621.38 Г 953 Гурман, В. И. (д-р техн. наук). Магистральные решения в задачах оптимизации стратегий развития регионов [Текст] [Текст] / В. И. Гурман // Автоматика и телемеханика. - 2004. - N 4. - Библиогр.: с. 117 (9 назв. ). - Часть текста на англ. яз. . - ISSN 0005-2310
Рубрики: Радиоэлектроника--Общие вопросы радиоэлектроники Экономика--Экономическая география. Регионоведение Кл.слова (ненормированные): эколого-экономические модели -- инновационные факторы -- практическое моделирование -- социально-экономические системы -- инновационные блоки -- коэффициенты затрат -- прямые затраты -- экологические нарушения -- функции Кротова-Беллмана -- ФКБ -- модификации -- агрегированные модификации -- инвестиции -- управляющие переменные -- аналитические решения -- численные решения -- функционалы -- регионы -- развитие регионов Аннотация: Рассматривается задача оптимизации стратегии развития для агрегированной эколого-экономической модели с учетом инновационного фактора, формализованного по сравнительно простой и достаточно общей схеме, предложенной при практическом моделировании стратегий развития ряда конкретных регионов. Доп.точки доступа: ???? канд. техн. наук, М. Ю. |
621.38 Л 363 Левин, В. И. (д-р техн. наук). Сравнение интервальных чисел и оптимизация систем с интервальными параметрами [Текст] [Текст] / В. И. Левин // Автоматика и телемеханика. - 2004. - N 4. - Библиогр.: с. 142 (15 назв. ). - Часть текста на англ. яз. . - ISSN 0005-2310
Рубрики: Радиоэлектроника--Общие вопросы радиоэлектроники Кл.слова (ненормированные): интервальные параметры -- параметры -- интервалы -- удаленность интервалов -- экстремальные интервалы -- задачи -- интервальные параметры -- интервальные числа Аннотация: Рассмотрена задача сравнения интервально заданных чисел в связи с оптимизацией систем с интервальными параметрами. Получено решение, использующее понятие меры близости интервалов и распространяющееся на интервалы, расположенные произвольно относительно друг друга. |
621.38 М 231 Мандель, А. С. (д-р техн. наук). Метод аналогов в прогнозировании коротких временных рядов: экспертно-статистический подход [Текст] [Текст] / А. С. Мандель // Автоматика и телемеханика. - 2004. - N 4. - Библиогр.: с. 151 (18 назв. ). - Часть текста на англ. яз. . - ISSN 0005-2310
Рубрики: Радиоэлектроника--Общие вопросы радиоэлектроники Кл.слова (ненормированные): временные ряды -- статистические методы -- статистические анализы -- экспертно-статистические методы -- линейные неравенства -- задачи -- прогнозирование -- процедуры прогнозирования -- методы аналогов -- функции -- формулы -- экспертные суждения -- аналоги Аннотация: Рассматривается проблема прогнозирования временных рядов по коротким выборкам данных. |
539.19 Ч 494 Черноплеков, Н. А. Сверхпроводниковые технологии [Текст] : современное состояние и перспективы практического применения / Н. А. Черноплеков // Вестник Российской академии наук. - 2001. - Т.71,N4 . - ISSN 0869-5873
Рубрики: Физика--Молекулярная физика Энергетика--Электротехника Радиоэлектроника--Электроника Кл.слова (ненормированные): полупроводниковые материалы -- сверхпроводники -- сверхпроводимость -- низкотемпературная -- сверхпроводящие материалы -- наукоемкие технологии -- провода -- ленточные провода -- изоляция -- электротехника -- силовая сверхпроводимость -- сильноточные технологии -- электроника сверхпроводниковая -- электронные приборы Аннотация: В развитии техники большие надежды связаны с созданием электротехнического оборудования в сверхпроводниковом исполнении.Автор,чл.-кор.РАН,рассказывает о новом поколении сверхпроводниковых технологий.Публикуется его научное сообщение и материалы дискуссии,состоявшейся в Президиуме РАН. Доп.точки доступа: Осипьян, Ю.А.; Гапонов, С.В.; Фортов, В.Е.; Андреев, А.Ф. |
537 В 275 Велихов, Е. П. Наноэлектронные приборы и технологические процессы [Текст] / Е. П. Велихов // Вестник Российской академии наук. - 2003. - Т.73,N5. - Библиогр.:14 назв. . - ISSN 0869-5873
Рубрики: Радиоэлектроника--Электричество и магнетизм--Электроника Кл.слова (ненормированные): ИМПРИНТ -- кристаллы -- литография -- нанообъекты -- наноэлектронные приборы -- технологические процессы Аннотация: Важнейший процесс в микро- и наноэлектронных процессах - литография.Наряду с оптической литографией получили развитие методы,с помощью которых уже теперь формируются отдельные наноструктуры и прототипы устройств на наноэлектронных приборах - ИМПРИНТ и электронная литография. |
