001(09) Г 808 Грехов, И. В. Создатель силовой полупроводниковой электроники [Текст] : к 100-летию со дня рождения академика В. М. Тучкевича / И. В. Грехов // Вестник Российской академии наук. - 2004. - Т. 74, N 12 . - ISSN 0869-5873
Рубрики: Наука. Науковедение--История науки Радиоэлектроника--Электроника Кл.слова (ненормированные): исследования -- ученые -- юбилеи -- полупроводники -- полупрводниковая электроника -- диэлектрики -- диэлектрическая электроника -- рентгеновское излучение -- германиевые диоды -- диоды -- реакторы -- тиристоры Аннотация: Академику Владимиру Максимовичу Тучкевичу - ученый, создатель силовой полупроводниковой электроники. Основными направлениями его работы были исследования электрических свойств диэлектриков и воздействия на них рентгеновского излучения; под его руководством были сделаны первые в стране мощные германиевые диоды, первые полупроводниковые устройства для бесперебойного питания реакторов атомных подводных лодок; проводились работы по созданию мощных тиристоров. Доп.точки доступа: Тучкевич, В. М. |
Бабичев, Г. Г. Кремниевый однопереходный тензотранзистор [Текст] / Г. Г. Бабичев, С. И. Козловский, В. А. Романов, Н. Н. Шаран // Журнал технической физики. - 2002. - Т.72,N4. - Библиогр.: с.71 (15 назв.) . - ISSN 0044-4642 Рубрики: Радиоэлектроника--Электроника Кл.слова (ненормированные): S-приборы -- двухбазовые диоды -- кремний -- однопереходные транзисторы -- тензотранзисторы -- тензочувствителные приборы Аннотация: Приведены результаты исследования однопереходного тензотранзистора на основе кремния. Тензотранзистор относится к тензочувствительным биполярным полупроводниковым приборам с горизонтальной структурой и входной (эмиттерной) вольт-амперной характеристикой S-типа. Определена оптимальная топология прибора, а также рассчитаны его основные характеристики. На основе однопереходного тензотранзистора могут быть созданы релаксационные генераторы с физически интегрированным преобразованием механического напряжения в изменение частоты выходного сигнала Доп.точки доступа: Козловский, С.И.; Романов, В.А.; Шаран, Н.Н. |
Геворгян, А. А. Оптический диод на основе слоя спиральной периодической среды с большой анизотропией, находящегося во внешнем магнитном поле [Текст] / А. А. Геворгян // Журнал технической физики. - 2002. - Т.72,N8. - Библиогр.: с.82-83 (22 назв.) . - ISSN 0044-4642 Рубрики: Физика--Оптика Кл.слова (ненормированные): магнитооптическая активность -- оптические диоды -- спиральные периодические среды Аннотация: Приведены результаты исследования влияния внешнего магнитного поля на оптические свойства слоя спиральной периодической среды с учетом магнитооптической активности. Рассмотрен случай нормального падения света на слой, а магнитное поле предполагается направленным вдоль оси среды. Исследованы особенности необратимости (невзаимности) в такой системе. Рассмотрены случаи слабой и большой анизотропии. Показано, что такая система может работать оптическим затвором, оптическим диодом или односторонним отражателем. Выявлены причины возникновения большой необратимости прохождения (отражения) |
32.85 Т 462 Тихов, С. В. Влияние водорода на фотоэлектрические свойства диодов Шоттки палладий/анодный окисел/арсенид галлия [Текст] / С. В. Тихов, Е. Л. Шоболов, В. В. Подольский, С. Б. Левичев // Журнал технической физики. - 2003. - Т.73,N2. - Библиогр.: с.92 (17 назв.) . - ISSN 0044-4642 Рубрики: Радиоэлектроника--Электроника Кл.слова (ненормированные): арсенид галлия -- водород -- диоды Шоттки -- фотоэдс -- хемасорбция Аннотация: Исследовано влияние водорода на фотоэдс и вольт-амперные характеристики диодов Шоттки палладий/анодный окисел/арсенид галлия. Определены оптимальные значения толщины окисла, при которой диоды имели высокую чувствительность к водороду, и глубина проникновения атомарного водорода в окисел. Установлен механизм воздействия водорода, заключающийся в хемасорбции атомарного водорода на поверхности арсенида галлия, что приводит к уменьшению высоты барьера и увеличению рекомбинационной составляющей тока. Показана неоднородность пленки туннельно-тонкого анодного окисла по толщине и обнаружено увеличение вероятности туннелирования через окисел под действием водорода. Установлено, что регистрация водорода по отклику фотоэдс характеризовалась большей чувствительностью и обнаружительной способностью, но меньшим быстродействием по сравнению с откликом по обратному току Доп.точки доступа: Шоболов, Е.Л.; Подольский, В.В.; Левичев, С.Б. |
