621.38 А 194 Аверин, С. В. Импульсный отклик МПМ фотодиода с гетеробарьером [Текст] / С. В. Аверин // Журнал технической физики. - 2004. - Т. 74, N 6. - Библиогр.: c. 56 (20 назв. ) . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Радиоэлектроника--Электроника Кл.слова (ненормированные): гетеробарьеры -- дрейф носителей заряда -- МПМ диоды -- фотодиоды Аннотация: В рамках двумерной модели исследуются процессы дрейфа фотогенерированных носителей заряда в активном объеме быстродействующих фотодиодов в системе выпрямляющих контактов металл-полупроводник-металл (МПМ) обычной планарной структуры и структуры с гетеробарьером. Дается сравнение двух типов фотодиодных структур с точки зрения характеристик сигнала импульсного отклика детектора и квантовой эффективности. Анализируются ограничения в отклике планарного МПМ диода, возникающие при последовательном уменьшении размеров встречно-штыревой системы контактов. Обсуждается возможность увеличения скорости отклика МПМ диода. Показано, что структура с InP/GaInAs гетеробарьером сильно видоизменяет движение фотогенерированных носителей заряда и существенно увеличивает скорость отклика МПМ фотодиода. Перейти: http://www.ioffe.rssi.ru/journals/jtf/2004/06/page-51.html.ru |
621.396 А 194 Аверин, С. В. Быстродействующие фотодетекторы: сравнительный анализ планарной структуры и структуры с углубленными контактами [Текст] / С. В. Аверин, Р. Сашо // Радиотехника и электроника. - 2003. - Т.48,N10. - Библиогр.:с.1269 (24 назв.) . - ISSN 0033-8494
Рубрики: Радиоэлектроника--Общие вопросы радиоэлектроники--Электроника Кл.слова (ненормированные): фотодетекторы -- быстродействующие фотодетекторы -- металл-полупроводник-металл -- МПМ -- МПМ-диоды -- встречно-штыревые контакты Аннотация: В рамках двумерной модели исследованы процессы дрейфа фотогенерированных носителей заряда в активном объеме быстродействующих фотодиодов в системе выпрямляющих контактов металл-полупроводник-металл (МПМ) обычной планарной структуры и структуры с углубленными встречно штыревыми контактами. Дано сравнение двух типов фотодиодных структур с точки зрения характеристик сигнала импульсного отклика детектора и квантовой эффективности. Показано, что структура с углубленными контактами обеспечивает однородное распределение электрического поля в активной области диода. Время сбора дырок в такой структуре существенно снижается, приводя к большой ширине полосы пропускания детектора. В таких структурах фотогенерированные носители могут быть эффективно собраны, что ведет к лучшей квантовой эффективности. Показано также, что МПМ-диоды с углубленными контактами позволяют уменьшить сопротивление узких и тонких встречно-штыревых контактов планарного МПМ-диода. Перейти: http://www.maik.ru Доп.точки доступа: Сашо, Р. |
621.375 А 19 Аверин, С. В. Быстродействующие детекторы ультрафиолетового излучения [] / С. В. Аверин, П. И. Кузнецов [и др.] // Радиотехника и электроника. - 2005. - Т. 50, N 3. - С. 394-398. - Библиогр.: с. 398 (17 назв. ) . - ISSN 0033-8494
Рубрики: Радиоэлектроника--Квантовая электроника--Общая радиотехника Кл.слова (ненормированные): полупроводниковые материалы; фотодетекторы; технология осаждения нитридов; ультрафиолетовое излучение; металл-полупроводник-металл Аннотация: Разработана MOCVD-технология осаждения нитридов III группы, позволяющая выращивать полупроводниковые гетероструктуры для фотодетекторов ультрафиолетового излучения и представлены результаты их экспериментального исследования. Изготовлены и исследованы быстродействующие фотодетекторы в системе выпрямляющих контактов металл-полупроводник-металл (МПМ) . Детекторы демонстрируют низкие значения темновых токов и высокую чувствительность в диапазоне 250...290 нм. Спектральные характеристики диодов показывают возможность их использования для "солнечно-слепого" детектирования. В рамках простой модели анализируются характеристики сигнала импульсного отклика МПМ- детекторов. Доп.точки доступа: Кузнецов, П. И.; Житов, В. А.; Захаров, Л. Ю.; Якущева, Г. Г.; Дмитриев, М. Д. |
621.38 А 505 Алкеев, Н. В. Дробовый шум диодов Шоттки с пониженной высотой барьера [Текст] / Н. В. Алкеев, С. В. Аверин, А. А. Дорофеев, В. И. Шашкин // Радиотехника и электроника. - 2008. - Т. 53, N 2. - С. 250-254. - Библиогр.: с. 254 (12 назв. ) . - ISSN 0033-8494
Рубрики: Радиоэлектроника Электроника Кл.слова (ненормированные): диоды Шоттки -- Шоттки диоды -- дробовый шум -- шумы полупроводниковых диодов -- спектральная плотность шумов Аннотация: Описан метод измерения спектральной плотности дробовых шумов двухполюсников, в частности полупроводниковых диодов, который применим в диапазоне частот до 200 МГц. Получены формулы, устанавливающие связь между спектральной плотностью токовых шумов диода и измеренными коэффициентом шума и коэффициентом передачи контактного устройства с вмонтированным в него диодом. С помощью этого метода определена зависимость фактора Фано GaAs-диода Шоттки с пониженной высотой барьера от протекающего через него тока. Доп.точки доступа: Аверин, С. В.; Дорофеев, А. А.; Шашкин, В. И. |
