32.85 Т 462 Тихов, С. В. Влияние водорода на фотоэлектрические свойства диодов Шоттки палладий/анодный окисел/арсенид галлия [Текст] / С. В. Тихов, Е. Л. Шоболов, В. В. Подольский, С. Б. Левичев // Журнал технической физики. - 2003. - Т.73,N2. - Библиогр.: с.92 (17 назв.) . - ISSN 0044-4642 Рубрики: Радиоэлектроника--Электроника Кл.слова (ненормированные): арсенид галлия -- водород -- диоды Шоттки -- фотоэдс -- хемасорбция Аннотация: Исследовано влияние водорода на фотоэдс и вольт-амперные характеристики диодов Шоттки палладий/анодный окисел/арсенид галлия. Определены оптимальные значения толщины окисла, при которой диоды имели высокую чувствительность к водороду, и глубина проникновения атомарного водорода в окисел. Установлен механизм воздействия водорода, заключающийся в хемасорбции атомарного водорода на поверхности арсенида галлия, что приводит к уменьшению высоты барьера и увеличению рекомбинационной составляющей тока. Показана неоднородность пленки туннельно-тонкого анодного окисла по толщине и обнаружено увеличение вероятности туннелирования через окисел под действием водорода. Установлено, что регистрация водорода по отклику фотоэдс характеризовалась большей чувствительностью и обнаружительной способностью, но меньшим быстродействием по сравнению с откликом по обратному току Доп.точки доступа: Шоболов, Е.Л.; Подольский, В.В.; Левичев, С.Б. |
22.33 Т 462 Тихов, С. В. Влияние модификации поверхности полупроводника на свойства водородочувствительных диодов Шоттки на арсениде галлия [Текст] / С. В. Тихов, Е. Л. Шоболов, С. Б. Левичев, Н. В. Байдусь // Журнал технической физики. - 2003. - Т.73,N5. - Библиогр.: 16 назв. . - ISSN 0044-4642 Рубрики: Радиоэлектроника--Физика твердого тела--Электроника Кл.слова (ненормированные): арсенид галлия -- водородочувствительность -- диоды Шоттки -- квантовые точки -- квантовые ямы -- модификация поверхности -- травление Аннотация: Установлено, что модификация поверхности полупроводника в водородочувствительных диодах Шоттки на GaAs путем неполирующего травления или введения в область пространственного заряда полупроводника квантовых ям и квантовых точек может увеличивать чувствительность к водороду в 8-37 раз после травления и на два--три порядка после введения квантовых ям и квантовых точек. Показано, что это увеличение связано с уменьшением высоты барьера Pd / GaAs, с задерживанием диффузии водорода в объем GaAs напряженными квантованными слоями и с ростом рекомбинационной составляющей тока. Наличие рекомбинационной составляющей подтверждается электролюминесценцией от квантовых ям и квантовых точек и от GaAs. Для эффекта очувствления после травления определяющим является химический состав травителя Доп.точки доступа: Шоболов, Е.Л.; Левичев, С.Б.; Байдусь, Н.В. |
22.37 П 180 Паранчич, С. Ю. Исследование выпрямляющих и фотоэлектрических свойств барьерных структур на основе теллурида кадмия, легированного ванадием [Текст] / С. Ю. Паранчич, Л. Д. Паранчич [и др.] // Журнал технической физики. - 2003. - Т.73,N5. - Библиогр.: 9 назв. . - ISSN 0044-4642 Рубрики: Радиоэлектроника--Физика твердого тела--Электроника Кл.слова (ненормированные): барьерные структуры -- выпрямляющие свойства -- диоды Шоттки -- теллурид кадмия Аннотация: Термическим напылением хрома на высокоомные подложки теллурида кадмия, легированного ванадием (CdTe:V) с концентрацией примеси 5ъ10{18} cm{-3}, получены структуры типа диодов Шоттки. На барьерных структурах Cr-CdTe:V исследованы вольт-амперные и спектральные характеристики и оценены их выпрямляющие свойства Доп.точки доступа: Паранчич, Л.Д.; Макогоненко, В.Н.; Танасюк, Ю.В.; Юрценюк, Р.Н. |
