Чеснис, A. Вольт-амперная характеристика и параметры области шнура тока в барьерной негисторной гетероструктурe аморфный теллурид галлия-кристаллический кремний [Текст] / A. Чеснис, C. -А. Карпинскас, А. Урбялис // Журнал технической физики. - 2002. - Т.72,N10. - Библиогр.: с.62 (14 назв.) . - ISSN 0044-4642 Рубрики: Радиоэлектроника--Электроника Кл.слова (ненормированные): вольт-амперные характеристики -- гетероструктуры -- отрицательное дифференциальное сопротивление -- шнурование тока Аннотация: Приведены результате исследования переходной вольт-амперной характеристики негисторной барьерной гетероструктуры аморфный GaTe[3]-кристаллический n-Si в условиях проявления отрицательного дифференциального сопротивления. Определены основные параметры (радиус поперечного сечения, плотность тока и удельное сопротивление) области повышенной плотности (шнура) тока в аморфном слое данной структуры. Они сопоставлены с соответствующими параметрами токового шнура в контрольной безбарьерной структуре C-аморфный GaTe[3]-C. Показано, что электропроводность области шнурования тока исследованной гетероструктуры в указанных выше условиях определяется в основном процессами, происходящими в ее кристаллическом компоненте Доп.точки доступа: Карпинскас, C.-А.; Урбялис, А. |
Карпович, И. А. Влияние водорода на фотоэлектронные свойства гетероструктур с квантовыми ямами GaAs/InGaAs и островковым слоем палладия на поверхности [Текст] / И. А. Карпович, С. В. Тихов, Е. Л. Шоболов, Б. Н. Звонков // Журнал технической физики. - 2002. - Т.72,N10. - Библиогр.: с.66 (9 назв.) . - ISSN 0044-4642 Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): гетероструктуры -- квантовые ямы -- фотолюминесценция -- фотопроводимость Аннотация: Исследовано влияние водорода на фотолюминесценцию и планарную фотопроводимость гетероструктур с квантовыми ямами GaAs/InGaAs и с островковым слоем Pd на анодноокисленной поверхности. Установлено, что в отличие от нанесения сплошного слоя Pd нанесение островкового слоя не приводит к возникновению дефектов в приповерхностном слоле GaAs, но при этом слой Pd сохраняет высокую каталитическую активность по отношению к водороду. Обнаружены эффекты пассивации дефектов в квантовых ямах атомарным водородом при термообработке таких структур в атмосфере водорода. Исследованы характеристики планарных фоторезисторов с островковым слоем Pd как сенсоров водорода. Установлено, что они имеют почти на 2 порядка более высокую обнаружительную способность к водороду, чем диодные структуры со сплошным слоем Pd Доп.точки доступа: Тихов, С.В.; Шоболов, Е.Л.; Звонков, Б.Н. |
539.2 Т 913 Тутов, Е. А. Влияние адсорбции паров воды на вольт-фарадные характеристики гетероструктур с пористым кремнием [Текст] / Е. А. Тутов, Е. Н. Бормонтов [и др.] // Журнал технической физики. - 2003. - Т.73,N11. - Библиогр.: 22 назв. . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): адсорбция -- водяные пары -- вольт-фарадные характеристики -- гетероструктуры -- конденсаторные структуры -- пористый кремний -- сенсоры влажности Аннотация: Пористый кремния (por-Si) получен электрохимическим травлением монокристаллического кремния n-типа проводимости в водно-спиртовом растворе плавиковой кислоты в присутствии пероксида водорода в качестве окислителя. Исследована зависимость высокочастотных вольт-фарадных характеристик гетероструктур Al/por-Si/Si от относительной влажности. Предложены модель конденсаторной структуры и методика анализа зависимости ее емкости от парциального давления паров воды как изотермы адсорбции, в рамках которых определены пористость, эффективная доля фазы диоксида кремния в por-Si, степень связности пор, отношение объемов микро- и мезопор и распределение последних по размерам. Пористый кремний с определенными в работе параметрами может быть использован в качестве чувствительного слоя в сенсорах влажности емкостного типа. Перейти: http://www.ioffe.ru/journals/jtf/2003/11/ Доп.точки доступа: Бормонтов, Е.Н.; Кашкаров, В.М.; Павленко, М.Н.; Домашевская, Э.П. |
