537 С 285 Седьмов, Н. А. Магнитоминералогические особенности магнетита из различных осадочных пород и отложений [Текст] / Н. А. Седьмов, В. Ф. Бабанин [и др.] // Вестник Московского университета. Сер. 3, Физика. Астрономия. - 2004. - N 1. - Библиогр.: с. 65 (10 назв. ) . - ISSN 0201-7385
Рубрики: Физика--Электричество и магнетизм Кл.слова (ненормированные): магнетит -- магнитная фракция -- почва -- мессбауэровская спектроскопия -- магнитные измерения -- рентгеновская дифрактометрия -- растровая электронная микроскопия -- элементарный анализ Аннотация: С помощью мессбауэровской спектроскопии, магнитных измерений, рентгеновской дифрактометрии, растровой электронной микроскопии и элементарного микроанализа исследованы магнитные фракции, выделенные из различных типов отложений и почв. В изученных магнитных фракциях основная составная часть представлена магнетиком. По форме мессбауэровского спектра, ширине и интенсивности линий установлены магнитные и минералогические особенности природного магнетика и расчитана степень вакансий в его структуре. Показано, что этот параметр магнетита определяется окислительно-восстановительной обстановкой в среде их образования. Доп.точки доступа: Бабанин, В. Ф.; Морозов, В. В.; Залуцкий, А. А.; Трухин, В. И.; Шоба, С. А. |
535 С 569 Согр, А. А. Оценка разрешения РЭМ изображения доменной структуры сегнетоэлектриков в режиме теплового воздействия [Текст] / А. А. Согр, А. Г. Масловская // Журнал технической физики. - 2004. - Т. 74, N 11. - Библиогр.: c. 114 (8 назв. ) . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Физика--Оптика Кл.слова (ненормированные): доменные структуры -- пироток -- разрешение изображения -- растровая электронная микроскопия -- РЭМ изображение -- сегнетоэлектрики Аннотация: Рассматриваются особенности контраста растрового изображения доменной структуры сегнетоэлектрика в режиме пиротока. Приведены расчеты, основанные как на учете скорости нагрева отдельных частей домена, так и на расчете диффузии тепла через границы доменов и кристалла. Диффузия тепла приводит к размытию изображения небольших доменов. Показано, что наряду с диаметром зонда скорость сканирования является существенным фактором, определяющим характер контраста растрового изображения. Уменьшение скорости сканирования может существенно снизить разрешение изображения даже при малом диаметре зонда. Перейти: http://www.ioffe.ru/journals/jtf/2004/11/page-111.html.ru Доп.точки доступа: Масловская, А. Г. |
539.2 Г 831 Григоров, И. Г. О формировании 3-D изображения с помощью цифровой сканирующей микроскопии [Текст] / И. Г. Григоров, Л. Н. Ромашев, Ю. Г. Зайнулин, В. В. Устинов // Заводская лаборатория. Диагностика материалов. - 2008. - Т. 74, N 2. - С. 26-29. - Библиогр.: с. 29 (7 назв. ) . - ISSN 1028-6861
Рубрики: Физика Физика твердого тела Техника Материаловедение Кл.слова (ненормированные): 3-D изображения -- атомно-силовая микроскопия -- зондовая микроскопия -- микроскопия -- растровая электронная микроскопия -- сканирующая зондовая микроскопия -- сканирующая микроскопия -- сканирующая туннельная микроскопия -- туннельная микроскопия -- формирование изображений -- цифровая сканирующая микроскопия Аннотация: Описана методика формирования 3-D изображения исследуемых объектов путем совместного использования растровой электронной и сканирующей туннельной микроскопии. Доп.точки доступа: Ромашев, Л. Н.; Зайнулин, Ю. Г.; Устинов, В. В. |
004.35 Г 831 Григоров, И. Г. О разрешающей способности сканеров СММ-2000 [Текст] / И. Г. Григоров, Л. Н. Ромашев, Ю. Г. Зайнулин // Заводская лаборатория. Диагностика материалов. - 2008. - Т. 74, N 5. - C. 45-46. - Библиогр.: с. 46 (6 назв. ) . - ISSN 1028-6861
Рубрики: Вычислительная техника Устройства ввода-вывода Кл.слова (ненормированные): разрешающая способность сканеров -- сканеры СММ-2000 -- СММ-2000 (сканеры) -- микроскопы -- сканирующая зондовая микроскопия -- зондовая микроскопия -- микроскопия -- растровая электронная микроскопия -- электронная микроскопия -- сканирование Аннотация: Рассмотрена разрешающая способность сканеров СММ-2000. Доп.точки доступа: Ромашев, Л. Н.; Зайнулин, Ю. Г. |
