53(09) Т 742 Тропин, В. И. Ректор Московского университета академик Рэм Викторович Хохлов [Текст] : К 250 - летию Московского университета / В. И. Тропин // Вестник Московского университета. Сер. 3, Физика. Астрономия. - 2004. - N 2 . - ISSN 0201-7385
Рубрики: Физика--История физики Кл.слова (ненормированные): история московского университета -- Хохлов Р. В. -- межвузовское сотрудничество -- ректор Московского университета -- ученый-физик Аннотация: В статье рассказывается о ректоре Московского университета, ученым с мировым именем, педагоге, создавшем научную школу, Р. В. Хохлове. Организатор науки, именем которого по достоинству названа построенная в МГУ лаборатория нелинейной оптики, расположенная на главной улице университета на Ленинских горах - улице академика Хохлова. Имя Рэма Викторовича навсегда осталось в стенах физического факультета. Его имя носит Центральная физическая аудитория физфак МГУ. Доп.точки доступа: Хохлов, Р. В. |
535 С 569 Согр, А. А. Оценка разрешения РЭМ изображения доменной структуры сегнетоэлектриков в режиме теплового воздействия [Текст] / А. А. Согр, А. Г. Масловская // Журнал технической физики. - 2004. - Т. 74, N 11. - Библиогр.: c. 114 (8 назв. ) . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Физика--Оптика Кл.слова (ненормированные): доменные структуры -- пироток -- разрешение изображения -- растровая электронная микроскопия -- РЭМ изображение -- сегнетоэлектрики Аннотация: Рассматриваются особенности контраста растрового изображения доменной структуры сегнетоэлектрика в режиме пиротока. Приведены расчеты, основанные как на учете скорости нагрева отдельных частей домена, так и на расчете диффузии тепла через границы доменов и кристалла. Диффузия тепла приводит к размытию изображения небольших доменов. Показано, что наряду с диаметром зонда скорость сканирования является существенным фактором, определяющим характер контраста растрового изображения. Уменьшение скорости сканирования может существенно снизить разрешение изображения даже при малом диаметре зонда. Перейти: http://www.ioffe.ru/journals/jtf/2004/11/page-111.html.ru Доп.точки доступа: Масловская, А. Г. |
069 М 800 Морозкина, Л. В. (рук. отд. музеев корпорации "Электронный Архив"). Электронные информационные ресурсы музея [Текст] : иллюстрированный каталог музейных коллекций / Л. В. Морозкина, О. В. Докучаева, И. Ю. Хургина // Справочник руководителя учреждения культуры. - 2004. - N 11. - Ил.: 3 рис. . - ISSN 1727-6772
Рубрики: Вычислительная техника--Компьютерные сети Музейное дело--Общие вопросы музейного дела Кл.слова (ненормированные): учреждения культуры -- музеи -- информационные технологии -- иллюстрированные каталоги -- музейные коллекции -- электронные каталоги -- информационные ресурсы -- имиджинговые системы -- проекты -- внутримузейные системы -- экспонаты -- экспонирование коллекций -- CD -- компакт-диски -- виртуальные экскурсии Аннотация: Технология работы с мультимедийными программными продуктами в музее, создание электронных информационых ресурсов. Доп.точки доступа: Докучаева, О. В. (канд. искусствоведения); Хургина, И. Ю. (зав. отд. науч. систематизации); "Царицыно", государственный историко-архитектурный, художественный и ландшафтный музей-заповедник; Российский этнографический музей"Электронный Архив", корпорация; РЭМ |
539.2 З-692 Змиенко, Д. С. Идентификация наночастиц карбидов ниобия в стали 10Х13Г12С2Н2Д2Б [Текст] / Д. С. Змиенко, И. А. Степанова, Е. И. Ярополова, А. Е. Корнеев // Заводская лаборатория. Диагностика материалов. - 2008. - Т. 74, N 6. - С. 40-42. - Библиогр.: с. 42 (11 назв. ) . - ISSN 1028-6861
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): 10Х13Г12С2Н2Д2Б -- ДИ59 -- марки сталей -- наночастицы карбида ниобия -- карбид ниобия -- ПЭМ -- РЭМ -- РСФА -- просвечивающая электронная микроскопия -- растровая электронная микроскопия -- рентгеноспектральный флуоресцентный анализ -- микрорентгеноспектральный анализ -- хромомарганцевые стали -- стали аустенитного класса -- легирование ниобием -- коррозионно-стойкие стали -- угольные реплики Аннотация: Впервые в стали 10Х13Г12С2Н2Д2Б (ДИ59) после выдержки при 670{0}C в течение 4200 ч было обнаружено большое количество частиц высокой степени дисперсности, расположенных в теле зерен. Доп.точки доступа: Степанова, И. А.; Ярополова, Е. И.; Корнеев, А. Е. |
