Галиев, Г. Б. Исследование структурного совершенства, распределения и перерапределения кремния в эпитаксиальных пленках GaAs, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках с ориентациями (100), (111)А, (111)В [Текст] / Г. Б. Галиев, В. Г. Мокеров [и др.] // Журнал технической физики. - 2001. - Т.71,N4. - Библиогр.: с. 52 (15 назв.) . - ISSN 0044-4642 Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): эпитаксиальные пленки -- арсенид галлия -- молекулярно-лучевая эпитаксия -- рентгеновская дифрактометрия -- атомно-силовая микроскопия -- ВИМС -- термический отжиг -- легирование -- рельеф поверхности -- ионное травление Аннотация: Методами рентгеновской дифрактометрии и ВИМС исследованы распределение кремния до и после термического отжига в тонких легированных слоях GaAs, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках с ориентациями (100), (111)А, (111)В. С помощью атомно-силового микроскопа исследованы рельефы поверхности выращенных эпитаксиальных пленок вне и внутри кратера ионного травления, возникающего во время измерения методом ВИМС. Выявлены особенности рельефа поверхности внутри кратера для разных ориентаций. Обнаруженные изменения формы профилей легирования объяснены как особенностями развития рельефа поверхности во время ионного травления при измерении методом ВИМС, так и ускоренной диффузией Si по дефектам роста Доп.точки доступа: Мокеров, В.Г.; Сарайкин, В.В.; Слепнев, Ю.В; Шагимуратов, Г.И.; Имамов, Р.М.; Пашаев, Э.М. |
621.375 Я 72 Яременко, Н. Г. Температурные исследования фотолюминесценции модулированно-легированных структур AIGaAs/GaAs с квантовыми ямами [Текст] / Н. Г. Яременко, Г. Б. Галиев [и др.] // Радиотехника и электроника. - 2005. - Т. 50, N 9. - С. 1184-1188. - Библиогр.: с. 1188 (9 назв. ) . - ISSN 0033-8494
Рубрики: Радиоэлектроника--Квантовая электроника Кл.слова (ненормированные): спектры фотолюминесценции; квантовые ямы; фотолюминесцентная спектроскопия; двумерные электроны Аннотация: Исследованы спектры фотолюминесценции модулированно-легированных структур AIGaAs/GaAs с квантовыми ямами в зависимости от концентрации двумерных электронов 10{11}...2*10{12}см{-2} и температуры 77...200К. Экспериментально и теоретически показано, что увеличение легирования слабо влияет на энергию перехода между первыми квантовыми уровнями и значительно сильнее-на переходы между более высокими уровнями. Получены концентрации двумерных электронов и энергии ренормализации. Обнаружено, что при концентрациях двумерных электронов n~ (1...2) *10{11}см{-2} в фомировании спектров фотолюминесценции существенную роль играет экситонная рекомбинация, интенсивность которой контролируется процессами образования и термической ионизации экситонов. Доп.точки доступа: Галиев, Г. Б.; Карачевцева, М. В.; Мокеров, В. Г.; Страхов, В. А. |
539.2 Г 157 Галиев, Г. Б. Влияние температуры роста спейсерного слоя на электрофизические и структурные свойства PHEMT-структур [Текст] / Г. Б. Галиев, И. С. Васильевский [и др.] // Журнал технической физики. - 2007. - Т. 77, N 4. - С. 50-55. - Библиогр.: c. 55 (19 назв. ) . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): PHEMT-структуры; спейсерные слои; температура роста; электронный газ; эпитаксия Аннотация: Изучено влияние температуры роста спейсерного слоя AlGaAs на подвижность двумерного электронного газа mue в псевдоморфных структурах AlGaAs/InGaAs/GaAs с односторонним слоем, delta-легированным кремнием. Для исследования выбраны структуры, оптимизированные с точки зрения отсутствия параллельной проводимости по легированному слою. Установлено, что в таких структурах с увеличением температуры роста спейсерного слоя от 590 до 610{o}C при неизменности остальных параметров и условий роста подвижность mue увеличивается на 53% при T=300 K и на 69 при 77. С помощью фотолюминесцентных и рентгенодифракционных измерений показано, что это связано с усовершенствованием кристаллической структуры спейсерного слоя AlGaAs и уменьшением степени размытия гетерограницы AlGaAs/InGaAs. Перейти: http://www.ioffe.rssi.ru/journals/jtf/2007/04/p50-55.pdf Доп.точки доступа: Васильевский, И. С.; Климов, Е. А.; Мокеров, В. Г.; Черечукин, А. А.; Имамов, Р. М.; Субботин, И. А.; Пашаев, Э. М. |
530.1 В 192 Васильевский, И. С. Влияние гибридизации состояний на низкотемпературный электронный транспорт в неглубоких квантовых ямах [Текст] / И. С. Васильевский, В. А. Кульбачинский [и др.] // Журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2007. - Т. 132, вып. 1. - С. 197-199. - Библиогр.: с. 199 . - ISSN 0044-4510
Рубрики: Физика--Теоретическая физика Кл.слова (ненормированные): гибридизация состояний; электронный транспорт; низкотемпературный электронный транспорт; квантовые ямы; неглубокие квантовые ямы Аннотация: Исследовано влияние гибридизации состояний на низкотемпературный электронный транспорт в неглубоких квантовых ямах. Доп.точки доступа: Кульбачинский, В. А.; Лунин, Р. А.; Галиев, Г. Б.; Мокеров, В. Г. |