22.33 Т 462 Тихов, С. В. Влияние модификации поверхности полупроводника на свойства водородочувствительных диодов Шоттки на арсениде галлия [Текст] / С. В. Тихов, Е. Л. Шоболов, С. Б. Левичев, Н. В. Байдусь // Журнал технической физики. - 2003. - Т.73,N5. - Библиогр.: 16 назв. . - ISSN 0044-4642 Рубрики: Радиоэлектроника--Физика твердого тела--Электроника Кл.слова (ненормированные): арсенид галлия -- водородочувствительность -- диоды Шоттки -- квантовые точки -- квантовые ямы -- модификация поверхности -- травление Аннотация: Установлено, что модификация поверхности полупроводника в водородочувствительных диодах Шоттки на GaAs путем неполирующего травления или введения в область пространственного заряда полупроводника квантовых ям и квантовых точек может увеличивать чувствительность к водороду в 8-37 раз после травления и на два--три порядка после введения квантовых ям и квантовых точек. Показано, что это увеличение связано с уменьшением высоты барьера Pd / GaAs, с задерживанием диффузии водорода в объем GaAs напряженными квантованными слоями и с ростом рекомбинационной составляющей тока. Наличие рекомбинационной составляющей подтверждается электролюминесценцией от квантовых ям и квантовых точек и от GaAs. Для эффекта очувствления после травления определяющим является химический состав травителя Доп.точки доступа: Шоболов, Е.Л.; Левичев, С.Б.; Байдусь, Н.В. |
22.37 П 180 Паранчич, С. Ю. Исследование выпрямляющих и фотоэлектрических свойств барьерных структур на основе теллурида кадмия, легированного ванадием [Текст] / С. Ю. Паранчич, Л. Д. Паранчич [и др.] // Журнал технической физики. - 2003. - Т.73,N5. - Библиогр.: 9 назв. . - ISSN 0044-4642 Рубрики: Радиоэлектроника--Физика твердого тела--Электроника Кл.слова (ненормированные): барьерные структуры -- выпрямляющие свойства -- диоды Шоттки -- теллурид кадмия Аннотация: Термическим напылением хрома на высокоомные подложки теллурида кадмия, легированного ванадием (CdTe:V) с концентрацией примеси 5ъ10{18} cm{-3}, получены структуры типа диодов Шоттки. На барьерных структурах Cr-CdTe:V исследованы вольт-амперные и спектральные характеристики и оценены их выпрямляющие свойства Доп.точки доступа: Паранчич, Л.Д.; Макогоненко, В.Н.; Танасюк, Ю.В.; Юрценюк, Р.Н. |
621.38 А 235 Агафонов, А. В. Динамика нарушения магнитной изоляции и самоорганизация электронного потока в магнетронном диоде [Текст] / А. В. Агафонов, В. П. Тараканов, В. М. Федоров // Журнал технической физики. - 2004. - N 1. - Библиогр.: c. 102-103 (35 назв. ) . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Радиоэлектроника--Электроника Кл.слова (ненормированные): магнитная изоляция -- самоорганизация -- электронные потоки -- магнетронные диоды -- обратная бомбардировка -- нарушение магнитной изоляции Аннотация: Приведены результаты численного моделирования динамики нестабильности типа обратной бомбардировки (ВКВ) в магнетронном диоде (коаксиальный диод в магнитном поле, B=B[0z]=B[0]) . Получен "квазистационарный" режим утечки электронов поперек сильного магнитного поля (B[0]/B[cr]>1. 1, B[cr] - критическое поле изоляции) . Электронный поток в зазоре разбивается в азимутальном направлении на ряд сгустков и создает компоненту электрического поля E[theta] (r, theta, t) . Это поле ускоряет некоторые электроны, и они, получив дополнительную энергию, бомбардируют катод, вызывая вторичную эмиссию электронов. Другие электроны теряют кинетическую энергию и уходят на анод. Неустойчивость поддерживается, если катод имеет малую первичную эмиссию и коэффициент вторичной эмиссии k[es]=I[es]/I[eBKB]>1. Численный расчет сопоставлен с известными экспериментальными данными и показано их согласие. Предложена физическая модель BKB нестабильности. Коллективные колебания заряженных потоков происходят в зазоре со скрещенными электрическим и магнитным полями ( ExB-поле) при обменах импульсом и энергией между электронами и ExB-полем. Автогенерация и самоорганизация потоков происходят благодаря вторичной эмиссии электронов с катода. Перейти: http: //www. ioffe. ru/journals/jtf/2004/01/ Доп.точки доступа: Тараканов, В. П.; Федоров, В. М. |