539.2 З-692 Змиенко, Д. С. Идентификация наночастиц карбидов ниобия в стали 10Х13Г12С2Н2Д2Б [Текст] / Д. С. Змиенко, И. А. Степанова, Е. И. Ярополова, А. Е. Корнеев // Заводская лаборатория. Диагностика материалов. - 2008. - Т. 74, N 6. - С. 40-42. - Библиогр.: с. 42 (11 назв. ) . - ISSN 1028-6861
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): 10Х13Г12С2Н2Д2Б -- ДИ59 -- марки сталей -- наночастицы карбида ниобия -- карбид ниобия -- ПЭМ -- РЭМ -- РСФА -- просвечивающая электронная микроскопия -- растровая электронная микроскопия -- рентгеноспектральный флуоресцентный анализ -- микрорентгеноспектральный анализ -- хромомарганцевые стали -- стали аустенитного класса -- легирование ниобием -- коррозионно-стойкие стали -- угольные реплики Аннотация: Впервые в стали 10Х13Г12С2Н2Д2Б (ДИ59) после выдержки при 670{0}C в течение 4200 ч было обнаружено большое количество частиц высокой степени дисперсности, расположенных в теле зерен. Доп.точки доступа: Степанова, И. А.; Ярополова, Е. И.; Корнеев, А. Е. |
539.26 В 226 Вахтель, В. М. Применение метода резерфордовского обратного рассеяния к анализу тонкопленочной системы Sn - Nb на кремнии [Текст] / В. М. Вахтель, Н. Н. Афонин [и др.] // Заводская лаборатория. Диагностика материалов. - 2008. - Т. 74, N 7. - С. 33-36. - Библиогр.: с. 36 (9 назв. ) . - ISSN 1028-6861
Рубрики: Физика Экспериментальные методы и аппаратура молекулярной физики Электростатика Кл.слова (ненормированные): Sn - Nb -- метод резерфордовского обратного рассеяния -- резерфордовское обратное рассеяние -- обратное рассеяние -- тонкопленочные системы -- кремний -- цинк -- ниобий -- монокристаллический кремний -- магнетронное осаждение -- фотонный отжиг -- рентгенофазовый анализ -- растровая электронная микроскопия -- металлические пленки -- неразрушающий анализ Аннотация: Экспериментально с помощью метода резерфордовского обратного рассеяния изучены процессы фазообразования и взаимной диффузии в послойно осажденной на подложки монокристаллического кремния тонкопленочной системе Sn - Nb. Доп.точки доступа: Афонин, Н. Н.; Логачева, В. А.; Прибытков, Д. М.; Шрамченко, Ю. С.; Ховив, А. М. |
539.2 К 906 Кульментьева, О. П. Влияние импульсной плазменной обработки и обработки сильноточным пучком электронов на структуру и свойства покрытий на основе никеля [Текст] / О. П. Кульментьева, авт. А. Д. Погребняк // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. - 2008. - N 6. - С. 35-56 . - ISSN 0207-3528
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): плазменно-детонационная технология -- импульсная плазменная обработка -- сильноточные электронные пучки -- покрытия на основе никеля -- никель -- порошки -- сталь -- малоуглеродистая сталь -- рентгеноструктурный анализ -- конверсионная мессбауэровская спектроскопия -- растровая электронная микроскопия -- коррозионная стойкость покрытий Аннотация: С помощью плазменно-детонационной технологии (ПДТ) на подложку из малоуглеродистой стали Ст-3 были нанесены покрытия из порошков на основе никеля (ПГАН-33, ПГ-10Н-01 и ПГ-19Н-01) толщиной 80-300 мкм, которые затем подвергались дополнительной обработке либо сильноточным электронным пучком (СЭП), либо высокоскоростной импульсной плазменной струей в режиме оплавления. Анализ структуры проводился методами рентгеноструктурного анализа и конверсионной мессбауэровской спектроскопии в режиме пропускания и в режиме рассеяния. Для исследования морфологии и элементного анализа использовалась растровая электронная микроскопия с микроанализом. Измерялись микро- и нанотвердость, объемный износ, и исследовалась коррозионная стойкость полученных покрытий. Доп.точки доступа: Погребняк, А. Д. |
Использование методов растровой электронной микроскопии и ЯМР-криопорометрии для оценки размеров пор в пористом кремнии [Текст] / А. Г. Хохлов [и др. ] // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. - 2008. - N 12. - С. 90-93
