539.19 Р 953 Рысбаев, А. С. Изменение вторично-эмиссионных свойств поверхности монокристаллов Si при ионной имплантации и последующем отжиге [Текст] / А. С. Рысбаев // Радиотехника и электроника. - 2001. - Т.46,N7. - Библиогр.:с.885 (5 назв.) . - ISSN 0033-8494
Кл.слова (ненормированные): вторичная электронная эмиссия -- имплантация ионов -- ионная имплантация -- монокристаллы Si Аннотация: Методами электронной спектроскопии и дифракции медленных электронов исследовано состояние и вторично-эмиссионные свойства монокристаллов Si(111) и Si(100), легированных низкоэнергетичными (Е - 0.5-5 кэВ) ионами Ва и щелочных элементов с различной дозой облучения. Показано, что имплантация малых доз ионов в Si приводит к уменьшению коэффициента вторичной электронной эмиссии @, что объясняется разупорядочением кристаллической структуры поверхности. Отжиг ионно-имплантированного Si при Т=600...750 К в течение 5-7 мин. приводит к созданию монокристаллических пленок силицидов металлов, обладающих стабильными вторично-эмиссионными свойствами. Перейти: http://www.maik.ru |
539.2 А 91 Астахов, В. П. Исследование планарных фотодиодных структур на кристаллах InSb методом наведенного тока [Текст] / В. П. Астахов, М. В. Астахов, В. В. Карпов, Е. Б. Якимов // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. - 2007. - N 1. - С. 50-54 . - ISSN 0207-3528
Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): планарные фотодиодные структуры -- фотодиодные структуры -- кристаллы InSb -- метод наведенного тока -- имплантация ионов -- анодное окисление -- защита поверхности Аннотация: Методом наведенного тока исследованы многоэлементные планарные фотодиодные структуры на кристаллах InSb, полученные с применением имплантации ионов Ве{+} при формировании p{+}-n{-}-перехода и анодного окисления для защиты поверхности. Обнаружено влияние степени легирования исходных кристаллов на распределение наведенного тока по поверхности кристаллов за пределами планарных границ p{+}-n{-}-переходов. Показано, что наиболее совершенные p{+}-n{-}-переходы формируются на наиболее высокоомных кристаллах при применении наименьших из использованных энергий и доз имплантации, а также постимплантационного импульсного фотонного отжига. Произведены оценки величин диффузионной длины во всех типах изучавшихся структур. Обнаружена зависимость степени зарядки анодного оксида электронным пучком от состава электролита при анодировании. Доп.точки доступа: Астахов, М. В.; Карпов, В. В.; Якимов, Е. Б. |
539.2 А 910 Астахов, В. П. Исследование планарных фотодиодных структур на кристаллах InSb методом наведенного тока [Текст] / В. П. Астахов, М. В. Астахов, В. В. Карпов, Е. Б. Якимов // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. - 2007. - N 1. - С. 50-54 . - ISSN 0207-3528
Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): планарные фотодиодные структуры -- фотодиодные структуры -- кристаллы InSb -- метод наведенного тока -- имплантация ионов -- анодное окисление -- защита поверхности Аннотация: Методом наведенного тока исследованы многоэлементные планарные фотодиодные структуры на кристаллах InSb, полученные с применением имплантации ионов Ве{+} при формировании p{+}-n{-}-перехода и анодного окисления для защиты поверхности. Обнаружено влияние степени легирования исходных кристаллов на распределение наведенного тока по поверхности кристаллов за пределами планарных границ p{+}-n{-}-переходов. Показано, что наиболее совершенные p{+}-n{-}-переходы формируются на наиболее высокоомных кристаллах при применении наименьших из использованных энергий и доз имплантации, а также постимплантационного импульсного фотонного отжига. Произведены оценки величин диффузионной длины во всех типах изучавшихся структур. Обнаружена зависимость степени зарядки анодного оксида электронным пучком от состава электролита при анодировании. Доп.точки доступа: Астахов, М. В.; Карпов, В. В.; Якимов, Е. Б. |
