001(09) Г 808 Грехов, И. В. Создатель силовой полупроводниковой электроники [Текст] : к 100-летию со дня рождения академика В. М. Тучкевича / И. В. Грехов // Вестник Российской академии наук. - 2004. - Т. 74, N 12 . - ISSN 0869-5873
Рубрики: Наука. Науковедение--История науки Радиоэлектроника--Электроника Кл.слова (ненормированные): исследования -- ученые -- юбилеи -- полупроводники -- полупрводниковая электроника -- диэлектрики -- диэлектрическая электроника -- рентгеновское излучение -- германиевые диоды -- диоды -- реакторы -- тиристоры Аннотация: Академику Владимиру Максимовичу Тучкевичу - ученый, создатель силовой полупроводниковой электроники. Основными направлениями его работы были исследования электрических свойств диэлектриков и воздействия на них рентгеновского излучения; под его руководством были сделаны первые в стране мощные германиевые диоды, первые полупроводниковые устройства для бесперебойного питания реакторов атомных подводных лодок; проводились работы по созданию мощных тиристоров. Доп.точки доступа: Тучкевич, В. М. |
Резников, Б. И. Эффекты ограничения заряда эмиссии фотокатодов при неоднородном освещении [Текст] / Б. И. Резников, А. В. Субашиев // Журнал технической физики. - 2002. - Т.72,N5. - Библиогр.: с. 101 (14 назв.) . - ISSN 0044-4642 Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): полупроводники -- ток эмиссии -- фотокатоды -- фотоэмиссия Аннотация: Теоретически исследована фотоэмиссия из полупроводника с отрицательным электронным сродством для неравномерного распределения интенсивности света на освещаемой поверхности при стационарном и импульсном возбуждении. Показано, что максимальное значение тока эмиссии экспоненциально возрастает с увеличением отношения отрицательного электронного сродства Delta[0] к характерной энергии туннелирования E[0], и найдена интенсивность возбуждения I[opt], соответствующая максимальному току. Неравномерность возбуждения приводит к ослаблению зависимости тока эмиссии от интенсивности вблизи его максимального значения. Время восстановления квантовой эффективности, измеряемое при двухимпульсном возбуждении, слабо зависит от интенсивности и неравномерности распределения интенсивности в пятне и близко ко времени релаксации малых фотонапряжений Доп.точки доступа: Субашиев, А.В. |
Лобзенко, П. В. Влияние термоэлектронной эмиссии на поглощение ультракоротких лазерных импульсов в полупроводниках [Текст] / П. В. Лобзенко, В. А. Новиков, Р. Г. Иришин, Е. А. Евтушенко // Журнал технической физики. - 2002. - Т.72,N1. - Библиогр.: с.75 (9 назв.) . - ISSN 0044-4642 Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): полупроводники -- поглощение излучения -- термоэлектронная эмиссия -- лазерное излучение Аннотация: Рассмотрено взаимодействие интенсивных ультракоротких лазерных импульсов с поверхностью полупроводника с учетом влияния термоэлектронной эмиссии на динамику температур электронной и ионной подсистем полупроводниковой среды. Определены параметры и условия короткоимпульсных воздействий, при которых необходимо учитывать данное явление. Численно реализована полученная расчетная схема, позволяющая решить задачу в трехмерной постановке Доп.точки доступа: Новиков, В.А.; Иришин, Р.Г.; Евтушенко, Е.А. |