621.3 А 505 Алкеев, Н. В. Последовательный механизм транспорта электронов в резонансно-туннельном диоде с толстыми барьерами [Текст] / Н. В. Алкеев, С. В. Аверин [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2007. - Т. 41, N 2. - С. 233-237 . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика--Электротехника Кл.слова (ненормированные): диоды -- резонансно-туннельный диод -- полупроводниковые структуры -- мезоскопические структуры -- механизм транспорта электронов Аннотация: Анализ частотной зависимости импенданса резонансно-туннельного диода на основе InGaAs/InAlAs с шириной ямы 5 нм и барьерами толщиной 5 нм в диапазоне частот 0. 1-50 ГГц показал, что механизм транспорта в таком диоде в основном последовательный, а не когерентный, что совпадает с проведенными оценками. Обсуждается возможность определения долей когерентного и последовательного механизма транспорта электронов через резонансно-туннельный диод по частотной зависимости его импенданса. Доп.точки доступа: Аверин, С. В.; Дорофеев, А. А.; Velling, P.; Khorenko, E.; Prost, W.; Tegude, F. J. |
Аверин, С. В. Влияние интенсивности сигнала оптического возбуждения на импульсный отклик МПМ-фотодиода [Текст] / С. В. Аверин, П. И. Кузнецов, Н. В. Алкеев // Журнал технической физики. - 2009. - Т. 79, N 10. - С. 89-94. - Библиогр.: c. 94 (20 назв. ) . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Радиоэлектроника Квантовая электроника Кл.слова (ненормированные): оптическое возбуждение -- фотодетекторы -- фотодиоды -- нитрид галлия -- отклик фотодетектора Аннотация: Исследовано влияние интенсивности сигнала оптического возбуждения на импульсный отклик фотодетектора в системе выпрямляющих контактов металл-полупроводник-металл (МПМ). Отклик детектора лучше при низком уровне сигнала оптического возбуждения. При большом уровне энергии импульса оптического возбуждения возможно улучшение сигнала отклика детектора при увеличении смещения. Установлены преимущества МПМ-диода на основе GaN при детектировании излучения с большой энергией импульса. Анализ показывает, что при энергии импульса оптического возбуждения 60 pJ на длине волны 290 nm, быстродействие GaN МПМ-детектора может достигать ~ 25 ps. Доп.точки доступа: Кузнецов, П. И.; Алкеев, Н. В. |
621.375 М 879 МПМ-фотодиоды на основе широкозонных гетероструктур ZnCdS/GaP [Текст] / С. В. Аверин [и др.] // Журнал технической физики. - 2012. - Т. 82, № 11. - С. 49-53. - Библиогр.: c. 53 (18 назв. ) . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Радиоэлектроника Квантовая электроника Кл.слова (ненормированные): МПМ-фотодиоды -- фотодиоды -- гетероструктуры -- широкозонные гетероструктуры -- эпитаксиальные слои -- метод MOCVD -- MOCVD метод -- фотодиодные структуры -- металл-полупроводник-металл -- диодные структуры -- темновые токи -- спектральный отклик -- фоточувствительность Аннотация: Высококачественные эпитаксиальные слои ZnCdS выращены на полупроводниковых подложках GaP методом MOCVD и на их основе изготовлены и исследованы фотодиодные структуры в системе выпрямляющих контактов металл-полупроводник-металл (МПМ). Диодные структуры характеризуются низкими величинами темновых токов. Установлена зависимость характеристик спектрального отклика детекторов от напряжения смещения. Длинноволновая граница отклика ZnCdS/GaP МПМ-фотодиода может сдвигаться с 355 до 440 nm при измерении напряжения смещения с 40 до 80 V. На длине волны максимальной фоточувствительности (355 nm) ампер-ваттная чувствительность детектора составила 0. 1 A/W. Перейти: http://journals.ioffe.ru/jtf/2012/11/p49-53.pdf Доп.точки доступа: Аверин, С. В.; Кузнецов, П. И.; Житов, В. А.; Алкеев, Н. В.; Котов, В. М.; Захаров, Л. Ю.; Гладышева, Н. Б. |
621.383 Г 441 Гетероструктуры AlN/AlGaN для селективно-чувствительных MSM-детекторов ультрафиолетовой части спектра [Текст] / С. В. Аверин [и др.] // Журнал технической физики. - 2011. - Т. 81, N 2. - С. 138-140. - Библиогр.: c. 140 (12 назв. ) . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Радиоэлектроника Фотоэлектрические приборы Кл.слова (ненормированные): гетероструктуры -- твердые растворы -- MSM-фотодетекторы -- солнечно-слепое детектирование -- детекторы ультрафиолетового излучения -- фотодетекторы Аннотация: MSM-фотодетекторы на основе AlN/AlGaN-гетероструктур обладают низкими значениями темновых токов, а спектральные характеристики демонстрируют возможность использования для селективно-чувствительного солнечно-слепого детектирования с максимумом чувствительности на длине волны 240 nm. Перейти: http://journals.ioffe.ru/jtf/2011/02/p138-140.pdf Доп.точки доступа: Аверин, С. В.; Кузнецов, П. И.; Житов, В. А.; Алкеев, Н. В.; Котов, В. М.; Дорофеев, А. А.; Гладышева, Н. Б. |