539.2 С 190 Сапаев, Б. Выращивание и фотоэлектрические свойства варизонных гетероструктур Si- (Si[2]) [1-x] (GaP) [x] [Текст] / Б. Сапаев, А. С. Саидов, С. Дадамухамедов // Журнал технической физики. - 2004. - Т. 74, N 9. - Библиогр.: c. 140 (10 назв. ) . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): варизонные слои -- гетероструктуры -- твердые растворы Аннотация: Приводятся теоретические предпосылки образования непрерывных твердых растворов замещения с позиции учета обобщенных моментов, разности валентности и ковалентных радиусов исходных компонентов. На основе этих исследований разработана технология получения из оловянного раствора-расплава методом принудительного охлаждения эпитаксиальных слоев (Si[2]) [1-x] (GaP) [x] (0=< x=<1) на кремниевых подложках. Исследованы распределение компонентов по толщине (Si[2]) [1-x] (GaP) [x] слоев, фоточувствительность и вольт-амперные характеристики гетероструктур Si- (Si[2) [1-x] (GaP) [x]. Анализ результатов рентгеновских исследований и фотоэлектрических свойств полученных эпитаксиальных слоев твердых растворов указывают на структурное совершенство выращенных варизонных (Si[2]) [1-x] (GaP) [x] слоев. Перейти: http://www.ioffe.ru/journals/jtf/2004/09/page-137.html.ru Доп.точки доступа: Саидов, А. С.; Дадамухамедов, С. |
539.2 К 682 Королев, Д. Н. Образование нановыделений при распаде пересыщенных твердых растворов в треках быстрых тяжелых ионов [Текст] / Д. Н. Королев, А. Е. Волков // Журнал технической физики. - 2004. - Т. 74, N 10. - Библиогр.: c. 68 (21 назв. ) . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): ионное облучение -- нановыделения -- нанокластеры -- распад твердых растворов -- твердые растворы -- треки -- трубчатые гетероструктуры -- тяжелые ионы Аннотация: Прохождение быстрых тяжелых ионов через вещество сопровождается сильным возбуждением электронной подсистемы материала. Последующая релаксация этого возбуждения приводит к значительному кратковременному (<10{-9} s) нагреву материала в нанометрической окрестности траектории налетающей частицы. Исследуется стимулированное подобными термическими вспышками зарождение нанокластеров в пересыщенных твердых растворах. Показано, что образование наноразмерных выделений происходит, когда температура в треке достигает значений, при которых характерное время зарождения становится меньше времени охлаждения трека. Область наиболее эффективного зарождения выделений может не совпадать с осью трека. Начальная цилиндрическая неоднородность пространственной плотности зарождающихся кластеров может в дальнейшем приводить к возникновению наноразмерных трубчатых гетероструктур, вытянутых вдоль траектории тяжелых ионов. Определены параметры системы, наиболее благоприятные для режима трубчатого зарождения выделений. Перейти: http://www.ioffe.ru/journals/jtf/2004/10/page-64.html.ru Доп.точки доступа: Волков, А. Е. |