535 Л 694 Логинова, М. М. О возможности осцилляций поперечного размера домена высокой концентрации свободных электронов при воздействии короткого светового импульса на полупроводник [Текст] / М. М. Логинова, В. А. Трофимов // Журнал технической физики. - 2004. - Т. 74, N 11. - Библиогр.: c. 126 (6 назв. ) . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Физика--Оптика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): домены -- компьютерное моделирование -- оптическая бистабильность -- оптические импульсы -- осцилляции -- полупроводники Аннотация: На основе компьютерного моделирования продемонстрирована возможность появления осцилляций поперечного размера домена высокой концентрации свободных электронов при воздействии светового импульса на нелинейно поглощающий полупроводник. Результаты компьютерного моделирования подтверждены аналитически на основе исследования устойчивости системы. Перейти: http://www.ioffe.ru/journals/jtf/2004/11/page-123.html.ru Доп.точки доступа: Трофимов, В. А. |
539.2 Д 726 Драпак, С. И. Оптические и электрические свойства пленок прополиса [Текст] / С. И. Драпак, И. Т. Драпак, З. Д. Ковалюк // Журнал технической физики. - 2004. - Т. 74, N 11. - Библиогр.: c. 137 (15 назв. ) . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): биологически активные соединения -- органические полупроводники -- прополис -- фотолюминесценция Аннотация: Исследованы основные оптические и электрические свойства пленок биологически активного органического соединения природного происхождения прополиса. Установлено наличие фотолюминесценции при комнатной температуре с максимумом излучения при 434 nm. Температурная энергия активации проводимости в диапазоне температур 283-300 K составляет 2. 9 eV и находится в коррреляции с оптической шириной запрещенной зоны. Перейти: http://www.ioffe.ru/journals/jtf/2004/11/page-136.html.ru Доп.точки доступа: Драпак, И. Т.; Ковалюк, З. Д. |
Сопинский, Н. В. Использование эффекта взаимодействия пленок серебра и триселенида мышьяка для профилирования голограммных дифракциооных решеток [Текст] / Н. В. Сопинский, П. Ф. Романенко, И. З. Индутный // Журнал технической физики. - 2001. - Т.71,N2. - Библиогр.: с. 76 (13 назв.) . - ISSN 0044-4642 Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): дифракционные решетки -- голограммные дифракционные решетки -- профилированные дифракционные решетки -- дифракционная эффективность -- серебро -- триселенид мышьяка -- халькогенидные стеклообразные полупроводники Аннотация: Приводятся результаты исследований процесса формирования профилированных голограмммных дифракционных решеток с использованием эффекта взаимодействия пленок халькогенидных стеклообразных полупроводников и серебра. С помощью атомно-силового микроскопа определена форма профиля штрихов получаемых таким образов профилированных решеток. Проведено измерение спектральных и угловых зависимостей их дифракционной эффективности, проанализирована связь этих зависимостей с формой рельефа поверхности решетки Доп.точки доступа: Романенко, П.Ф.; Индутный, И.З. |
Роках, А. Г. Об усилении люминесценции в узкозонной фазе гетерогенного полупроводника PbS-CdS [Текст] / А. Г. Роках, Н. Б. Трофимова // Журнал технической физики. - 2001. - Т.71,N7. - Библиогр.: с. 142 (9 назв.) . - ISSN 0044-4642 Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): фотолюминесценция -- гетерогенные полупроводники -- неравновесные носители Аннотация: Показано, что эффект значительного увеличения интенсивности фотолюминесценции PbS при добавлении к нему CdS[1] в условиях образования гетерофазного полупроводника PbS-CdS может быть объяснен отвлечением рекомбинационного потока из широкозонной фазы в узкозонную полем варизонного перехода. Предлагается модель гетерогенного полупроводника, объясняющая "разгорание" люминесценции в системе PbS-CdS. Численными методами исследуются профиль распределения концентрации неравновесных носителей и интегральная интенсивность люминесценции на границе с узкозонной фазой Доп.точки доступа: Трофимова, Н.Б. |