539.2 С 594 Соколов, В. Н. Количественный анализ порового пространства моренных глинистых грунтов по РЭМ-изображениям [Текст] / В. Н. Соколов, О. В. Разгуляна, Д. И. Юрковец, М. С. Чернов // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. - 2007. - N 7. - С. 60-65 . - ISSN 0207-3528
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): поровое пространство -- РЭМ-изображения -- растровый электронный микроскоп -- моренные глинистые грунты Аннотация: Рассмотрены вопросы изучения порового пространства моренных глинистых грунтов с помощью анализа РЭМ-изображений поверхности образцов, приготовленных по специальной методике. Описан новый алгоритм оценки формы пор. Исследования микроструктуры моренных глинистых грунтов показали, что для них характерно наличие пяти категорий пор. Особый интерес представляет присутствие в таких грунтах крупных микропор со специфической анизометричной серповидной формой, образующихся на границе между поверхностью крупных песчано-пылеватых кварцевых или полевошпатовых зерен и тонкодисперсной неориентированной глинистой матрицей. Описываемые поры могут служить путями сосредоточенной фильтрации грунтовых вод через массив грунта и существенно изменять его свойства. Доп.точки доступа: Разгуляна, О. В.; Юрковец, Д. И.; Чернов, М. С. |
Ларионов, Ю. В. Влияние загрязнений образцов в РЭМ на измерения линейных размеров [Текст] / Ю. В. Ларионов, В. Б. Митюхляев, М. Н. Филиппов // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. - 2008. - N 9. - С. 53-64
Рубрики: Радиоэлектроника Электроника в целом Кл.слова (ненормированные): растровый электронный микроскоп -- субмикрометровый диапазон -- углеводородная пленка -- загрязнение образцов -- контаминация Аннотация: На основе литературных данных показана актуальность учета загрязнений мер длины с нанометровыми размерами при многократном сканировании их в растровом электронном микроскопе (РЭМ). Представлены примеры изменения линейных размеров рельефных элементов с загрязненной поверхностью. Обсуждаются источники погрешности. Кроме искажения профиля исходного элемента загрязняющей пленкой дополнительным источником погрешности могут быть искажения РЭМ-изображения, связанные с загрязнением рельефных элементов. Для лучшего понимания механизма возникновения погрешностей измерения элементов описаны основные закономерности роста загрязняющей пленки и явлений, которые могут привести к искажению РЭМ-изображения элементов. Представлены перспективные средства очистки поверхности образцов. Сделан вывод о необходимости системного подхода для учета и исключения погрешности измерений, связанных с образованием загрязнений на объектах в нанометровом диапазоне размеров. Доп.точки доступа: Митюхляев, В. Б.; Филиппов, М. Н. |
Колчина, Елена Викторовна. Отражение представлений об идеальном облике человека в традиционной кукле коми [Текст] : (на материале коллекции РЭМ) / Е. В. Колчина // Вестник Санкт-Петербургского университета. Сер. 2. История. - 2009. - Вып : 4. - С. 139-143. - Библиогр.: с. 143 (6 назв. ) . - ISSN 1812-9323
Рубрики: Этнология Этнология современных народов--Россия--Коми, 19 в.; 20 в. Кл.слова (ненормированные): народы России -- коми -- социализация детей -- дети -- этносоциализация -- игра -- кукла -- традиционная кукла -- коми-зырянская кукла -- зырянская кукла -- коми-ижемская кукла -- ижемская кукла -- куклы -- куклы-скрутки -- изготовление куклы -- одевание куклы -- костюм -- условность -- облик человека -- идеальный облик -- образ человека -- внешность -- музейные экспонаты Аннотация: В статье анализируется процесс социализации детей коми во время изготовления куклы и игры с ней. Делается вывод о том, что с момента получения первой куклы у детей складывалось представление о знаковых стереотипах мужских и женских ролей в обществе и о параметрах внешней привлекательности. Доп.точки доступа: Российский этнографический музей |