535 А 497 Алешкин, В. Я. Нелинейная генерация излучения среднего инфракрасного диапазона в двухчастотных полупроводниковых лазерах с гофрированным волноводом [Текст] / В. Я. Алешкин, А. А. Афоненко, А. А. Дубинов // Журнал технической физики. - 2004. - Т. 74, N 11. - Библиогр.: c. 96 (11 назв. ) . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Физика--Оптика Кл.слова (ненормированные): генерация излучения -- гетероструктуры -- гофрированные волноводы -- инфракрасное излучение -- квантовые ямы -- полупроводниковые лазеры Аннотация: Рассмотрена нелинейная генерация разностной моды в инжекционном полупроводниковом лазере с квантовыми ямами. Предложена конструкция лазера на основе гетероструктуры InGaAs/GaAs/InGaP, обеспечивающая генерацию двух лазерных мод в диапазоне 1 mum и разностной моды в гофрированном волноводе в диапазоне 10-20 mum. Показано, что в лазере с шириной волновода 100 mum при мощностях коротковолновых мод 10 W мощность разностной моды среднего ИК диапазона при комнатной температуре может быть несколько микроватт. Перейти: http://www.ioffe.ru/journals/jtf/2004/11/page-92.html.ru Доп.точки доступа: Афоненко, А. А.; Дубинов, А. А. |
Орлов, Л. К. Особенности массопереноса в методе гидридной эпитаксии структур Si[1-x]Ge[x]/Si в условиях нестационарного процесса [Текст] / Л. К. Орлов, С. В. Ивин, А. В. Потапов, Н. Л. Ивина // Журнал технической физики. - 2001. - Т.71,N4. - Библиогр.: с. 57 (13 назв.) . - ISSN 0044-4642 Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): гидридная эпитаксия -- массоперенос -- твердые растворы -- численное моделирование -- кинетика роста слоев -- силан -- герман -- гетероэпитаксиальные структуры -- гетероструктуры Аннотация: Проведено численное моделирование нестационарной кинетики роста слоев твердого раствора из силана и германа для метода молекулярно-лучевой эпитаксии с газовыми источниками. Изучена кинетика роста и сделан сравнительный анализ эффективности расплывания профиля распределения атомов германия в окрестности границ в структурах Si-Si[1-x]Ge[x] как при отсутствии атомарных потоков в реакторе, так и при их наличии (метод "горячей проволоки"). Показано, что технологический процесс с применением дополнительного горячего источника не только способствует повышению скорости роста, но и при давлении газа выше, чем 10{-3}Torr (но с сохранением молекулярного течения газов), и температурах роста T[gr]<600C может быть оптимален для минимизации ширины переходных областей в окрестности гетерограниц структуры Доп.точки доступа: Ивин, С.В.; Потапов, А.В.; Ивина, Н.Л. |
Сукач, Г. А. Анализ температуры перегрева активной области зеленых СИД на основе нитридов III группы [Текст] / Г. А. Сукач, П. С. Смертенко, П. Ф. Олексенко, S. Nakamura // Журнал технической физики. - 2001. - Т.71,N4. - Библиогр.: с. 79 (15 назв.) . - ISSN 0044-4642 Рубрики: Радиоэлектроника--Квантовая электроника Кл.слова (ненормированные): светодиод -- СИД -- нитриды -- температура перегрева -- гетероструктуры Аннотация: Впервые установлена зависимость температуры перегрева дельтаТ[p-n] активной областизеленых светодиодов на основе нитридов III группы от амплитуды прямого постоянного тока I. Показано, что в отличие от светодиодов, вольт-амперные характеристики которых хорошо описываются известными теориями выпрямления p-n-переходов, где дельтаТ[p-n]~I, в исследованных структурах зависимость дельтаТ[p-n](I) в области токов 2*10{-3}-3*10{-2}А носит квадратичный характер. При дальнейшем увеличении токов связь дельтаT[p-n] и I в зеленых светодиодахна основе нитридов III группы, как и в светоизлучающих диодах на основе известных инфракрасных и красных структур A{3}B{5}, становится линейной Доп.точки доступа: Смертенко, П.С.; Олексенко, П.Ф.; Nakamura, S. |
621.38 А 901 Асеев, А. Л. (???? 1). Физика и технология гетероструктур III-V: современное сотояние и тенденции развития [Текст] / А. Л. Асеев, О. П. Пчеляков, А. И. Торопов // Известия вузов. Физика. - 2003. - N6. - Библиогр.: 15 назв. . - ISSN 0021-3411