Грицюк, Б. Н. Получение тонких пленок полупроводниковых соединений с применением капиллярных испарителей [Текст] / Б. Н. Грицюк, А. А. Ляхов, С. В. Мельничук, В. Н. Стребежев // Журнал технической физики. - 2001. - Т.71,N9. - Библиогр.: с.57 (14 назв.) . - ISSN 0044-4642 Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): тонкие пленки -- полупроводники -- капиллярные испарители -- термические испарители -- рост пленок Аннотация: Представлены экспериментальные результаты распределения толщины пленки разлагающихся полупроводниковых соединений, полученных с использованием капиллярных испарителей. В приближении вязкого потока получено выражение, описывающее толщину пленки на поверхности подложки в зависимости от расстояния от края капилляра до площадки осаждения и угла между осью капилляра и направлением осаждения Доп.точки доступа: Ляхов, А.А.; Мельничук, С.В.; Стребежев, В.Н. |
621.38 В 573 Владимир Тимофеевич Бублик [Текст] : к 70-летию со дня рождения // Заводская лаборатория. Диагностика материалов. - 2004. - Т. 70, N 9. - Бублик . - ISSN 1028-6861
Рубрики: Радиоэлектроника--Электроника Техника--Материаловедение Кл.слова (ненормированные): материаловедение полупроводников -- микродефекты -- микроэлектроника -- полупроводники -- радиационное воздействие -- сплавы -- сталь -- точечные дефекты -- юбилеи Аннотация: Рассматривается научная и педагогическая деятельность Владимира Тимофеевича Бублика - профессора кафедры материаловедения полупроводников Московского института стали и сплавов. Доп.точки доступа: Бублик, Владимир Тимофеевич профессор, доктор физ.-мат. наук (профессор, доктор физ.-мат. наук ; 1934-) |
621.382 U 88 Usanov, Дмитрий Александрович. Nonlinear Dynamics of Microwave and Optical Semoconductor Oscillators [Text] / D. A. Usanov, A. Skripal [et al.] // Известия вузов. Прикладная нелинейная динамика. - 2002. - Т.10,N3. - Библиогр.: с.168-170 (35 назв.). - Содерж. и анн. на рус. яз. . - ISSN 0869-6632
Рубрики: Энергетика--Электротехника Кл.слова (ненормированные): нелинейная динамика -- полупроводниковые лазеры -- полупроводники -- полупроводниковые генераторы -- оптические генераторы -- СВЧ генераторы -- микроволновое излучение -- автодинный режим -- лазеры Аннотация: Приведены результаты экспериментальных и теоретических исследований нелинейных явлений в полупроводниковых СВЧ и оптических генераторах. Показано, что одной из причин появления разнообразного спектра нелинейных явлений в полупроводниковых устройствах СВЧ-диапазона является изменение вида их вольтамперных характеристик при воздействии мощного мокроволнового излучения на полупроводниковые структуры. Перейти: http://cas.ssu.runnet.ru Доп.точки доступа: Skripal, Скрипаль Александр; Skripal, Скрипаль Анатолий; Abramov, Абрамов Антон; Kletsov, Клецов Алексей |
621.315.592 К 231 Каримов, М. Влияние скорости последиффузионной закалки и термообработки на термостабильность времени жизни носителей заряда в перекомпенсированном n-SiB,S [Текст] / М. Каримов, А. К. Караходжаев // Известия вузов. Физика. - 2001. - Т.44,N7. - Библиогр.: с.56 (13 назв.) . - ISSN 0021-3411
Кл.слова (ненормированные): кремний -- закалка -- термообработка -- время жизни -- перекомпенсированные полупроводники Аннотация: Исследовалось влияние скорости закалки в интервале 0,6-250 град/мин и при повторной термообработке до 1020 К на время жизни носителей заряда тау в перекомпенсированном n-Si Доп.точки доступа: Караходжаев, А.К. |