537 О 257 Обсуждение [Текст] // Вестник Российской академии наук. - 2003. - Т.73,N5 . - ISSN 0869-5873
Рубрики: Радиоэлектроника--Квантовая электроника--Материаловедение--Общая радиотехника Кл.слова (ненормированные): акдемики -- алмазные материалы -- выступления -- доклады -- кластеры -- магнитострикция -- миниатюризация -- нанокомпозиты -- наноматериалы -- наноразмерные вещества -- наностол -- нанотехнологии -- нанотрубки -- наноэлементы -- наука -- обсуждения -- субмикрокристаллические материалы Аннотация: Представлены выступления академиков, чл.-корреспондентов РАН и докторов наук, принявших участие в обсуждении докладов, посвященных фундаментальным проблемам науки о веществах, материалах и функциональных устройствах в наноразмерном состоянии. Доп.точки доступа: Моисеев, И.И.; Климов, Д.М.; Спицын, Б.В.; Котов, Ю.А.; Русанов, А.И.; Микаэлян, А.Л.; Алфимов, В.В.; Раховский, В.И.; Лопота, В.А. |
001(09) К 350 Кеменов, В. П. [Рецензия] [Текст] / В. П. Кеменов // Вестник Российской академии наук. - 2004. - Т. 74, N 3. - Владимир Козьмич Зворыкин Зворыкин. - Рец. на кн.: Борисов В. П. Владимир Козьмич Зворыкин.- М.: Наука, 2002.- 150 с. . - ISSN 0869-5873
Рубрики: Наука. Науковедение--История науки--Электроника Кл.слова (ненормированные): рецензии -- биографии -- эмигранты -- электронное телевидение -- фотоэлектронные умножители -- электронно-оптические преобразователи -- преобразователи -- изобретатели -- русские ученые -- ученые Аннотация: Книга - по существу первое достаточно полное описание жизни и деятельности Владимира Козьмича Зворыкина (1889-1982) . Русскому эмигранту принадлежат фундаментальные изобретения в области электронного телевидения, пионерские разработки в области фотоэлектронных умножителей и электронно-оптических преобразователей, он стал лидером в области применеия электроники в биологии и медицине. Доп.точки доступа: Борисов, В. П. |
001(09) Г 808 Грехов, И. В. Создатель силовой полупроводниковой электроники [Текст] : к 100-летию со дня рождения академика В. М. Тучкевича / И. В. Грехов // Вестник Российской академии наук. - 2004. - Т. 74, N 12 . - ISSN 0869-5873
Рубрики: Наука. Науковедение--История науки Радиоэлектроника--Электроника Кл.слова (ненормированные): исследования -- ученые -- юбилеи -- полупроводники -- полупрводниковая электроника -- диэлектрики -- диэлектрическая электроника -- рентгеновское излучение -- германиевые диоды -- диоды -- реакторы -- тиристоры Аннотация: Академику Владимиру Максимовичу Тучкевичу - ученый, создатель силовой полупроводниковой электроники. Основными направлениями его работы были исследования электрических свойств диэлектриков и воздействия на них рентгеновского излучения; под его руководством были сделаны первые в стране мощные германиевые диоды, первые полупроводниковые устройства для бесперебойного питания реакторов атомных подводных лодок; проводились работы по созданию мощных тиристоров. Доп.точки доступа: Тучкевич, В. М. |
621.38 З 430 Звездин, А. К. Вольт-амперные характеристики спинового полуметаллического транзистора [Текст] / А. К. Звездин, А. С. Мищенко, А. В. Хвальковский // Журнал технической физики. - 2003. - Т.73,N4. - Библиогр.: 29 назв. . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Радиоэлектроника--Электроника Кл.слова (ненормированные): спиновые полуметаллические транзисторы -- спиновые транзисторы -- транзисторы -- ферромагнитные полуметаллы Аннотация: Предложена новая конструкция спинового транзистора на основе ферромагнитных полуметаллов, называемого спиновым полуметаллическим транзистором, и теоретически исследованы его вольт-амперные характеристики. Новое устройство подобно биполярному транзистору способно усиливать ток. В то же время свойства спинового полуметаллического транзистора кардинально зависят от взаимной ориентации намагниченностей трех его контактов. Также в работе предложен Fuparrow-Fdownarrow-переход. Это устройство состоит из двух однодоменных полуметаллических частей с противоположными направлениями намагниченности. В некотором диапазоне напряжений вольт-амперные характеристики Fuparrow-Fdownarrow-перехода и полупроводникового диода схожи между собой. Исследовано поведение Fuparrow-Fdownarrow-перехода при различных условия Доп.точки доступа: Мищенко, А.С.; Хвальковский, А.В. |
