621.38 А 465 Александров, С. Е. Устройство пирометрического контроля температуры подложки GaAs для установки молекулярно-лучевой эпитаксии [Текст] / С. Е. Александров, Г. А. Гаврилов [и др.] // Журнал технической физики. - 2004. - N 1. - Библиогр.: c. 127 (8 назв. ) . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Радиоэлектроника--Электроника Кл.слова (ненормированные): пирометрический контроль -- арсенид галлия -- молекулярно-лучевая эпитаксия -- подложки -- температура подложки -- оптические пирометры Аннотация: Рассматривается оптический пирометр, специально разработанный для прецизионного контроля температуры GaAs подложки во время эпитаксиального роста в условиях молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ) . Особенностью разработанного устройства является возможность его калибровки на некоторую характерную абсолютную температуру, определяемую визуально по изменению картины дифракции быстрых электронов (ДБЭ) . Это позволяет рассчитать абсолютную температуру подложки с учетом ее излучательной способности и свести к минимуму погрешности определения температуры по излучению, связанные с запылением пирометрического окна установки ростовыми материалами. Перейти: http: //www. ioffe. ru/journals/jtf/2004/01/ Доп.точки доступа: Гаврилов, Г. А.; Капралов, А. А.; Сотникова, Г. Ю.; Черных, Д. Ф.; Алексеев, А. Н.; Дудин, А. Л.; Коган, И. В.; Шкурко, А. П. |
Галиев, Г. Б. Исследование структурного совершенства, распределения и перерапределения кремния в эпитаксиальных пленках GaAs, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках с ориентациями (100), (111)А, (111)В [Текст] / Г. Б. Галиев, В. Г. Мокеров [и др.] // Журнал технической физики. - 2001. - Т.71,N4. - Библиогр.: с. 52 (15 назв.) . - ISSN 0044-4642 Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): эпитаксиальные пленки -- арсенид галлия -- молекулярно-лучевая эпитаксия -- рентгеновская дифрактометрия -- атомно-силовая микроскопия -- ВИМС -- термический отжиг -- легирование -- рельеф поверхности -- ионное травление Аннотация: Методами рентгеновской дифрактометрии и ВИМС исследованы распределение кремния до и после термического отжига в тонких легированных слоях GaAs, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках с ориентациями (100), (111)А, (111)В. С помощью атомно-силового микроскопа исследованы рельефы поверхности выращенных эпитаксиальных пленок вне и внутри кратера ионного травления, возникающего во время измерения методом ВИМС. Выявлены особенности рельефа поверхности внутри кратера для разных ориентаций. Обнаруженные изменения формы профилей легирования объяснены как особенностями развития рельефа поверхности во время ионного травления при измерении методом ВИМС, так и ускоренной диффузией Si по дефектам роста Доп.точки доступа: Мокеров, В.Г.; Сарайкин, В.В.; Слепнев, Ю.В; Шагимуратов, Г.И.; Имамов, Р.М.; Пашаев, Э.М. |
621.315.592.546 Л 135 Лаврентьева, Л. Г. Молекулярно-лучевая эпитаксия GaAs при низких температурах: влияние избыточного мышьяка на структуру и свойства слоев [Текст] / Л. Г. Лаврентьева, М. Д. Вилисова, В. В. Преображенский, В. В. Чалдышев // Известия вузов. Физика. - 2002. - Т.45,N8. - Библиогр.: с.17-19 (81 назв.) . - ISSN 0021-3411
Кл.слова (ненормированные): арсенид галлия -- легирующие примеси -- молекулярно-лучевая эпитаксия -- мышьяк Аннотация: В статье дан обзор работ, авторы которых изучали возможность управления свойствами эпитаксиального GaAs за счет введения избыточного (сверхстехиометрического) мышьяка в условиях молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ) при низких температурах (LT-GaAS). Исследуется влияние избыточного мышьяка на структуру и свойства слоев LT-GaAS непосредственно после выращивания и после отжига. Рассматривается влияние легирующих примесей на захват избыточного мышьяка. Приводятся данные по влиянию избыточного мышьяка на свойства твердого раствора Ga[0,47]In[0,53]As. Обсуждаются особенности механизма захвата избыточного мышьяка в твердую фазу в условиях низкотемпературного эпитаксиального роста Перейти: http://www.tsu.ru/ru/derision/physics Доп.точки доступа: Вилисова, М.Д.; Преображенский, В.В.; Чалдышев, В.В. |