621.3 К 906 Кульбачинский, В. А. Ферромагнетизм и аномальный транспорт в GaAs, легированном имплантацией ионов Mn и Mg [Текст] / В. А. Кульбачинский, П. В. Гурин [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2007. - Т. 41, Вып. 6. - С. 674-678 . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика--Электротехника Кл.слова (ненормированные): GaAs -- легирование -- имплантация ионов -- ферромагнетизм -- аномальный транспорт -- эффект Холла -- Холла эффект Аннотация: Синтезированы и исследованы слои GaAs, легированного имплантацией ионов Mn, а также ионов Mg для увеличения концентрации дырок. Измерения с помощью SQUID-магнетометра показали наличие ферромагнетизма при температурах до 400 K, что связывается с образованием в результате высокотемпературного отжига наряду с твердым раствором Ga[1-x]Mn[x]As кластеров MnAs и Mn[y]Ga[1-y]. При температурах от 4. 2 до 200 K наблюдался аномальный эффект Холла. При увеличении температуры от 4. 2 K колоссальное отрицательное магнетосопротивление переходило в гигантское положительное при T? 35 K. Доп.точки доступа: Гурин, П. В.; Данилов, Ю. А.; Малышева, Е. И.; Horikoshi, Y.; Onomitsu, K. |
621.3 С 544 Соболев, Н. А. Дислокационная люминесценция, возникающая в монокристаллическом кремнии после имплантации ионов кремния и последующего отжига [Текст] / Н. А. Соболев, А. М. Емельянов [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2007. - Т. 41, Вып. 5. - С. 555-557 . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика--Электротехника Кл.слова (ненормированные): монокристаллический кремний -- кремний -- люминесценция -- дислокационная люминесценция -- имплантация ионов Аннотация: Установлено, что имплантация ионов кремния с энергией 100 кэВ и дозой 1 10\{17\} см\{-2\} в выращенный методом бестигельной зонной плавки Si n-типа проводимости не приводит к формированию аморфного слоя. Последующий отжиг в хлорсодержащей атмосфере при температуре 1100 C сопровождается появлением дислокационной люминесценции. Интенсивность доминирующей линии D1 с максимумом на длине волны ~ 1. 54 мкм возрастает с увеличением времени отжига от 15 до 60 мин. Доп.точки доступа: Емельянов, А. М.; Сахаров, В. И.; Серенков, И. Т.; Шек, Е. И.; Тетельбаум, Д. И. |
621.3 С 544 Соболев, Н. А. Кремниевые светодиоды с дислокационной люминесценцией при комнатной температуре, изготовленные имплантацией ионов эрбия и газофазного осаждения поликристаллических слоев кремния, сильно легированных бором и фосфором [Текст] / Н. А. Соболев, А. М. Емельянов [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2007. - Т. 41, Вып. 5. - С. 635-638 . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика--Электротехника Кл.слова (ненормированные): светодиоды -- кремниевые светодиоды -- дислокационная люминесценция -- люминесценция -- имплантация ионов -- эрбий -- газофазное осаждение -- поликристаллические слои -- легирование Аннотация: Изготовлены светодиоды, в которых оптически активные центры образуются при имплантации в кремний ионов эрбия и последующем высокотемпературном отжиге в окисляющей атмосфере, а p-n-переход и омический контакт формируются путем газофазного осаждения поликристаллических слоев кремния, легированных бором и фосфором соответственно. Исследованы люминесцентные свойства светодиодов. Применение поликристаллических слоев позволяет избежать потерь в толще светоизлучающего слоя Si : Er, которые неизбежны при использовании традиционых методов ионной имплантации и диффузии. При 80 K трансформация спектров электролюминесценции в области дислокационной люминесценции в зависимости от тока хорошо описывается при разложении спектра на три гауссовы кривые, положения максимумов которых и их ширины не зависят от тока, а амплитуды линейно возрастают с током. При 300 K в области дислокационной люминесценции наблюдается один максимум с длиной волны ~1. 6 мкм. Доп.точки доступа: Емельянов, А. М.; Забродский, В. В.; Забродская, Н. В.; Суханов, В. Л.; Шек, Е. И. |
