539.2 С 810 Стогний, А. И. Получение методом ионно-лучевого распыления кислородом и оптические свойства ультратонких пленок золота [Текст] / А. И. Стогний, Н. Н. Новицкий, С. Д. Тушина, С. В. Калинников // Журнал технической физики. - 2003. - Т.73,N6. - Библиогр.: 11 назв. . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): золото -- ионно-лучевое распыление -- омические контакты -- ультратонкие пленки Аннотация: Исследована зависимость оптических и электрических свойств золотых пленок толщиной от менее 1 до 8 nm, полученных методом ионно-лучевого распыления с использованием ионов аргона и кислорода. Показано, что свойства пленок не зависят от типа применявшихся для распыления ионов. Установлено, что пленки толщиной от 1 до 5 nm являются сплошными и обладают высокой прозрачностью. Получены методом ионно-лучевого распыления ионами кислорода омические контакты NiO[x]/Au к p-GaN Доп.точки доступа: Новицкий, Н.Н.; Тушина, С.Д.; Калинников, С.В. |
539.2 Б 827 Борковская, О. Ю. Влияние gamma-облучения {60}Co на формирование омических контактов в структурах металл-GaAs (Al[x]Ga[1-x]As [Текст] / О. Ю. Борковская, Н. Л. Дмитрук [и др.] // Журнал технической физики. - 2004. - Т. 74, N 3. - Библиогр.: c. 48-49 (24 назв. ) . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Физика--Физика твердого тела--Электроника Кл.слова (ненормированные): гамма-облучение -- кобальт -- омические контакты -- арсенид галлия -- контактное сопротивление Аннотация: Исследовались особенности формирования невыпрямляющих контактов AuGe-GaAs (Al[0. 4]Ga[0. 6]As) , подвергнутых термобработкам, облучению gamma-квантами {60}Co и комбинированным воздействиям gamma-облучения при приложении к структурам электрического смещения. Установлены корреляционные зависимости между характером межфазовых взаимодействий в структурах и величиной их контактного сопротивления. Полученные результаты интерпретируются с позиций диффузионной модели при условии перемещения границы металллического слоя. Перейти: http://www.ioffe.ru/journals/jtf/2004/03/page-44.html.ru Доп.точки доступа: Дмитрук, Н. Л.; Ермолович, И. Б.; Конакова, Р. В.; Миленин, В. В. |
621.382 Б 591 Бибилашвили, А. П. Исследование контактов сплава Ni-Ge на GaAs [Текст] / А. П. Бибилашвили, А. Б. Герасимов [и др.] // Физика и химия обработки материалов. - 2004. - N 4 . - ISSN 0015-3214
Рубрики: Радиоэлектроника--Электроника Кл.слова (ненормированные): сплавы -- гелий -- омические контакты -- подложки -- полупроводниковые приборы -- интегральные микросхемы -- микросхемы -- потенциальные барьеры -- исследования Аннотация: Исследованы процессы формирования контактов на основе барьера Шоттки и омических контактов при фотонной обработке сплавов Ni-Ge с различным содержанием Ge. Продемонстрирована возможность получения контакта барьера Шоттки и омического контакта в едином технологическом цикле на одной подложке. Доп.точки доступа: Герасимов, А. Б.; Самадашвили, З. Д.; Кванталиани, И. О.; Казаров, Р. Э. |
621.3 Б 684 Бланк, Т. В. Механизмы протекания тока в омических контактах металл-полупроводник [Текст] : обзор / Т. В. Бланк, авт. Ю. А. Гольдберг // Физика и техника полупроводников. - 2007. - Т. 41, вып. 11. - С. 1281-1308 . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Электротехника Кл.слова (ненормированные): омические контакты -- термоэлектронная эмиссия -- полевая эмиссия -- термополевая эмиссия -- диоды шоттки -- шоттки диоды Аннотация: Приведен обзор литературных данных по свойствам омических контактов металл-полупроводник и механизмам протекания тока в них (термоэлектронная эмиссия, полевая эмиссия, термополевая эмиссия, а также протекание тока по металлическим шунтам). Теоретические зависимости сопротивления омического контакта от температуры и концентрации носителей заряда в полупроводнике сравнивались с экспериментальными данными для омических контактов к полупроводникам типа A\{II\}B\{VI\} (ZnSe, ZnO), A\{III\}B\{V\} (GaN, AlN, InN, GaAs, GaP, InP), A\{IV\} (SiC, алмаз) и твердым растворам этих полупроводников. Доп.точки доступа: Гольдберг, Ю. А. |