Нестехиометрические дефекты в Si-легированных эпитаксиальных слоях GaAs, выращенных на подложках с ориентациями (111) A и (111) В [Текст] : текст / Н. Г. Яременко [и др. ] // Доклады Академии наук. - 2008. - Т. 419, N 4, апрель. - С. 483-487. - Библиогр.: с. 487 (13 назв. ) . - ISSN 0869-5652
Рубрики: Физика Общие вопросы физики Кл.слова (ненормированные): галлий -- полупроводниковые материалы -- мышьяк -- кремний -- кристаллы Аннотация: Цель работы - изучение методом фотолюминесценции природы структурных дефектов. Доп.точки доступа: Яременко, Н. Г.; Галиев, Г. Б.; Карачевцева, М. В.; Мокеров, В. Г.; Страхов, В. А. |
Электрофизические и структурные свойства двусторонне дельта-легированных PHEMT-гетероструктур на основе AlGaAs/InGaAs/AlGaAs [Текст] / И. С. Василевский [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2008. - Т. 42, вып: вып. 9. - С. 1102-1109 . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): транзисторы -- осцилляции Шубникова-де-Гааза -- Шубникова-де-Гааза осцилляции -- жидкий гелий -- РНЕМТ-гетероструктуры -- кремний Аннотация: Проведена оптимизация используемой для создания мощных транзисторов двусторонне дельтa-легированной кремнием псевдоморфной гетероструктуры AlGaAs/InGaAs/AlGaAs для получения высокой концентрации n[s] и подвижности двумерного электронного газа в квантовой яме (n[s] приближенно равно 3 10\{12\} см\{-2\}). На выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии образцах с различным уровнем легирования проведены исследования электрофизических и структурных характеристик. Показано, как при увеличении легирования изменяется подвижность и концентрация электронов при последовательном заполнении подзон размерного квантования. Для анализа распределения электронов в подзонах гетероструктуры исследовались осцилляции Шубникова-де-Гааза при температуре жидкого гелия. Качество слоев гетероструктур оценено с помощью рентгенодифракционных измерений. Данные спектроскопии фотолюминесценции хорошо согласуются с расчетами зонной структуры. Доп.точки доступа: Василевский, И. С.; Галиев, Г. Б.; Климов, Е. А.; Мокеров, В. Г.; Широков, С. С.; Имамов, Р. М.; Субботин, И. А. |
Дрейфовая скорость электронов в квантовой яме в сильных электрических полях [Текст] / В. Г. Мокеров [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып: вып. 4. - С. 478-482
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): квантовые ямы -- псевдоморфные гетероструктуры -- двумерные электроны -- полевые транзисторы -- электрические поля -- СВЧ транзисторы Аннотация: Экспериментально обнаружено повышение, по сравнению с максимальной дрейфовой скоростью электронов в объемных материалах, максимальной дрейфовой скорости в квантовых ямах гетероструктуры AlGaAs/GaAs различной конфигурации и псевдоморфной гетероструктуры Al[0. 36]Ga[0. 64]As/In[0. 15]Ga[0. 85]As. Установлено, что полевая зависимость дрейфовой скорости двумерных электронов в GaAs и In[0. 15]Ga[0. 85]As не имеет области отрицательной дифференциальной проводимости. Насыщение дрейфовой скорости в квантовой яме GaAs имеет место в полях, в несколько раз превышающих поле, соответствующее перебросу электронов Gamma-долины в L-долину в объемном GaAs. Доп.точки доступа: Мокеров, В. Г.; Васильевский, И. С.; Галиев, Г. Б.; Пожела, Ю.; Пожела, К.; Сужеделис, А.; Юцене, В.; Пашкевич, Ч. |
Транспорт электронов в квантовой яме In[0. 52]Al[0. 48]As/In[0. 53]Ga[0. 47]As/In[0. 52]Al[0. 48]As с delta-легированным Si барьером в сильных электрических полях [Текст] / И. С. Васильевский [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып: вып. 7. - С. 928-933 : ил. - Библиогр.: с. 933 (17 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): квантовые ямы -- КЯ -- электроны -- сильные электрические поля -- легирование Si -- тонкие барьеры -- полярные оптические фононы -- ПО фононы -- интерфейсные фононы -- ИФ -- электронная проводимость -- дрейфовая скорость электронов -- двумерные каналы Аннотация: Исследована электронная проводимость двумерного канала квантовой ямы In[0. 52]Al[0. 48]As/In[0. 53]Ga[0. 47]As/In[0. 52]Al[0. 48]As с delta-легированным Si барьером. Показано, что введение в квантовую яму тонких барьеров InAs снижает скорость рассеяния электронов на захваченных полярных оптических и поверхностных (интерфейсных) фононах и повышает подвижность электронов. Экспериментально установлено, что за насыщение тока проводимости в канале In[0. 53]Ga[0. 47]As в сильных электрических полях ответственны не только сублинейная зависимость дрейфовой скорости электронов от электрического поля, но и изменение концентрации электронов n[s] с ростом приложенного к каналу напряжения. Эффект зависимости ns от приложенного к каналу напряжения обусловлен наличием параллельного квантовой яме In[0. 53]Ga[0. 47]As слоя зарядов ионизованных доноров в области delta-легированного Si барьера In[0. 52]Al[0. 48]As. Доп.точки доступа: Васильевский, И. С.; Галиев, Г. Б.; Матвеев, Ю. А.; Климов, Е. А.; Пожела, Ю.; Пожела, К.; Сужеделис, А.; Пашкевич, Ч.; Юцене, В. |