Рубрики: Физика Магнетизм Кл.слова (ненормированные): растровая электронная микроскопия -- ЯМР-криопорометрия -- пористый кремний -- ядерный магнитный резонанс Аннотация: Проведена оценка некоторых возможностей метода растровой электронной микроскопии и метода криопорометрии, основанного на ядерном магнитном резонансе, для оценки размеров пор в пористом кремнии. Проведено сравнение результатов, полученных этими методами. Показана перспективность ЯМР-криопорометрии для исследования пористых объектов. Доп.точки доступа: Хохлов, А. Г.; Валиуллин, Р. Р.; Karger, J.; Зубарева, Н. Б.; Степович, М. А. |
Овчаренко, В. Е. Влияние пластической деформации продукта высокотемпературного синтеза на микроструктуру синтезированного под давлением интерметаллического соединения Ni[3]Al [Текст] / В. Е. Овчаренко, О. Б. Перевалова, О. В. Лапшин // Физика и химия обработки материалов. - 2008. - N 4. - С. 78-84 . - ISSN 0015-3214
Рубрики: Технология металлов Металловедение цветных металлов и сплавов Кл.слова (ненормированные): высокотемпературный синтез -- интерметаллические соединения -- синтез под давлением -- никелевые суперсплавы -- пластическая деформация -- дендриты -- оптическая металлография -- рентгеновская дифрактометрия -- просвечивающая дифракционная микроскопия -- растровая электронная микроскопия Аннотация: Методами оптической металлографии, просвечивающей дифракционной и растровой электронной микроскопии, микрорентгеноспектрального локального анализа и рентгеновской дифрактометрии проведено исследование микроструктуры, фазового и элементного составов интерметаллического соединения Ni[3]Al, пластически деформированного в процессе высокотемпературного синтеза. Доп.точки доступа: Перевалова, О. Б.; Лапшин, О. В. |
Исследование структурных изменений микроволокнистых материалов под воздействием озона методами атомно-силовой и растровой электронной микроскопии [Текст] / Н. В. Садовская [и др. ] // Журнал прикладной химии. - 2009. - Т. 82, вып: вып. 1. - С. 156-159. - Библиогр.: c. 159 (5 назв. ) . - ISSN 0044-4618
Рубрики: Химия Физико-химические методы анализа Кл.слова (ненормированные): диацетилцеллюлоза -- метод атомно-силовой микроскопии -- микроволокнистые материалы -- озон -- полиакрилонитрил -- поливинилхлорид -- полистирол -- растровая электронная микроскопия -- структурные изменения -- углеродные волокна -- фильтрующие материалы Аннотация: Изучены структурные изменения поверхности микроволокон фильтрующих материалов на основе полимеров. Доп.точки доступа: Садовская, Н. В.; Томашпольский, Ю. Я.; Обвинцева, Л. А.; Кучаев, В. Л.; Климук, А. И.; Шепелев, А. Д.; Аветисов, А. К. |
Использование трековой технологии для создания массивов микроигл, микродюз и микротрубок из никеля [Текст] / Г. М. Гусинский [и др. ] // Письма в "Журнал технической физики". - 2009. - Т. 35, вып: вып. 14. - С. 84-87 : ил. - Библиогр.: с. 87 (9 назв. ) . - ISSN 0320-0116
Рубрики: Технология металлов Металлургия цветных металлов Кл.слова (ненормированные): трековая технология -- микроскопия -- электронная микроскопия -- растровая электронная микроскопия -- методика создания микрообъектов -- создание массивов микрообъектов -- никелевые объекты -- микрообъекты -- микроиглы -- микродюзы -- микротрубки -- геометрические параметры -- катоды -- автоэмиссионные катоды -- многоострийные автоэмиссионные катоды -- токовая плотность Аннотация: С помощью растровой электронной микроскопии отработана методика создания массивов никелевых объектов (микроигла, микродюза и микротрубка) с заданными геометрическими параметрами в рамках трековой технологии. Показано, что достигаемое значение радиуса острия микроиглы (10-25 nm) позволяет использовать микрообъекты данного типа в качестве актуальных на сегодняшний день многоострийных автоэмиссионных катодов с высокой токовой плотностью. Доп.точки доступа: Гусинский, Г. М.; Барышев, С. В.; Нащекин, А. В.; Саксеев, Д. А.; Найденов, В. О.; Конников, С. Г. |
Серегина, Е. В. О возможности реализации стохастической модели распределения неравновесных неосновных носителей заряда в полупроводниковом материале [Текст] / Е. В. Серегина, А. М. Макаренков, М. А. Степович // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. - 2009. - N 10. - С. 75-86. - Материалы XXII Российской конференции по электронной микроскопии