Формирование наноразмерных частиц карбида кремния и алмазов в поверхностном слое кремниевой мишени при короткоимпульсной имплантации ионов углерода [Текст] / Г. Е. Ремнев [и др. ] // Журнал технической физики. - 2009. - Т. 79, N 4. - С. 156-158. - Библиогр.: c. 158 (9 назв. ) . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): карбид кремния -- наночастицы -- алмазы -- имплантация ионов -- ионная имплантация Аннотация: Представлены результаты исследования синтеза наноразмерных частиц карбида кремния и алмазов при короткоимпульсной имплантации ионов углерода и протонов в кремниевую мишень. Эксперименты проведены с использованием источника импульсных мощных ионных пучков "ЕМП" на основе магнитоизолированного диода с радиальным магнитным полем Br. Параметры пучка: энергия ионов 300 keV, длительность импульса 80 ns, состав пучка ионы углерода и протоны, плотность ионного тока 30 A/cm{2}. В качестве мишени использованы пластины монокристаллического кремния. При последовательном воздействии более 100 импульсов наблюдалось формирование в поверхностном слое кремния наноразмерных частиц SiC и наноалмазов. Средний размер области когерентного рассеяния частиц SiC и наноалмазов 12-16 и 8-9 nm соответственно. Доп.точки доступа: Ремнев, Г. Е.; Иванов, Ю. Ф.; Найден, Е. П.; Салтымаков, М. С.; Степанов, А. В.; Штанько, В. Ф. |
Оценка возможности определения электрофизических характеристик Cd[x]Hg[1-x]Te р{+} -п-структур методом дифференциальных холловских измерений [Текст] / А. В. Войцеховский [и др. ] // Известия вузов. Физика. - 2009. - Т. 52, N 5. - С. 3-8. - Библиогр.: c. (назв. ) . - ISSN 0021-3411
Рубрики: Физика Физические приборы и методы физического эксперимента Физика полупроводников и диэлектриков Кл.слова (ненормированные): CdxHg1-xTe -- имплантация ионов -- матричные фотоприемники -- электрофизические характеристики -- эпитаксиальные пленки Аннотация: В работе проведено численное моделирование процесса восстановления профиля распределения концентрации дырок в р{+}-п-структуре методом дифференциальных холловских измерений после имплантации ионов As{+} (Е = 190 кэВ, D = З 10{14}см{2}, j = 0, 025 мкА/см{2}) в эпитаксиальные пленки Cd[x]Hg[1-x]Te для х ~ 0, 2, с исходной концентрацией и подвижностью электронов n = 10{14}см{-3} и мю = 2 10{5} см{2} B{-1} c{-1}. Рассчитаны зависимости степени восстановления профиля распределения концентрации дырок от толщины шунтирующего п-слоя и величины магнитного поля, при котором производится измерение электрофизических параметров р{+} -n-структуры. Определена зависимость от толщины n-слоя предельного магнитного поля, определяющего диапазон магнитных полей для измерений. Показано, что при определении профиля распределения концентрации дырок по модели Петрица в расчетах необходимо использовать значения проводимости, измеренные при тех же магнитных полях, что и коэффициент Холла. Доп.точки доступа: Войцеховский, А. В.; Васильев, В. В.; Григорьев, Д. В.; Романов, И. В. |
Соболев, Н. А. Инженерия дефектов в имплантационной технологии кремниевых светоизлучающих структур с дислокационной люминесценцией [Текст] : обзор / Н. А. Соболев // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып: вып. 1. - С. 3-25 : ил. - Библиогр.: с. 23-25 (94 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Проводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): имплантация -- ионная имплантация -- светоизлучающие структуры -- СИС -- кремниевые светоизлучающие структуры -- люминесценция -- электролюминесценция -- ЭЛ -- фотолюминесценция -- ФЛ -- дислокационная люминесценция -- ДЛ -- длина волны -- инженерия дефектов -- образование дефектов -- спектры -- полупроводниковые приборы -- имплантация ионов -- Er -- эрбий -- Dy -- диспрозий -- Ho -- гольмий -- O -- кислород -- Si -- кремний -- светодиды -- СД -- кремниевые светодиоды -- собственные точечные дефекты -- СТД -- протяженные структурные дефекты -- петли Франка -- Франка петли -- отжиг -- люминесцентные центры -- температура -- хлорсодержащая атмосфера -- ХСА -- твердофазная эпитаксия -- ТФЭ -- жидкофазная эпитаксия -- ЖФЭ -- обзоры Аннотация: Обобщаются результаты по развитию физических основ технологии, основанной на ионной имплантации, для разработки кремниевых светоизлучающих структур с дислокационной люминесценцией на область длин волн вблизи ~1. 