Гольдберг, Ю. А. Переходный процесс при непрерывном и ступенчатом нагревании GaAs поверхностно-барьерных структур [Текст] / Ю. А. Гольдберг, Е. А. Поссе // Журнал технической физики. - 2001. - Т.71,N9. - Библиогр.: с.65 (9 назв.) . - ISSN 0044-4642 Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): вентильный контакт -- омический контакт -- арсенид галлия -- никель -- емкость -- ток -- диоды Шоттки Аннотация: Изучалось изменение характеристик емкость-напряжение (С-U) и ток-напряжение (I[f]-U и I[r]-U) структур полупроводник-твердый металл (GaAs-Ni) в процессе их непрерывного и ступенчатого нагревания. Изначально свойства исследуемых структур соответствовали теории термоэлектронной эмиссии. Показано, что в процессе непрерывного нагревания выпрямляющие структуры переходят в омические при некоторой температуре T[Ohm]=720K, существенно более низкой, чем температуры плавления металла или эвтектика металла и полупроводника. Для сравнения изучались свойства структур,отожженных при различных температурах T[ann] и охлажденных до комнатной температуры (ступенчатое нагревание). Показано, что в этом случае I-U-зависимости были близки к исходным после отжига структур при T[ann] Доп.точки доступа: Поссе, Е.А. |