Нанесенные серебросодержащие системы на основе нитрида кремния [Текст] / И. А. Курзина [и др. ] // Журнал прикладной химии. - 2009. - Т. 82, вып: вып. 3. - С. 365-373. - Библиогр.: c. 373 (16 назв. ) . - ISSN 0044-4618
Рубрики: Химия Химические элементы и их соединения Кл.слова (ненормированные): активные компоненты -- гистограммы -- метод СВС синтеза -- нитрид кремния -- носители для катализаторов -- палладиевые катализаторы -- РЭМ -- серебросодержащие системы -- физико-химические свойства -- хлорид калия Аннотация: Исследованы особенности структуры, морфологии и фазового состава, а также каталитические свойства серебросодержащих систем. Доп.точки доступа: Курзина, И. А.; Чухломина, Л. Н.; Горленко, М. Н.; Водянкина, О. В. |
Роль распределения напряжений на границе раздела пленка- (барьерный подслой) в формировании силицидов меди [Текст] / А. В. Панин [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып: вып. 1. - С. 118-125 : ил. - Библиогр.: с. 124 (17 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Проводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): медь -- силициды меди -- тонкие пленки -- Cu -- отжиг -- термический отжиг -- термоотжиг -- напряжения -- распределение напряжений -- температура -- границы раздела пленок -- барьерный подслой -- кристаллографическая ориентация -- подложки -- кристаллиты -- Cu[3]Si -- атомно-силовая микроскопия -- АСМ -- растровая электронная микроскопия -- РЭМ -- рентгеновская дифракция -- энергодисперсионный анализ -- коэффициент термического расширения -- КТР -- дефекты упаковки -- экспериментальные исследования Аннотация: Методами атомно-силовой и растровой электронной микроскопии, рентгеновской дифракции, а также энергодисперсионного микроанализа исследован процесс образования силицидов в тонких пленках Cu при термическом отжиге. Показано, что периодическое распределение напряжений, возникающее при повышенных температурах на границе раздела пленка- (барьерный подслой), может определять характер формирования силицидов меди. Исследовано влияние материала барьерного подслоя и кристаллографической ориентации подложки на плотность распределения и форму кристаллитов Cu[3]Si. Доп.точки доступа: Панин, А. В.; Шугуров, А. Р.; Ивонин, И. В.; Шестериков, Е. В. |
Молекулярно-пучковая эпитаксия термодинамически метастабильных твердых растворов GaInAsSb для фотодетекторов среднего ИК-диапазона [Текст] / А. Н. Семенов [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып: вып. 5. - С. 699-705 : ил. - Библиогр.: с. 704 (21 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): молекулярно-пучковая эпитаксия -- МПЭ -- метод молекулярно-пучковой эпитаксии -- твердые растворы -- GaInAsSb -- кристаллические решетки -- фотодетекторы -- жидкофазная эпитаксия -- ЖФЭ -- метод жидкофазной эпитаксии -- инфракрасный диапазон -- ИК-диапазон -- рентгеновская дифрактометрия -- РД -- метод рентгеновской дифрактометрии -- растровая электронная микроскопия -- РЭМ -- метод растровой электронной микроскопии -- фотолюминесценция -- ФЛ -- кривая дифракционного отражения -- КДО -- дифракция быстрых электронов -- ДБЭ -- оптические свойства -- спинодальный распад -- термодинамические расчеты Аннотация: Изучены особенности роста методом молекулярно-пучковой эпитаксии твердых растворов GaInAsSb с содержанием индия до 25 мол%, согласованных по периоду кристаллической решетки с GaSb. Данные растворы являются перспективными для использования в качестве активной области фотодетекторных структур среднего инфракрасного диапазона. Представлены результаты исследования этих твердых растворов методами двухкристальной рентгеновской дифрактометрии, растровой электронной микроскопии и фотолюминесценции. Показано, что твердые растворы Ga[x]In[1-x]As[y]Sb[1-y] с x<0. 8, выращенные при температуре 500{o}C, демонстрируют деградацию структурных и оптических свойств по мере увеличения толщины слоя. В слоях с толщинами выше критической наблюдается спинодальный распад в полном соответствии с термодинамическими расчетами положения границ областей несмешиваемости. Обсуждаются возможности оптимизации молекулярно-пучкового роста твердых растворов Ga[x]In[1-x]As[y]Sb[1-y] (x<0. 75) с высоким оптическим и структурным совершенством, а также характеристики фотодетекторов на основе гетероструктур GaInAsSb/AlGaAsSb. Доп.точки доступа: Семенов, А. Н.; Терентьев, Я. В.; Мельцер, Б. Я.; Соловьев, В. А.; Попова, Т. В.; Нащекин, А. В.; Андреев, И. А.; Куницына, Е. В.; Усикова, А. А.; Яковлев, Ю. П.; Иванов, С. В. |
