546 Д 440 Дианов, Е. М. Теоретические и практические перспективы изучения моноизотопного кремния [Текст] / Е. М. Дианов // Вестник Российской академии наук. - 2001. - Т.71,N11 . - ISSN 0869-5873
Рубрики: Химия--Общая и неорганическая химия Кл.слова (ненормированные): кремний -- моноизотопы -- изотопы -- химия -- высокочистые вещества -- тетрафторид -- совещания научные -- семинары научные Аннотация: 29-30 мая 2001 г. в Институте химии высокочистых веществ РАН (г. Нижний Новгород) состоялось всероссийское совещание,посвященное получению,анализу и свойствам высокочистого кремния. |
621.315.592 З 179 Зайцев, В. Б. Особенности фотолюминесценции органических молекул в пористом кремнии [Текст] / В. Б. Зайцев, Г. С. Плотников, Ю. В. Рябчиков // Вестник Московского университета. Сер. 3, Физика. Астрономия. - 2004. - N 5. - Библиогр.: с. 31 (8 назв. ) . - ISSN 0201-7385
Рубрики: Энергетика--Электротехника Кл.слова (ненормированные): фотолюминесценция -- пористый кремний -- молекулы родамина В -- антрацен -- сенсибилизация люминесценции -- кремниевые наноструктуры Аннотация: Методом люминесцентной спектроскопии изучался характер взаимодействия с кремниевыми наноструктурами молекул родамина В и антрацена, которые диаметрально различаются своими электрофизическими и оптическими свойствами. Показано принципиальное отличие во взаимодействии таких органических молекул с кремниевыми наноструктурами и различным размером пор и обнаружено явление спектральной сенсибилизации люминесценции нанопористого кремния молекулами антрацена. Доп.точки доступа: Плотников, Г. С.; Рябчиков, Ю. В. |
Бабичев, Г. Г. Кремниевый однопереходный тензотранзистор [Текст] / Г. Г. Бабичев, С. И. Козловский, В. А. Романов, Н. Н. Шаран // Журнал технической физики. - 2002. - Т.72,N4. - Библиогр.: с.71 (15 назв.) . - ISSN 0044-4642 Рубрики: Радиоэлектроника--Электроника Кл.слова (ненормированные): S-приборы -- двухбазовые диоды -- кремний -- однопереходные транзисторы -- тензотранзисторы -- тензочувствителные приборы Аннотация: Приведены результаты исследования однопереходного тензотранзистора на основе кремния. Тензотранзистор относится к тензочувствительным биполярным полупроводниковым приборам с горизонтальной структурой и входной (эмиттерной) вольт-амперной характеристикой S-типа. Определена оптимальная топология прибора, а также рассчитаны его основные характеристики. На основе однопереходного тензотранзистора могут быть созданы релаксационные генераторы с физически интегрированным преобразованием механического напряжения в изменение частоты выходного сигнала Доп.точки доступа: Козловский, С.И.; Романов, В.А.; Шаран, Н.Н. |
Барабан, А. П. Дефекты и дефектообразование в окисном слое ионно-имплантированных структур кремний-двуокись кремния [Текст] / А. П. Барабан, Л. В. Милоглядова // Журнал технической физики. - 2002. - Т.72,N5. - Библиогр.: с. 60 (7 назв.) . - ISSN 0044-4642 Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): дефекты -- ионная имплантация -- кремний -- оксид кремния Аннотация: Совместно методами электролюминесценции и методами, основанными на измерении высокочастотных вольт-фарадных характеристик, исследовались структуры Si-SiO[2], полученные термическим окислением кремния КЭФ-5 (100) во влажном кислороде при температуре 950C (толщина окисного слоя 250 nm), имплантированные ионами аргона с энергией 130 keV и дозами 10{13}-3.2* 10{17} cm{-2}. Установлена связь природы, свойств и механизмов формирования дефектов, образующихся в окисном слое имплантированных структур. На основании этого предложена модель дефектообразования в результате имплантации ионов Ar в структуры Si-SiO[2] Доп.точки доступа: Милоглядова, Л.В. |
