетки из-за возрастания объема, занимаемого радиационными дефектами, и сжатие, вызванное давлением на решетку со стороны радиационных дефектов. Доп.точки доступа: Солонцов, А. З. |