621.38 Б 796 Болтовец, Н. С. Межфазные взаимодействия и термодеградация контактных структур TiN[x](TiB[x])-n-n{+}-Si, стимулированные быстрыми термическими отжигами [Текст] / Н. С. Болтовец, В. Н. Иванов [и др.] // Журнал технической физики. - 2003. - Т.73,N4. - Библиогр.: 16 назв. . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Радиоэлектроника--Электроника Кл.слова (ненормированные): барьер Шоттки -- бориды титана -- контактные структуры -- межфазные взаимодействия -- нитриды титана -- термический отжиг -- термодеградация Аннотация: Приведены результаты экспериментальных исследований термической стабильности контактов с барьером Шоттки (БШ) TiN[x](TiB[x])-n-n{+}-Si, Au-TiN[x](TiB[x])-n-n{+}-Si и Au-Ti(Mo)-TiN[x](TiB[x])-n-n[+}-Si, подвергнутых быстрым термическим отжигам в атмосфере водорода при T=400,600 и 800oC. Показано, что структурно-морфологические перестройки в слоях сплавов внедрения (бориды и нитриды титана) и связанные с ними процессы деградации электрофизических характеристик барьера происходят начиная с 600`C. Обсуждаются возможные причины, приводящие к нарушению барьерных свойств слоев нитридов и боридов титана Доп.точки доступа: Иванов, В.Н.; Конакова, Р.В.; Миленин, В.В.; Войциховский, Д.И. |
621.38 Б 269 Барыбин, А. А. Анализ параметрического взаимодействия волн пространственного заряда в тонкопленочных полупроводниковых структурах асимметричного типа на основе арсенида галлия n-типа [Текст] / А. А. Барыбин, А. И. Михайлов // Журнал технической физики. - 2003. - Т.73,N6. - Библиогр.: 22 назв. . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Радиоэлектроника--Электроника Кл.слова (ненормированные): арсенид галлия -- волны пространственного заряда -- параметрическое взаимодействие волн -- тонкие пленки -- тонкопленочные полупроводниковые структуры Аннотация: На основе общей теории, ранее разработанной авторами, проведен анализ параметрического взаимодействия волн пространственного заряда в тонкопленочных полупроводниковых структурах с отрицательной дифференциальной проводимостью в приближении жесткой границы дрейфового потока носителей заряда при условии, что частота низкочастотной накачки равна граничной частоте f[c] усиливаемых волн (в рассматриваемом случае f[c] около 30 GHz). Для структур асимметричного типа общая многомодовая система связанных уравнений сведена к двум дифференциальным уравнениям относительно амплитуд возбуждения основной моды волн пространственного заряда на частоте сигнала omegas и холостой частоте omega[i]=omega[s]-omega[p]. Полученные уравнения численно решены на основе арсенида галлия n-типа. Приводятся результаты анализа полученного решения Доп.точки доступа: Михайлов, А.И. |
539.1/.18 З 127 Забродский, В. В. Результаты испытаний кремниевых фотодиодов в диагностических экспериментах по томсоновскому рассеянию на токамаке "Туман-3М" и в стендовых экспериментах [Текст] / В. В. Забродский, Д. В. Калинина [и др.] // Журнал технической физики. - 2003. - Т.73,N8. - Библиогр.: 6 назв. . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Радиоэлектроника--Электроника--Ядерная физика Кл.слова (ненормированные): Туман-3М (токамак) -- детекторы излучения -- плазма -- токамаки -- томсоновское рассеяние -- фотодиоды Аннотация: Проведены испытания кремниевых фотодиодов в качестве детекторов излучения в диагностическом эксперименте по томсоновскому рассеянию в плазме токамака "Туман-3М". В исследованиях, выполненных на испытательных стендах и путем численного моделирования, проведено сравнение двух типов фотоприемных устройств на основе фотодиодов и лавинных фотодиодов с регистрацией слабых импульсных сигналов разной длительности в присутствии фона стационарной засветки. Для прикладных задач диагностики плазмы токамака, когда фоновое излучение плазмы играет существенную роль, выигрыш чувствительности, обусловленный лавинным усилением, практически исчезает при увеличении длительности регистрируемых сигналов до нескольких сотен наносекунд. Доп.точки доступа: Калинина, Д.В.; Мухин, Е.Е.; Раздобарин, Г.Т.; Суханов, В.Л.; Толстяков, С.Ю.; Тукачинский, А.С. |