621.315.592 П 440 Подвижность и эффективная масса электронов в составных квантовых ямах InGaAs с нановставками InAs и GaAs [Текст] / Д. С. Пономарев [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2012. - Т. 46, вып. 4. - С. 500-506 : ил. - Библиогр.: с. 505-506 (30 назв.) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): электрофизические свойства -- гетероструктуры -- InAlAs/InGaAs/InAlAs/InP -- квантовые ямы -- КЯ -- нановставки -- сверхрешетки -- СР -- эффект Шубникова - де-Гааза -- Шубникова - де-Гааза эффект -- ШдГ -- теоретический анализ -- энергетические спектры -- электроны -- волновые функции -- ВФ Аннотация: Теоретически и экспериментально изучены зонная структура и электрофизические свойства гетероструктур InAlAs/InGaAs/InAlAs/InP с составной квантовой ямой InGaAs с нановставками InAs и GaAs. С помощью эффекта Шубникова-де-Гааза измерены и рассчитаны значения эффективной циклотронной массы m{*}[c] с учетом непараболичности энергетического спектра электронов. Предложен и апробирован подход к оценке эффективной массы, основанный на весовом усреднении m{*}[c] в составляющих сложную квантовую яму материалах. Впервые предложенная гетероструктура с двумя симметрично расположенными в квантовых ямах нановставками InAs позволяет уменьшить m{*}[c] на 26 % по сравнению с решеточно-согласованной квантовой ямой In[0. 53]Ga[0. 47]As. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2012/04/p500-506.pdf Доп.точки доступа: Пономарев, Д. С.; Васильевский, И. С.; Галиев, Г. Б.; Климов, Е. А.; Хабибуллин, Р. А.; Кульбачинский, В. А.; Юзеева, Н. А. |
621.315.592 Р 244 Рассеяние и подвижность электронов в комбинированно-легированных HFET-структурах AlGaAs/InGaAs/AlGaAs с высокой концентрацией электронов [Текст] / Р. А. Хабибуллин [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2011. - Т. 45, вып. 10. - С. 1373-1378 : ил. - Библиогр.: с. 1377-1378 (33 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Физика Движение заряженных частиц в электрических и магнитных полях Кл.слова (ненормированные): молекулярно-лучевая эпитаксия -- метод молекулярно-лучевой эпитаксии -- HFET-структуры -- комбинированно-легированные структуры -- структуры -- электроны -- двумерные электроны -- 2D электроны -- рассеяние электронов -- квантовые ямы -- КЯ -- комбинированное легирование -- электронные транспортные свойства -- гетероструктуры -- легирование кремния -- AlGaAs/InGaAs/AlGaAs -- переходные слои -- ПС -- границы раздела -- подвижность электронов -- электронная подвижность -- ионизированные примеси Аннотация: Методом молекулярно-лучевой эпитаксии были выращены структуры, отличающиеся способом и степенью легирования с высокой концентрацией двумерных электронов n[s] в квантовой яме. Исследовано применение комбинированного легирования, сочетающего в себе однородное и delta-легирование, на электронные транспортные свойства гетероструктур. Предложен новый тип структуры с двусторонним delta-легированием кремнием переходных слоев GaAs, расположенных на границах квантовой ямы. При таком легировании одновременно с высокой концентрацией электронов, n[s]=1. 37 x 10{13} см{-2}, получено наибольшее значение электронной подвижности mu[H]=1520 см{2}/ (В x с) при 300 K. Это связано с уменьшением рассеяния электронов на ионизированной примеси, что подтверждается проведенными расчетами. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2011/10/p1373-1378.pdf Доп.точки доступа: Хабибуллин, Р. А.; Васильевский, И. С.; Галиев, Г. Б.; Климов, Е. А.; Пономарев, Д. С.; Лунин, Р. А.; Кульбачинский, В. А. |
539.2 В 406 Взаимосвязь конструкции метаморфных наногетероструктур InAlAs/InGaAs с содержанием InAs в активном слое 76-100% с морфологией их поверхности и электрофизическими свойствами [Текст] / И. С. Васильевский [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2011. - Т. 45, вып. 9. - С. 1203-1208 : ил. - Библиогр.: с. 1208 (22 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): наногетероструктуры -- InAlAs/InGaAs -- морфология поверхности -- электрофизические свойства -- подложки -- шероховатость поверхности -- метаморфный буфер -- ММБ -- активные слои -- электроны -- решетки Аннотация: Исследовано влияние конструкции метаморфного буфера на морфологию поверхности и на электрофизические свойства наногетероструктур InAlAs/InGaAs/InAlAs с содержанием InAs в активном слое от 76 до 100% при использовании подложек GaAs и InP. Показано, что такие параметры, как подвижность и концентрация электронов, а также среднеквадратичная шероховатость поверхности существенно зависят от конструкции метаморфного буфера. Экспериментально установлено, что эти параметры в большей степени зависят от максимального локального градиента параметра решетки метаморфного буфера в направлении роста слоев, чем от среднего его значения. Показано, что подбором конструкции метаморфного буфера возможно создание наноструктурированных поверхностей с крупнопериодическим рельефом. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2011/09/p1203-1208.pdf Доп.точки доступа: Васильевский, И. С.; Галиев, Г. Б.; Климов, Е. А.; Кванин, А. Л.; Пушкарев, С. С.; Пушкин, М. А. |
