Демарина, Н. В. Электронный транспорт в нанометровых GaAs структурах при радиационном воздействии [Текст] / Н. В. Демарина, С. В. Оболенский // Журнал технической физики. - 2002. - Т.72,N1. - Библиогр.: с.71 (14 назв.) . - ISSN 0044-4642 Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): электронный транспорт -- нанокластеры -- арсенид галлия -- радиационное воздействие Аннотация: Приведены результаты теоретических расчетов и экспериментальных исследований зависимостей электрофизических характеристик n-GaAs при радиационном воздействии Доп.точки доступа: Оболенский, С.В. |
Кузьменко, Р. В. Комбинированные фотоотражательные/фотолюминесцентные измерения для исследования стабильности пассивации поверхности полупроводника [Текст] / Р. В. Кузьменко, А. В. Ганжа, Э. П. Домашевская, П. В. Рясной // Журнал технической физики. - 2002. - Т.72,N2. - Библиогр.: с.86-87 (15 назв.) . - ISSN 0044-4642 Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): арсенид галлия -- лазерное излучение -- пассивация поверхности -- фотолюминесценция -- фотоотражение Аннотация: Для исследования стабильности пассивации поверхности полупроводника впервые предлагается методика комбинированных фотоотражательных/фотолюминесцентных измерений, позволяющая изучить воздействие лазерного излучения и на заряженные, и на рекомбинационно-активные электронные состояния. Эффективность методики демонстрируется на примере пассивированных селеном подложек GaAs Доп.точки доступа: Ганжа, А.В.; Домашевская, Э.П.; Рясной, П.В. |
+ Б 898 Брюшинин, М. А. Объемная и контактная фотоэдс в адаптивных фотоприемниках на основе арсенида галлия [Текст] / М. А. Брюшинин, В. В. Куликов, И. А. Соколов // Журнал технической физики. - 2002. - Т.72,N10. - Библиогр.: с.86 (14 назв.) . - ISSN 0044-4642 Рубрики: Радиоэлектроника--Квантовая электроника--Оптика Кл.слова (ненормированные): арсенид галлия -- фотоприемники -- фотоэдс Аннотация: Исследуются особенности генерации нестационарной фотоэдс в адаптивном фотоприемнике на основе полуизолирующего кристалла GaAs. Рассматриваются одно- и двухчастотные режимы возбуждения. Обнаружено, что для малых пространственных частот интерференционной картины и малых частот фазовой модуляции в датчике возникает значительная контактная составляющая фототока. Так как контактный сигнал оказывается чувствительным к медленному дрейфу фазы интерференционной картины, его присутствие негативно сказывается на адаптивных свойствах устройства. Экспериментально и теоретически показано, что выбором специальных значений амплитуды дополнительной фазовой модуляции и пространственной частоты можно эффективно подавлять сигнал контактной эдс на частоте основной фазовой модуляции. Приведен расчет спектральных компонент сигнала нестационарной фотоэдс при двухчастотном режиме возбуждения Доп.точки доступа: Куликов, В.В.; Соколов, И.А. |
22.37 Л 847 Лундина, Е. Ю. Высокая деградационная стабильность длинноволновых ( 1.25 mu m) лазеров на квантовых точках, выращенных на подложках GaAs [Текст] / Е. Ю. Лундина, Ю. М. Шерняков [и др.] // Журнал технической физики. - 2003. - Т.73,N1. - Библиогр.: с.142 (8 назв.) . - ISSN 0044-4642 Рубрики: Радиоэлектроника--Квантовая электроника--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): арсенид галлия -- деградационная стабильность -- квантовые точки -- лазеры Аннотация: Проведены ускоренные деградационные исследования длинноволновых (>1.25 mum) лазеров на квантовых точках, выращенных на подложках GaAs, при фиксированном токе 1.7 A, начальной выходной оптической мощности около 0.3 W и температуре теплоотвода 60`C. За время испытаний в течение 450 h лазеры не обнаружили признаков деградации, при этом деградационный стенд не был герметически закрыт, продувка инертным газом не производилась и грани лазера не были пассивированы Доп.точки доступа: Шерняков, Ю.М.; Максимов, М.В.; Каяндер, И.Н.; Цацульников, А.Ф.; Леденцов, Н.Н.; Жуков, А.Е.; Малеев, Н.А.; Михрин, С.С.; Устинов, В.М.; Алферов, Ж.И.; Bimberg, D. |