621.315.592 Б 447 Беляев, А. Е. Термостойкий диод Шоттки TiB[х]-n-GaP [Текст] / А. Е. Беляев, Н. С. Болтовец [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2008. - Т. 42, вып. 4. - С. 463-467 . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): фосфид галлия -- магнетронное напыление -- омические контакты -- термостойкие диоды -- диоды -- барьеры Шоттки -- Шоттки барьеры Аннотация: Изучалось влияние быстрой термической обработки на параметры барьеров Шоттки TiBx-n-GaP и межфазные взаимодействия на границе раздела TiB[x]-GaP. Показано, что контактная система TiB[x]-n-GaP обладает повышенной термостойкостью без изменения электрофизических параметров барьера Шоттки вплоть до T=600oC. Доп.точки доступа: Болтовец, Н. С.; Иванов, В. Н.; Камалов, А. Б.; Капитанчук, Л. М.; Конакова, Р. В.; Кудрик, Я. Я.; Литвин, О. С.; Миленин, В. В.; Насыров, М. У. |
Парфенюк, О. А. Образование омических контактов к низкоомному Cd[1-x]Mg[x]Te для фотовольтаических применений [Текст] / О. А. Парфенюк, М. И. Илащук, К. С. Ульяницкий // Физика и техника полупроводников. - 2008. - Т. 42, вып: вып. 11. - С. 1314-1317
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): Cd[1-x]Mg[x]Te -- омические контакты -- низкоомные материалы -- фотопреобразователи Аннотация: Исследованы электрофизические свойства твердых растворов Cd[1-x]Mg[x]Te разного состава (0. 1 меньше равно x меньше равно 0. 3). Установлено, что при x=0. 1 образуется низкоомный материал p-типа проводимости, близкий по своим параметрам к нелегированному CdTe. Особенностью кристаллов Cd[0. 9]Mg[0. 1]Te является то, что при осаждении на их поверхность меди из насыщенного раствора CuSO[4] образуется омический контакт, характеристики которого не ухудшаются в широком температурном интервале (80-300 K). Исследование световых и темновых характеристик структур Cu/p-Cd[0. 9]Mg[0. 1]Te/n-Cd[0. 9]Mg[0. 1]Te/In показало их перспективность в качестве фотопреобразователей солнечного света. Доп.точки доступа: Илащук, М. И.; Ульяницкий, К. С. |
Зависимость механизма протекания тока в сплавном омическом контакте In-n-GaN от концентрации основных носителей заряда [Текст] / В. Н. Бессолов [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2008. - Т. 42, вып: вып. 11. - С. 1345-1347
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): омические контакты -- сплавные омические контакты -- In-n-GaN -- механизм протекания тока -- концентрация носителей заряда Аннотация: На основании исследования температурной зависимости сопротивления сплавных омических контактов In-n-GaN обнаружено, что механизм протекания тока в них существенно зависит от концентрации N нескомпенсированных доноров в GaN: при N = 5 х 10\{16\} - 1 х 10\{18\} см\{-3\} основным является протекание тока по металлическим шунтам, а при N больше равно 8 х 10\{18\} см\{-3\} - туннелирование. Доп.точки доступа: Бессолов, В. Н.; Бланк, Т. В.; Гольдберг, Ю. А.; Константинов, О. В.; Поссе, Е. А. |
Неохлаждаемые широкополосные флип-чип фотодиоды на основе InAsSb (ламбда[cut off]=4. 5 мкм) [Текст] / А. Л. Закгейм [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып: вып. 3. - С. 412-417