621.38 Д 648 Долов, А. М. Применение методики контроля хаоса для устранения автомодуляции в лампе обратной волны [Текст] / А. М. Долов, С. П. Кузнецов // Журнал технической физики. - 2003. - Т.73,N8. - Библиогр.: 20 назв. . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Радиоэлектроника--Электроника Кл.слова (ненормированные): автомодуляция -- лампы обратной волны -- подавление автомодуляции -- хаос Аннотация: Предлагается метод подавления автомодуляции в лампе обратной волны. Для этого вводится дополнительная цепь запаздывающей обратной связи, благодаря чему уровень амплитуды выходного сигнала оказывает влияние на величину поступающего в пространство взаимодействия тока электронного пучка. Результаты численного моделирования демонстрируют возможность увеличения рабочего тока примерно вдвое при сохранении одночастотного режима генерации. Доп.точки доступа: Кузнецов, С.П. |
621.38 Б 194 Бакланов, С. Б. Формирование полярно-чувствительных входных вольт-амперных характеристик симисторной структуры [Текст] / С. Б. Бакланов, Н. Т. Гурин [и др.] // Журнал технической физики. - 2003. - Т.73,N9. - Библиогр.: 4 назв. . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Радиоэлектроника--Электроника Кл.слова (ненормированные): вольт-амперные характеристики -- отрицательное дифференциальное сопротивление -- симисторные структуры -- симисторы Аннотация: Получено семейство входных вольт-амперных характеристик структуры планарно-диффузионного симистора. Предложено объяснение механизма формирования на входной характеристике N-образного участка. Показано, что входная N-образная характеристика в зависимости от полярности напряжения на силовых электродах формируется в разных входных цепях симисторной структуры. Доп.точки доступа: Гурин, Н.Т.; Лычагин, Е.В.; Новиков, С.Г.; Картавенко, А.В.; Костылов, М.А. |
621.38 А 235 Агафонов, А. В. Динамика нарушения магнитной изоляции и самоорганизация электронного потока в магнетронном диоде [Текст] / А. В. Агафонов, В. П. Тараканов, В. М. Федоров // Журнал технической физики. - 2004. - N 1. - Библиогр.: c. 102-103 (35 назв. ) . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Радиоэлектроника--Электроника Кл.слова (ненормированные): магнитная изоляция -- самоорганизация -- электронные потоки -- магнетронные диоды -- обратная бомбардировка -- нарушение магнитной изоляции Аннотация: Приведены результаты численного моделирования динамики нестабильности типа обратной бомбардировки (ВКВ) в магнетронном диоде (коаксиальный диод в магнитном поле, B=B[0z]=B[0]) . Получен "квазистационарный" режим утечки электронов поперек сильного магнитного поля (B[0]/B[cr]>1. 1, B[cr] - критическое поле изоляции) . Электронный поток в зазоре разбивается в азимутальном направлении на ряд сгустков и создает компоненту электрического поля E[theta] (r, theta, t) . Это поле ускоряет некоторые электроны, и они, получив дополнительную энергию, бомбардируют катод, вызывая вторичную эмиссию электронов. Другие электроны теряют кинетическую энергию и уходят на анод. Неустойчивость поддерживается, если катод имеет малую первичную эмиссию и коэффициент вторичной эмиссии k[es]=I[es]/I[eBKB]>1. Численный расчет сопоставлен с известными экспериментальными данными и показано их согласие. Предложена физическая модель BKB нестабильности. Коллективные колебания заряженных потоков происходят в зазоре со скрещенными электрическим и магнитным полями ( ExB-поле) при обменах импульсом и энергией между электронами и ExB-полем. Автогенерация и самоорганизация потоков происходят благодаря вторичной эмиссии электронов с катода. Перейти: http: //www. ioffe. ru/journals/jtf/2004/01/ Доп.точки доступа: Тараканов, В. П.; Федоров, В. М. |