6 мкм. Развитие концепции инженерии дефектов в технологии полупроводниковых приборов позволило установить закономерности процесса образования дефектов и выявить особенности, возникающие в спектрах излучения при изменении условий имплантации ионов Er, Dy, Ho, O, Si и последующего отжига, и создавать светоизлучающие структуры с желательным спектром люминесцентных центров и протяженных структурных дефектов. Найдены технологические условия, при которых в светоизлучающем слое вводится только один тип протяженных структурных дефектов (петли Франка, совершенные призматические петли или чисто краевые дислокации), что позволило исследовать корреляцию между концентрацией протяженных дефектов определенного типа и интенсивностью линий дислокационной люминесценции. Выявлена определяющая роль собственных точечных решеточных дефектов в зарождении и трансформации протяженных структурных дефектов и люминесцентных центров, ответственных за дислокационную люминесценцию. Установлено, что эффективность возбуждения люминесценции представляющих наибольший интерес для практического применения так называемых центров D1 изменяется более чем на 2 порядка в структурах, приготовленных разными технологическими методами. Изготовлены высокоэффективные кремниевые светодиоды с дислокационной люминесценцией при комнатной температуре. |
Высокотемпературный радиационно стойкий выпрямитель на основе p{+}-n-переходов в 4H-SiC, ионно-легированном алюминием [Текст] / Е. В. Калинина [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып: вып. 6. - С. 807-816 : ил. - Библиогр.: с. 815-816 (55 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): имплантация ионов -- эпитаксиальные слои -- химическое осаждение -- метод химического осаждения -- быстрый термический отжиг -- БТО -- термоотжиг -- ионное легирование -- ИЛ -- радиационные дефекты -- низкотемпературный отжиг -- p-n переходы -- 4H-SiC -- выпрямители -- вольт-амперные характеристики -- ВАХ -- алюминий Аннотация: Сочетание высокодозовой (5x10{16} см{-2}) имплантации ионов Al в эпитаксиальные слои 4H-SiC n-типа, выращенные методом химического осаждения из газовой фазы, и быстрого (15 с) термического отжига при 1700-1750{o}C формирует слои с прямоугольным профилем примеси по механизму твердофазной эпитаксиальной кристаллизации. Совместное действие эффектов ускоренной диффузии радиационных дефектов при имплантации и геттерирования дефектов при отжиге приводит к улучшению качества исходного материала, что обеспечивает увеличение диффузионной длины неосновных носителей заряда в несколько раз. В SiC при воздействии различных видов радиации образуются метастабильные состояния, отжигаемые в различных температурных интервалах. Низкотемпературный отжиг радиационных дефектов увеличивает радиационный и временной ресурс приборов при облучении. Высокотемпературный отжиг радиационных дефектов позволяет изменять время жизни неравновесных носителей заряда, т. е. частотный диапазон приборов. Радиационная стойкость SiC-приборов увеличивается с ростом рабочей температуры до 500{o}C. Доп.точки доступа: Калинина, Е. В.; Коссов, В. Г.; Яфаев, Р. Р.; Стрельчук, А. М.; Виолина, Г. Н. |