621.315.592 П 440 Подвижность и дрейфовая скорость электронов в селективно-легированных гетероструктурах InAlAs/InGaAs/InAlAs [Текст] / И. С. Васильевский [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2011. - Т. 45, вып. 9. - С. 1214-1218 : ил. - Библиогр.: с. 1217 (23 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): электроны -- дрейфовая скорость -- подвижность электронов -- электрические поля -- сильные электрические поля -- квантовые ямы -- КЯ -- гетероструктуры -- InAlAs/InGaAs/InAlAs -- полярные оптические фононы -- селективно-легированные гетероструктуры -- эффект Ганна -- Ганна эффект -- комнатная температура -- интерфейсные фононы -- интерфейсы -- барьеры Аннотация: Экспериментально получено повышение подвижности и дрейфовой скорости электронов в сильных электрических полях в квантовых ямах селективно-легированных гетероструктур InAlAs/InGaAs/InAlAs путем регулирования состава полупроводников, составляющих интерфейс. В метаморфной структуре In[0. 8]Ga[0. 2]As/In[0. 7]Al[0. 3]As с высокой мольной долей In (0. 7-0. 8) на интерфейсе подвижность электронов достигает 12. 3 x 10{3} см{2} x B{-1} x с{-1} при комнатной температуре. Получено увеличение подвижности электронов в 1. 1-1. 4 раза при введении тонких (1-3 нм) слоев InAs в квантовую яму селективно-легированных гетероструктур In[0. 53]Ga[0. 47]As/In[0. 52]Al[0. 48]As. Максимальная дрейфовая скорость достигает 2. 5 x 10{7} см/с в электрических полях 2-5 кВ/см. Величина порогового поля F[th] для междолинного Gamma-L переброса электронов (эффект Ганна) в квантовой яме InGaAs в 2. 5-3 раза выше, чем в объемном материале. Установлен эффект двух/трехкратного снижения величины порогового поля F[th] в квантовой яме InGaAs при увеличении мольной доли In в барьере InAlAs, а также при введении тонких InAs-вставок в квантовую яму InGaAs. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2011/09/p1214-1218.pdf Доп.точки доступа: Васильевский, И. С.; Галиев, Г. Б.; Климов, Е. А.; Пожела, К.; Пожела, Ю.; Юцене, В.; Сужеделис, А.; Жураускене, Н.; Кершулис, С.; Станкевич, В. |
539.2 В 586 Влияние встроенного электрического поля на оптические и электрофизические свойства P-HEMT наногетероструктур AlGaAs/InGaAs/GaAs [Текст] / Р. А. Хабибуллин [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2011. - Т. 45, вып. 5. - С. 666-671 : ил. - Библиогр.: с. 670 (20 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): фотолюминесценция -- ФЛ -- наноструктуры -- AlGaAs/InGaAs/GaAs -- P-HEMT -- оптические свойства -- электрофизические свойства -- глубина залегания -- квантовые ямы -- КЯ -- электроны -- электрические поля Аннотация: Исследованы спектры фотолюминесценции и электрофизические параметры P-HEMT структур AlGaAs/InGaAs/GaAs с различной глубиной залегания L[b] квантовой ямы относительно поверхности. Образцы изготавливались с постоянной концентрацией электронов в квантовой яме при уменьшении слоя L[b]. Установлено, что в спектрах фотолюминесценции для всех образцов присутствуют пики в областях энергии homega=1. 28-1. 30 и homega=1. 35-1. 38 эВ, отношение интенсивности которых увеличивается при уменьшении Lb. Расчеты зонной структуры показали, что изменение спектров связано с увеличением встроенного электрического поля при приближении квантовой ямы к поверхности. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2011/05/p666-671.pdf Доп.точки доступа: Хабибуллин, Р. А.; Васильевский, И. С.; Галиев, Г. Б.; Климов, Е. А.; Пономарев, Д. С.; Гладков, В. П.; Кульбачинский, В. А.; Клочков, А. Н.; Юзеева, Н. А. |
539.2 М 171 Максимальная дрейфовая скорость электронов в селективно легированных гетероструктурах InAlAs/InGaAs/InAlAs с введенной InAs-вставкой / А. Шиленас [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2013. - Т. 47, вып. 3. - С. 348-352 : ил. - Библиогр.: с. 351 (12 назв.) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): легированные структуры -- структуры -- дрейфовая скорость -- электроны -- квантовые ямы -- гетероструктуры -- электрические поля -- InAs-вставки -- плотность электронов -- легирование -- арсенидгаллиевые структуры Аннотация: Исследована зависимость подвижности и дрейфовой скорости электронов от условий роста, толщины и параметров легирования InAs-вставки в центре квантовой ямы селективно легированной гетероструктуры InAlAs/InGaAs/InAlAs. Получено рекордное повышение до (2-4) x 10{7} см/с дрейфовой скорости электронов в электрическом поле 5 x 10{3} В/см в квантовый яме InGaAs толщиной 17 нм при толщине нелегированной InAs-вставки 4 нм. Показано, что при дополнительном легировании InAs-вставки с повышением плотности электронов в квантовой яме до 4. 