32.85 Т 462 Тихов, С. В. Влияние водорода на фотоэлектрические свойства диодов Шоттки палладий/анодный окисел/арсенид галлия [Текст] / С. В. Тихов, Е. Л. Шоболов, В. В. Подольский, С. Б. Левичев // Журнал технической физики. - 2003. - Т.73,N2. - Библиогр.: с.92 (17 назв.) . - ISSN 0044-4642 Рубрики: Радиоэлектроника--Электроника Кл.слова (ненормированные): арсенид галлия -- водород -- диоды Шоттки -- фотоэдс -- хемасорбция Аннотация: Исследовано влияние водорода на фотоэдс и вольт-амперные характеристики диодов Шоттки палладий/анодный окисел/арсенид галлия. Определены оптимальные значения толщины окисла, при которой диоды имели высокую чувствительность к водороду, и глубина проникновения атомарного водорода в окисел. Установлен механизм воздействия водорода, заключающийся в хемасорбции атомарного водорода на поверхности арсенида галлия, что приводит к уменьшению высоты барьера и увеличению рекомбинационной составляющей тока. Показана неоднородность пленки туннельно-тонкого анодного окисла по толщине и обнаружено увеличение вероятности туннелирования через окисел под действием водорода. Установлено, что регистрация водорода по отклику фотоэдс характеризовалась большей чувствительностью и обнаружительной способностью, но меньшим быстродействием по сравнению с откликом по обратному току Доп.точки доступа: Шоболов, Е.Л.; Подольский, В.В.; Левичев, С.Б. |