Максимов, С. К. Новый подход в метрологии в нанообласти [Текст] / С. К. Максимов, К. С. Максимов // Письма в "Журнал технической физики". - 2010. - Т. 36, вып: вып. 20. - С. 21-28 : ил. - Библиогр.: с. 27-28 (15 назв. ) . - ISSN 0320-0116
Рубрики: Техника Метрология Кл.слова (ненормированные): нанообъекты -- микроскопия -- электронная микроскопия -- растровая микроскопия -- растровая электронная микроскопия -- РЭМ -- новые подходы -- нанообласти -- методы контроля -- формы нанообъектов -- размеры нанообъектов -- электронные зонды Аннотация: Даны представления о пофракционном методе контроля в нанообласти и описана ключевая стадия метода, связанная с определением формы и размеров нанообъектов по РЭМ изображениям, полученным при разных сходимостях электронного зонда. Доп.точки доступа: Максимов, К. С. |
537 М 317 Масловская, Анна Геннадьевна (кандидат физико-математических наук; докторант; доцент кафедры МАиМ). Расчет скейлинговых характеристик РЭМ-изображений доменных структур сегнетоэлектриков методом фрактальной параметризации [Текст] / А. Г. Масловская, авт. Т. К. Барабаш // Вестник Амурского государственного университета. - 2011. - Вып. 55: Сер. Естеств. и экон. науки. - С. 35-42 : рис. - Библиогр.: с. 41-42 (12 назв. ) . - ISSN 2073-0268
Рубрики: Физика Электричество и магнетизм в целом Математика Математическая кибернетика Кл.слова (ненормированные): сегнетоэлектрики -- доменные структуры сегнетоэлектриков -- фрактальные методы -- мультифрактальные методы -- рэм-изображения -- анализ изображений -- скейлинговые характеристики -- методы фрактальной параметризации -- кластеры -- алгоритмы анализа изображений -- фрактальные закономерности Аннотация: Рассмотрены вопросы применения и мультифрактальных методов для анализа скейлинговых характеристик бинарных изображений доменных структур сегнетоэлектриков. В ППП Matlab реализованы алгоритмы фрактальной параметризации, основанные на покрытии изображения квадратными кластерами. Представлены результаты расчета скейлинговых характеристик для РЭМ-изображения доменной структуры сегнетоэлектрического кристалла ТГС. Доп.точки доступа: Барабаш, Татьяна Константиновна (ассистент кафедры МАиМ) |
539.2 И 374 Измерение глубоких микрорельефов и стереосъемка в растровой электронной микроскопии [Текст] / Д. А. Саксеев [и др.] // Журнал технической физики. - 2011. - Т. 81, N 1. - С. 131-136. - Библиогр.: c. 136 (10 назв. ) . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): растровая электронная микроскопия -- РЭМ -- электронная микроскопия -- микрорельефы -- стереосъемка -- стереоскопические изображения -- стереофотография -- глубина микрорельефов -- арсенид галлия -- нитевидные кристаллы -- стереопары -- титанат лития Аннотация: Проанализированы принципиальные различия между обычной фотографией и съемкой микрообъектов в растровой электронной микроскопии (РЭМ). Описаны основные правила и приемы для получения стереоскопических изображений в РЭМ методом поворота образца, а также техника их наблюдения. Показано, что стереофотография дает правильную оценку пространственного взаимного расположения элементов образцов со сложным микрорельефом и позволяет с высокой точностью рассчитывать глубину (в ряде случаев превышающую размер поля зрения при больших увеличениях) этого рельефа в широких пределах (от 0. 5 до 100 mum). На примере развитой поверхности оксида Li[4]Ti[5]O[12] и нитевидных монокристаллов GaAs описана методика такого расчета, основанная на линейных измерениях одного и того же участка образца, снятого до и после его поворота. Перейти: http://journals.ioffe.ru/jtf/2011/01/p131-136.pdf Доп.точки доступа: Саксеев, Д. А.; Ершенко, Е. М.; Барышев, С. В.; Бобыль, А. В.; Агафонов, Д. В. |