Перов, А. С. Взаимодействие поверхностных примесных объектов с электронно-дырочной системой полупроводникового кристалла [Текст] / А. С. Перов, А. А. Перов, В. И. Перова // Известия вузов. Физика. - 2001. - Т.44,N11. - Библиогр.: с.38 (2 назв.) . - ISSN 0021-3411 Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): вырожденные полупроводники -- примеси -- электронно-дырочная система Аннотация: Теоретически предсказаны эффекты распада и образования примесных объектов на поверхности сильнолегированного полупроводника при изменении поверхностной концентрации атомов примеси n, из которых образуются примесные объекты. Эффект определяется электростатическим взаимодействием заряженных поверхностных примесных объектов с носителями тока и ионами полупроводника. Он наблюдается в определенном диапазоне значений n при условии, что поверхностные примесные объекты проявляют донорные (акцепторные) свойства, а полупроводник легирован акцепторной (донорной) примесью Доп.точки доступа: Перов, А.А.; Перова, В.И. |
539.12 П 855 Прыкина, Е. Н. Динамика тройных растворов на основе полупроводников A{3}B{5}, A{2}B{6} в модели Китинга [Текст] / Е. Н. Прыкина, Ю. И. Полыгалов, А. В. Копытов // Известия вузов. Физика. - 2002. - Т.45,N8. - Аннотация . - ISSN 0021-3411
Кл.слова (ненормированные): модель Китинга -- полупроводники -- тройные растворы Перейти: http://www.tsu.ru/ru/derision/physics Доп.точки доступа: Полыгалов, Ю.И.; Копытов, А.В. |
621.315.592 В 659 Войцеховский, А. В. (???? 1). Моделирование взаимодействия мощных импульсных пучков ионов с полупроводниковой мишенью кадмий-ртуть-теллур [Текст] / А. В. Войцеховский // Известия вузов. Физика. - 2003. - N8. - Библиогр.: 13 назв. . - ISSN 0021-3411
Рубрики: Энергетика--Использование электрической энергии Кл.слова (ненормированные): кадмий -- полупроводники -- полупроводниковая мишень -- ртуть -- теллур Аннотация: В работе предлагается математическая модель, описывающая взаимодействие мощных импульсных пучков ионов с полупроводниковой мишенью Cd[x]Hg[1-x]Te (кадмий-ртуть-теллур, или КРТ), приводятся результаты численного моделирования и сравнение их с экспериментом Перейти: http://www.tsu.ru/ru/derision/physics.phtml/ |
537.311.322 Д 138 Давыдов, В. Н. Генерационная активность и структурные дефекты приповерхностного слоя кремния [Текст] / В. Н. Давыдов, С. В. Беляев [и др.] // Известия вузов. Физика. - 2003. - Т. 46, N 11. - Библиогр.: 17 назв. . - ISSN 0021-3411
Рубрики: Физика--Электричество и магнетизм Кл.слова (ненормированные): полупроводники -- кремний -- аномальная генерация -- дефектоскопия -- диэлектрики Аннотация: Методом релаксации неравновесной емкости в сочетании с металлографическим методом исследуется взаимосвязь между образованием областей аномальной генерации в МОП-структурах из кремния и структурными нарушениями решетки его приповерхностного слоя. Выяснено, что в зависимости от продолжительности окисления возможно образование указанных областей с широким диапазоном значений их поверхностной концентрации и времени генерации носителей заряда, Наложением картин селективного травления и распределения времени генерации выбранного участка пластины установлено, что за образование областей аномальной генерации ответственны структурные нарушения, выявляемые травителем Сиртла в виде куполообразных фигур. Доп.точки доступа: Беляев, С. В.; Попов, В. В.; Рыбченков, А. А.; Мосейчук, А. Г. |
539.2+537.226 Т 572 Тонконогов, М. П. Квантовые эффекты при термодеполяризации в сложных кристаллах с водородными связями [Текст] / М. П. Тонконогов, М. П. Кукетаев, К. К. Фазылов // Известия вузов. Физика. - 2004. - N 6. - Библиогр.: с. 15 (10 назв. ) . - ISSN 0021-3411