Влияние имплантации ионов Cr+ и импульсного ионного отжига на формирование и оптические свойства гетероструктур Si/CrSi[2]/Si (111) [Текст] / Н. Г. Галкин [и др. ] // Журнал технической физики. - 2010. - Т. 80, N 7. - С. 122-130. - Библиогр.: c. 130 (21 назв. ) . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): имплантация ионов -- ионная имплантация -- ионный отжиг -- гетероструктуры -- импульсный ионный отжиг -- кремний -- монокристаллический кремний -- приповерхностные области -- сверхвысоковакуумная очистка -- оптическая отражательная спектроскопия -- спектроскопия комбинационного рассеяния -- хром -- дисилицид хрома -- преципитаты -- эпитаксиальное ориентирование -- поликристаллические преципитаты -- атомарночистые поверхности -- молекулярно-лучевая эпитаксия Аннотация: Впервые исследовано влияние импульсного ионного отжига (ИИО) на морфологию, структуру и фазовый состав поверхности образцов монокристаллического Si (111), которые были имплантированы ионами хрома (Cr+) с дозами от 6 10{15} до 6 10{16} cm{-2}, и на последующий рост кремния. Показано, что ИИО приводит к перераспределению атомов хрома в приповерхностной области кремния и к синтезу поликристаллических преципитатов дисилицида хрома (CrSi[2]). Установлено, что сверхвысоковакуумная (СВВ) очистка при температуре 850{o}C образцов кремния после имплантации и ИИО приводит к формированию атомарночистой поверхности с развитым рельефом. Рост кремния методом молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ) приводит к эпитаксиальному ориентированию трехмерных островков кремния и постепенному их срастанию при толщине слоя около 100 nm и дозах имплантации до 10{16} cm{-2}. Повышение дозы имплантации приводит к росту поликристаллического кремния. По данным спектроскопии комбинационного рассеяния света (КРС) и оптической отражательной спектроскопии, внутри кремния формируются преципитаты полупроводникового CrSi[2], которые диффузионно перемещаются в слой кремния в процессе его роста. Доп.точки доступа: Галкин, Н. Г.; Горошко, Д. Л.; Галкин, К. Н.; Ваванова, С. В.; Петрушкин, И. А.; Маслов, А. М.; Баталов, Р. И.; Баязитов, Р. М.; Шустов, В. А. |
Микушкин, В. М. Химическое действие пучка инертного аргона на нитридный нанослой, сформированный ионной имплантацией поверхности GaAs [Текст] / В. М. Микушкин // Письма в "Журнал технической физики". - 2010. - Т. 36, вып: вып. 24. - С. 40-47 : ил. - Библиогр.: с. 47 (14 назв. ) . - ISSN 0320-0116
Рубрики: Физика Газы и жидкости Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): аргон -- инертный аргон -- пучки аргона -- химические действия -- нанослои -- нитридные нанослои -- ионы -- имплантация ионов -- спектроскопия -- оже-спектроскопия -- электронная спектроскопия -- электронная оже-спектроскопия -- метод электронной оже-спектроскопии -- азот -- химические состояния -- энергии -- химические фазы -- твердые растворы -- оже-переходы -- уровни Ферми -- Ферми уровни -- нитридные слои -- каскадное перемешивание -- полупроводники -- широкозонные полупроводники -- узкозонные полупроводники Аннотация: Методом электронной оже-спектроскопии исследованы состав и химическое состояние азота нитридного нанослоя, полученного на поверхности GaAs (100) имплантацией ионов N{+}[2] с энергией E[i]=2. 5 keV. Установлено, что помимо GaN в нитридном слое формируется химическая фаза твердого раствора GaAsN. Определены энергии оже-переходов NKVV в этих фазах, равные E[A] (GaN) =379. 8± 0. 2 eV и E[A] (GaAsN) =382. 8± 0. 2 eV относительно уровня Ферми, что позволило установить распределение азота в фазах: [N (GaN) ]=70% и [N (GaAsN) ]=30%. Обнаружено химическое действие пучка ионов аргона на нитридный слой, связанное с каскадным перемешиванием материала. Пучок аргона изменяет распределение азота в указанных фазах на противоположное. В результате формируется нанослой с доминированием фазы не широкозонного GaN, а узкозонного GaAsN полупроводника. |