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): флип-чип фотодиоды -- кванты с высокими энергиями -- легированные подложки -- эффект Мосса-Бурштейна -- Мосса-Бурштейна эффект -- глубокая меза травления -- омические контакты Аннотация: Проведен анализ инфракрасных "собственных" и в отраженных лучах изображений флип-чип фотодиодов на основе p-InAsSbP/n-InAsSb/n\{+\}-InAs, включая изображения, получаемые при прямом и обратном смещении p-n-перехода, произведена оценка коэффициентов отражения от омических контактов. Обсуждается влияние глубины травления мезы и степени легирования подложек n\{+\}-InAs на спектральные характеристики и чувствительность фотодиодов, освещаемых со стороны n\{+\}-InAs в диапазоне 2. 7-4. 5 мкм. Доп.точки доступа: Закгейм, А. Л.; Зотова, Н. В.; Ильинская, Н. Д.; Карандашев, С. А.; Матвеев, Б. А.; Ременный, М. А.; Стусь, Н. М.; Черняков, А. Е. |
Диоды с барьером Шоттки Au-TiBx-n-6H-SiC: особенности токопереноса в выпрямляющих и невыпрямляющих контактах [Текст] / О. А. Агеев [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып: вып. 7. - С. 897-903 : ил. - Библиогр.: с. 902 (22 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Проводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): токоперенос -- барьеры Шоттки -- Шоттки барьеры -- диоды Шоттки -- Шоткки диоды -- вольт-амперные характеристики -- ВАХ -- выпрямляющие контакты -- омические контакты -- монокристаллы -- карбид кремния -- туннельные токи -- концентрация -- дислокации -- пространственный заряд Аннотация: Исследован механизм токопереноса в диоде на основе карбида кремния с барьером Шоттки, сформированным квазиаморфной фазой внедрения TiB[х] на поверхности монокристаллов n-6H-SiC (0001), с концентрацией нескомпенсированных доноров (азот) ~10{18}см{-3}и концентрацией дислокаций ~ (10{6}-10{8}) см{-2}. Показано, что при температурах T= Доп.точки доступа: Агеев, О. А.; Беляев, А. Е.; Болтовец, Н. С.; Иванов, В. Н.; Конакова, Р. В.; Кудрик, Я. Я.; Литвин, П. М.; Миленин, В. В.; Савченко, А. В. |
Радиационные эффекты в многослойных омических контактах Au-Ti-Al-Ti-n-GaN [Текст] / А. Е. Беляев [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып: вып. 7. - С. 904-908 : ил. - Библиогр.: с. 908 (13 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Проводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): радиационные эффекты -- омические контакты -- высокотемпературный отжиг -- структурные контакты -- металлизация -- примесные атомы кислорода -- радиационно-термическая обработка -- массоперенос -- многослойная металлизация -- контактная металлизация -- радиационные воздействия -- радиационно-термическая обработка Аннотация: Рассмотрены радиационные эффекты в многослойной металлизации Au-Ti-Al-Ti-n-GaN при воздействии gamma-квантов {60}Co в диапазоне доз 4х10[6]-2х10[7] Гр на исходные и подвергнутые кратковременному высокотемпературному отжигу в атмосфере азота контактные структуры. Радиационные воздействия не оказывают существенного влияния на свойства структур, не подвергнутых термообработкам. Кратковременный отжиг при 700{o}C приводит к разрушению слоевой структуры контактов. Морфологические и структурные трансформации в контактной металлизации, вызванные термоотжигом, усиливаются при радиационных воздействиях. Комбинированная радиационно-термическая обработка способствует усилению массопереноса между контактирующими слоями. Кроме того, после облучения до дозы 2х10[7] Гр примесные атомы кислорода пронизывают всю контактную структуру и в значительном количестве наблюдаются в приконтактной области GaN. Доп.точки доступа: Беляев, А. Е.; Болтовец, Н. С.; Иванов, В. Н.; Капитанчук, Л. М.; Конакова, Р. В.; Кудрик, Я. Я.; Литвин, П. М.; Миленин, В. В.; Шеремет, В. Н.; Свешников, Ю. Н. |