621.38 А 194 Аверин, С. В. Импульсный отклик МПМ фотодиода с гетеробарьером [Текст] / С. В. Аверин // Журнал технической физики. - 2004. - Т. 74, N 6. - Библиогр.: c. 56 (20 назв. ) . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Радиоэлектроника--Электроника Кл.слова (ненормированные): гетеробарьеры -- дрейф носителей заряда -- МПМ диоды -- фотодиоды Аннотация: В рамках двумерной модели исследуются процессы дрейфа фотогенерированных носителей заряда в активном объеме быстродействующих фотодиодов в системе выпрямляющих контактов металл-полупроводник-металл (МПМ) обычной планарной структуры и структуры с гетеробарьером. Дается сравнение двух типов фотодиодных структур с точки зрения характеристик сигнала импульсного отклика детектора и квантовой эффективности. Анализируются ограничения в отклике планарного МПМ диода, возникающие при последовательном уменьшении размеров встречно-штыревой системы контактов. Обсуждается возможность увеличения скорости отклика МПМ диода. Показано, что структура с InP/GaInAs гетеробарьером сильно видоизменяет движение фотогенерированных носителей заряда и существенно увеличивает скорость отклика МПМ фотодиода. Перейти: http://www.ioffe.rssi.ru/journals/jtf/2004/06/page-51.html.ru |
621.38 К 995 Кюрегян, А. С. Теория дрейфовых диодов с резким восстановлением [Текст] / А. С. Кюрегян // Журнал технической физики. - 2004. - Т. 74, N 6. - Библиогр.: c. 64 (18 назв. ) . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Радиоэлектроника--Электроника Кл.слова (ненормированные): дрейфовые диоды -- дрейфовые диоды с резким восстановлением -- обрыв тока -- прерыватели тока Аннотация: Построена аналитическая теория работы дрейфовых диодов с резким восстановлением (ДДРВ) в качестве прерывателя тока в генераторах с индуктивным накопителем энергии. Теория учитывает нелинейность зависимостей сопротивления базовых областей и барьерных емкостей диодов от прошедшего через них заряда. Получены простые соотношения для параметров ДДРВ (толщины и легирования базы, заряда неравновесных дырок, извлекаемого из базы за время TB фазы высокой обратной проводимости, площади и количества m последовательно соединенных диодов) , контура (индуктивности и емкости накопителя, начального напряжения UC0 на емкости) , которые обеспечат формирование импульса напряжения с требуемыми длительностью переднего фронта t[B] и амплитудой U[m] на нагрузке. Показано, что предельные значения коэффициентов перенапряжения U[m]/U[C0] и обострения T[B]/t[B], которые могут быть достигнуты при заданном коэффициенте полезного действия k, ограничены фактором, пропорциональным k{omega}* (1-k) E[B]/E[s], где omega=0. 27 (для U[m]/U[C0]) , или omega=-0. 3 (для T[B]/t[B]) , E[B] - пробивная напряженность поля, E[s]=v[s]/mu, v[s] и mu- насыщенная дрейфовая скорость и подвижность дырок в слабых полях соответственно. Максимальное значение скорости нарастания напряжения, которое может быть получено с помощью одноэлементного (m=1) ДДРВ, равно 0. 3vsEB. Проведен сравнительный анализ характеристик ДДРВ на основе Si и 4H-SiC. Результаты аналитической теории подтверждены путем численного моделирования процесса восстановления. Перейти: http://www.ioffe.rssi.ru/journals/jtf/2004/06/page-57.html.ru |