0 x 10{12} см{-2} максимальная дрейфовая скорость достигает 2 x 10{7} см/с в поле 7 x 10{3} В/см. The influence of growth conditions, thickness and doping level of the InAs insert located in a center of the quantum well (QW) of the selectively-doped InAlAs/InGaAs/InAlAs heterostructures was investigated. The record increase of the maximal drift velocity up to (2-4 x 10{7}) cm/s is obtained at the electric field of 5 x 10{3}V/cm when the undoped InAs thickness was 4 nm and the QW width was 17 nm. It is shown that the additional doping of the InAs insert up to electron density of 4. 0 x 10{12} cm{-2} in the InGaAs QW reduces the electron mobility, but in spite of that, maximal drift velocity reaches 2 x 10{7} cm/s at the electric field of7 x 10{3} V/cm. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2013/03/p348-352.pdf Доп.точки доступа: Шиленас, А.; Пожела, Ю.; Юцене, В.; Василевский, И. С.; Галиев, Г. Б.; Пушкарев, С. С.; Климов, Е. А.; Пожела, К. |
539.26 И 889 Исследование влияния напряженных сверхрешеток, введенных в метаморфный буфер, на электрофизические свойства и атомное строение МНЕМТ наногетероструктур InAlAs/InGaAs / Г. Б. Галиев [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2013. - Т. 47, вып. 4. - С. 510-515 : ил. - Библиогр.: с. 514-515 (18 назв.) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Физика Экспериментальные методы и аппаратура молекулярной физики Кл.слова (ненормированные): напряженные сверхрешетки -- сверхрешетки -- метаморфный буфер -- ММБ -- электрофизические свойства -- МНЕМТ-наногетероструктуры -- InAlAs/InGaAs -- наногетероструктуры -- подложки -- молекулярно-лучевая эпитаксия -- МЛЭ -- метод молекулярно-лучевой эпитаксии -- метод Ван-дер-Пау -- Ван-дер-Пау метод -- просвечивающая электронная микроскопия -- ПЭМ -- метод просвечивающей электронной микроскопии -- растровая электронная микроскопия -- РЭМ -- метод растровой электронной микроскопии -- атомно-силовая микроскопия -- АСМ -- метод атомно-силовой микроскопии -- рентгеноспектральный микроанализ -- структурные параметры -- структурные характеристики -- электрофизические характеристики Аннотация: Представлены результаты исследования влияния напряженных сверхрешеток, введенных в метаморфный буфер, на электрофизические свойства и атомное строение In[0. 70]Al[0. 30]As/In[0. 76]Ga[0. 24]As/In[0. 70]Al[0. 30]As МНЕМТ-наногетероструктур на подложке GaAs. Методом молекулярно-лучевой эпитаксии выращены два типа МНЕМТ-структур - один с линейным увеличением x в метаморфном буфере In[x]Al[1-x]As, а второй - с двумя рассогласованными сверхрешетками, внедренными внутрь метаморфного буфера. Методами Ван-дер-Пау, просвечивающей электронной микроскопии (в том числе растровой и высокоразрешающей), атомно-силовой микроскопии и рентгеноспектрального микроанализа исследованы электрофизические и структурные параметры выращенных образцов. Выявлено, что введение сверхрешеток в метаморфном буфере существенно улучшает электрофизические и структурные характеристики МНЕМТ-структур. The results of the investigation of the effect of two strained superlattices inserted into metamorphic buffer for In[0. 70]Al[0. 30]As/In[0. 76]Ga[0. 24]As/In[0. 70]Al[0. 30]As MHEMT nanoheterostructures on GaAs substrate are reported. A solid source molecular beam epitaxy was used to grow MHEMT nanoheterostructures with two designs of In[x]Al[1-x]As metamorphic buffer: the first with linear In grading and the second with two strained superlattices inserted into linear graded metamorphic buffer. Electrophysical and structural properties of grown structures were researched by means of Van der Pauw method, transmission electron microscopy, atomic force microscopy and energy-dispersive X-ray spectroscopy. The employment of strained superlattices is shown to enhance the electrophysical and structural properties of MHEMT nanoheterostructures. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2013/04/p510-515.pdf Доп.точки доступа: Галиев, Г. Б.; Пушкарев, С. С.; Васильевский, И. С.; Жигалина, О. М.; Климов, Е. А.; Жигалина, В. Г.; Имамов, Р. М. |