621.38 А 901 Асеев, А. Л. (???? 1). Физика и технология гетероструктур III-V: современное сотояние и тенденции развития [Текст] / А. Л. Асеев, О. П. Пчеляков, А. И. Торопов // Известия вузов. Физика. - 2003. - N6. - Библиогр.: 15 назв. . - ISSN 0021-3411
Рубрики: Радиоэлектроника--Электроника Кл.слова (ненормированные): атомно-гладкие гетерограницы -- гетероструктуры -- горячие электроны -- лазеры с вертикальным резонатором -- молекулярно-лучевая эпитаксия -- полевые транзисторы -- полупроводниковые материалы -- структуры с квантовыми ямами Аннотация: В данной статье приведен обзор современного положения дел в области молекулярно-лучевой эпитаксии в Институте физики полупроводников СО РАН (г.Новосибирск) Доп.точки доступа: Пчеляков, О.П. (???? 1); Торопов, А.И. (???? 1) |
621.315.592 В 659 Войцеховский, А. В. Особенности определения электрофизических параметров вариозных структур КРТ, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии [Текст] / А. В. Войцеховский, Д. В. Григорьев, А. Г. Коротаев, А. П. Коханенко // Известия вузов. Физика. - 2004. - N 7. - Библиогр.: с. 76-77 ( 10 назв. ) . - ISSN 0021-3411
Рубрики: Энергетика--Электротехника Кл.слова (ненормированные): молекулярно-лучевая эпитаксия -- вариозные структуры КРТ -- электрофизические параметры Аннотация: В работе проведено численное моделирование влияния широкозонного и узкозонного вариозных слоев на результаты холловских измерений концентрации и подвижности носителей заряда эпитаксильных структур КРТ, выращенных методом МЛЭ. Исследование зависимости относительно различия между эффективными методами значениями электрофизических параметров, полученных в эксперименте, и параметров основного "рабочего" слоя эпитаксильной пленки от характеристик вариозного слоя показало неравназначное влияние широкозонного и узкозонного слоев. Доп.точки доступа: Григорьев, Д. В.; Коротаев, А. Г.; Коханенко, А. П. |
537 Ш 471 Шенгуров, В. Г. Нагреватель подложек в сверхвысоком вакууме [Текст] / В. Г. Шенгуров, С. П. Светлов, В. А. Толомасов, В. Ю. Чалков // Приборы и техника эксперимента. - 2004. - N 5. - Библиогр.: с. 160 (6 назв. ) . - ISSN 0032-8162
Рубрики: Физика--Электричество и магнетизм Кл.слова (ненормированные): нагреватели -- подложки -- вакуум -- сверхвысокий вакуум -- эпитаксия -- молекулярно-лучевая эпитаксия Аннотация: Описано устройство равномерного прогрева подложек для молекулярно-лучевой эпитаксии до температуры 1450 градусов С. Доп.точки доступа: Светлов, С. П.; Толомасов, В. А.; Чалков, В. Ю. |
539.1 Б 30 Бахтизин, Р. З. Сканирующая туннельная микроскопия гетероэпитаксиального роста пленок III-нитридов [Текст] / Р. З. Бахтизин, Ч. -Ж. Щуе [и др.] // Успехи физических наук. - 2004. - Т. 174, N 4. - С. 383-405. - Библиогр.: с. 404 (98 назв. ). - ил.: 17 рис., 1 табл. . - ISSN 0042-1294
Рубрики: Физика--Ядерная физика Кл.слова (ненормированные): туннельная микроскопия -- гетероэпитаксиальный рост -- пленки III-нитридов -- азотная плазма -- атомные структуры -- молекулярно-лучевая эпитаксия Аннотация: Анализируются современное состояние работ и новые тенденции в получении полупроводников III-нитридов и изучении их поверхностных свойств. С использованием уникальной установки исследованы атомные структуры на поверхности пленок GaN как с гексагональной, так и с кубической симметрией, выращенных методами молекулярно-лучевой эпитаксии в присутствии азотной плазмы в широком диапазоне температур и отношений концентраций [N]/[Ga]. Перейти: http://www.ufn.ru Доп.точки доступа: Щуе, Ч.-Ж.; Щуе, Ч.-К.; Ву, К.-Х.; Сакурай, Т. |