Рубрики: Физика--Физика твердого тела--Электричество и магнетизм Кл.слова (ненормированные): квантовые эффекты -- термодеполяризация -- сложные кристаллы -- кристаллы с водородными связями -- протонные полупроводники -- туннелирование -- туннелирование протонов -- диэлектрическая релаксация -- метод матрицы плотности -- матрица плотности Аннотация: Для описания механизма туннелирования протонов при диэлектрической релаксации применен метод матрицы плотности, в результате чего предложен термоактивационный способ расчета параметров релаксаторов в кристаллах с водородными связями при низких температурах. Доп.точки доступа: Кукетаев, М. П.; Фазылов, К. К. |
621.315.592 Д 211 Даунов, М. И. Электронные фазовые переходы металл-диэлектрик под давлением в полупроводниках [Текст] / М. И. Даунов, И. К. Камилов, С. Ф. Габибов // Известия вузов. Физика. - 2004. - N 3. - Библиогр.: С. 53 ( 35 назв. ) . - ISSN 0021-3411
Рубрики: Энергетика--Электротехника Кл.слова (ненормированные): сильнолегированные компенсированные полупроводники -- полупроводники -- делокализация дырок -- электроны -- фазовые диаграммы Аннотация: Рассматривается влияние всестороннего давления на характер перехода металл-диэлктрик в слаболегированных и сильнолегированных компенсированных полупроводниках. Показано, как сказывается гибридизация резонансных квазилокализованных примесных состояниями зонного континуума на этот переход. Доп.точки доступа: Камилов, И. К.; Габибов, С. Ф. |
539.2.21 В 676 Волков, А. Г. Влияние спиновых и зарядовых флуктуаций на электронную структуру ферромагинтных соединений на основе редкоземельных металлов (на примере EuO [Текст] / А. Г. Волков, К. А. Шумихина, А. А. Повзнер // Известия вузов. Физика. - 2004. - N 10. - Библиогр.: с. 104 (9 назв. ) . - ISSN 0021-3411
Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): спиновые флуктуации -- зарядовые флуктуации -- флуктуации -- ферромагнитные соединения -- редкоземельные металлы -- ферромагинтные полупроводники -- магнитные полупровдники Аннотация: В рамках обобщений fd-модели исследовано влияние на электронную структуру флуктуаций спиновой и зарядовой плотности. Показано, что эти флуктуации ведут к трансформации электронного спектра, а также к перераспределению электронов между f- и d-состояниями, обусловливая электронные фазовые превращения. Установлено, что эти эффекты имеют место как в ферромагинтной, так и в парамагнитной областях. Конкретный анализ выполнен на примере ферромагнитного проводника EuO. Доп.точки доступа: Шумихина, К. А.; Повзнер, А. А. |
537.622:539.216.2 Ф 339 Федосюк, В. М. Барьер Шотки в структурах электроосажденного кобальта на арсениде галлия [Текст] / В. М. Федосюк, В. Шварцатер, О. И. Касютич // Известия вузов. Химия и химическая технология. - 2003. - Т.46,N5. - Библиогр.: 17 назв. . - ISSN 0579-2991
Рубрики: Физика--Физика твердого тела--Электричество и магнетизм Кл.слова (ненормированные): арсенид галлия -- барьер Шотки -- кобальт -- магнитная микроэлектроника -- метод электролитического осаждения -- полупроводники -- полупроводниковые подложки -- серные электролиты -- структуры металл/полупроводник -- сульфаминовокислые электролиты -- электролиты -- электроосаждение кобальта Аннотация: Впервые методом электролитического осаждения Со на подложках монокристаллического GaAs сформированы структуры типа металл/полупроводник, исследованы их структура и контактные свойства. Доп.точки доступа: Шварцатер, В.; Касютич, О.И. |
681.33 Н 761 Новости от Intel [Текст] // Информатика и образование. - 2002. - N6
Рубрики: Вычислительная техника--Программное обеспечение Кл.слова (ненормированные): Intel-компания -- НИОКР-научные исследования и опытно-конструкторские разработки -- ПЭВМ -- зарубежные фирмы -- компьютерные микросхемы -- компьютерные технологии -- научные исследования -- полупроводники Аннотация: Обзор исследований, проводимых компанией Intel в области полупроводников и разработки компьютерных микросхем, позволяющих создать ПЭВМ нового поколения. |