Александров, О. В. Моделирование взаимодействия никеля с карбидом кремния при формировании омических контактов [Текст] / О. В. Александров, В. В. Козловский // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып: вып. 7. - С. 917-923 : ил. - Библиогр.: с. 922-923 (30 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Проводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): омические контакты -- никель (Ni) -- карбид кремния (SiC) -- силициды -- диффузия -- термический отжиг -- облучение протонами -- твердофазные реакции -- радиационные дефекты -- металлы -- полупроводники -- протонное облучение Аннотация: Впервые разработана количественная модель взаимодействия силицидообразующего металла Ni с монокристаллическим SiC на основе взаимной диффузии компонентов и объемной реакции образования силицидов. Модель позволяет удовлетворительно описать основные свойства перераспределения компонентов при термическом отжиге, а также при облучении системы Ni-SiC протонами при повышенных температурах, а именно: наличие протяженной реакционной зоны, превышение концентрации углерода над концентрацией кремния на границе с подложкой SiC, накопление углерода вблизи поверхности. Показано, что стимулирование взаимодействия металла Ni с SiC протонным облучением при повышенной температуре происходит вследствие увеличения коэффициента диффузии металла и возрастания констант скоростей твердофазных реакций образования силицидов. Ускорение диффузии металла связывается с генерацией простейших радиационных дефектов- межузельных атомов и вакансий, а возрастание констант скоростей твердофазных реакций - с генерацией вакансий, являющихся поставщиками свободного объема. Доп.точки доступа: Козловский, В. В. |
Бланк, Т. В. Протекание тока по металлическим шунтам в омических контактах к широкозонным полупроводникам A{III}B{V} [Текст] / Т. В. Бланк, Ю. А. Гольдберг, Е. А. Поссе // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып: вып. 9. - С. 1204-1209 : ил. - Библиогр.: с. 1209 (16 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Проводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): омические контакты -- полупроводники -- широкозонные полупроводники -- GaAs -- GaP -- GaN -- металлические шунты -- барьеры Шоттки -- Шоттки барьеры -- сопротивления -- дислокации Аннотация: Экспериментально установлено, что контакт металл-широкозонный полупроводник (GaAs, GaP, GaN) с барьером Шоттки переходит в омический контакт либо в процессе непрерывного нагревания, либо в процессе выдержки при повышенной температуре еще до образования каких-либо рекристаллизованных слоев. При этом сопротивление контакта, приведенное к единице площади, возрастает с ростом температуры для полупроводников с высокой плотностью дислокаций (GaP, GaN). Предполагается, что в таких контактах ток протекает по металлическим шунтам, закорачивающим слой объемного заряда и представляющим собой атомы металла, продиффундировавшие по линиям дислокаций или других несовершенств полупроводника. Сопротивление омического контакта, приведенное к единице площади, в полупроводниках с низкой плотностью дислокаций (GaAs) уменьшается с ростом температуры, как и ожидалось для термоэлектронного механизма протекания тока. Доп.точки доступа: Гольдберг, Ю. А.; Поссе, Е. А. |
Межфазные взаимодействия и механизм токопереноса в омических контактах Au-TiB[x]-AuGe-n-GaP [Текст] / А. Е. Беляев [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып: вып. 11. - С. 1468-1472 : ил. - Библиогр.: с. 1472 (20 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Проводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): омические контакты -- Au-TiB[x]-AuGe-n-GaP -- токоперенос -- перенос тока -- термическая обработка -- термообработка -- контактные сопротивления -- проводимость -- шунты -- металлические шунты -- температура Аннотация: Исследованы омические контакты Au-TiB[x]-AuGe-n-GaP до и после быстрой термической обработки при T=723, 773 и 873 K в течение 60 с в H[2]. Показано, что удельное контактное сопротивление с ростом температуры уменьшается в интервале 77-232 K, что обусловлено термоэлектронным механизмом токопрохождения в неоднородном омическом контакте, а в интервале 232-386 K возрастает, что может быть связано с проводимостью по металлическим шунтам. Доп.точки доступа: Беляев, А. Е.; Болтовец, Н. С.; Иванов, В. Н.; Камалов, А. Б.; Капитанчук, Л. М.; Кладько, В. П.; Конакова, Р. В.; Кудрик, Я. Я.; Миленин, В. В.; Насыров, М. У.; Неволин, П. В. |