621.375 А 90 Асеев, А. Л. Нанотехнологии в полупроводниковой электронике [Текст] / А. Л. Асеев // Вестник Российской академии наук. - 2006. - Т. 76, N 7. - С. 603-611. - Библиогр.: с. 611 (3 назв. ) . - ISSN 0869-5873
Рубрики: Радиоэлектроника--Квантовая электроника Кл.слова (ненормированные): нанотехнологии -- полупроводниковая электроника -- электроника полупроводниковая -- наноструктуры -- молекулярно-лучевая эпитаксия -- эпитаксия молекулярно-лучевая -- лазеры полупроводниковые -- полупроводниковые лазеры -- полупроводниковые излучатели -- излучатели полупроводниковые -- гетероструктуры -- квантовые ямы -- ямы квантовые -- квантовые точки -- точки квантовые -- резонаторы -- лазерные структуры -- структуры лазерные -- эпитаксиальные структуры -- структуры эпитаксиальные -- электронный газ -- газ электронный -- полупроводниковые нанотрубки -- нанотрубки полупроводниковые -- транзисторы Аннотация: В современной полупроводниковой электронике все шире используются нанотехнологии, которые обладают атомной точностью при получении полупроводниковых наноструктур с необходимым химическим составом и конфигурацией, оснащены методами комплексной диагностики наноструктур, в том числе и в процессе изготовления, что позволяет управлять технологическими процессами. В статье рассмотрены возможности нанотехнологий в решении основных задач полупроводниковой электроники. |
537 У 740 Усанов, Д. А. Изменение типа резонансного отражения электромагнитного излучения в структурах "нанометровая металлическая пленка - диэлектрик" [Текст] / Д. А. Усанов, А. В. Скрипаль, А. В. Абрамов, А. С. Боголюбов // Письма в журнал технической физики. - 2007. - Т. 33, N 2. - С. 13-22 . - ISSN 0320-0116
Рубрики: Физика--Электричество и магнетизм Кл.слова (ненормированные): электромагнитное излучение -- резонансное отражение -- металлодиэлектрические структуры -- нанометровые металлические пленки -- диэлектрики -- полуволновый резонанс -- четвертьволновый резонанс -- молекулярно-лучевая эпитаксия Аннотация: Теоретически предсказаны и обнаружены экспериментально два типа резонансного отражения электромагнитного излучения от слоистых металлоди-электрических структур с нанометровыми металлическими слоями. При малой толщине металлического слоя в таких структурах реализуется условие так называемого полуволнового резонанса, а при больших толщинах металлического слоя - четвертьволнового резонанса. Доп.точки доступа: Скрипаль, А. В.; Абрамов, А. В.; Боголюбов, А. С. |
621.315.592 В 276 Величко, А. А. Влияние электронного пучка дифрактометра быстрых электронов на морфологию поверхности гетероструктур CaF/Si (100 [Текст] / А. А. Величко, В. А. Илюшин [и др.] // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. - 2007. - N 8. - С. 50-58 . - ISSN 0207-3528
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): дифракция быстрых электронов -- молекулярно-лучевая эпитаксия -- гетероструктуры -- пленки CaF[2] -- морфология поверхностей гетероструктур Аннотация: Методом атомно-силовой микроскопии исследовано влияние пучка быстрых электронов дифрактометра на морфологию поверхности пленок CaF[2] в процессе молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках Si (100). Показано, что в области воздействия электронного пучка не только существенно меняется вид морфологических дефектов, но и более чем вдвое возрастает их средняя высота. Доп.точки доступа: Илюшин, В. А.; Остертак, Д. И.; Пейсахович, Ю. Г.; Филимонова, Н. И. |
539.2 М 690 Михайлов, В. И. Масс-спектрометрическое исследование кинетики молекулярно-лучевой эпитаксии CdTe: часть 2. Cd, Te[2], Te, CdTe [Текст] / В. И. Михайлов, Л. Е. Поляк, В. М. Каневский // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. - 2007. - N 11. - С. 48-54 . - ISSN 0207-3528