621.315.592 Р 258 Рау, Э. И. Функция отклика и оптимальная конфигурация полупроводниковых детекторов отраженных электронов для сканирующих электронных микроскопов [Текст] / Э. И. Рау, Н. А. Орликовский, Е. С. Иванова // Физика и техника полупроводников. - 2012. - Т. 46, вып. 6. - С. 829-832 : ил. - Библиогр.: с. 832 (14 назв.) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): полупроводниковые детекторы -- отраженные электроны -- ОЭ -- растровые электронные микроскопы -- РЭМ -- сканирующие электронные микроскопы -- электроны -- отклики детекторов Аннотация: Предлагается новая высокоэффективная конструкция полупроводниковых детекторов электронов средних энергий (1-50 кэВ) для применения в сканирующих электронных микроскопах. Расчеты функции отклика усовершенствованных детекторов и контрольные эксперименты показывают, что эффективность разработанных устройств повышается в среднем в 2 раза, что является существенным положительным фактором при работе современных электронных микроскопов в режиме малых токов и при низких энергиях первичных электронов. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2012/06/p829-832.pdf Доп.точки доступа: Орликовский, Н. А.; Иванова, Е. С. |
621.315.592 О-754 Особенности молекулярно-пучковой эпитаксии и структурные свойства гетероструктур на основе AlInSb [Текст] / А. Н. Семенов [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2011. - Т. 45, вып. 10. - С. 1379-1385 : ил. - Библиогр.: с. 1385 (17 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Физика Физическая оптика Кл.слова (ненормированные): молекулярно-пучковая эпитаксия -- метод молекулярно-пучковой эпитаксии -- МПЭ -- дифракция отраженных быстрых электронов -- ДОБЭ -- растровая электронная микроскопия -- РЭМ -- просвечивающая электронная микроскопия -- ПЭМ -- метод растровой электронной микроскопии -- метод просвечивающей электронной микроскопии -- подложки -- структурные свойства -- гетероструктуры -- AlInSb -- дефекты двойникования -- решетки -- сверхрешетки -- СР -- инициализация гетероструктуры -- буферные слои -- сурьма -- эффект Холла -- Холла эффект -- носители заряда -- алюминий Аннотация: Сообщается о получении методом молекулярно-пучковой эпитаксии (МПЭ) и исследовании in situ с использованием дифракции отраженных быстрых электронов и ex situ методами растровой и просвечивающей микроскопии (ПЭМ и РЭМ) слоев AlInSb, выращенных на сильно рассогласованных подложках GaAs (100). Обнаружено, что особенностью гетеросистемы AlInSb/GaAs является высокая вероятность образования дефектов двойникования, и предложены способы снижения их концентрации. Для инициализации роста AlInSb на подложках GaAs в условиях гигантского рассогласования периодов решеток (~14. 5%) и быстрого перехода к двумерному росту использовалась поверхность слоя GaAs, предварительно выдержанная под потоком сурьмы, и переходный буферный слой AlSb. Оптимизация начальных стадий МПЭ роста Sb-содержащих слоев на поверхности GaAs позволила более чем на 2 порядка понизить плотность дефектов в GaAs/AlInSb-структурах, в том числе радикально уменьшить концентрацию дефектов двойникования. Определены оптимальные условия МПЭ роста слоев Al[x]In[1-x]Sb в широком диапазоне составов (0 Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2011/10/p1379-1385.pdf Доп.точки доступа: Семенов, А. Н.; Мельцер, Б. Я.; Соловьев, В. А.; Комиссарова, Т. А.; Ситникова, А. А.; Кириленко, Д. А.; Надточий, А. М.; Попова, Т. В.; Копьев, П. С.; Иванов, С. В. |