Рекристаллизация с границы раздела кремний-сапфир как новый метод получения структурно совершенных пленок кремния на сапфировой подложке [Текст] / П. А. Александров [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып: вып. 10. - С. 1433-1435 : ил. - Библиогр.: с. 1435 (11 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): границы раздела -- сапфир -- пленки кремния -- сапфировые подложки -- кремниевые слои -- рекристаллизация -- твердофазная рекристаллизация -- дефекты -- рентгеновская дифракция -- КНС -- кремний на сапфире -- аморфные слои -- имплантация ионов -- отжиг Аннотация: Использование процесса твердофазной рекристаллизации в значительной степени уменьшает количество дефектов в кремниевом слое. Аморфный слой создавался имплантацией ионов кремния. Кристаллическое качество КНС-структур оценивалось методом высокоразрешающей двухкристальной рентгеновской дифракции. Высококачественные кремниевые слои с толщиной d=1000-2500 Angstrem получались после имплантации ионов кремния (с энергией 150 кэВ) и последующего высокотемпературного отжига. Доп.точки доступа: Александров, П. А.; Демаков, К. Д.; Шемардов, С. Г.; Кузнецов, Ю. Ю. |
Управление длиной волны излучения квантовых ям InGaAs/GaAs и лазерных структур на их основе с помощью протонного облучения [Текст] / С. А. Ахлестина [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 46, вып: вып. 11. - С. 1494-1497 : ил. - Библиогр.: с. 1497 (8 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): гетероструктуры -- InGaAs/GaAs -- квантовые ямы -- КЯ -- лазерные структуры -- длина волны -- протонное облучение -- облучение протонами -- термический отжиг -- температура отжига -- лазерное излучение -- имплантация ионов -- границы раздела -- ионы Аннотация: Исследованы особенности управления длиной волны излучения лазерных гетероструктур с напряженными квантовыми ямами InGaAs/GaAs посредством облучения протонами средних энергий (до 150 кэВ). Установлено, что облучение ионами H{+} и последующий термический отжиг при температуре 700{o}C позволяют уменьшить длину волны излучения квантовых ям. С ростом дозы ионов от 10{13} до 10{16} см{-2} величина изменения длины волны увеличивается до 20 нм. При этом начиная с дозы 10{15} см{-2} наблюдается значительное уменьшение интенсивности излучения. Определены оптимальные дозы ионов H{+} (6 x 10{14} см{-2}) и температура отжига (700{o}C) для модифицирования лазерных структур InGaAs/GaAs/InGaP и показано, что в этом случае можно получить сдвиг ~8-10 нм длины волны лазерного излучения с малыми потерями интенсивности при сохранении качества поверхности лазерных структур. Наблюдаемый "синий" сдвиг обусловлен стимулированными имплантацией процессами перемешивания атомов Ga и In на границах раздела InGaAs/GaAs. Доп.точки доступа: Ахлестина, С. А.; Васильев, В. К.; Вихрова, О. В.; Данилов, Ю. А.; Звонков, Б. Н.; Некоркин, С. М. |
Формирование и "белая" фотолюминесценция нанокластеров в пленках SiO[x], имплантированных ионами углерода [Текст] / А. И. Белов [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 46, вып: вып. 11. - С. 1498-1503 : ил. - Библиогр.: с. 1503 (31 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): фотолюминесценция -- ФЛ -- нанокластеры -- ионы углерода -- кластеры -- нанокристаллы -- высокотемпературный отжиг -- отжиг -- оксид кремния -- SiOx -- имплантация ионов -- рентгеновская фотоэлектронная спектроскопия -- РФЭС -- метод рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии Аннотация: Приведены экспериментальные данные по ионному синтезу нанокомпозитных слоев с углеродсодержащими кластерами и нанокристаллами Si при облучении пленок нестехиометрического оксида кремния SiO[x] ионами углерода с последующим высокотемпературным отжигом. Показано, что при достаточно больших дозах C{+} пленки обладают фотолюминесценцией в области спектра, охватывающей весь видимый диапазон и ближнюю инфракрасную область. Формирование указанных кластеров и нанокристаллов подтверждается методом рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии, причем распределение углерода практически воспроизводит расчетный профиль пробегов ионов, т. е. отсутствует заметное диффузионное перераспределение этого элемента. Предложена качественная модель слоистого строения ионно-синтезированных структур. Доп.точки доступа: Белов, А. И.; Михайлов, А. Н.; Николичев, Д. Е.; Боряков, А. В.; Сидорин, А. П.; Грачев, А. П.; Ершов, А. В.; Тетельбаум, Д. И. |