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): неосновные носители заряда -- стохастическая модель распределения -- полупроводникиовые материалы -- растровая электронная микроскопия -- статистический анализ -- метод статистических испытаний -- гауссов закон распределения -- электронные пучки средней энергии Аннотация: Изучены некоторые возможности реализации методики оценки статистических характеристик (математического ожидания и автокорреляционной функции) распределения неосновных носителей заряда (ННЗ), генерированных в однородном полупроводниковом материале. Разработанная методика основана на использовании проекционного метода и применении техники матричных операторов. Предполагалось, что электрофизические параметры материала (время жизни, коэффициент диффузии и скорость поверхностной рекомбинации ННЗ) являются случайными величинами и имеют гауссов закон распределения. Рассмотрено влияние дисперсии этих величин на распределение ННЗ по глубине. Иллюстрация некоторых возможностей метода проведена для случая возбуждения ННЗ широким электронным пучком средней энергии. Доп.точки доступа: Макаренков, А. М.; Степович, М. А. |
Жукешов, А. М. Влияние режимов обработки импульсными потоками плазмы поверхности стали на ее структуру и микротвердость [Текст] / А. М. Жукешов, А. Т. Габдуллина // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. - 2009. - N 11. - С. 95-101
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): режимы обработки -- импульсы плазмы -- параметры микротвердости -- метод Шеррера -- Шеррера метод -- низкоуглеродистая сталь -- кристаллиты -- растровая электронная микроскопия -- рентгеноспектральный анализ Аннотация: Исследованы изменения в структуре и твердости поверхности низкоуглеродистой стали после импульсной плазменной обработки при различных условиях воздействия. Показано, что однократная обработка плазмой в режиме наполнения воздухом рабочей камеры приводит к значительному упрочнению исследуемой стали. С ростом плотности потока энергии, падающего на образец, наблюдается измельчение зерен (кристаллитов) основной фазы. В случае многократной обработки увеличение твердости происходит после первых 5-10 импульсов воздействия, что связано с формированием аустенитной фазы. Доп.точки доступа: Габдуллина, А. Т. |
Роль распределения напряжений на границе раздела пленка- (барьерный подслой) в формировании силицидов меди [Текст] / А. В. Панин [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып: вып. 1. - С. 118-125 : ил. - Библиогр.: с. 124 (17 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Проводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): медь -- силициды меди -- тонкие пленки -- Cu -- отжиг -- термический отжиг -- термоотжиг -- напряжения -- распределение напряжений -- температура -- границы раздела пленок -- барьерный подслой -- кристаллографическая ориентация -- подложки -- кристаллиты -- Cu[3]Si -- атомно-силовая микроскопия -- АСМ -- растровая электронная микроскопия -- РЭМ -- рентгеновская дифракция -- энергодисперсионный анализ -- коэффициент термического расширения -- КТР -- дефекты упаковки -- экспериментальные исследования Аннотация: Методами атомно-силовой и растровой электронной микроскопии, рентгеновской дифракции, а также энергодисперсионного микроанализа исследован процесс образования силицидов в тонких пленках Cu при термическом отжиге. Показано, что периодическое распределение напряжений, возникающее при повышенных температурах на границе раздела пленка- (барьерный подслой), может определять характер формирования силицидов меди. Исследовано влияние материала барьерного подслоя и кристаллографической ориентации подложки на плотность распределения и форму кристаллитов Cu[3]Si. Доп.точки доступа: Панин, А. В.; Шугуров, А. Р.; Ивонин, И. В.; Шестериков, Е. В. |