Афанасьев, А. В. Исследования термической стабильности и радиационной стойкости диодов Шоттки на основе карбида кремния [Текст] / А. В. Афанасьев, В. А. Ильин, И. Г. Казарин, А. А. Петров // Журнал технической физики. - 2001. - Т.71,N5. - Библиогр.: с. 81 (9 назв.) . - ISSN 0044-4642 Рубрики: Радиоэлектроника--Электроника Кл.слова (ненормированные): диоды Шоттки -- карбид кремния -- термическая стабильность -- радиационная стойкость -- оже-спектроскопия -- барьерные структуры -- облучение -- нейтроны -- гамма-излучение Аннотация: Изготовлены диодные структуры с барьером Шоттки Pt-W-Cr-SiC, сохраняющие свои электрофизические параметры до температуры 450`С. Методом электронной оже-спектроскопии показано, что термическая стойкость обусловлена использованием многослойной металлической композиции, обеспечивающей стабильность границы раздела металл-карбид кремния. Проведены радиационные испытания полученных поверхностно-барьерных структур. Экспериментально установлено, что в диапазоне концентраций N[d]-N[a]=10{16}-5*10{17}cm{-3} при комплексном воздействии быстрыми нейтронами и сопутствующим гамма-излучением дозами 4.42*10{15}neutr./cm{2} и 8.67*10{5}R соответственно необратимые изменения характеристик барьерных структур происходят при концентрациях N[d]-N[a]=<8*10[16}cm{-3}. При этом деградация характеристик тем более, чем меньше уровень легирования материала Доп.точки доступа: Ильин, В.А.; Казарин, И.Г.; Петров, А.А. |
Гольдберг, Ю. А. Переходный процесс при непрерывном и ступенчатом нагревании GaAs поверхностно-барьерных структур [Текст] / Ю. А. Гольдберг, Е. А. Поссе // Журнал технической физики. - 2001. - Т.71,N9. - Библиогр.: с.65 (9 назв.) . - ISSN 0044-4642 Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): вентильный контакт -- омический контакт -- арсенид галлия -- никель -- емкость -- ток -- диоды Шоттки Аннотация: Изучалось изменение характеристик емкость-напряжение (С-U) и ток-напряжение (I[f]-U и I[r]-U) структур полупроводник-твердый металл (GaAs-Ni) в процессе их непрерывного и ступенчатого нагревания. Изначально свойства исследуемых структур соответствовали теории термоэлектронной эмиссии. Показано, что в процессе непрерывного нагревания выпрямляющие структуры переходят в омические при некоторой температуре T[Ohm]=720K, существенно более низкой, чем температуры плавления металла или эвтектика металла и полупроводника. Для сравнения изучались свойства структур,отожженных при различных температурах T[ann] и охлажденных до комнатной температуры (ступенчатое нагревание). Показано, что в этом случае I-U-зависимости были близки к исходным после отжига структур при T[ann] Доп.точки доступа: Поссе, Е.А. |
53.07 С 302 Семенович, С. Н. Широкодиапазонный регистратор быстрых электрических сигналов [Текст] / С. Н. Семенович, И. П. Стецко, О. В. Тягунов, В. А. Чудовский // Приборы и техника эксперимента. - 2004. - N 5 . - ISSN 0032-8162
Рубрики: Физика--Физические приборы Кл.слова (ненормированные): широкодиапазонные регистраторы -- электрические сигналы -- транзисторы -- диоды -- диоды Шоттки Аннотация: Для исследования быстропротекающих релаксационных процессов в силовых биполярных и м. о. п.-транзисторах, а также диодах Шоттки, разработан широкодиапазонный многоканальный регистратор сигналов с полосой пропускания 200 МГц. Доп.точки доступа: Стецко, И. П.; Тягунов, О. В.; Чудовский, В. А. |
621.38 Г 930 Губанков, В. Н. Интегральные гибридные преобразователи частоты миллиметрового диапазона длин волн на основе направленных ответвителей из монокристаллической пленки высокотемпературного сверхпроводника и диодов шоттки [Текст] / В. Н. Губанков, И. М. Котелянский [и др.] // Радиотехника и электроника. - 2002. - Т.47,N6. - Библиогр.:с.768 (4 назв.) . - ISSN 0033-8494