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): эпитаксия -- наноструктуры -- масс-спектрометрия -- молекулярно-лучевая эпитаксия Аннотация: Приведены данные исследований поверхностных процессов при молекулярно-лучевой эпитаксии CdTe методом масс-спектрометрии in situ. Измерения кинетических параметров проведены с модулированными молекулярными пучками Cd и Те[2] интенсивностью 0. 1-5. 0 м/с при температурах кристалла 550-730 К. Экспериментальные результаты обработаны по модели, в которой процессы конденсации и испарения происходят через стадии адсорбции и десорбции. Скорости десорбции составили для Те[2] 2-15 с\{-1\}, для Cd >150 с\{-1\}. Энергия активации процесса "испарения" CdTe равна 1. 2 эВ; энергии десорбции E[d] (Cd) = 1. 0 эВ и E[d] (Te[2]) = 0. 3 эВ. Получены оценки заполнения адсорбционного слоя атомами кадмия и молекулами теллура: n (Cd) < 0. 01, n (Те[2]) = 0. 02-0. 20 и n (Те) = 0. 2-1. 0. Доп.точки доступа: Поляк, Л. Е.; Каневский, В. М. |
539.2 М 690 Михайлов, В. И. Масс-спектрометрическое исследование кинетики молекулярно-лучевой эпитаксии CdTe. Часть I: Cd, Te[2], CdTee [Текст] / В. И. Михайлов, Л. Е. Поляк, В. М. Каневский // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. - 2007. - N 6. - С. 53-58 . - ISSN 0207-3528
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): молекулярно-лучевая эпитаксия -- масс-спектрометрия -- CdTe -- Cd -- Te[2] -- наноструктуры -- адсорбция -- десорбция -- конденсация -- испарение -- диффузия Аннотация: Приведены данные исследований поверхностных процессов при молекулярно-лучевой эпитаксии CdTe методом масс-спектрометрии in situ. Для измерения кинетических параметров использовались модулированные молекулярные пучки Cd и Te[2]. Эксперименты проведены при температуре кристалла в диапазоне 600-730 К. Результаты обработаны по модели, в которой процессы конденсации и испарения происходят через стадии адсорбции и десорбции. Скорость десорбции составила для Te[2] 2-10 c\{-1\}, для Cd более 30 с\{. 1\}. Определены значения энергии активации процесса испарения, энергии десорбции. Получены оценки величин заполнения адсорбционного слоя. Доп.точки доступа: Поляк, Л. Е.; Каневский, В. М. |
539.2 Я 499 Якушев, М. В. Морфология поверхности подложки Si (310), используемой для молекулярно-лучевой эпитаксии CdHgTe: I. Чистая поверхность Si (310 [Текст] / М. В. Якушев, Д. В. Брунев [и др.] // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. - 2008. - N 2. - С. 41-47 . - ISSN 0207-3528
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): молекулярно-лучевая эпитаксия -- CdHgTe -- поверхность подложки Si (310) -- отжиг в вакууме -- гетероэпитаксиальные структуры Аннотация: Методами сканирующей туннельной микроскопии и дифракции электронов высокой и низкой энергии исследовано влияние отжига в вакууме на морфологию гидрогенизированной и окисленной поверхностей Si (310). Установлено, что после десорбции пассивирующего покрытия поверхность имеет сильно развитый рельеф, образованный преимущественно ступенями высотой в два монослоя. Отжиг до температуры 900 плюс минус 15 градусов С с последующим резким остыванием приводит к фасетированию поверхности плоскостями (510). Присутствие на поверхности Si (310) ступеней высотой в два монослоя позволяет использовать кристаллы Si, ориентированные по плоскости (310), в качестве подложки для гетероэпитаксии соединений A\{2\}B\{6\}. Доп.точки доступа: Брунев, Д. В.; Романюк, К. Н.; Долбак, А. Е.; Дерябин, А. С.; Миронова, Л. В.; Сидоров, Ю. Г. |
539.2 С 121 Сабинина, И. В. Факторы, определяющие морфологию пленок Cd[x]Hg[1-x]Te при молекулярно-лучевой эпитаксии [Текст] / И. В. Сабинина, А. К. Гутаковский [и др.] // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. - 2008. - N 2. - С. 48-55 . - ISSN 0207-3528