Аскинази, А. Ю. Роль маскирующего оксида на кремнии в процессах дефектообразования при формировании SIMOX-структур [Текст] / А. Ю. Аскинази, А. П. Барабан, Л. В. Милоглядова // Журнал технической физики. - 2002. - Т.72,N5. - Библиогр.: с. 64 (9 назв.) . - ISSN 0044-4642 Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): дефекты -- ионная имплантация -- кремний -- маскирующий оксид -- оксид кремния Аннотация: Исследованы структуры Si-SiO[2], сформированные путем имплантации в кремний ионов кислорода (SIMOX-технология) методами, основанными на измерении высокочастотных вольт-фарадных характеристик, и методом электролюминесценции. Установлено существование в сформированном окисном слое вблизи границы с кремнием электрически активных центров и центров люминесценции. Выяснена роль маскирующего слоя SiO[2] на кремнии в процессах дефектообразования при формировании замурованного окисного слоя. Установлена зависимость концентрации электрически активных и люминесцентных центров от толщины маскирующего слоя Доп.точки доступа: Барабан, А.П.; Милоглядова, Л.В. |
+ С 875 Струнин, В. И. Моделирование процесса разложения силана в высокочастотной плазме [Текст] / В. И. Струнин, А. А. Ляхов, Г. Ж. Худайбергенов, В. В. Шкуркин // Журнал технической физики. - 2002. - Т.72,N6. - Библиогр.: с. 114 (11 назв.) . - ISSN 0044-4642 Рубрики: Физика--Физика твердого тела--Электричество и магнетизм Кл.слова (ненормированные): аморфный кремний -- плазма -- пленки -- разложение силана -- силан Аннотация: Построена модель, описывающая процесс разложения силана в разряде высокочастотной аргоновой плазмы. На основании численных расчетов получены концентрации продуктов разложения SiH[4] и концентрации продуктов синтеза (высших силанов), проанализирована роль метастабильных атомов аргона в образовании радикала SiH[3] и высших силанов Доп.точки доступа: Ляхов, А.А.; Худайбергенов, Г.Ж.; Шкуркин, В.В. |
Чеснис, A. Вольт-амперная характеристика и параметры области шнура тока в барьерной негисторной гетероструктурe аморфный теллурид галлия-кристаллический кремний [Текст] / A. Чеснис, C. -А. Карпинскас, А. Урбялис // Журнал технической физики. - 2002. - Т.72,N10. - Библиогр.: с.62 (14 назв.) . - ISSN 0044-4642 Рубрики: Радиоэлектроника--Электроника Кл.слова (ненормированные): вольт-амперные характеристики -- гетероструктуры -- отрицательное дифференциальное сопротивление -- шнурование тока Аннотация: Приведены результате исследования переходной вольт-амперной характеристики негисторной барьерной гетероструктуры аморфный GaTe[3]-кристаллический n-Si в условиях проявления отрицательного дифференциального сопротивления. Определены основные параметры (радиус поперечного сечения, плотность тока и удельное сопротивление) области повышенной плотности (шнура) тока в аморфном слое данной структуры. Они сопоставлены с соответствующими параметрами токового шнура в контрольной безбарьерной структуре C-аморфный GaTe[3]-C. Показано, что электропроводность области шнурования тока исследованной гетероструктуры в указанных выше условиях определяется в основном процессами, происходящими в ее кристаллическом компоненте Доп.точки доступа: Карпинскас, C.-А.; Урбялис, А. |
Демаков, К. Д. О диффузии ионов мышьяка и самодиффузии в кремнии при имплантации [Текст] / К. Д. Демаков, В. А. Старостин, С. Г. Шемардов // Журнал технической физики. - 2002. - Т.72,N10. - Библиогр.: с.133 (12 назв.) . - ISSN 0044-4642 Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): диффузия -- имплантация -- кремний -- мышьяк -- самодиффузия Аннотация: Приведены экспериментальные профили концентрации ионов мышьяка в кремнии при температурах подложки 20, 600, 1050 `C и токе ионов 40 muA / cm{2}, а также при 1050oC и токе ионов 10 muA / cm{2}. По этим профилям и по данным других экспериментов проведено моделирование процесса радиационно-ускоренной диффузии ионов и самодиффузии кремния. Получен ряд интересных закономерностей, приведенных в выводах работы Доп.точки доступа: Старостин, В.А.; Шемардов, С.Г. |
