Дмитрук, Н. Л. Влияние гамма-облучения на характеристики фотопреобразования барьерных структур металл--арсенид галлия с текстурированной границей раздела [Текст] / Н. Л. Дмитрук, О. Ю. Борковская [и др.] // Журнал технической физики. - 2002. - Т.72,N6. - Библиогр.: с. 48-49 (15 назв.) . - ISSN 0044-4642 Рубрики: Радиоэлектроника--Электроника Кл.слова (ненормированные): барьер Шоттки -- барьерные структуры -- гамма-облучение -- солнечные элементы -- фотопреобразование Аннотация: Проведено сравнительное исследование влияния gamma-облучения {60}Co в диапазоне доз 10{3}-2*10{5} Gy на характеристики фотопреобразования и темновые ВАХ солнечных элементов (СЭ) поверхностно-барьерного типа (Au/GaAs) в зависимости от морфологии микрорельефа границы раздела, создаваемого с целью увеличения эффективности фотопреобразования. Показано, что из двух типов морфологии микрорельефа (дендритный и квазирешеточный), полученных методом химического анизотропного травления (100) поверхности n-GaAs, более перспективным для использования в СЭ, особенно космического назначения, является микрорельеф квазирешеточного типа, поскольку он позволяет получить СЭ с большей эффективностью и радиационной стойкостью Доп.точки доступа: Борковская, О.Ю.; Конакова, Р.В.; Мамонтова, И.Б.; Мамыкин, С.В.; Войциховский, Д.И. |
22.37 П 180 Паранчич, С. Ю. Исследование выпрямляющих и фотоэлектрических свойств барьерных структур на основе теллурида кадмия, легированного ванадием [Текст] / С. Ю. Паранчич, Л. Д. Паранчич [и др.] // Журнал технической физики. - 2003. - Т.73,N5. - Библиогр.: 9 назв. . - ISSN 0044-4642 Рубрики: Радиоэлектроника--Физика твердого тела--Электроника Кл.слова (ненормированные): барьерные структуры -- выпрямляющие свойства -- диоды Шоттки -- теллурид кадмия Аннотация: Термическим напылением хрома на высокоомные подложки теллурида кадмия, легированного ванадием (CdTe:V) с концентрацией примеси 5ъ10{18} cm{-3}, получены структуры типа диодов Шоттки. На барьерных структурах Cr-CdTe:V исследованы вольт-амперные и спектральные характеристики и оценены их выпрямляющие свойства Доп.точки доступа: Паранчич, Л.Д.; Макогоненко, В.Н.; Танасюк, Ю.В.; Юрценюк, Р.Н. |
Афанасьев, А. В. Исследования термической стабильности и радиационной стойкости диодов Шоттки на основе карбида кремния [Текст] / А. В. Афанасьев, В. А. Ильин, И. Г. Казарин, А. А. Петров // Журнал технической физики. - 2001. - Т.71,N5. - Библиогр.: с. 81 (9 назв.) . - ISSN 0044-4642 Рубрики: Радиоэлектроника--Электроника Кл.слова (ненормированные): диоды Шоттки -- карбид кремния -- термическая стабильность -- радиационная стойкость -- оже-спектроскопия -- барьерные структуры -- облучение -- нейтроны -- гамма-излучение Аннотация: Изготовлены диодные структуры с барьером Шоттки Pt-W-Cr-SiC, сохраняющие свои электрофизические параметры до температуры 450`С. Методом электронной оже-спектроскопии показано, что термическая стойкость обусловлена использованием многослойной металлической композиции, обеспечивающей стабильность границы раздела металл-карбид кремния. Проведены радиационные испытания полученных поверхностно-барьерных структур. Экспериментально установлено, что в диапазоне концентраций N[d]-N[a]=10{16}-5*10{17}cm{-3} при комплексном воздействии быстрыми нейтронами и сопутствующим гамма-излучением дозами 4.42*10{15}neutr./cm{2} и 8.67*10{5}R соответственно необратимые изменения характеристик барьерных структур происходят при концентрациях N[d]-N[a]=<8*10[16}cm{-3}. При этом деградация характеристик тем более, чем меньше уровень легирования материала Доп.точки доступа: Ильин, В.А.; Казарин, И.Г.; Петров, А.А. |
537.86 Н 492 Нелин, Е. А. Импедансные условия резонансного прохождения и резонансной локализации волн в барьерных структурах [Текст] / Е. А. Нелин // Журнал технической физики. - 2011. - Т. 81, N 1. - С. 137-139. - Библиогр.: c. 139 (7 назв. ) . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Физика Электромагнитные колебания Кл.слова (ненормированные): барьерные структуры -- резонансное прохождение волн -- резонансная локализация волн -- импедансные условия Аннотация: Сформулированные импедансные условия резонансного прохождения и резонансной локализации волн в барьерных структурах. Получены аналитические выражения для собственных значений различных барьерных структур. Перейти: http://journals.ioffe.ru/jtf/2011/01/p137-139.pdf |