Кл.слова (ненормированные): СВЧ -- высокотемператуная сверхпроводимость -- диоды Шоттки -- направленные ответвители -- преобразователи частоты Аннотация: Приведены результаты исследований балансных преобразователей частоты миллиметрового диапазона длин волн на основе шлейфовых и кольцевых направленных трехдецибельных ответвителей из монокристаллической пленки высокотемпературного сверхпроводника и встречно включенных диодов Шоттки. Перейти: http://www.maik.ru Доп.точки доступа: Котелянский, И.М.; Меркурова, С.П.; Шахунов, В.А.; Шефталь, Р.Н. |
621.38 А 505 Алкеев, Н. В. Дробовый шум диодов Шоттки с пониженной высотой барьера [Текст] / Н. В. Алкеев, С. В. Аверин, А. А. Дорофеев, В. И. Шашкин // Радиотехника и электроника. - 2008. - Т. 53, N 2. - С. 250-254. - Библиогр.: с. 254 (12 назв. ) . - ISSN 0033-8494
Рубрики: Радиоэлектроника Электроника Кл.слова (ненормированные): диоды Шоттки -- Шоттки диоды -- дробовый шум -- шумы полупроводниковых диодов -- спектральная плотность шумов Аннотация: Описан метод измерения спектральной плотности дробовых шумов двухполюсников, в частности полупроводниковых диодов, который применим в диапазоне частот до 200 МГц. Получены формулы, устанавливающие связь между спектральной плотностью токовых шумов диода и измеренными коэффициентом шума и коэффициентом передачи контактного устройства с вмонтированным в него диодом. С помощью этого метода определена зависимость фактора Фано GaAs-диода Шоттки с пониженной высотой барьера от протекающего через него тока. Доп.точки доступа: Аверин, С. В.; Дорофеев, А. А.; Шашкин, В. И. |
621.3 Б 684 Бланк, Т. В. Механизмы протекания тока в омических контактах металл-полупроводник [Текст] : обзор / Т. В. Бланк, авт. Ю. А. Гольдберг // Физика и техника полупроводников. - 2007. - Т. 41, вып. 11. - С. 1281-1308 . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Электротехника Кл.слова (ненормированные): омические контакты -- термоэлектронная эмиссия -- полевая эмиссия -- термополевая эмиссия -- диоды шоттки -- шоттки диоды Аннотация: Приведен обзор литературных данных по свойствам омических контактов металл-полупроводник и механизмам протекания тока в них (термоэлектронная эмиссия, полевая эмиссия, термополевая эмиссия, а также протекание тока по металлическим шунтам). Теоретические зависимости сопротивления омического контакта от температуры и концентрации носителей заряда в полупроводнике сравнивались с экспериментальными данными для омических контактов к полупроводникам типа A\{II\}B\{VI\} (ZnSe, ZnO), A\{III\}B\{V\} (GaN, AlN, InN, GaAs, GaP, InP), A\{IV\} (SiC, алмаз) и твердым растворам этих полупроводников. Доп.точки доступа: Гольдберг, Ю. А. |
21.315.592 Г 808 Грехов, И. В. Высоковольтные (900 В) 4H-SiC диоды Шоттки с охранным p-n-переходом, изготовленным имплантацией бора [Текст] / И. В. Грехов, П. А. Иванов [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2008. - Т. 42, вып. 2. - С. 211-214
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): диоды Шоттки -- Шоттки диоды -- имплантация бора -- бор -- охранный p-n-переход Аннотация: Изготовлены и исследованы высоковольтные (900 В) 4H-SiC диоды Шоттки с охранным p-n-переходом. Охранный переход формировался имплантацией бора при комнатной температуре с последующим высокотемпературным отжигом. Доп.точки доступа: Иванов, П. А.; Ильинская, Н. Д.; Коньков, О. И.; Потапов, А. С.; Самсонова, Т. П. |
621.315.592 Ш 329 Шашкин, В. И. Диагностика низкобарьерных диодов Шоттки с приповерхностным дельтa -легированием [Текст] / В. И. Шашкин, авт. А. В. Мурель // Физика и техника полупроводников. - 2008. - Т. 42, вып. 4. - С. 500-502 . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): диоды Шоттки -- Шоттки диоды -- низкобарьерные диоды Шоттки -- барьер Мотта -- Мотта барьер -- дельта-легирование Аннотация: Разработана методика диагностики параметров низкобарьерных диодов Шоттки, основанная на анализе зависимости дифференциального сопротивления диода с барьером Мотта и приповерхностным дельта-легированием. Показано, что возможно полное описание вольт-амперных характеристик диода при учете последовательно включенного n\{-\}-n\{+\}-перехода. Методика позволяет оптимизировать диоды для достижения более высокой чувствительности при детектировании. Доп.точки доступа: Мурель, А. В. |