539.2 Б 419 Бейсенханов, Н. Б. Кристаллизация beta-SiC в тонких слоях SiC[x] (x=0. 03-1. 4), синтезированных многократной имплантацией ионов углерода в кремний [Текст] / Н. Б. Бейсенханов // Журнал технической физики. - 2011. - Т. 81, N 2. - С. 118-125. - Библиогр.: c. 125 (25 назв. ) . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): имплантация ионов -- ионная имплантация -- карбид кремния -- углеродные кластеры -- углеродно-кремниевые кластеры -- распад кластеров -- тетраэдрические связи -- кристаллизация -- оже-электронная спектроскопия -- инфракрасная спектроскопия Аннотация: Методами оже-электронной спектроскопии, рентгеновской дифракции, инфракрасной спектроскопии и атомно-силовой микроскопии исследуются состав и структура однородных слоев SiC[1. 4], SiC[0. 95], SiC[0. 7], SiC[0. 4], SiC[0. 12] и SiC[0. 03], полученных многократной высокодозовой имплантацией ионов углерода с энергиями 40, 20, 10, 5 и 3 keV в кремний. Рассматривается влияние распада углеродных и углеродно-кремниевых кластеров на формирование тетраэдрических связей Si-C и процессы кристаллизации в слоях кремния с высокой и низкой концентрацией углерода. Перейти: http://journals.ioffe.ru/jtf/2011/02/p118-125.pdf |
539.2 О-128 Об особенностях ионно-инициированных процессов при импульсном лазерном осаждении покрытий MoSe[2] в импульсных электрических полях [Текст] / В. Ю. Фоминский [и др.] // Письма в "Журнал технической физики". - 2012. - Т. 38, вып. 14. - С. 86-94 : ил. - Библиогр.: с. 94 (12 назв.) . - ISSN 0320-0116
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): твердосмазочные покрытия -- осаждение покрытий -- лазерное осаждение -- импульсное лазерное осаждение -- ионно-инициированные процессы -- ионные пучки -- энергетические характеристики -- результаты экспериментов -- математическое моделирование -- результаты моделирования -- импульсы положительной полярности -- высоковольтные импульсы -- лазерные мишени -- ионы -- имплантация ионов -- атомы -- фазовый состав -- поверхностные слои -- массоперенос -- термические пики -- нанокомпозитные слои -- гексагональные фазы -- новые методы -- получение покрытий -- процессы получения Аннотация: По результатам экспериментов и математического моделирования определены энергетические характеристики ионного пучка при импульсном лазерном осаждении слоев MoSe[2] в условиях подключения высоковольтных импульсов положительной полярности к лазерной мишени. Показана возможность нанесения покрытий MoSe[2], ассистированного имплантацией ионов с энергией до 100 keV, на {57}Fe-содержащую подложку. Анализ глубинного распределения атомов Mo, Se и {57}Fe и фазового состава поверхностного слоя указывал на доминирование массопереноса в термических пиках и существенное влияние "ударного" воздействия ионов на структуру этого слоя на наноуровне, проявившееся в образовании нанокомпозитного слоя с включениями специфической гексагональной фазы FeSe. Полученные результаты демонстрируют принципиально новые возможности усовершенствованной лазерной методики для регулирования процессов получения твердосмазочных покрытий с улучшенными свойствами. Перейти: http://journals.ioffe.ru/pjtf/2012/14/p86-94.pdf Доп.точки доступа: Фоминский, В. Ю.; Григорьев, С. Н.; Гнедовец, А. Г.; Романов, Р. И. |