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): CdHgTe (301) -- пленки (физика) -- молекулярно-лучевая эпитаксия -- микроморфология пленок -- микроструктура пленок -- атомно-силовая микроскопия Аннотация: С помощью атомно-силовой микроскопии исследована зависимость микроморфологии пленок CdHgTe (301), выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии, от условий выращивания и микроморфологии буферного слоя CdTe. Просвечивающая и высокоразрешающая электронная микроскопия были использованы для выявления взаимосвязи между микроморфологией и микроструктурой пленок CdHgTe (301). Доп.точки доступа: Гутаковский, А. К.; Сидоров, Ю. Г.; Варавин, В. С.; Латышев, А. В. |
539.2 Я 499 Якушев, М. В. Морфология поверхности подложки Si (310), используемой для молекулярно-лучевой эпитаксии CdHgTe: II. Поверхность Si (310), отожженная в парах As[4] [Текст] / М. В. Якушев, Д. В. Брунев, К. Н. Романюк, Ю. Г. Сидоров // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. - 2008. - N 6. - С. 14-20 . - ISSN 0207-3528
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): подложка Si (310) -- Si (310) -- CdHgTe -- As[4] -- поверхность подложки -- молекулярно-лучевая эпитаксия -- морфология гидрогенизированной поверхности -- отжиг в парах As[4] Аннотация: Методами дифракции быстрых электронов и сканирующей туннельной микроскопии исследована морфология гидрогенизированной поверхности Si (310), отожженной в парах As[4]. Установлено, что при температуре отжига выше 700 градусов С происходит изменение морфологии поверхности с образованием фасеток (311) и ступеней высотой в несколько межплоскостных расстояний. При температуре ниже 600 градусов С фасетирование поверхности не происходит, и ступени имеют высоту в два межплоскостных расстояния. Это делает поверхность пригодной для выращивания гетероструктур на основе соединений А[2]В[6]. Доп.точки доступа: Брунев, Д. В.; Романюк, К. Н.; Сидоров, Ю. Г. |
621.3 П 189 Парчинский, П. Б. Исследование спектров фотолюминесценции GaMnAs, полученного методом низкотемпературной молекулярно-лучевой эпитаксии [Текст] / П. Б. Парчинский, А. Ю. Бобылев [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2007. - Т. 41, вып. 10. - С. 1163-1167 . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Электротехника Кл.слова (ненормированные): фотолюминесценция -- молекулярно-лучевая эпитаксия -- полупроводниковые соединения -- спектры люминесценции -- экситонная люминесценция -- спинтроника -- GaMnAs Аннотация: В температурном интервале 4-150 K исследованы спектры люминесценции слоев GaMnAs, полученных методом низкотемпературной молекулярно-лучевой эпитаксии. В спектрах слоев GaMnAs, содержащих кластеры MnAs, обнаружены локальные максимумы при энергиях 1. 36 и 1. 33 эВ. Показано, что величина красного сдвига линии экситонной люминесценции зависит от содержания Mn в полупроводниковой матрице. Доп.точки доступа: Бобылев, А. Ю.; Власов, С. И.; Фу Чен Ю; Дожин Ким |
621.315.592 Б 435 Белова, О. В. Электрофизические свойства слоев Si : Er/Si, выращенных методом сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии [Текст] / О. В. Белова, В. Н. Шабанов [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2008. - Т. 42, вып. 2. - С. 136-140 . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): молекулярно-лучевая эпитаксия -- дно зоны проводимости -- эрбий -- холловская подвижность Аннотация: Температурные зависимости концентрации и холловской подвижности электронов в эпитаксиальных слоях Si : Er/Sr исследовались после их выращивания при T=600 градусов Цельсия и отжига при 700 и 900 градусов Цельсия. Слои осаждались методом сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии в вакууме ~ 10\{-5\} Па. Энергетические уровни донорных центров, связанных с Er, расположены на глубине 0. 21-0. 27 эВ от дна зоны проводимости Si. В интервале 80-300 K холловская подвижность электронов в неотожженных эпитаксиальных слоях Si : Er была в 3-10 раз меньше подвижности в монокристаллах Cz-Si. После отжига слоев доля рассеяния электронов на донорных центрах Er заметно уменьшается. Доп.точки доступа: Шабанов, В. Н.; Касаткин, А. П.; Кузнецов, О. А.; Яблонский, А. Н.; Кузнецов, М. В.; Кузнецов, В. П.; Корнаухов, А. В.; Андреев, Б. А.; Красильник, З. Ф. |