32.85 Т 462 Тихов, С. В. Влияние водорода на фотоэлектрические свойства диодов Шоттки палладий/анодный окисел/арсенид галлия [Текст] / С. В. Тихов, Е. Л. Шоболов, В. В. Подольский, С. Б. Левичев // Журнал технической физики. - 2003. - Т.73,N2. - Библиогр.: с.92 (17 назв.) . - ISSN 0044-4642 Рубрики: Радиоэлектроника--Электроника Кл.слова (ненормированные): арсенид галлия -- водород -- диоды Шоттки -- фотоэдс -- хемасорбция Аннотация: Исследовано влияние водорода на фотоэдс и вольт-амперные характеристики диодов Шоттки палладий/анодный окисел/арсенид галлия. Определены оптимальные значения толщины окисла, при которой диоды имели высокую чувствительность к водороду, и глубина проникновения атомарного водорода в окисел. Установлен механизм воздействия водорода, заключающийся в хемасорбции атомарного водорода на поверхности арсенида галлия, что приводит к уменьшению высоты барьера и увеличению рекомбинационной составляющей тока. Показана неоднородность пленки туннельно-тонкого анодного окисла по толщине и обнаружено увеличение вероятности туннелирования через окисел под действием водорода. Установлено, что регистрация водорода по отклику фотоэдс характеризовалась большей чувствительностью и обнаружительной способностью, но меньшим быстродействием по сравнению с откликом по обратному току Доп.точки доступа: Шоболов, Е.Л.; Подольский, В.В.; Левичев, С.Б. |
539.2 С 895 Сукач, Г. А. Структура и состав пленок нитрида галлия, полученных путем обработки монокристаллов арсенида галлия в атомарном азоте [Текст] / Г. А. Сукач, В. В. Кидалов, М. Б. Котляревский, Е. П. Потапенко // Журнал технической физики. - 2003. - Т.73,N4. - Библиогр.: 10 назв. . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): арсенид галлия -- выращивание пленок -- нитрид галлия -- оже-спектроскопия -- тонкие пленки -- эпитаксиальные слои Аннотация: Выращены тонкие пленки GaN на монокристаллических (001) подложках GaAs путем обработки последних в активных радикалах азота. С примерением вторичной оже-спектроскопии проанализированы профили распределения атомов основных химических элементов, входящих в состав соединений эпитаксиальной пленки GaN и монокристаллической подложки GaAs. Обнаружена существенная нестехиометрия состава пленки GaN на поверхности - избыток азота (~9%), обусловленная присутствием в разрядной камере атомарного азота. Исследовано структурное совершенство эпитаксиальных слоев путем применения высокоразрешающей рентгеновской дифрактографии. Показано, что низкотемпературные процессы (температуры отжига меньше 700`C) способствуют формированию кубической структуры тонких пленок GaN на (001) поверхности кубического GaAs, а более высокотемпературные процессы - гексагональной Доп.точки доступа: Кидалов, В.В.; Котляревский, М.Б.; Потапенко, Е.П. |
22.33 Т 462 Тихов, С. В. Влияние модификации поверхности полупроводника на свойства водородочувствительных диодов Шоттки на арсениде галлия [Текст] / С. В. Тихов, Е. Л. Шоболов, С. Б. Левичев, Н. В. Байдусь // Журнал технической физики. - 2003. - Т.73,N5. - Библиогр.: 16 назв. . - ISSN 0044-4642 Рубрики: Радиоэлектроника--Физика твердого тела--Электроника Кл.слова (ненормированные): арсенид галлия -- водородочувствительность -- диоды Шоттки -- квантовые точки -- квантовые ямы -- модификация поверхности -- травление Аннотация: Установлено, что модификация поверхности полупроводника в водородочувствительных диодах Шоттки на GaAs путем неполирующего травления или введения в область пространственного заряда полупроводника квантовых ям и квантовых точек может увеличивать чувствительность к водороду в 8-37 раз после травления и на два--три порядка после введения квантовых ям и квантовых точек. Показано, что это увеличение связано с уменьшением высоты барьера Pd / GaAs, с задерживанием диффузии водорода в объем GaAs напряженными квантованными слоями и с ростом рекомбинационной составляющей тока. Наличие рекомбинационной составляющей подтверждается электролюминесценцией от квантовых ям и квантовых точек и от GaAs. Для эффекта очувствления после травления определяющим является химический состав травителя Доп.точки доступа: Шоболов, Е.Л.; Левичев, С.Б.; Байдусь, Н.В. |
