22.37 Н 899 Нуприенок, И. С. Влияние лазерного облучения с h*nu =1.96 eV на свойства контакта титан-кремний при термическом отжиге в азоте [Текст] / И. С. Нуприенок, А. Н. Шибко // Журнал технической физики. - 2003. - Т.73,N2. - Библиогр.: с.128 (13 назв.) . - ISSN 0044-4642 Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): выпрямляющие контакты -- лазерное облучение -- термический отжиг -- титан-кремний Аннотация: Исследовано влияние лазерного облучения с h*nu=1.96 eV (lambda=0.63 mum) на контакт титан-кремний при стационарном термическом отжиге в азоте. Установлено, что происходящее при такой обработке изменение фазового состава контакта обусловливает изменение его электрофизических параметров. Использование лазерного облучения позволяет формировать выпрямляющий контакт титан-кремний с необходимыми, заранее определенными электрофизическими параметрами Доп.точки доступа: Шибко, А.Н. |
Нуприенок, И. С. Влияние длины волны ультрафиолетового облучения на свойства контакта цирконий-кремний [Текст] / И. С. Нуприенок, А. Н. Шибко // Журнал технической физики. - 2001. - Т.71,N9. - Библиогр.: с.48 (6 назв.) . - ISSN 0044-4642 Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): цирконий -- кремний -- облучение -- ультрафиолет -- термообработка -- выпрямляющие контакты Аннотация: Исследовано влияние ультрафиолетового облучения при термической обработке на контакт цирконий-кремний. Определено, что изменение фазового состава контакта обусловливает изменение электрофизических параметров. Применение комбинированной обработки позволяет формировать выпрямляющий контакт цирконий-кремний с определенными, заранее заданными электрофизическими параметрами Доп.точки доступа: Шибко, А.Н. |
Диоды с барьером Шоттки Au-TiBx-n-6H-SiC: особенности токопереноса в выпрямляющих и невыпрямляющих контактах [Текст] / О. А. Агеев [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып: вып. 7. - С. 897-903 : ил. - Библиогр.: с. 902 (22 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Проводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): токоперенос -- барьеры Шоттки -- Шоттки барьеры -- диоды Шоттки -- Шоткки диоды -- вольт-амперные характеристики -- ВАХ -- выпрямляющие контакты -- омические контакты -- монокристаллы -- карбид кремния -- туннельные токи -- концентрация -- дислокации -- пространственный заряд Аннотация: Исследован механизм токопереноса в диоде на основе карбида кремния с барьером Шоттки, сформированным квазиаморфной фазой внедрения TiB[х] на поверхности монокристаллов n-6H-SiC (0001), с концентрацией нескомпенсированных доноров (азот) ~10{18}см{-3}и концентрацией дислокаций ~ (10{6}-10{8}) см{-2}. Показано, что при температурах T= Доп.точки доступа: Агеев, О. А.; Беляев, А. Е.; Болтовец, Н. С.; Иванов, В. Н.; Конакова, Р. В.; Кудрик, Я. Я.; Литвин, П. М.; Миленин, В. В.; Савченко, А. В. |
621.315.592 Р 832 Рудинский, М. Э. Электронные состояния на границах раздела электролит/n-GaN и электролит/n-InGaN [Текст] / М. Э. Рудинский, А. А. Гуткин, П. Н. Брунков // Физика и техника полупроводников. - 2012. - Т. 46, вып. 6. - С. 775-778 : ил. - Библиогр.: с. 778 (12 назв.) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): электронные состояния -- границы раздела -- электролиты -- выпрямляющие контакты -- вольт-фарадные характеристики -- ВФХ -- водные растворы -- полупроводники -- запрещенные зоны -- проводимость контактов Аннотация: Исследованы дифференциальные емкость и активная проводимость выпрямляющих контактов n-GaN и n-InxGa[1-x]N (x примерно равно 0. 15) с электролитом (0. 2 М водные растворы NaOH, NaCl или HCl). Обнаружено, что на границе раздела указанных полупроводников с раствором NaOH существуют электронные состояния с энергиями, соответствующими верхней половине запрещенной зоны полупроводника. Плотность и характеристическое время перезарядки состояний, дающих заметный вклад в дифференциальные емкость и активную проводимость при частотах зондирующего напряжения 0. 3-1 кГц, увеличиваются при увеличении их энергии связи и в случае n-GaN для состояний с энергией на 0. 15-0. 3 эВ ниже дна зоны проводимости лежат соответственно в диапазонах 10{12}-2 x 10{13} см{-2}эВ{-1} и 10{-4}-10{-2} с. Для контактов с растворами NaCl и HCl подобные состояния отсутствуют. Предполагается, что обнаруженные состояния связаны с адсорбцией гидроксильной группы. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2012/06/p775-778.pdf Доп.точки доступа: Гуткин, А. А.; Брунков, П. Н. |