537 Т 191 Тарасенко, В. Ф. Сверхкороткий электронный пучок и объемный сильноточный разряд в воздухе при атмосферном давлении [Текст] / В. Ф. Тарасенко, С. Б. Алексеев [и др.] // Журнал технической физики. - 2004. - Т. 74, N 8. - Библиогр.: c. 33-34 (12 назв. ) . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Физика--Электричество и магнетизм Кл.слова (ненормированные): газовые диоды -- объемные разряды -- сильноточные разряды -- электронные пучки Аннотация: Исследованы условия формирования электронного пучка и объемного разряда в воздухе при атмосферном давлении и субнаносекундном фронте импульса напряжения. Показано, что электронный пучок в газовом диоде возникает на фронте импульса напряжения за время ~ 0. 5 ns, имеет длительность на полувысоте = =q 70 A. Предполагается, что электронный пучок формируется из электронныx лавин, возникающих в промежутке за счет ионизации газа быстрыми электронами, при достижении критического поля между фронтом расширяющегося плазменного облака и анодом. Получен объемный наносекундный разряд с удельной мощностью энерговвода >=q 400 MW/cm{3}, плотностью тока разряда на аноде до 3 kA/cm{2} и удельным энерговкладом за 3-5 ns ~1 J/cm{3}. |
530.1 У 836 Усыченко, В. Г. Самоорганизация электронов в электронных приборах [Текст] / В. Г. Усыченко // Журнал технической физики. - 2004. - Т. 74, N 11. - Библиогр.: c. 46 (31 назв. ) . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Физика--Теоретическая физика--Электроника Кл.слова (ненормированные): вакуумные диоды -- диоды Ганна -- магнетронные диоды -- самоорганизация электронов -- электронные системы -- электроны Аннотация: Открытые системы, содержащие большое число электронов, поступающих наряду с энергией извне, описываются с помощью функционала, который учитывает лагранжианы всех частиц и назван интегральным лагранжианом. Сформулирован не экстремальный принцип уменьшения значения функционала по мере приближения системы к стационарному состоянию. Принцип распространяется на системы, находящиеся вблизи термодинамического равновесия, где он практически эквивалентен принципу минимума диссипации энергии, а также на нелинейные системы, включая такие, движение частиц в которых описывается уравнениями классической механики. Действие принципа продемонстрировано на примерах вакуумного диода, магнетронного диода и диода Ганна. Перейти: http://www.ioffe.ru/journals/jtf/2004/11/page-38.html.ru |
Афанасьев, А. В. Исследования термической стабильности и радиационной стойкости диодов Шоттки на основе карбида кремния [Текст] / А. В. Афанасьев, В. А. Ильин, И. Г. Казарин, А. А. Петров // Журнал технической физики. - 2001. - Т.71,N5. - Библиогр.: с. 81 (9 назв.) . - ISSN 0044-4642 Рубрики: Радиоэлектроника--Электроника Кл.слова (ненормированные): диоды Шоттки -- карбид кремния -- термическая стабильность -- радиационная стойкость -- оже-спектроскопия -- барьерные структуры -- облучение -- нейтроны -- гамма-излучение Аннотация: Изготовлены диодные структуры с барьером Шоттки Pt-W-Cr-SiC, сохраняющие свои электрофизические параметры до температуры 450`С. Методом электронной оже-спектроскопии показано, что термическая стойкость обусловлена использованием многослойной металлической композиции, обеспечивающей стабильность границы раздела металл-карбид кремния. Проведены радиационные испытания полученных поверхностно-барьерных структур. Экспериментально установлено, что в диапазоне концентраций N[d]-N[a]=10{16}-5*10{17}cm{-3} при комплексном воздействии быстрыми нейтронами и сопутствующим гамма-излучением дозами 4.42*10{15}neutr./cm{2} и 8.67*10{5}R соответственно необратимые изменения характеристик барьерных структур происходят при концентрациях N[d]-N[a]=<8*10[16}cm{-3}. При этом деградация характеристик тем более, чем меньше уровень легирования материала Доп.точки доступа: Ильин, В.А.; Казарин, И.Г.; Петров, А.А. |
Чихачев, А. С. Формирование сгустков с ненулевым продольным эмиттансом [Текст] / А. С. Чихачев // Журнал технической физики. - 2001. - Т.71,N7. - Библиогр.: с. 136 (4 назв.) . - ISSN 0044-4642 Рубрики: Радиоэлектроника--Электроника Кл.слова (ненормированные): эмиттанс -- сгустки -- диоды Аннотация: Изучается нестационарный процесс образования сгустков в плоской геометрии в случае, когда продольный эмиттанс является ненулевым. Получено самосогласованное решение модельного нестационарного кинетического уравнения для бесстолкновительной системы частиц. Показан неоднозначный характер решения. Возможно существование в принципе двух режимов ускорения, приводящих к образованию виртуального катода и вследствие этого к формированию сгустка |