621.38 А 465 Александров, С. Е. Устройство пирометрического контроля температуры подложки GaAs для установки молекулярно-лучевой эпитаксии [Текст] / С. Е. Александров, Г. А. Гаврилов [и др.] // Журнал технической физики. - 2004. - N 1. - Библиогр.: c. 127 (8 назв. ) . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Радиоэлектроника--Электроника Кл.слова (ненормированные): пирометрический контроль -- арсенид галлия -- молекулярно-лучевая эпитаксия -- подложки -- температура подложки -- оптические пирометры Аннотация: Рассматривается оптический пирометр, специально разработанный для прецизионного контроля температуры GaAs подложки во время эпитаксиального роста в условиях молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ) . Особенностью разработанного устройства является возможность его калибровки на некоторую характерную абсолютную температуру, определяемую визуально по изменению картины дифракции быстрых электронов (ДБЭ) . Это позволяет рассчитать абсолютную температуру подложки с учетом ее излучательной способности и свести к минимуму погрешности определения температуры по излучению, связанные с запылением пирометрического окна установки ростовыми материалами. Перейти: http: //www. ioffe. ru/journals/jtf/2004/01/ Доп.точки доступа: Гаврилов, Г. А.; Капралов, А. А.; Сотникова, Г. Ю.; Черных, Д. Ф.; Алексеев, А. Н.; Дудин, А. Л.; Коган, И. В.; Шкурко, А. П. |
621.38 Ш 978 Шутов, С. В. Напряжения лавинного пробоя n-p-n-транзисторов И{2}Л элементов [Текст] / С. В. Шутов, А. Н. Фролов, А. А. Фролов // Журнал технической физики. - 2004. - Т. 74, N 2. - Библиогр.: c. 129 (4 назв. ) . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Радиоэлектроника--Электроника Кл.слова (ненормированные): транзисторы -- лавинный пробой -- интегральня инжекционная логика Аннотация: Экспериментально проверена методика определения напряжения лавинного пробоя вертикальных переключающих n-p-n-транзисторов И2Л элементов. Перейти: http: //www. ioffe. ru/journals/jtf/2004/02/ Доп.точки доступа: Фролов, А. Н.; Фролов, А. А. |
621.38 Ш 978 Шутов, С. В. Определение толщины базы вертикальных n-p-n-транзисторов И{2}Л элементов по напряжению "gрокола" базы [Текст] / С. В. Шутов, А. Н. Фролов, В. Н. Литвиненко, А. А. Фролов // Журнал технической физики. - 2004. - Т. 74, N 2. - Библиогр.: c. 132 (6 назв. ) . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Радиоэлектроника--Электроника Кл.слова (ненормированные): транзисторы -- база -- толщина базы -- напряжение прокола -- интегральня инжекционная логика Аннотация: Предложен и экспериментально проверен метод определения толщины базовых областей n-p-n-транзисторов И2Л элементов по заданному напряжению "прокола" базы. Изготовлены и исследованы И2Л элементы. Перейти: http: //www. ioffe. ru/journals/jtf/2004/02/ Доп.точки доступа: Фролов, А. Н.; Литвиненко, В. Н.; Фролов, А. А. |
621.38 М 268 Марков, О. И. Повышение эффективности ветви термоэлемента при линейном законе распределения концентрации носителей [Текст] / О. И. Марков // Журнал технической физики. - 2004. - Т. 74, N 2. - Библиогр.: c. 140 (5 назв. ) . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Радиоэлектроника--Электроника Кл.слова (ненормированные): термоэлементы -- температурные поля -- ветви термоэлементов -- термоэлектрическая добротность Аннотация: Численно решена одномерная граничная задача по определению стационарного температурного поля ветви термоэлемента в режиме максимального температурного перепада в интервале температур горячего конца ветви 100-300 K. В расчете учтены эффект Томсона, распределенный эффект Пельтье и температурная зависимость подвижности носителей заряда. Проведена оптимизация по току и концентрации носителей. Перейти: http: //www. ioffe. ru/journals/jtf/2004/02/ |
621.38 Н 553 Несмелова, И. М. Неохлаждаемые термочувствительные элементы на основе кристаллических полупроводников [Текст] / И. М. Несмелова, Н. П. Цицина, В. А. Андреев // Журнал технической физики. - 2004. - Т. 74, N 2. - Библиогр.: c. 143 (4 назв. ) . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Радиоэлектроника--Электроника Кл.слова (ненормированные): термочувствительные элементы -- антимонид индия -- болометрические элементы Аннотация: На примере монокристаллов антимонида индия рассмотрена возможность создания неохлаждаемых термочувствительных элементов для ИК области спектра. Рассчитаны оптимальные электрические параметры InSb для получения болометрических элементов с максимальной чувствительностью. Результаты расчета сравниваются с экспериментальными данными, полученными на термодатчиках из антимонида индия. Перейти: http: //www. ioffe. ru/journals/jtf/2004/02/ Доп.точки доступа: Цицина, Н. П.; Андреев, В. А. |