621.315.592 К 891 Кузнецов, В. П. О способах испарения Si и легирующих примесей в методах вакуумной эпитаксии [Текст] / В. П. Кузнецов, Н. А. Алябина [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2008. - Т. 42, вып. 3. - С. 257-261 . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): молекулярно-лучевая эпитаксия -- вакуумная эпитаксия -- слои кремния -- кремний -- сурьма Аннотация: Cлои Si выращены методом сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии при 500-900 градусов Цельсия со скоростью 1 мкм/ч в вакууме 10\{-5\} Па. Показана возможность изменения концентрации Sb в слоях Si в интервале от 10\{15\} до 10\{20\} см\{-3\} путем изменения температуры эпитаксии. Анализируются возможности разных способов испарения Si и легирующих примесей в вакууме. Доп.точки доступа: Алябина, Н. А.; Боженкин, В. А.; Белова, О. В.; Кузнецов, М. В. |
621.315.592 В 180 Варавин, В. С. Исследование зависимости электрофизических параметров пленок Cd[x]Hg[1-x]Te, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии, от уровня легирования индием [Текст] / В. С. Варавин, С. А. Дворецкий [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2008. - Т. 42, вып. 6. - С. 664-667 . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): молекулярно-лучевая эпитаксия -- пленки (физика) -- легирование индием -- фоторезисторные приемники -- фотодиодные приемники Аннотация: Исследованы зависимости времени жизни неосновных носителей заряда и подвижности электронов от уровня легирования индием в пленках Cd[x]Hg[1-x]Te. Пленки с x~0. 22 были выращены методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках GaAs и легированы индием в процессе роста по всей толщине. Исследованы температурные зависимости времени жизни в диапазоне температур 77-300 K. Уменьшение времени жизни с ростом уровня легирования определяется механизмом оже-рекомбинации. С увеличением уровня легирования наблюдается снижение подвижности, что качественно соответствует теоретическим расчетам. Доп.точки доступа: Дворецкий, С. А.; Икусов, Д. Г.; Михайлов, Н. Н.; Сидоров, Ю. Г.; Сидоров, Г. Ю.; Якушев, М. В. |
621.315.592 С 347 Сидоров, Г. Ю. Исследование влияния температуры крекинга мышьяка на эффективность его встраивания в пленки CdHgTe в процессе молекулярно-лучевой эпитаксии [Текст] / Г. Ю. Сидоров, Н. Н. Михайлов [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2008. - Т. 42, вып. 6. - С. 668-671 . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): крекинг -- мышьяк -- молекулярно-лучевая эпитаксия -- пленки (физика) -- кадмий-ртуть-теллур Аннотация: Пленки Cd[х]Hg[1-x]Te с x~0. 22 толщиной ~10 мкм выращивались методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках из арсенида галлия и легировались мышьяком в процессе роста. Активационный отжиг легированных пленок позволил получить p-тип проводимости с концентрацией дырок до 10\{17\} см\{-3\}. Исследовано влияние температуры зоны крекинга источника мышьяка на эффективность встраивания мышьяка в пленку CdHgTe. Предложена модель, описывающая зависимость концентрации мышьяка в пленках от температуры зоны крекинга. Из сопоставления модели и экспериментальных данных следует, что эффективность встраивания двухатомного мышьяка примерно на 2 порядка выше, чем четырехатомного. Доп.точки доступа: Михайлов, Н. Н.; Варавин, В. С.; Икусов, Д. Г.; Сидоров, Ю. Г.; Дворецкий, С. А. |