Рубрики: Радиоэлектроника--Электроника Кл.слова (ненормированные): атомно-гладкие гетерограницы -- гетероструктуры -- горячие электроны -- лазеры с вертикальным резонатором -- молекулярно-лучевая эпитаксия -- полевые транзисторы -- полупроводниковые материалы -- структуры с квантовыми ямами Аннотация: В данной статье приведен обзор современного положения дел в области молекулярно-лучевой эпитаксии в Институте физики полупроводников СО РАН (г.Новосибирск) Доп.точки доступа: Пчеляков, О.П. (???? 1); Торопов, А.И. (???? 1) |
621.38 К 210 Караваев, Г. Ф. (???? 1). Метод огибающих функций для гетерострктур. Модели сшивания в применение для AlAs/Al[x]Ga[1-x](110 [Текст] / Г. Ф. Караваев, В. Н. Чернышов // Известия вузов. Физика. - 2003. - N6. - Библиогр.: 14 назв. . - ISSN 0021-3411
Рубрики: Радиоэлектроника--Электроника Кл.слова (ненормированные): гетерограницы -- гетероструктуры -- огибающие функции -- электронные свойства полупроводников Аннотация: В работе рассмотрены вопросы, связанные с применением метода огибающих функций для гетероструктур, а также проанализированы некоторые подходы при получении условий для огибающих функций Доп.точки доступа: Чернышов, В.Н. (???? 1) |
535.3:537.531:539.219.621 В 167 Валюхов, Д. П. Исследование многокомпонентных висмутсодержащих гетероструктур на основе соединений А{3}B{5} [Текст] / Д. П. Валюхов, С. В. Лисицын [и др.] // Известия вузов. Физика. - 2003. - Т. 46, N 11. - Библиогр.: 8 назв. . - ISSN 0021-3411
Рубрики: Физика--Оптика--Электричество и магнетизм--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): висмутсодержащие гетероструктуры -- многокомпонентные гетероструктуры -- спектроскопия -- оптоэлектроника Аннотация: Приведены результаты комплексного исследования многокомпонентных гетероструктур на основе соединений А{3}B{5} на примере висмутсодержащих твердых растворов, проведенного методами оже-электронной и рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии. Получены профили распределения компонентов в структурах. Описываются свойства и перспективы таких соединений. Доп.точки доступа: Лисицын, С. В.; Зорькин, А. Э.; Пигулев, Р. В.; Хабибулин, И. М.; Благин, А. В. |
621.315.592 Г 915 Грушко, Н. С. Влияние электрических полей на пропускание двойной гетероструктуры на основе GaN с квантовой ямой [Текст] / Н. С. Грушко, Л. Н. Потанахина // Известия вузов. Физика. - 2004. - N 11. - Библиогр.: с. 9 (10 назв. ) . - ISSN 0021-3411
Рубрики: Энергетика--Использование электрической энергии Кл.слова (ненормированные): нитриды -- полупроводниковые лазеры -- светодиоды -- электронные приборы -- инжекционные лазеры -- нитридные гетероструктуры -- оптоэлектроника -- фотоприемники -- токоперенос Аннотация: В работе определены параметры потенциальных барьеров (высота) исследуемой структуры AlGaN/InGaN/GaN, рассмотрены их температурные зависимости. С помощью этих параметров рассчитан коэффициент пропускания структуры без учета электрического поля и с учетом внешнего и внутреннего полей. По коэффициенту пропускания определена энергия уровней в квантовой яме, объяснен сдвиг максимумов коэффициента пропускания под действием внешнего напряжения смещения. Доп.точки доступа: Потанахина, Л. Н. |
001(09) М 43 Международная премия "Глобальная энергия" за 2005 год [] // Вестник Российской академии наук. - 2005. - Т. 75, N 9. - С. 870 . - ISSN 0869-5873
Рубрики: Наука. Науковедение--История науки Кл.слова (ненормированные): исследования; энергетика -- академия наук -- премии -- открытия -- ученые -- профессора -- академики -- полупроводники -- гетероструктуры -- газовые турбины -- турбины газовые -- Глобальная знергия (премия) Аннотация: Международная энергетическая премия "Глобальная энергия" стала первой персональной премией в мировой фундаментальной и прикладной науке, которая присуждается за открытия и разработки в области энергии и энергетике и вручается ежегодно с 2003 г. Премии "Глобальная энергия" 2005 г. удостоены академик Жорес Иванович Алферов - за фундаментальные исследования и значительный практический вклад в создание полупроводниковых преобразователей энергии, применяемых в солнечной и электроэнергетике, и профессор Клаус Ридле (США) - за разработку и создание мощных высокотемпературных газовых турбин для парогазовых энергетических установок. Доп.точки доступа: Алферов, Ж. И.; Ридле, К. |