Влияние микроволновой обработки на механизмы протекания тока в омических контактах Au-TiB[x]-Al-Ti-n{+}-n-n{+}-GaN-Al[2]O[3] [Текст] / А. Е. Беляев [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып: вып. 6. - С. 775-781 : ил. - Библиогр.: с. 780-781 (26 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): омические контакты -- температурные зависимости -- быстрая термическая обработка -- БТО -- микроволновая обработка -- комнатная температура -- термообработка -- термическая обработка -- микроволновые излучения -- металлическая проводимость Аннотация: Исследованы температурные зависимости удельного контактного сопротивления rhoc омических контактов Au-TiB[x]-Al-Ti-n{+}-n-n{+}-GaN-Al[2]O[3] до и после микроволновой обработки и последующего хранения образцов в течение 9 месяцев при комнатной температуре. Температурные зависимости rho[c] исходных образцов измерялись дважды. При первом измерении rho[c] обнаружена типичная для омических контактов температурная зависимость rho[c], при повторном измерении в области температур >270 K обнаружен рост rho[c], обсусловленный металлической проводимостью. После микроволновой обработки металлическая проводимость в омическом контакте не наблюдается, что предположительно связано с локальным разогревом металлических включений Ga при воздействии микроволнового излучения и формированием, вследствие большой химической активности жидкого галлия, его соединений с другими компонентами металлизации. Температурная зависимость rho[c] в этом случае определяется обычными механизмами токопереноса. После 9 месяцев хранения при комнатной температуре температурная зависимость rho[c] описывается туннельным механизмом токопереноса. Доп.точки доступа: Беляев, А. Е.; Болтовец, Н. С.; Витусевич, С. А.; Иванов, В. Н.; Конакова, Р. В.; Кудрик, Я. Я.; Лебедев, А. А.; Миленин, В. В.; Свешников, Ю. Н.; Шеремет, В. Н. |
Цуриков, Д. Е. Дифференциальная емкость полупроводниковой пленки [Текст] / Д. Е. Цуриков, А. М. Яфясов // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып: вып. 10. - С. 1336-1340 : ил. - Библиогр.: с. 1340 (5 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): полупроводниковые пленки -- область пространственного заряда -- ОПЗ -- дифференциальная емкость -- омические контакты -- параболические законы -- дисперсия -- квантование -- вольт-фарадные характеристики -- ВФХ Аннотация: В рамках феноменологической теории области пространственного заряда предложена быстрая схема вычисления поверхностной дифференциальной емкости полупроводниковой пленки в случае омического контакта на тыльной стороне. Метод расчета рассмотрен на примере полупроводника с параболическим законом дисперсии (n-Ge). Обнаружено не связанное с эффектами размерного квантования явление провала вольт-фарадной характеристики с уменьшением толщины полупроводника. Доп.точки доступа: Яфясов, А. М. |
Кашин, С. М. Динамическое туннелирование электронов через квантовую точку в условиях кулоновской блокады [Текст] / С. М. Кашин, А. М. Сатанин // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 46, вып: вып. 11. - С. 1563-1567 : ил. - Библиогр.: с. 1567 (9 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Физика Движение заряженных частиц в электрических и магнитных полях Кл.слова (ненормированные): туннелирование электронов -- электроны -- квантовые точки -- КТ -- кулоновская блокада -- уравнение Шредингера -- Шредингера уравнение -- омические контакты -- сравнительный анализ Аннотация: Исследована динамика туннелирования электронов через квантовую точку в условиях кулоновской блокады. Численно решено нестационарное уравнение Шредингера, исследована динамика многоэлектронного волнового пакета в системе, состоящей из квантовой точки, соединенной с двумя омическими контактами. Построены зависимости прозрачности от средней энергии волнового пакета. Произведено сравнение полученных зависимостей с решениями соответствующей стационарной задачи. Доп.точки доступа: Сатанин, А. М. |