621.315.592 В 758 Воротынцев, В. М. Применение имплантации ионов кремния для формирования структурно-совершенных слоев кремния на сапфире [Текст] / В. М. Воротынцев, Е. Л. Шолобов, В. А. Герасимов // Физика и техника полупроводников. - 2011. - Т. 45, вып. 12. - С. 1662-1666 : ил. - Библиогр.: с. 1665 (8 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): имплантация ионов -- ионы кремния -- кремний на сапфире -- КНС -- сапфировые подложки -- кристаллические структуры -- эпитаксиальные слои -- твердофазная рекристаллизация -- кремний на изоляторе -- КНИ -- электрофизические параметры -- структурные параметры -- сравнительный анализ Аннотация: Приведены результаты исследований метода улучшения кристаллической структуры эпитаксиального слоя кремния на сапфировой подложке путем его предварительной аморфизации высокоэнергетическими ионами кремния и последующего восстановления (твердофазной рекристаллизации) до структурно-совершенного монокристаллического состояния. Проведен сравнительный анализ структурных и электрофизических параметров композиций "кремний на сапфире" до и после твердофазной рекристаллизации. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2011/12/p1662-1666.pdf Доп.точки доступа: Шолобов, Е. Л.; Герасимов, В. А. |
535.37 Ф 815 Фотолюминесценция в кремнии, имплантированном ионами эрбия при повышенной температуре [Текст] / Н. А. Соболев [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2011. - Т. 45, вып. 8. - С. 1038-1040 : ил. - Библиогр.: с. 1040 (13 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Физика Люминесценция Кл.слова (ненормированные): фотолюминесценция -- спектры фотолюминесценции -- имплантация ионов -- ионы эрбия -- кремний -- комнатная температура -- отжиг Аннотация: Исследованы спектры фотолюминесценции в кремнии n-типа проводимости после имплантации ионов эрбия при 600 °C и ионов кислорода при комнатной температуре и последующих отжигов при 1100 °C в хлорсодержащей атмосфере. В зависимости от длительности отжигов в спектрах фотолюминесценции при 80 K доминируют линии люминесценции ионов Er{3+} или дислокационной люминесценции. Обнаруженный при этой температуре коротковолновый сдвиг линии дислокационной люминесценции обусловлен проведением имплантации ионов эрбия при повышенной температуре. При комнатной температуре в спектрах наблюдаются линии эрбиевой и дислокационной люминесценции, но доминируют линии краевой люминесценции. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2011/08/p1038-1040.pdf Доп.точки доступа: Соболев, Н. А.; Калядин, А. Е.; Шек, И. Е.; Сахаров, В. И.; Серенков, И. Т.; Вдовин, В. И.; Паршин, Е. О.; Маковийчук, М. И. |
539.2 С 891 Сугаков, В. И. Образование переходов междоузельные атомы - вакансии при имплантации ионов в кристалл [Текст] / В. И. Сугаков // Физика твердого тела. - 2011. - Т. 53, вып. 10. - С. 2023-2031. - Библиогр.: с. 2031 (22 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): переходы -- междоузельные атомы-вакансии -- имплантация ионов -- ионы -- кристаллы -- облучение Аннотация: Проведено моделирование диффузионного движения внедренных в кристалл атомов и точечных дефектов, созданных облучением, в пространстве за областью проективного пробега. Показано, что за областью пробега ионов возникает сильно обедненная вакансиями область, в конце которой появляется пик вероятности процессов рекомбинации междоузельных атомов с вакансиями, а также пик концентрации комплексов вакансий с внедренными атомами. Определяющую роль играют следующие факторы: 1) созданное облучением общее число атомов в междоузельном положении, включая имплантированные атомы и собственные атомы кристалла, превышает число вакансий, созданных облучением; 2) имеются термодинамически равновесные вакансии; 3) образуются неподвижные комплексы имплантированных атомов с вакансиями. Размеры области с чрезвычайно малой концентрацией вакансий могут намного превышать длину пробега ионов и достигать несколько десятков микрометров. Анализируются возможные проявления эффекта. |