Гольдберг, Ю. А. Переходный процесс при непрерывном и ступенчатом нагревании GaAs поверхностно-барьерных структур [Текст] / Ю. А. Гольдберг, Е. А. Поссе // Журнал технической физики. - 2001. - Т.71,N9. - Библиогр.: с.65 (9 назв.) . - ISSN 0044-4642 Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): вентильный контакт -- омический контакт -- арсенид галлия -- никель -- емкость -- ток -- диоды Шоттки Аннотация: Изучалось изменение характеристик емкость-напряжение (С-U) и ток-напряжение (I[f]-U и I[r]-U) структур полупроводник-твердый металл (GaAs-Ni) в процессе их непрерывного и ступенчатого нагревания. Изначально свойства исследуемых структур соответствовали теории термоэлектронной эмиссии. Показано, что в процессе непрерывного нагревания выпрямляющие структуры переходят в омические при некоторой температуре T[Ohm]=720K, существенно более низкой, чем температуры плавления металла или эвтектика металла и полупроводника. Для сравнения изучались свойства структур,отожженных при различных температурах T[ann] и охлажденных до комнатной температуры (ступенчатое нагревание). Показано, что в этом случае I-U-зависимости были близки к исходным после отжига структур при T[ann] Доп.точки доступа: Поссе, Е.А. |
Абрамов, И. И. Теоретическое исследование приборных структур, содержащих резонансно-туннельные диоды [Текст] / И. И. Абрамов, А. В. Королев // Журнал технической физики. - 2001. - Т.71,N9. - Библиогр.: с.132-133 (40 назв.) . - ISSN 0044-4642 Рубрики: Радиоэлектроника--Электроника Кл.слова (ненормированные): резонансно-туннельные диоды -- приборные структуры -- многозначная логика -- преобразователи частоты -- генераторы сигналов -- взрывчатые вещества Аннотация: С помощью предложенных электрических моделей и разработанного комплекса программ EC-RTS-NANODEV проведено теоретическое исследование нескольких простых приборных структур, включающих резонансно-туннельные диоды. Показано, что проанализированные структуры могут использоваться в качестве элементов многозначной логики, преобразователей частоты и генераторов самых различных сигналов, включая гармонические, релаксационные и хаотические Доп.точки доступа: Королев, А.В. |
621.317.765.8 Б 725 Бобров, Максим Борисович (1981-). Сложная динамика генератора на диоде с N-образной характеристикой [Текст] / М. Б. Бобров // Известия вузов. Прикладная нелинейная динамика. - 2001. - Т.9,N6. - Библиогр.: с.152 (8 назв.) . - ISSN 0869-6632
Рубрики: Энергетика--Электрические и магнитные измерения Кл.слова (ненормированные): нелинейная динамика -- генераторы -- диоды -- N-образная характеристика -- бифуркации -- туннельные диоды Аннотация: Приведены результаты исследования сложного и хаотического поведения кусочно-линейной модели на диоде с N-образной характеристикой. Построена детальная картина бифуркационных множеств в пространстве управляющих параметров. Выявлена тонкая структура фрагментов карты режимов. Перейти: http://cas.ssu.runnet.ru |
621.382 У 740 Усанов, Дмитрий Александрович (1943-). Спектры выходного сигнала генератора на диоде Ганна в режиме НЧ и СВЧ-колебаний [Текст] / Д. А. Усанов, С. Б. Вениг, С. С. Горбатов, Э. В. Труфакин // Известия вузов. Прикладная нелинейная динамика. - 2001. - Т.9,N3. - Библиогр.: с.36-37 (11 назв.) . - ISSN 0869-6632
Кл.слова (ненормированные): диоды Ганна -- низкочастотные калебания -- СВЧ-колебания -- модуляция -- спектры выходного сигнала Аннотация: Представлены результаты экспериментального исследования влияния многочастотных НЧ-колебаний, возникающих в цепи питания СВЧ-генератора на диоде Ганна на спектр выходного сигнала генератора. Теоретически описаны условия возбуждения таких колебаний в генераторной схеме. Показано, что в условиях воздействия многочастотных НЧ-сигналов на СВЧ-генератор на диоде Ганна модуляция выходного сигнала может быть как преимущсетвенно амплитудной, так и частотной. Перейти: http://cas.ssu.runnet.ru Доп.точки доступа: Вениг, Сергей Борисович (1957-); Горбатов, Сергей Сергеевич (1946-); Труфакин, Эдуард Владимирович (1975-) |