530.145 З-264 Замороженная фотопроводимость и подвижности электронов в структурах с квантовой ямой In[0.52]Al[0.48]As/ In[0.53]Ga[0.47]As/In[0.52]Al[0.48]As/InP / В. А. Кульбачинский [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2013. - Т. 47, вып. 7. - С. 927-934 : ил. - Библиогр.: с. 934 (22 назв.) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Физика Квантовая теория поля Кл.слова (ненормированные): квантовые ямы -- ширина -- легирование -- зонная структура -- электроны -- изоморфные разновидности -- подложки -- эффект Шубникова - де-Гааза -- Шубникова - де-Гааза эффект -- подвижность -- размерное квантование -- ионизированные следы -- рассеяние -- межподзонные переходы -- температурные зависимости -- фотопроводимость -- фотовозбуждение -- носители заряда Аннотация: Исследовано влияние ширины квантовой ямы L и легирования на зонную структуру, рассеяние и подвижность электронов в наногетероструктурах с изоморфной квантовой ямой In[0. 52]Al[0. 48]As/In[0. 53]Ga[0. 47]As/In[0. 52]Al[0. 48]As, выращенных на подложках InP. Из данных по эффекту Шубникова-де-Гааза получены квантовые и транспортные подвижности электронов в подзонах размерного квантования. Рассчитаны подвижности электронов в подзонах размерного квантования при рассеянии на ионизированных примесях с учетом межподзонных переходов. Показано, что рассеяние на ионизированных примесях в исследуемых образцах является доминирующим. При температурах ниже 170 K обнаружена замороженная фотопроводимость, обусловленная пространственным разделением фотовозбужденных носителей заряда. We investigated the influence of the quantum well width L and doping on the band structure, scattering and electron mobility in nanoheterostructures with isomorphic quantum well In[0. 52]Al[0. 48]As/In[0. 53]Ga[0. 47]As/In[0. 52]Al[0. 48]As grown on substrate InP. Using Shubnikov-de-Haas effect quantum and transport electron mobilities in quantized sub bands have been evaluated. Independently electron mobilities in quantized sub bands have been calculated with taking into account a scattering on ionized impurities and electron transitions between sub bands. We showed that ionized impurity scattering of electrons is a dominant. At T < 170 K we observed a persistent photoconductivity which can be explained by a spatial separation of photo exited carriers. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2013/07/p927-934.pdf Доп.точки доступа: Кульбачинский, В. А.; Лунин, Р. А.; Юзеева, Н. А.; Васильевский, И. С.; Галиев, Г. Б.; Климов, Е. А. |
535.2/.3 И 889 Исследование свойств новых конструкций метаморфного буфера InAlAs на подложках GaAs с распределенной компенсацией упругих деформаций / Г. Б. Галиев [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2013. - Т. 47, вып. 7. - С. 990-996 : ил. - Библиогр.: с. 995 (18 назв.) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Физика Физическая оптика Кл.слова (ненормированные): метаморфные буферы -- конструкции -- подложки -- упругие деформации -- распределенная компенсация -- решетки -- параметры -- релаксация -- структурные характеристики -- электрофизические характеристики -- наногетероструктуры Аннотация: Предложены и реализованы две новые конструкции метаморфного буфера, представляющие собой модификации линейного метаморфного буфера In[x]Al1-[x]As за счет групп слоев с отличающимися параметрами решетки, и позволяющие влиять на релаксацию метаморфного буфера. Также проведены исследования структурных и электрофизических характеристик полученных метаморфных НЕМТ-наногетероструктур. Two metamorphic buffers with novel design were proposed and realized in present work. They are the modifications of linear metamorphic buffer due to insertion of layers with different lattice constant affecting the strain relaxation inside the metamorphic buffer. The structural and electro physical characteristics of grown metamorphic HEMT nanoheterostructures have been investigated. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2013/07/p990-996.pdf Доп.точки доступа: Галиев, Г. Б.; Пушкарев, С. С.; Васильевский, И. С.; Климов, Е. А.; Имамов, Р. М. |
535.33 Э 455 Электрофизические и оптические свойства приповерхностных квантовых ям AlGaAs/InGaAs/AlGaAs c различной глубиной залегания / Р. А. Хабибуллин [и др.]. // Физика и техника полупроводников. - 2013. - Т. 47, вып. 9. - С. 1215-1220 : ил. - Библиогр.: с. 1219-1220 (17 назв.) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Физика Спектроскопия Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): электрофизические свойства -- оптические свойства -- молекулярно-лучевая эпитаксия -- МЛЭ -- метод молекулярно-лучевой эпитаксии -- гетероструктуры -- квантовые ямы -- КЯ -- двумерные электроны -- электроны -- спектроскопия фотоотражения -- фотоотражение -- ФО -- спектры фотоотражения -- электрические поля -- напряженность поля -- зонные структуры -- барьерные слои -- фотолюминесценция -- спектры фотолюминесценции -- подвижность электронов -- диффузия -- сегрегация Аннотация: Методом молекулярно-лучевой эпитаксии выращена серия гетероструктур с разной глубиной залегания квантовой ямы и приблизительно одинаковой концентрацией двумерных электронов. На основании данных спектроскопии фотоотражения относительно напряженности встроенного электрического поля в образцах проведен расчет зонной структуры для области квантовой ямы. Обнаружено, что максимальная подвижность двумерных электронов mu[e] достигается в образце с толщиной барьерного слоя L[b]=11 нм. Из спектров