Молекулярно-пучковая эпитаксия термодинамически метастабильных твердых растворов GaInAsSb для фотодетекторов среднего ИК-диапазона [Текст] / А. Н. Семенов [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып: вып. 5. - С. 699-705 : ил. - Библиогр.: с. 704 (21 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): молекулярно-пучковая эпитаксия -- МПЭ -- метод молекулярно-пучковой эпитаксии -- твердые растворы -- GaInAsSb -- кристаллические решетки -- фотодетекторы -- жидкофазная эпитаксия -- ЖФЭ -- метод жидкофазной эпитаксии -- инфракрасный диапазон -- ИК-диапазон -- рентгеновская дифрактометрия -- РД -- метод рентгеновской дифрактометрии -- растровая электронная микроскопия -- РЭМ -- метод растровой электронной микроскопии -- фотолюминесценция -- ФЛ -- кривая дифракционного отражения -- КДО -- дифракция быстрых электронов -- ДБЭ -- оптические свойства -- спинодальный распад -- термодинамические расчеты Аннотация: Изучены особенности роста методом молекулярно-пучковой эпитаксии твердых растворов GaInAsSb с содержанием индия до 25 мол%, согласованных по периоду кристаллической решетки с GaSb. Данные растворы являются перспективными для использования в качестве активной области фотодетекторных структур среднего инфракрасного диапазона. Представлены результаты исследования этих твердых растворов методами двухкристальной рентгеновской дифрактометрии, растровой электронной микроскопии и фотолюминесценции. Показано, что твердые растворы Ga[x]In[1-x]As[y]Sb[1-y] с x<0. 8, выращенные при температуре 500{o}C, демонстрируют деградацию структурных и оптических свойств по мере увеличения толщины слоя. В слоях с толщинами выше критической наблюдается спинодальный распад в полном соответствии с термодинамическими расчетами положения границ областей несмешиваемости. Обсуждаются возможности оптимизации молекулярно-пучкового роста твердых растворов Ga[x]In[1-x]As[y]Sb[1-y] (x<0. 75) с высоким оптическим и структурным совершенством, а также характеристики фотодетекторов на основе гетероструктур GaInAsSb/AlGaAsSb. Доп.точки доступа: Семенов, А. Н.; Терентьев, Я. В.; Мельцер, Б. Я.; Соловьев, В. А.; Попова, Т. В.; Нащекин, А. В.; Андреев, И. А.; Куницына, Е. В.; Усикова, А. А.; Яковлев, Ю. П.; Иванов, С. В. |
Перевалова, О. Б. Влияние условий проведения высокотемпературного синтеза на микроструктуру и механические свойства интерметаллида Ni[3]Al [Текст] / О. Б. Перевалова, В. Е. Овчаренко // Физика и химия обработки материалов. - 2009. - N 6. - С. 86-90 . - ISSN 0015-3214
Рубрики: Технология металлов Металлургия цветных металлов Порошковая металлургия Кл.слова (ненормированные): интерметаллиды -- высокотемпературный синтез -- самораспространяющийся высокотемпературный синтез -- оптическая металлография -- растровая электронная микроскопия -- анизотропия -- пластичность -- предел текучести -- синтез под давлением -- рентгеновская дифрактометрия -- микрорентгеноспектральный анализ -- дендритные структуры -- модулированные структуры -- старение сплавов -- металлические сплавы Аннотация: Методами оптической металлографии, растровой электронной микроскопии, микрорентгеноспектрального анализа и рентгеновской дифрактометрии исследована микроструктура и фазовый состав интерметаллического соединения Ni[3]Al, полученного высокотемпературным синтезом под давлением. Доп.точки доступа: Овчаренко, В. Е. |
Свободные графеновые пленки из терморасширенного графита [Текст] / А. Т. Дидейкин [и др. ] // Журнал технической физики. - 2010. - Т. 80, N 9. - С. 146-149. - Библиогр.: c. 149 (10 назв. ) . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Физика Термодинамика твердых тел Кл.слова (ненормированные): свободные графеновые пленки -- интеркаляция -- графит -- терморасширенный графит -- терморасширение -- СВЧ-облучение -- растровая электронная микроскопия -- графен Аннотация: Предложен метод получения свободных графеновых пленок с использованием интеркаляции кристаллического графита и его последующего терморасширения. Приведены результаты исследования терморасширенного графита, полученного СВЧ-облучением с помощью растровой электронной микроскопии, и показано наличие в нем фрагментов свободных графеновых пленок. Сделан вывод о возможности получения указанным методом графена, пригодного для экспериментальных исследований. Доп.точки доступа: Дидейкин, А. Т.; Соколов, В. В.; Саксеев, Д. А.; Байдакова, М. В.; Вуль, А. Я. |
Максимов, С. К. Новый подход в метрологии в нанообласти [Текст] / С. К. Максимов, К. С. Максимов // Письма в "Журнал технической физики". - 2010. - Т. 36, вып: вып. 20. - С. 21-28 : ил. - Библиогр.: с. 27-28 (15 назв. ) . - ISSN 0320-0116