22.37 Р 449 Реутов, В. Ф. Упорядоченные гелиевые поры в аморфном кремнии, индуцированном облучением низкоэнергетическими ионами гелия [Текст] / В. Ф. Реутов, А. С. Сохацкий // Журнал технической физики. - 2003. - Т.73,N1. - Библиогр.: с.78 (16 назв.) . - ISSN 0044-4642 Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): аморфный кремний -- гелиевые поры -- ионное облучение -- нанопоры Аннотация: Тонкие, прозрачные в просвечивающем электронном микроскопе (ПЭМ), самонесущие пластинки кремния (001) облучали в (110)-торец низкоэнергетическими (E=17 keV) ионами He{+} в интервале доз 5*10{16}-4,5*10{17} cm{-2} при комнатной температуре. Послерадиационными ПЭМ исследованиями структуры Si вдоль пробега ионов установлено, что в области наибольшего повреждения тонких кристаллов Si формируется слой аморфного кремния (a-Si), по всей ширине которого зарождаются и растут гелиевые поры диаметром 2-5 nm и плотностью до 3*10{17} cm{-3}. Формирование нанопор в слое a-Si сопровождается их линейным упорядочением в виде цепочек, ориентированных вдоль направления движения ионов. Отсутствие пор в неаморфизованной области образца с максимальной концентрацией внедренного гелия объясняется десорбцией атомов гелия из тонкого кристалла в процессе облучения. В результате отжига при 600`C в сохранившемся слое a-Si наблюдается рост объема пор за счет захвата неподвижными порами атомов гелия из аморфной матрицы. Показано, что преимущественным состоянием имплантированного в аморфный Si гелия после облучения является его состояние в виде твердого раствора. В аморфном кремнии, легированном гелием, обнаружены линейные структурные особенности диаметром около 1 nm и плотностью около 10{7} cm{-1}, которые интерпретированы как ионные треки от низкоэнергетических ионов He{+} Доп.точки доступа: Сохацкий, А.С. |
22.37 Н 899 Нуприенок, И. С. Влияние лазерного облучения с h*nu =1.96 eV на свойства контакта титан-кремний при термическом отжиге в азоте [Текст] / И. С. Нуприенок, А. Н. Шибко // Журнал технической физики. - 2003. - Т.73,N2. - Библиогр.: с.128 (13 назв.) . - ISSN 0044-4642 Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): выпрямляющие контакты -- лазерное облучение -- термический отжиг -- титан-кремний Аннотация: Исследовано влияние лазерного облучения с h*nu=1.96 eV (lambda=0.63 mum) на контакт титан-кремний при стационарном термическом отжиге в азоте. Установлено, что происходящее при такой обработке изменение фазового состава контакта обусловливает изменение его электрофизических параметров. Использование лазерного облучения позволяет формировать выпрямляющий контакт титан-кремний с необходимыми, заранее определенными электрофизическими параметрами Доп.точки доступа: Шибко, А.Н. |
22.33 А 465 Александров, О. В. Влияние окислительных сред на диффузионно-сегрегационное перераспределение бора в системе термический диоксид кремния-кремний [Текст] / О. В. Александров, Н. Н. Афонин // Журнал технической физики. - 2003. - Т.73,N5. - Библиогр.: 21 назв. . - ISSN 0044-4642 Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): бор -- диффузия -- кремний -- окисление -- перераспределение примеси -- примеси -- сегрегация Аннотация: Методами вторично-ионной масс-спектрометрии и численного моделирования исследовано диффузионно-сегрегационное перераспределение бора в системе диоксид кремния-кремний при окислении в различных средах. Получены данные о зависимости коэффициента сегрегации бора на межфазной границе (МФГ) SiO[2]/Si и степени ускорения его диффузии в кремнии от типа окислительной среды ("сухой кислород", "влажный кислород", а также наличие в ней паров соляной кислоты), ориентации поверхности кремния и температуры окислительного отжига. Предложена качественная модель явления, основанная на предположении о связи между генерацией неравновесных собственных междоузельных атомов и сегрегационным массопереносом бора через МФГ SiO[2]/Si Доп.точки доступа: Афонин, Н.Н. |