фотолюминесценции и расчетов зонной структуры образцов установлено, что при приближении квантовой ямы к поверхности происходит пространственное уширение профиля легирования из-за процессов диффузии и сегрегации. Объяснена немонотонность зависимости mu[e] от глубины залегания квантовой ямы. The series of AlGaAs/InGaAs/AlGaAs heterostructures with different distances between the surface and quantum well and approximately the same concentration of electrons have been grown by means of molecular-beam epitaxy. The built-in electric field was estimated from the photo reflectance data. The band structures of samples under investigation have been calculated. It is established that maximum of carrier mobility mu[e] is achieved in the sample with the barrier thickness L[b] = 11 nm. From the photoluminescence measurements and the band structure calculation it is shown that the broadening of doping profile is connected with the diminution of the distance between the surface and the quantum well due to diffusion and segregation. The non monotonous dependence of mu[e] from the distance between the surface and the quantum well has been explained. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2013/09/p1215-1220.pdf Доп.точки доступа: Хабибуллин, Р. А.; Галиев, Г. Б.; Климов, Е. А.; Пономарев, Д. С.; Васильевский, И. С.; Кульбачинский, В. А.; Боков, П. Ю.; Авакянц, Л. П.; Червяков, А. В.; Мальцев, П. П.; Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук (Москва); Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук (Москва); Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук (Москва); Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук (Москва); Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ" (Москва); Московский государственный университет им. М. В. Ломоносова; Московский государственный университет им. М. В. Ломоносова; Московский государственный университет им. М. В. Ломоносова; Московский государственный университет им. М. В. Ломоносова; Московский государственный университет им. М. В. Ломоносова |
539.2 В 586 Влияние разориентации подложки (100) GaAs на электрофизические параметры и морфологию поверхности метаморфных НЕМТ наногетероструктур In[0.7]Al0.3As/In[0.75]Ga[0.25]As/In[0.7]Al[0.3]As / Г. Б. Галиев [и др.]. // Физика и техника полупроводников. - 2014. - Т. 48, вып. 1. - С. 67-72 : ил. - Библиогр.: с. 71-72 (24 назв.) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): результаты исследований -- разориентация подложек -- подложки -- GaAs -- арсенид галлия -- электрофизические параметры -- морфология поверхности -- метаморфные HEMT наногетероструктуры -- HEMT наногетероструктуры -- наногетероструктуры -- молекулярно-лучевая эпитаксия -- метод молекулярно-лучевой эпитаксии -- МЛЭ -- двумерный электронный газ -- метаморфные буфера -- спектры фотолюминесценции -- фотолюминесценция -- энергия фотонов -- фотоны -- гетерограницы -- флуктуации -- квантовые ямы Аннотация: Представлены результаты исследования влияния разориентации подложек (100) GaAs на электрофизические параметры и морфологию поверхности наногетероструктур In[0. 7]Al[0. 3]As/In[0. 75]Ga[0. 25]As/In[0. 7]Al[0. 3]As/GaAs с высокой подвижностью электронов. Методом молекулярно-лучевой эпитаксии выращены две одинаковые структуры со ступенчатым профилем состава метаморфного буфера In[x]Al[1-x]As (Delta [x]=0. 05) на двух типах подложек: на сингулярной подложке GaAs с ориентацией (100) ±0. 5° и разориентированной на 2±0. 5° в направлении (011) подложке (100) GaAs. Обнаружено увеличение концентрации двумерного электронного газа на ~40% в случае использования разориентированной подложки. Выявленное уширение спектров фотолюминесценции и сдвиг пиков в сторону меньших энергий фотонов для случая разориентированной подложки связывается с увеличением шероховатости гетерограниц и флуктуаций ширины квантовой ямы. The effect of GaAs (100) substrate misorientation on electrophysical parameters and surface morphology of metamorphic In[0. 7]Al[0. 3]As/In[0. 75]Ga[0. 25]As/In[0. 7]Al[0. 3]As nanoheterostructuresis studied. Two identical structures with step-graded metamorphicbuffer InxAl[1-x]As (Delta [x] = 0. 05) are grown by MBE on (100) GaAs substrates exactly oriented and 2 ± 0. 5° misoriented towards (011) direction. The increase of two-dimensional electron gasconcentration by ~ 40% for the heterostructure grown on misorientedsubstrate is revealed. The photoluminescence spectra widthincreased and peak energy red shifted for misoriented substrates, which was induced by the increased heterointerface roughness andquantum well thickness flucktuations. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2014/01/p67-72.pdf Доп.точки доступа: Галиев, Г. Б.; Пушкарев, С. С.; Василевский, И. С.; Климов, Е. А.; Клочков, А. Н.; Мальцев, П. П.; Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук (Москва); Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук (Москва); Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ" (Москва); Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук (Москва); Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук (Москва); Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук (Москва)Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ" (Москва) |