621.37/.39 Ф 19 Фалей, М. И. Магнитометры и градиометры на основе гетероструктур оксидных сверхпроводников [] / М. И. Фалей // Радиотехника и электроника. - 2005. - Т. 50, N 4. - С. 496-503. - Библиогр.: с. 503 (19 назв. ) . - ISSN 0033-8494
Рубрики: Радиоэлектроника--Квантовая электроника--Общие вопросы радиоэлектроники Кл.слова (ненормированные): магнитометры; градиометры; сверхпроводники; тонкопленочные гетероструктуры; оксидные сверхпроводники Аннотация: Разработаны чувствительные составные (флип-чип) магнитометры и градиометры на основе тонкопленочных гетероструктур YBa[2]Cu[3]O[7-x]-YBa[2]Cu[3]O[7-x] с трансформаторами потока, имеющими многовитковую катушку связи. Показано, что метод напыления при высоком давлении кислорода позволяет получать эпитаксиальные гетероструктуры высокого качества с рекордными транспортными характеристиками. Продемонстрирована возможность формирования рисунка в нижних слоях с помощью безводного химического травления, что позволило сохранять высокое качество микроструктуры и транспортных свойств межслойных границ. Достигнуто разрешение магнитометров ~6фТл/ Гц при температуре 77. 4 К. |
539.2 М 17 Максимов, Г. А. Фотоэлектрические свойства и электролюминесценция p-i-n-диодов на основе гетероструктур с самоорганизованными нанокластерами GeSi/Si [] / Г. А. Максимов, З. Ф. Красильник [и др.] // Физика твердого тела. - 2005. - Т. 47, N 1. - С. 26-28. - Библиогр.: с. 28 (9 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): гетероструктуры; излучательные переходы; межзонные переходы; нанокластеры; нанофотоника; оптоэлектронные устройства; переходы; полупроводники; самоорганизованные нанокластеры; устройства; фоточувствительность; электролюминесценция Аннотация: Разработан подход к анализу спектров фоточувствительности в структурах, содержащих тонкие слои GeSi, и определена энергия края полос фоточувствительности, связанных с этими слоями. Наблюдалась электролюминесценция при 77 К, обусловленная излучательными межзонными переходами в кластерах GeSi. Доп.точки доступа: Красильник, З. Ф.; Филатов, Д. О.; Круглова, М. В.; Морозов, С. В.; Ремизов, Д. Ю.; Николичев, Д. Е.; Шенгуров, В. Г. |
539.2 Я 45 Якимов, А. И. Ge/Si-фотодиоды и фототранзисторы со встроеными слоями квантовых точек Ge для волоконно-оптических линий связи [] / А. И. Якимов, А. В. Двуреченский, В. В. Кириенко, А. И. Никифоров // Физика твердого тела. - 2005. - Т. 47, N 1. - С. 37-40. - Библиогр.: с. 40 (6 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): волоконно-оптические линии; волоконные световоды; встроенные слои; германий; гетероструктуры; квантовые точки; кремниевые чипы; кремний; линии; нанофотоника; световоды; связь; слои; фотодиоды; фототранзисторы; чипы Аннотация: На основе многослойных гетероструктур Ge/Si с квантовыми точками Ge реализованы фотоприемные элементы для волоконно-оптических линий связи, способные встраиваться в комплекс фотонных компонентов на едином кремниевом чипе. Доп.точки доступа: Двуреченский, А. В.; Кириенко, В. В.; Никифоров, А. И. |