Рубрики: Техника Метрология Кл.слова (ненормированные): нанообъекты -- микроскопия -- электронная микроскопия -- растровая микроскопия -- растровая электронная микроскопия -- РЭМ -- новые подходы -- нанообласти -- методы контроля -- формы нанообъектов -- размеры нанообъектов -- электронные зонды Аннотация: Даны представления о пофракционном методе контроля в нанообласти и описана ключевая стадия метода, связанная с определением формы и размеров нанообъектов по РЭМ изображениям, полученным при разных сходимостях электронного зонда. Доп.точки доступа: Максимов, К. С. |
539.2 А 640 Анализ свойств и структура оксидированых покрытий, полученных на Al-Cu- и Al-Mg-сплавах [Текст] / А. Д. Погребняк [и др.] // Журнал технической физики. - 2012. - Т. 82, № 6. - С. 106-114. - Библиогр.: c. 114 (21 назв. ) . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): оксидированные покрытия -- оксидные покрытия -- защитные покрытия -- оксиды алюминия -- окислы алюминия -- сплавы алюминия -- электролитно-плазменное оксидирование -- микродуговое оксидирование -- растровая электронная микроскопия -- рентгенофазовый анализ -- резерфордовское обратное рассеяние -- обратное рассеяние ионов -- наноинденторы -- тесты на износ -- коэффициент трения -- акустическая эмиссия -- твердость -- износостойкость -- температуропроводность -- стехиометрия Аннотация: Представлены результаты новых исследований по созданию защитных оксидных покрытий на основе Al[2]O[3] (Si, Mn) на сплавах алюминия с помощью электролитно-плазменного оксидирования. Анализ проводился с помощью растровой электронной микроскопии (энергодисперсным микроанализом), а также рентгенофазового анализа (XRD), резерфордовского обратного рассеяния ионов (RBS) {4}He{+}, применения наноиндентора и тестов на износ, определения коэффициента трения и акустической эмиссии. Результаты показали, что формируются покрытия хорошего качества с высокой твердостью и стойкостью к износу, а также малой температуропроводностью. Обнаружено, что наряду с Al[2]O[3] в покрытии находятся Si, Mn, C и Ca. Определена стехиометрия данного покрытия. Плотность и твердость покрытия близка по значениям к таковым у alpha-фазы Al[2]O[3] в покрытии на подложке Al-Cu (D-16), а на покрытии, осажденном на подложке Al-Mg (S006), эти величины в 1. 5 раза меньше. Перейти: http://journals.ioffe.ru/jtf/2012/06/p106-114.pdf Доп.точки доступа: Погребняк, А. Д.; Кылышканов, М. К.; Тюрин, Ю. Н.; Каверина, А. Ш.; Якущенко, И. В.; Борисенко, А. А.; Постольный, Б. А.; Кулик, И. А. |
539.2 И 374 Измерение глубоких микрорельефов и стереосъемка в растровой электронной микроскопии [Текст] / Д. А. Саксеев [и др.] // Журнал технической физики. - 2011. - Т. 81, N 1. - С. 131-136. - Библиогр.: c. 136 (10 назв. ) . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): растровая электронная микроскопия -- РЭМ -- электронная микроскопия -- микрорельефы -- стереосъемка -- стереоскопические изображения -- стереофотография -- глубина микрорельефов -- арсенид галлия -- нитевидные кристаллы -- стереопары -- титанат лития Аннотация: Проанализированы принципиальные различия между обычной фотографией и съемкой микрообъектов в растровой электронной микроскопии (РЭМ). Описаны основные правила и приемы для получения стереоскопических изображений в РЭМ методом поворота образца, а также техника их наблюдения. Показано, что стереофотография дает правильную оценку пространственного взаимного расположения элементов образцов со сложным микрорельефом и позволяет с высокой точностью рассчитывать глубину (в ряде случаев превышающую размер поля зрения при больших увеличениях) этого рельефа в широких пределах (от 0. 5 до 100 mum). На примере развитой поверхности оксида Li[4]Ti[5]O[12] и нитевидных монокристаллов GaAs описана методика такого расчета, основанная на линейных измерениях одного и того же участка образца, снятого до и после его поворота. Перейти: http://journals.ioffe.ru/jtf/2011/01/p131-136.pdf Доп.точки доступа: Саксеев, Д. А.; Ершенко, Е. М.; Барышев, С. В.; Бобыль, А. В.; Агафонов, Д. В. |