539.2 Б 342 Баязитов, Р. М. Формирование слоев кубического карбида кремния на кремнии непрерывными и импульсными пучками ионов углерода [Текст] / Р. М. Баязитов, И. Б. Хайбуллин, Р. И. Баталов, Р. М. Нурутдинов // Журнал технической физики. - 2003. - Т.73,N6. - Библиогр.: 15 назв. . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): ионная имплантация -- карбид кремния -- кремний Аннотация: Исследована структура и инфракрасное поглощение в слоях кубического карбида кремния (beta-SiC), сформированных путем непрерывной высокодозной имплантации ионов углерода (C{+}) в кремний (E=40 keV, D=5ъ10{17} cm{-2}) с последующей обработкой имплантированных слоев мощным наносекундным импульсным ионным пуском (С{+}, tau=50 ns, E=300 keV, W=1.0-1.5 J/cm{2}). Просвечивающая электронная микроскопия и электронная дифракция свидетельствуют о формировании крупнозернистого поликристаллического слоя beta-SiC с размером зерна до 100 nm. Характерной особенностью сформированных слоев является дендритная поверхностная морфология, что объясняется кристаллизацией из расплава, сильно переохлажденного относительно точки плавления beta-SiC Доп.точки доступа: Хайбуллин, И.Б.; Баталов, Р.И.; Нурутдинов, Р.М. |
539.2 Л 363 Левин, М. Н. Активация поверхности полупроводников воздействием импульсного магнитного поля [Текст] / М. Н. Левин, А. В. Татаринцев, О. А. Косцова, А. М. Косцов // Журнал технической физики. - 2003. - Т.73,N10. - Библиогр.: 7 назв. . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): адсорбция -- активация поверхности -- арсенид галлия -- германий -- импульсное магнитное поле -- кремний -- магнитоиндуцированная активация поверхности -- поверхность полупроводников Аннотация: Впервые показана возможность активации поверхности полупроводников, проявляющейся в долговременном изменении адсорбционной способности в результате кратковременного воздействия импульсного магнитного поля. Магнитоиндуцированная активация поверхности исследована на кристаллах кремния, германия и арсенида галлия. Обнаруженный эффект расширяет возможности технологических процессов формирования на поверхности полупроводниковых кристаллов тонких пленок. Доп.точки доступа: Татаринцев, А.В.; Косцова, О.А.; Косцов, А.М. |
539.2 Т 913 Тутов, Е. А. Влияние адсорбции паров воды на вольт-фарадные характеристики гетероструктур с пористым кремнием [Текст] / Е. А. Тутов, Е. Н. Бормонтов [и др.] // Журнал технической физики. - 2003. - Т.73,N11. - Библиогр.: 22 назв. . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): адсорбция -- водяные пары -- вольт-фарадные характеристики -- гетероструктуры -- конденсаторные структуры -- пористый кремний -- сенсоры влажности Аннотация: Пористый кремния (por-Si) получен электрохимическим травлением монокристаллического кремния n-типа проводимости в водно-спиртовом растворе плавиковой кислоты в присутствии пероксида водорода в качестве окислителя. Исследована зависимость высокочастотных вольт-фарадных характеристик гетероструктур Al/por-Si/Si от относительной влажности. Предложены модель конденсаторной структуры и методика анализа зависимости ее емкости от парциального давления паров воды как изотермы адсорбции, в рамках которых определены пористость, эффективная доля фазы диоксида кремния в por-Si, степень связности пор, отношение объемов микро- и мезопор и распределение последних по размерам. Пористый кремний с определенными в работе параметрами может быть использован в качестве чувствительного слоя в сенсорах влажности емкостного типа. Перейти: http://www.ioffe.ru/journals/jtf/2003/11/ Доп.точки доступа: Бормонтов, Е.Н.; Кашкаров, В.М.; Павленко, М.Н.; Домашевская, Э.П. |