Радиационные эффекты и межфазные взаимодействия в омических и барьерных контактах к фосфиду индия, стимулированные быстрыми термическими обработками и облучением gamma-квантами {60}Co [Текст] / А. Е. Беляев [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып: вып. 12. - С. 1607-1614 : ил. - Библиогр.: с. 1613-1614 (16 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Физика Движение заряженных частиц в электрических и магнитных полях Кл.слова (ненормированные): радиационные эффекты -- межфазные взаимодействия -- омические контакты -- барьерные контакты -- фосфид индия -- термическая обработка -- облучение gamma-квантами -- gamma-кванты -- радиационная стойкость -- внешние воздействия -- электрофизические характеристики -- распределение компонентов -- фазовые составы -- слои металлизации -- металлизация -- термическое облучение -- слоевые структуры -- радиационно-стимулированный массоперенос -- поликристаллические пленки -- контактообразующие слои -- электрофизические свойства Аннотация: Исследована радиационная стойкость исходных и прошедших быструю термическую обработку омических контактов Au-Pd-Ti-Pd-n{++}-InP и барьерных Au-TiB[x]-n-n{+}-n{++}-InP при облучении gamma-квантами {60}Co до доз 10{9} P. До и после внешних воздействий измерялись электрофизические характеристики барьерных и омических контактов, профили распределения компонентов и фазовый состав в слоях металлизации. В омических контактах Pd-Ti-Pd-Au, прошедших быструю термическую обработку и облучение, происходит заметное нарушение слоевой структуры металлизации, обусловленное термическим и радиационно-стимулированным массопереносом Pd по границам зерен в поликристаллических пленках Ti и Au, но величина удельного контактного сопротивления rhoc существенно не изменяется, что связано со сравнительно постоянным фазовым составом контактообразующего слоя на границе раздела Pd-n{+}-InP. В исходном и прошедшем быструю термическую обработку при T=400{o}C образце с барьерными контактами Au-TiBx-n-n{+}-n{++}InP, облученном до дозы 2·10{8} P, сохраняется слоевая структура металлизации. После облучения до дозы 10{9} P в образцах, подвергнутых быстрой термической обработке при T=400{o}C слоевая структура металлизации полностью нарушается, однако она сохраняется в исходном образце. Электрофизические свойства контактной структуры значительно деградируют лишь после облучения образца, предварительно прошедшего быструю термическую обработку при T=400{o}C. Доп.точки доступа: Беляев, А. Е.; Болтовец, Н. С.; Бобыль, А. В.; Иванов, В. Н.; Капитанчук, Л. М.; Кладько, В. П.; Конакова, Р. В.; Кудрик, Я. Я.; Корчевой, А. А.; Литвин, О. С.; Миленин, В. В.; Новицкий, С. В.; Шеремет, В. Н. |