621.38 Б 269 Барыбин, А. А. Анализ параметрического взаимодействия волн пространственного заряда в тонкопленочных полупроводниковых структурах асимметричного типа на основе арсенида галлия n-типа [Текст] / А. А. Барыбин, А. И. Михайлов // Журнал технической физики. - 2003. - Т.73,N6. - Библиогр.: 22 назв. . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Радиоэлектроника--Электроника Кл.слова (ненормированные): арсенид галлия -- волны пространственного заряда -- параметрическое взаимодействие волн -- тонкие пленки -- тонкопленочные полупроводниковые структуры Аннотация: На основе общей теории, ранее разработанной авторами, проведен анализ параметрического взаимодействия волн пространственного заряда в тонкопленочных полупроводниковых структурах с отрицательной дифференциальной проводимостью в приближении жесткой границы дрейфового потока носителей заряда при условии, что частота низкочастотной накачки равна граничной частоте f[c] усиливаемых волн (в рассматриваемом случае f[c] около 30 GHz). Для структур асимметричного типа общая многомодовая система связанных уравнений сведена к двум дифференциальным уравнениям относительно амплитуд возбуждения основной моды волн пространственного заряда на частоте сигнала omegas и холостой частоте omega[i]=omega[s]-omega[p]. Полученные уравнения численно решены на основе арсенида галлия n-типа. Приводятся результаты анализа полученного решения Доп.точки доступа: Михайлов, А.И. |
539.2 Г 681 Гордеев, Ю. С. Модификация GaAs ионами N{+}[2] средних энергий [Текст] / Ю. С. Гордеев, В. В. Брызгалов [и др.] // Журнал технической физики. - 2003. - Т.73,N7. - Библиогр.: 15 назв. . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): арсенид галлия -- ионная имплантация -- оже-спектроскопия -- твердые растворы Аннотация: Методом оже-электронной спектроскопии исследована модификация GaAs под действием пучка смеси ионов N{+}[2] и Ar{+} с энергией 2500 eV. Установлено, что большая часть имплантированных атомов азота химически взаимодействует с матрицей, замещая в ней атомы мышьяка. В результате образуется слой однофазного твердого раствора GaAs[1-x]N[x] (x=6%) толщиной несколько нанометров. Примесь фазы GaN не наблюдается. В слое и на его поверхности присутствуют атомы вытесненного мышьяка и азота, не вступившего в реакцию с матрицей. Первые объединяются в сегрегат, а вторые - в молекулы Доп.точки доступа: Брызгалов, В.В.; Макаренко, Б.Н.; Микушкин, В.М.; Конников, С.Г.; Брунков, П.Н.; Устинов, В.М.; Жуков, А.Е. |
539.2 Л 363 Левин, М. Н. Активация поверхности полупроводников воздействием импульсного магнитного поля [Текст] / М. Н. Левин, А. В. Татаринцев, О. А. Косцова, А. М. Косцов // Журнал технической физики. - 2003. - Т.73,N10. - Библиогр.: 7 назв. . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): адсорбция -- активация поверхности -- арсенид галлия -- германий -- импульсное магнитное поле -- кремний -- магнитоиндуцированная активация поверхности -- поверхность полупроводников Аннотация: Впервые показана возможность активации поверхности полупроводников, проявляющейся в долговременном изменении адсорбционной способности в результате кратковременного воздействия импульсного магнитного поля. Магнитоиндуцированная активация поверхности исследована на кристаллах кремния, германия и арсенида галлия. Обнаруженный эффект расширяет возможности технологических процессов формирования на поверхности полупроводниковых кристаллов тонких пленок. Доп.точки доступа: Татаринцев, А.В.; Косцова, О.А.; Косцов, А.М. |