539.2 М 751 Моливер, С. С. Электронная структура нейтрального примесного комплекса кремний-вакансия в алмазе [Текст] / С. С. Моливер // Журнал технической физики. - 2003. - Т.73,N11. - Библиогр.: 13 назв. . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): алмаз -- вакансии -- квазимолекулярные ячейки -- кремний -- оптические центры -- примесные комплексы -- туннельное расщепление -- электронный парамагнитный резонанс Аннотация: Квантово-химическим методом открытой электронной оболочки с параметризацией INDO рассчитана модель квазимолекулярной расширенной ячейки для примесного комплекса [Si-V]{0} в алмазе. Показано, что основное спин-триплетное состояние комплекса подвержено туннельному (не ян-теллеровскому) расщеплению, связанному с нецентральным сдвигом атома Si вдоль тригональной оси полносимметричной атомной конфигурации D[3d]. Поэтому комплекс, являясь источником электронного парамагнитного резонанса KUL1S=1, может оказаться и известным оптическим 1.68-eV центром с характерным ~ meV расщеплением бесфононной линии. Внутрицентровое оптическое возбуждение происходит с заполненного орбитального дублета, локализованного на Si, на орбитальный дублет, локализованный на трех из шести соседних к Si атомах углерода, и имеет мультиплетную структуру. Перейти: http://www.ioffe.ru/journals/jtf/2003/11/ |
539.2 В 676 Волков, Ю. П. Формирование кремниевых сферических наночастиц в расплавленном алюминии [Текст] / Ю. П. Волков, В. Б. Байбурин, Н. П. Коннов // Журнал технической физики. - 2004. - Т. 74, N 3. - Библиогр.: c. 80 (6 назв. ) . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): наночастицы -- кремний -- сферические частицы -- алюминий -- расплавы Аннотация: Методами трансмиссионной электронной микроскопии и электронной микродифракции установлено, что при растворении кремния в расплавленном алюминии формируется значительное количество кремниевых сферических частиц нанометровых размеров (от нескольких десятков nm до 1. 5 nm) . При растворении полученных кремниевых частиц в толуоле раствор приобретает бледно-розовую окраску и коэффициент пропускания на длине волны 300 nm уменьшается в пять раз. При этом в растворе толуола обнаружено большое количество одинаковых по размеру кремниевых сферических частиц диаметром 1. 5 nm. Перейти: http://www.ioffe.ru/journals/jtf/2004/03/page-78.html.ru Доп.точки доступа: Байбурин, В. Б.; Коннов, Н. П. |
539.2 Б 230 Банишев, А. Ф. Влияние внешней атмосферы и типа газа на генерацию дефектов и разрушение поверхности кремния при воздействии лазерных импульсов [Текст] / А. Ф. Банишев, В. С. Голубев, А. Ю. Кремнев // Журнал технической физики. - 2004. - Т. 74, N 8. - Библиогр.: c. 85 (17 назв. ) . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): дефекты -- кремний -- лазерное облучение -- разрушение поверхности Аннотация: Исследуется твердофазное разрушение поверхности кремния при импульсном воздействии субмикросекундных лазерных импульсов в атмосфере различных газов: активных - кислород, азот, углекислый газ и инертных - гелий, аргон, криптон. Установлено, что порог разрушения поверхности (порог образования неоднородностей рельефа поверхности) наименьший а атмосфере гелия и наибольший в атмосфере криптона. Предложен механизм роста и релаксации неоднородностей. Перейти: http://www.ioffe.ru/journals/jtf/2004/08/page-81.html.ru Доп.точки доступа: Голубев, В. С.; Кремнев, А. Ю. |