621.384.6.01 Д 259 Девятков, В. Н. Получение сильноточных низкоэнергетичных электронных пучков в системах с плазменным эмиттером [Текст] / В. Н. Девятков, Н. Н. Коваль, П. М. Щанин // Известия вузов. Физика. - 2001. - Т.44,N9. - Библиогр.: с.43 (10 назв.). - Плазменная эмиссионная электроника (тематический выпуск) . - ISSN 0021-3411
Кл.слова (ненормированные): дуговые разряды -- тлеющие разряды -- газонаполненные диоды -- электронные пучки -- плазменные эмиттеры Аннотация: В газонаполненных диодах с плазменными эмиттерами на основе дугового и тлеющего разрядов проведены исследования по генерации и транспортировке сильноточных и электронных пучков. В диоде с плазменным эмитттером на основе дугового разряда при ускоряющем напряжении 15 кВ получен скомпенсированный по пространственному заряду пучок с током до 1 кА, который сжимается собственным магнитным полем от диаметра 8 см до 1 см и транспортируется на расттояние свыше 20 см с эффективностью 70%. В диоде с тлеющим разрядом получен пучок с током 80 а и плотностью тока до 100 А/см{2}. В слабом аксиальном магнитном поле с индукцией В=0,015 Тл такой пучок транспортируется на расстояние 30 см Доп.точки доступа: Коваль, Н.Н.; Щанин, П.М. |
Гаман, В. И. Влияние термического отжига на электрические и газочувствительные свойства туннельных МОП-диодов на основе кремния [Текст] / В. И. Гаман, В. И. Балюба [и др.] // Известия вузов. Физика. - 2001. - Т.44,N11. - Библиогр.: с.7 (7 назв.) . - ISSN 0021-3411 Рубрики: Радиоэлектроника--Электроника Кл.слова (ненормированные): МОП-диоды -- газочувствительные элементы -- термический отжиг Аннотация: Представлены результаты экспериментального исследования влияния кратковременного (10 мин) термического отжига туннельных МОП-диодов на их электрические свойства и величину отклика по емкости, активной проводимости и напряжению плоских зон при воздействии водорода. Термический отжиг проводился в вакууме и в комнатной атмосфере при температурах 573, 613, 653 и 673 К. Установлено, что отжиг в вакууме при всех температурах приводит к уменьшению напряжения плоских зон и значительному увеличению отклика по емкости и активной проводимости. После термического отжига в вакууме МОП-диоды можно использовать в качестве газочувствительных элементов при напряжении, равном нулю. Отжиг в комнатной атмосфере приводит примерно к тем же эффектам, но только при температуре отжига, равной 573 К. При повышении отжига до 613 К газочувствительные свойства МОП-диодов резко ухудшаются Доп.точки доступа: Балюба, В.И.; Грицык, В.Ю.; Давыдова, Т.А.; Калыгина, В.М.; Хлудкова, Л.С. |
Воторопин, С. Д. Обобщенная модель и основные уравнения автодинной ГИС КВЧ на основе мезапланарных ганновских структур [Текст] / С. Д. Воторопин, В. Я. Носков // Известия вузов. Физика. - 2001. - Т.44,N12. - Библиогр.: с.30 (18 назв.) . - ISSN 0021-3411 Рубрики: Радиоэлектроника--Электроника Кл.слова (ненормированные): автодинные системы -- автоколебания -- гибридные интегральные схемы -- диоды Ганна -- мезапланарные структуры -- радиолокация Аннотация: Представлены результаты теоретических исследований автодиной ГИС КВЧ, использующей в качестве активного элемента многофункциональный кристалл с N мезапланарными структурами. Рассмотрен непрерывный режим работы ГИС как многоэлементной автодинной системы при полигармонической генерации, находящейся под воздействием собственного отраженного излучения на каждой из гармоник. Получены основные соотношения для анализа автодинного отклика. Сделаны выводы общего характера относительно особенностей автоколебаний таких автодинов, позволяющих улучшить характеристики и расширить функциональные возможности автодинных систем ближней радиолокации Перейти: http://www.tsu.ru/ru/derision/physics Доп.точки доступа: Носков, В.Я. |