537.2 А 640 Аналитическая модель механизма электрической неустойчивости в мультибарьерных гетероструктурах с туннельно-непрозрачными барьерами / В. А. Гергель [и др.]. // Физика и техника полупроводников. - 2014. - Т. 48, вып. 4. - С. 481-486 : ил. - Библиогр.: с. 486 (6 назв.) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Физика Электростатика Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): математическое моделирование -- электропроводность -- мультибарьерные гетероструктуры -- гетероструктуры -- статические вольт-амперные характеристики -- вольт-амперные характеристики -- ВАХ -- неустойчивость -- электрическая неустойчивость -- динамические параметры -- полупроводниковые приборы -- аналитические модели -- численное моделирование -- результаты моделирования -- импенданс -- динамическое сопротивление -- отрицательное дифференциальное сопротивление -- тестовые образцы -- положительная обратная связь -- обратные связи -- элементарные ячейки -- результаты измерений Аннотация: Методами математического моделирования электропроводности мультибарьерных гетероструктур получены статические вольт-амперные характеристики, S-образность которых свидетельствует об электрической неустойчивости. С целью изучения ее динамических параметров с использованием известных приближений физики полупроводниковых приборов построена аналитическая модель исследуемой неустойчивости, которая в статическом варианте дает S-образную форму вольт-амперной характеристики, близкую к результатам численного моделирования. Этот факт рассматривается как подтверждение адекватности развитой аналитической модели, и последняя в малосигнальном варианте обобщена на ситуацию с гармоническим электрическим возмущением. Результирующая формула для частотной зависимости малосигнального импеданса свидетельствует о возможной отрицательности динамического сопротивления вплоть до терагерцовых частот. Предложена наглядная физическая интерпретация исследуемой неустойчивости в терминах положительной обратной связи в элементарной ячейке исследуемых мультибарьерных гетероструктур. Приведены также результаты измерений квазистационарных вольт-амперных характеристик изготовленных тестовых мультибарьерных структур GaAs/AlGaAs с ярко выраженным участком отрицательного дифференциального сопротивления. Using mathematical modeling of conductivity in multibarrier heterostructures, static current–voltage characteristics with S-behavior indicative of electrical instability have been obtained. In order to study its dynamic parameters, using known approximations of physics of semiconductor devices, an analytical model of instability was developed which gives the static embodiment S-shape current–voltage characteristics similar to the numerical simulation results. The resulting formula for the frequancy dependence of the small-signal impedance demonstrates the possibility of a negative dynamic resistance up to teraherts frequencies. The physical interpretation of the instability in terms of positive feedback in the unit cell of the multibarrier heterostructures is formulated. The results of measurements of quasi-stationary current–voltage characteristics of the fabricated test multibarrier GaAs/AlGaAs structures, having explicit negative differential resistance are presented. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2014/04/p481-486.pdf Доп.точки доступа: Гергель, В. А.; Алтухов, И. В.; Верховцева, А. В.; Галиев, Г. Б.; Горшкова, Н. М.; Жигальцов, С. С.; Зеленый, А. П.; Ильичев, Э. А.; Минкин, В. С.; Папроцкий, С. К.; Якупов, М. Н.; Институт радиотехники и электроники им. В. А. Котельникова Российской академии наук (Москва); Институт радиотехники и электроники им. В. А. Котельникова Российской академии наук (Москва); Институт радиотехники и электроники им. В. А. Котельникова Российской академии наук (Москва); Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук (Москва); Институт радиотехники и электроники им. В. А. Котельникова Российской академии наук (Москва); Институт радиотехники и электроники им. В. А. Котельникова Российской академии наук (Москва); Институт радиотехники и электроники им. В. А. Котельникова Российской академии наук (Москва); ФГУП НИИ Физических проблем им. Ф. В. Лукина (Москва); Институт радиотехники и электроники им. В. А. Котельникова Российской академии наук (Москва); Институт радиотехники и электроники им. В. А. Котельникова Российской академии наук (Москва); Институт радиотехники и электроники им. В. А. Котельникова Российской академии наук (Москва) |