539.2 Д 138 Давыдов, С. Ю. Адсорбция щелочных металлов на поверхности (100) кремния: расчет заряда адатомов и работы выхода [Текст] / С. Ю. Давыдов, А. В. Павлык // Журнал технической физики. - 2004. - Т. 74, N 8. - Библиогр.: c. 98-99 (30 назв. ) . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): адатомы -- адсорбция -- кремний -- работа выхода -- щелочные металлы Аннотация: В рамках модели, учитывающей диполь-дипольное отталкивание адатомов и металлизацию адсорбированного слоя, проведен расчет заряда адатомов и изменения работы выхода Deltaphi при нанесении на поверхности (100) кремния субмонослойных пленок щелочных металлов. Достигнуто хорошее согласие с данными эксперимента. Проанализировано изменение параметров модели в ряду Li->Cs. Перейти: http://www.ioffe.ru/journals/jtf/2004/08/page-95.html.ru Доп.точки доступа: Павлык, А. В. |
539.2 С 810 Стогний, А. И. Об удалении с поверхности кремния (001) наноостровков германия пирамидальной формы после ионно-лучевого осаждения-распыления нанослоя золота [Текст] / А. И. Стогний, Н. Н. Новицкий, О. М. Стукалов, А. И. Демченко // Журнал технической физики. - 2004. - Т. 74, N 9. - Библиогр.: c. 133 (6 назв. ) . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): ионно-лучевое осаждение-распыление -- кремний -- наноостровки Аннотация: Экспериментально определены режимы селективного удаления наноостровков германия пирамидальной формы с поверхности кремния (001) методом последовательного ионно-лучевого осаждения-распыления слоя золота наноразмерной толщины, причем при малом изменении размеров крупных наноостровков германия куполообразной формы. Перейти: http://www.ioffe.ru/journals/jtf/2004/09/page-131.html.ru Доп.точки доступа: Новицкий, Н. Н.; Стукалов, О. М.; Демченко, А. И. |
539.2 Г 646 Гомоюнова, М. В. Фотоэлектронная спектроскопия остовных уровней атомов поверхности кремния [Текст] : обзор / М. В. Гомоюнова, И. И. Пронин // Журнал технической физики. - 2004. - Т. 74, N 10. - Библиогр.: c. 30-34 (203 назв. ) . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): адсорбция -- атомное строение поверхности -- кремний -- фотоэлектронная спектроскопия -- фотоэлектронная спектросопия остовных уровней Аннотация: Обобщены результаты исследований атомного строения поверхности монокристаллического кремния (как чистой, так и с различными адсорбционными покрытиями) , выполненных в последние годы методом фотоэлектронной спектроскопии остовных уровней высокого разрешения с использованием синхротронного излучения. Кратко описаны физические основы метода, техника эксперимента, методика обработки спектров и определения энергетических сдвигов остовных уровней атомов приповерхностного слоя. Особое внимание уделено поверхностным модам 2p-спектров кремния, наблюдаемых для основных типов реконструкции поверхности кристалла (Si (111) -7x7 и Si (100) -2x1) , и раскрытию взаимосвязи этих мод с особенностями атомного строения данных поверхностей. Подробно проанализированы работы, посвященные системе Ge/Si, представляющей большой интерес для развития наноэлектроники, а также проблеме адсорбции многих металлов и ряда газов на основных гранях кремния. Результаты этих исследований наглядно демонстрируют высокий потенциал рассмотренного метода для получения уникальной по своей детальности информации о структуре адсорбированных слоев и перестройке поверхности подложки, стимулированной адсорбцией. Перейти: http://www.ioffe.rssi.ru/journals/jtf/2004/10/page-1.html.ru Доп.точки доступа: Пронин, И. И. |