539.2 А 72 Антонов, А. В. Отрицательная фотопроводимость в среднем ИК-диапазоне селективно легированных гетероструктур SiGe / Si: B с двумерным дырочным газом [] : А. В. Антонов [и др. ] / А. В. Антонов, В. Я. Алешкин [и др.] // Физика твердого тела. - 2005. - Т. 47, N 1. - С. 47-49. - Библиогр.: с. 49 (7 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): газы; германий; гетероструктуры; двумерный дырочный газ; дырочный газ; ИК-диапазон; кремний; легированные гетероструктуры; молекулярно-пучковая эпитаксия; наноструктуры; селективно легированные гетероструктуры; сигналы; спектры; фотопроводимость; эпитаксия Аннотация: Представлены результаты исследований спектров латеральной фотопроводимости селективно легированных гетероструктур SiGe / Si: B с двумерным дырочным газом. Обнаружено, что в спектрах фотопроводимости исследованных структур присутствуют два сигнала, имеющие различные знаки. Доп.точки доступа: Алешкин, В. Я.; Гавриленко, В. И.; Красильник, З. Ф; Новиков, А. В.; Ускова, Е. А.; Шалеев, М. В. |
539.2 П 92 Пчеляков, О. П. Наногетероструктуры Si-Ge-GaAs для фотоэлектрических преобразователей [] / О. П. Пчеляков, А. В. Двуреченский [и др.] // Физика твердого тела. - 2005. - Т. 47, N 1. - С. 63-66. - Библиогр.: с. 66 (31 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): вакуум; галлий; германий; гетероструктуры; композиции; кремний; молекулярно-лучевая эпитаксия; молекулярные пучки; мышьяк; наногетероструктуры; нанофотоника; полупроводники; преобразователи; пучки; сверхвысокий вакуум; тонкопленочные композиции; фотоэлектрические преобразователи; эпитаксия Аннотация: Проведен анализ состояния технологических разработок в области синтеза из молекулярных пучков в сверхвысоком вакууме, который является перспективным методом получения многослойных полупроводниковых тонкопленочных композиций. Доп.точки доступа: Двуреченский, А. В.; Никифоров, А. И.; Паханов, Н. А.; Соколов, Л. В.; Чикичев, С. И.; Якимов, А. И. |
539.2 А 49 Алешкин, В. Я. Мелкие акцепторы в гетероструктурах Ge/GeSi с квантовыми ямами в магнитном поле [] / В. Я. Алешкин, А. В. Антонов [и др.] // Физика твердого тела. - 2005. - Т. 47, N 1. - С. 74-79. - Библиогр.: с. 79 (19 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): акцепторы; германий; гетероструктуры; квантовые ямы; кремний; магнитные поля; магнитопоглощения; нанофотоника; поля; резонанс; циклотронный резонанс; ямы Аннотация: Экспериментально и теоретически исследованы мелкие акцепторы в гетероструктурах Ge/GeSi с квантовыми ямами в магнитном поле. Показано, что наряду с линиями циклотронного резонанса в спектрах магнитопоглощения наблюдаются переходы с основного состояния акцептора на возбужденные состояния. Доп.точки доступа: Антонов, А. В.; Векслер, Д. Б.; Гавриленко, В. И.; Ерофеева, И. В.; Иконников, А. В.; Козлов, Д. В.; Кузнецов, О. А.; Спирин, К. Е. |
539.2 К 78 Красильникова, Л. В. Анализ коэффициента усиления и исследование люминесцентных свойств гетероструктур Si/Si (1-x) Ge (x) : Er/Si, полученных методом сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии в газовой фазе [] / Л. В. Красильникова, М. В. Степихова [и др.] // Физика твердого тела. - 2005. - Т. 47, N 1. - С. 90-94. - Библиогр.: с. 94 (10 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): газовые фазы; германий; гетероструктуры; кремний; легирование; люминесцентные свойства; люминесценция; молекулярно-лучевая эпитаксия; нанофотоника; свойства; сублимационная молекулярно-лучевая эпитаксия; сублимационная эпитаксия; фазы; эпитаксия; эрбий Аннотация: Показано, что, используя методику сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии в атмосфере германа, можно создавать достаточно эффективные светоизлучающие эпитаксиальные структуры Si/Si (1-x) Ge (x) : Er/Si. Доп.точки доступа: Степихова, М. В.; Дроздов, Ю. Н.; Дроздов, М. Н.; Красильник, З. Ф.; Шенгуров, В. Г.; Чалков, В. Ю.; Светлов, С. П.; Гусев, О. Б. |