621.38 А 465 Александров, С. Е. Устройство пирометрического контроля температуры подложки GaAs для установки молекулярно-лучевой эпитаксии [Текст] / С. Е. Александров, Г. А. Гаврилов [и др.] // Журнал технической физики. - 2004. - N 1. - Библиогр.: c. 127 (8 назв. ) . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Радиоэлектроника--Электроника Кл.слова (ненормированные): пирометрический контроль -- арсенид галлия -- молекулярно-лучевая эпитаксия -- подложки -- температура подложки -- оптические пирометры Аннотация: Рассматривается оптический пирометр, специально разработанный для прецизионного контроля температуры GaAs подложки во время эпитаксиального роста в условиях молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ) . Особенностью разработанного устройства является возможность его калибровки на некоторую характерную абсолютную температуру, определяемую визуально по изменению картины дифракции быстрых электронов (ДБЭ) . Это позволяет рассчитать абсолютную температуру подложки с учетом ее излучательной способности и свести к минимуму погрешности определения температуры по излучению, связанные с запылением пирометрического окна установки ростовыми материалами. Перейти: http: //www. ioffe. ru/journals/jtf/2004/01/ Доп.точки доступа: Гаврилов, Г. А.; Капралов, А. А.; Сотникова, Г. Ю.; Черных, Д. Ф.; Алексеев, А. Н.; Дудин, А. Л.; Коган, И. В.; Шкурко, А. П. |
539.2 Б 534 Беспалов, В. А. Электрофизические свойства GaAs слоев и особенности характеристик детекторов частиц высоких энергий на их основе [Текст] / В. А. Беспалов, А. В. Воронцов [и др.] // Журнал технической физики. - 2004. - Т. 74, N 3. - Библиогр.: c. 35-36 (20 назв. ) . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Физика--Физика твердого тела--Ядерная физика Кл.слова (ненормированные): арсенид галлия -- детекторы частиц -- детекторы ионизирующих излучений -- радиационная стойкость Аннотация: Представлены результаты экспериментальных комплексных исследований взаимосвязи свойств исходных монокристаллических пластин и эпитаксиальных структур арсенида галлия со спектрометрическими пороговыми характеристиками детекторов ионизирующих излучений на их основе. Перейти: http://www.ioffe.ru/journals/jtf/2004/03/page-28.html.ru Доп.точки доступа: Воронцов, А. В.; Горбацевич, А. А.; Егоркин, В. И.; Жигальский, Г. П.; Ильичев, Э. А.; Кулаков, А. В.; Налбандов, Б. Г.; Пантуев, В. С.; Распутный, В. Н.; Свешников, Ю. Н.; Шмелев, С. С. |
539.2 Б 827 Борковская, О. Ю. Влияние gamma-облучения {60}Co на формирование омических контактов в структурах металл-GaAs (Al[x]Ga[1-x]As [Текст] / О. Ю. Борковская, Н. Л. Дмитрук [и др.] // Журнал технической физики. - 2004. - Т. 74, N 3. - Библиогр.: c. 48-49 (24 назв. ) . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Физика--Физика твердого тела--Электроника Кл.слова (ненормированные): гамма-облучение -- кобальт -- омические контакты -- арсенид галлия -- контактное сопротивление Аннотация: Исследовались особенности формирования невыпрямляющих контактов AuGe-GaAs (Al[0. 4]Ga[0. 6]As) , подвергнутых термобработкам, облучению gamma-квантами {60}Co и комбинированным воздействиям gamma-облучения при приложении к структурам электрического смещения. Установлены корреляционные зависимости между характером межфазовых взаимодействий в структурах и величиной их контактного сопротивления. Полученные результаты интерпретируются с позиций диффузионной модели при условии перемещения границы металллического слоя. Перейти: http://www.ioffe.ru/journals/jtf/2004/03/page-44.html.ru Доп.точки доступа: Дмитрук, Н. Л.; Ермолович, И. Б.; Конакова, Р. В.; Миленин, В. В. |
539.2 Д 138 Давыдов, С. Ю. Адсорбция атомов щелочных металлов на поверхности арсенида галлия: изменение работы выхода [Текст] / С. Ю. Давыдов, А. В. Павлык // Журнал технической физики. - 2004. - Т. 74, N 4. - Библиогр.: c. 100-101 (16 назв. ) . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): адсорбция -- арсенид галлия -- работа выхода -- щелочные металлы Аннотация: В рамках простой модели рассчитано изменение работы выхода при адсорбции атомов Cs на поверхности (100) и K, Rb и Cs на поверхности (110) GaAs. Модель включает как диполь-дипольное взаимодействие адатомов, так и уширение их квазиуровней за счет обменных эффектов. Результаты расчета хорошо согласуются с данными эксперимента. Перейти: http: //www. ioffe. ru/journals/jtf/2004/04/page-98. html. ru Доп.точки доступа: Павлык, А. В. |