621.315.592 Т 327 Температурная зависимость контактного сопротивления омических контактов Au-Ti-Pd[2]Si-n{+}-Si, подвергнутых микроволновому облучению [Текст] / А. Е. Беляев [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2012. - Т. 46, вып. 3. - С. 344-347 : ил. - Библиогр.: с. 347 (17 назв.) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): омические контакты -- температурная зависимость -- сопротивление -- микроволновая обработка -- МО -- ОПЗ -- область пространственного заряда -- токоперенос -- микроволновое облучение -- облучение микроволнами Аннотация: На основе теоретического анализа температурной зависимости контактного сопротивления R[c] омического контакта Au-Ti-Pd[2]Si-n{+}-Si предложен механизм токопереноса, объясняющий растущие с повышением температуры измерения в диапазоне 100-380 K величины R[c], наблюдаемые экспериментально. Показано, что микроволновая обработка таких контактов приводит к уменьшению разброса R[c] по пластине и уменьшению величины R[c] при сохранении роста R[c] в диапазоне температур 100-380 K. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2012/03/p344-347.pdf Доп.точки доступа: Беляев, А. Е.; Болтовец, Н. С.; Конакова, Р. В.; Кудрик, Я. Я.; Саченко, А. В.; Шеремет, В. Н.; Виноградов, А. О. |
621.315.592 Т 327 Температурная зависимость контактного сопротивления омических контактов на основе соединений A{III}B{V} с высокой плотностью дислокаций [Текст] / А. В. Саченко [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2012. - Т. 46, вып. 3. - С. 348-355 : ил. - Библиогр.: с. 355 (14 назв.) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): температурная зависимость -- омические контакты -- контактное сопротивление -- структуры -- дислокация -- экспериментальные зависимости -- теоретические зависимости -- теоретический анализ -- высокая плотность -- металлические шунты Аннотация: На основе теоретического анализа температурной зависимости контактного сопротивления rho[c] омических контактов к структурам n-n{+}-n{++}-GaAs (аналогично к GaP-, GaN-, InP-структурам) предложен новый механизм роста rho[c] с повышением температуры измерения T, наблюдаемый экспериментально в диапазоне 100-400 K. Получено хорошее соответствие экспериментальных и теоретических зависимостей rho[c] (T), объясненное для случая высокой плотности дислокаций в приконтактной области полупроводника, на которых локализованы металлические шунты. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2012/03/p348-355.pdf Доп.точки доступа: Саченко, А. В.; Беляев, А. Е.; Бобыль, А. В.; Болтовец, Н. В.; Иванов, В. Н.; Капитанчук, Л. М.; Конакова, Р. В.; Кудрик, Я. Я.; Миленин, В. В.; Новицкий, С. В.; Саксеев, Д. А.; Тарасов, И. С.; Шеремет, В. Н.; Яговкина, М. А. |
539.2 В 586 Влияние перегрева p-n-перехода на деградацию мощных импульсных кремниевых лавинно-пролетных диодов [Текст] / А. Е. Беляев [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2011. - Т. 45, вып. 2. - С. 256-262 : ил. - Библиогр.: с. 262 (18 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): p-n переходы -- импульсные диоды -- кремниевые диоды -- лавинно-пролетные диоды -- ЛПД -- деградация диодов -- диоды -- длина волны -- генерация -- рентгенофазовый анализ -- омические контакты -- температура p-n перехода -- удельное тепловое сопротивление Аннотация: Приведена оценка тепловых ограничений в импульсном режиме работы двухдрейфового лавинно-пролетного диода 8-миллиметрового диапазона длин волн с мощностью генерации до 30-35 Вт. Показано, что при длительности рабочего импульса 300 нс и амплитуде тока питания 11. 3-15 A перегрев p-n-перехода относительно окружающей среды составляет 270-430{o}C. Определена граничная температура перегрева перехода, равная 350{o}C, выше которой лавинно-пролетные диоды интенсивно деградируют. Приведены результаты рентгенофазового анализа и профили распределения компонентов в омических контактах Au-Pt-Ti-Pd-Si, подтверждающие тепловые ограничения в импульсном режиме работы лавинно-пролетного диода. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2011/02/p256-262.pdf Доп.точки доступа: Беляев, А. Е.; Басанец, В. В.; Болтовец, Н. С.; Зоренко, А. В.; Капитанчук, Л. М.; Кладько, В. П.; Конакова, Р. В.; Колесник, Н. В.; Коростинская, Т. В.; Крицкая, Т. В.; Кудрик, Я. Я.; Кучук, А. В.; Миленин, В. В.; Атаубаева, А. Б. |