535.37 Л 947 Люминесценция тербия в ксерогеле оксида алюминия, сформированном в матрице пористого анодного оксида алюминия, при различных видах возбуждения [Текст] / Н. В. Гапоненко [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2011. - Т. 45, вып. 7. - С. 980-983 : ил. - Библиогр.: с. 983 (15 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Физика Люминесценция Кл.слова (ненормированные): люминесценция -- фотолюминесценция -- ФЛ -- метод золь-гель технологии -- золь-гель технологии -- ксерогель -- оксид алюминия -- пористый анодный оксид алюминия -- тербий -- кластеры ксерогеля -- растровая электронная микроскопия -- метод растровой электронной микроскопии -- РЭМ -- рентгенолюминесценция -- РЛ -- импульсная катодолюминесценция -- ИКЛ -- легирование -- матричные преобразователи -- наноструктуры Аннотация: Методом золь-гель синтезированы легированные тербием слои ксерогеля оксида алюминия в порах пленки пористого анодного оксида алюминия толщиной 1 мкм с диаметром пор 150-180 нм, выращенной на кремнии. Сформированные структуры демонстрируют фотолюминесценцию тербия с характерными полосами, соответствующими термам трехвалентного тербия. Впервые обнаружена рентгенолюминесценция тербия для подобной структуры с наиболее интенсивной полосой излучения при 542 нм. Морфологический анализ структуры методом растровой электронной микроскопии указывает на наличие кластеров ксерогеля в каналах пор, при сохранении основного объема пор незаполненным, а устья пор открытыми. Полученные данные подтверждают перспективность использования сформированной структуры для создания матричных преобразователей рентгеновского и других видов ионизирующего излучения в видимое. Обсуждаются возможности повышения интенсивности люминесценции в матричном преобразователе. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2011/07/p980-983.pdf Доп.точки доступа: Гапоненко, Н. В.; Кортов, В. С.; Ореховская, Т. И.; Николаенко, И. А.; Пустоваров, В. А.; Звонарев, С. В.; Слесарев, А. И.; Прислопский, С. Я. |
537 М 545 Метод оценки округлости микрообъектов по РЭМ-изображениям [Текст] / В. Н. Соколов [и др.] // Известия РАН. Серия физическая. - 2005. - Т. 69, N 4. - С. 533-536. - Библиогр.: с. 536 (5 назв. ) . - ISSN 0367-6765
Рубрики: Физика Электричество и магнетизм Кл.слова (ненормированные): электронная микроскопия -- ЭМ -- растровая электронная микроскопия -- РЭМ -- методы оценки -- твердые структурные элементы -- РЭМ-изображения -- округлости микрообъектов Аннотация: Описан новый метод и реализующее его программное обеспечение для оценки формы твердых структурных элементов в тонкодисперсных системах. Доп.точки доступа: Соколов, В. Н.; Юрковец, Д. И.; Разгулина, О. В.; Мельник, В. Н. |
620.1/.2 И 889 Исследование пленок из сополимеров поликапроамида с ароматическими полиимидами методами АСМ и РЭМ [Текст] / А. М. Ломоносов [и др.] // Известия РАН. Серия физическая. - 2005. - Т. 69, N 4. - С. 529-532. - Библиогр.: с. 532 (6 назв. ) . - ISSN 0367-6765
Рубрики: Техника Материаловедение Кл.слова (ненормированные): электронная микроскопия -- ЭМ -- атомно-силовая микроскопия -- АСМ -- растровая электронная микроскопия -- РЭМ -- полимерные пленки -- полиимиды -- ароматические полиимиды -- ПИ -- поликапроамиды -- ПКА -- сополимеры -- микроструктура пленок -- механические свойства пленок Аннотация: Методами атомно-силовой и растровой электронной микроскопии исследована микроструктура пленок из сополимеров поликапроамида с ароматическими полиимидами. Доп.точки доступа: Ломоносов, А. М.; Филатова, А. Г.; Баталова, Т. Л.; Волкова, Т. В.; Выгодский, Я. С.; Белавцева, Е. М. |
537 Р 963 РЭМ- и ПЭМ-изображения одностенных углеродных нанотрубок на тонких Si[3]N[4]-менбранах [Текст] / Ю. А. Касумов [и др.] // Известия РАН. Серия физическая. - 2005. - Т. 69, N 4. - С. 516-519. - Библиогр.: с. 519 (8 назв. ) . - ISSN 0367-6765
Рубрики: Физика Электричество и магнетизм Кл.слова (ненормированные): электронная микроскопия -- ЭМ -- нанотрубки -- углеродные нанотрубки -- электроны -- растровая электронная микроскопия -- РЭМ -- РЭМ-изображения Аннотация: Предложен механизм контраста, связанный с лавинным образованием вторичных электронов в результате многократного отражения оже-электронов внутри нанотрубки от ее стенок. Доп.точки доступа: Касумов, Ю. А.; Касумов, А. Ю.; Ходос, И. И.; Матвеев, В. Н.; Волков, В. Т. |