539.1/.18 Д 246 Дворянкин, В. Ф. Исследование свойств фотовольтаических детекторов рентгеновского излучения на основе эпитаксиальных структур GaAs [Текст] / В. Ф. Дворянкин, Ю. М. Дикаев, А. А. Кудряшов // Журнал технической физики. - 2004. - Т. 74, N 6. - Библиогр.: c. 128 (3 назв. ) . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Физика--Ядерная физика Кл.слова (ненормированные): арсенид галлия -- детекторы излучения -- рентгеновское излучение -- фотовольтаические детекторы -- эпитаксиальные структуры Аннотация: Представлены результаты исследования под действием тормозного рентгеновского излучения нового фотовольтаического детектора на основе эпитаксиальных структур GaAs, работающего без напряжения смещения и при комнатной температуре. Из измерений фотоотклика детектора рассчитана эффективность преобразования поглощенной энергии в ток короткого замыкания в диапазоне энергий фотонов от 12 до 120 keV. В этом диапазоне энергий процесс поглощения в GaAs определяется фотоэлектрическим эффектом. Максимальное значение эффективности преобразования в GaAs для тормозного рентгеновского излучения находится при энергии 80 keV. Для увеличения поглощения рентгеновских фотонов предложена и рассчитана схема наклонного облучения тонкого 50 mum детектора. При этом значительный эффект проявляется для жесткого рентгеновского излучения. Перейти: http://www.ioffe.ru/journals/jtf/2004/06/page-126.html.ru Доп.точки доступа: Дикаев, Ю. М.; Кудряшов, А. А. |
Жвавый, С. П. Моделирование фазовых переходов, инициируемых в арсениде галлия комбинированным воздействием лазерного излучения [Текст] / С. П. Жвавый, Г. Д. Ивлев, О. Л. Садовская // Журнал технической физики. - 2001. - Т.71,N1. - Библиогр.: с.65 (11 назв.) . - ISSN 0044-4642 Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): арсенид галлия -- фазовые переходы -- лазерное излучение -- лазерный импульс -- плавление -- рекристаллизация -- численное моделирование Аннотация: Проведено численное моделирование фазовых переходов в арсениде галлия при комбинированном лазерном воздействии наносекундного импульса, инициирующего плавление, и дополнительного излучения неодимового лазера, позволяющего управлять скоростью движения границы раздела фаз. Показано, что при встречной геометрии воздействующих потоков лазерного излучения из-за сильной температурной зависимости коэффициент поглощения на длине волны 1.06 мкм на межфазной границе возникает волна прогрева, которая затем отрывается от фронта плавления и , распространяясь навстречу излучению неодимового лазера, экранирует расплыв. В случае попутной геометрии воздействия могут существовать режимы, при которых временная зависимость глубины распространения расплава имеет немонотонный характер Доп.точки доступа: Ивлев, Г.Д.; Садовская, О.Л. |
Галиев, Г. Б. Исследование структурного совершенства, распределения и перерапределения кремния в эпитаксиальных пленках GaAs, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках с ориентациями (100), (111)А, (111)В [Текст] / Г. Б. Галиев, В. Г. Мокеров [и др.] // Журнал технической физики. - 2001. - Т.71,N4. - Библиогр.: с. 52 (15 назв.) . - ISSN 0044-4642 Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): эпитаксиальные пленки -- арсенид галлия -- молекулярно-лучевая эпитаксия -- рентгеновская дифрактометрия -- атомно-силовая микроскопия -- ВИМС -- термический отжиг -- легирование -- рельеф поверхности -- ионное травление Аннотация: Методами рентгеновской дифрактометрии и ВИМС исследованы распределение кремния до и после термического отжига в тонких легированных слоях GaAs, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках с ориентациями (100), (111)А, (111)В. С помощью атомно-силового микроскопа исследованы рельефы поверхности выращенных эпитаксиальных пленок вне и внутри кратера ионного травления, возникающего во время измерения методом ВИМС. Выявлены особенности рельефа поверхности внутри кратера для разных ориентаций. Обнаруженные изменения формы профилей легирования объяснены как особенностями развития рельефа поверхности во время ионного травления при измерении методом ВИМС, так и ускоренной диффузией Si по дефектам роста Доп.точки доступа: Мокеров, В.Г.; Сарайкин, В.В.; Слепнев, Ю.В; Шагимуратов, Г.И.; Имамов, Р.М.; Пашаев, Э.М. |
Булярский, С. В. Влияние кластеризации на процесс плавления полупроводниковых соединений А{3}B{5} [Текст] / С. В. Булярский, П. Е. Львов, В. В. Светухин // Журнал технической физики. - 2001. - Т.71,N9. - Библиогр.: с.14 (9 назв.) . - ISSN 0044-4642 Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): кластеризация -- плавление -- термодинамическая модель -- арсенид галлия -- уравнение ликвидуса -- энтальпия -- энтропия -- энергия диссоциации Аннотация: Предложена термодинамическая модель формирования кластеров в расплавах двухкомпонентных полупроводниковых соединений. Исследован процесс кластеризации в расплаве арсенида галлия, при этом получены выражения для равновесных концентраций кластеров различного размера, а также уравнение ликвидуса, которое в предельном случае малых концентраций кластеров согласуется с результатами теории квазихимического взаимодействия. Полученная система уравнений позволила удовлетворительно описать экспериментальные данные по послеплавлению и кривым ликвидуса в арсениде галлия. Рассчитвнные значения энтальпии и энтропии плавления в арсениде галлия хорошо согласуются с данными по энергии диссоциации Доп.точки доступа: Львов, П.Е.; Светухин, В.В. |
Гольдберг, Ю. А. Переходный процесс при непрерывном и ступенчатом нагревании GaAs поверхностно-барьерных структур [Текст] / Ю. А. Гольдберг, Е. А. Поссе // Журнал технической физики. - 2001. - Т.71,N9. - Библиогр.: с.65 (9 назв.) . - ISSN 0044-4642 Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): вентильный контакт -- омический контакт -- арсенид галлия -- никель -- емкость -- ток -- диоды Шоттки Аннотация: Изучалось изменение характеристик емкость-напряжение (С-U) и ток-напряжение (I[f]-U и I[r]-U) структур полупроводник-твердый металл (GaAs-Ni) в процессе их непрерывного и ступенчатого нагревания. Изначально свойства исследуемых структур соответствовали теории термоэлектронной эмиссии. Показано, что в процессе непрерывного нагревания выпрямляющие структуры переходят в омические при некоторой температуре T[Ohm]=720K, существенно более низкой, чем температуры плавления металла или эвтектика металла и полупроводника. Для сравнения изучались свойства структур,отожженных при различных температурах T[ann] и охлажденных до комнатной температуры (ступенчатое нагревание). Показано, что в этом случае I-U-зависимости были близки к исходным после отжига структур при T[ann] Доп.точки доступа: Поссе, Е.А. |
Жуков, А. Е. Молекулярно-пучковая эпитаксия GaAsN на GaAs с использованием плазменного источника, возбуждаемого постоянным током [Текст] / А. Е. Жуков, Е. С. Семенова, В. М. Устинов, E. R. Weber // Журнал технической физики. - 2001. - Т.71,N10. - Библиогр.: с.64 (10 назв.) . - ISSN 0044-4642 Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): молекулярно-пучковая эпитаксия -- плазменные источники -- эпитаксиальные слои -- внедрение азота -- арсенид галлия Аннотация: Серия слоев GaAsN была выращена методом молекулярно-пучковой эпитаксии с использованием нового типа плазменного источника азота с активацией постоянным током. Эффективность встраивания азота, кристаллическое совершенство, морфология поверхности и люминесцентные свойства эпитаксиальных слоев исследованы по взаимосвязи с различными режимами работы источника Доп.точки доступа: Семенова, Е.С.; Устинов, В.М.; Weber, E.R. |