621.315.592 Б 447 Беляев, А. Е. О механизме токопереноса, обусловленном дислокациями в нитридгаллиевых диодах Шоттки [Текст] / А. Е. Беляев, Н. С. Болтовец [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2008. - Т. 42, вып. 6. - С. 706-710 . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): механизм токопереноса -- нитридгаллиевые диоды -- диоды Шоттки -- Шоттки диоды -- длина волны де Бройля -- де Бройля длина волны -- туннелирование Аннотация: Исследован механизм токопереноса в диодах Шоттки Au-TiB[x-n]-GaN, область пространственного заряда в которых значительно превышает длину волны де Бройля в GaN. Анализ температурных зависимостей вольт-амперных характеристик (ВАХ) прямосмещенных барьеров Шоттки показал, что в интервале температур 80-380 K токоперенос осуществляется туннелированием вдоль дислокаций, пересекающих область пространственного заряда. Оценка плотности дислокаций po из вольт-амперных характеристик в соответствии с моделью туннелирования по дислокационной линии дает величину po~1. 7 х 10\{7\} см\{-2\}, что близко по величине к плотности дислокаций, измеренной методом рентгеновской дифрактометрии. Доп.точки доступа: Болтовец, Н. С.; Иванов, В. Н.; Кладько, В. П.; Конакова, Р. В.; Кудрик, Я. Я.; Кучук, А. В.; Миленин, В. В.; Свешников, Ю. Н.; Шеремет, В. Н. |
621.315.592 И 203 Иванов, П. А. Импульсный пробой диодов Шоттки на основе 4H-SiC с охранным p-n-переходом, изготовленным имплантацией бора [Текст] / П. А. Иванов, И. В. Грехов, А. С. Потапов, Т. П. Самсонова // Физика и техника полупроводников. - 2008. - Т. 42, вып. 7. - С. 878-881 . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): импульсные характеристики -- диоды Шоттки -- Шоттки диоды -- имплантация бора -- карбид кремния Аннотация: Измерены импульсные обратные вольт-амперные характеристики (на участке пробоя) для 4H-SiC-диодов Шоттки на 1 кВ с охранным p-n-переходом, изготовленным имплантацией бора. Показано, что динамическое напряжение пробоя диодов увеличивается при уменьшении длительности импульсов. Благодаря однородному лавинообразованию на крае охранного p-n-перехода и большому дифференциальному сопротивлению на участке пробоя диоды выдерживают без деградации импульсное обратное напряжение, значительно превышающее порог статического пробоя. Особенности импульсного пробоя рассматриваются в связи со специфическими свойствами имплантированного бором планарного охранного p-n-перехода. Доп.точки доступа: Грехов, И. В.; Потапов, А. С.; Самсонова, Т. П. |
621.315.592 П 485 Покотило, Ю. М. Кинетика формирования различных типов водородсодержащих доноров в кремнии, имплантированном протонами [Текст] / Ю. М. Покотило, А. Н. Петух, О. А. Дзичковский // Физика и техника полупроводников. - 2008. - Т. 42, вып. 7. - С. 893-895 . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): водородсодержащие доноры -- кремний -- диоды Шоттки -- Шоттки диоды -- нанокластеры -- модель бистабильности Аннотация: Методом C-V-характеристик исследована кинетика накопления двойного и мелкого водородсодержащих доноров в эпитаксиальном кремнии, имплантированном протонами. Показано, что кинетика описывается реакциями 1-го порядка. Определены энергии активации дельта E[1]=2. 3 эВ, дельтa E[2]=1. 4 эВ и предэкспоненциальные факторы для обоих типов доноров соответственно. Показано, что бистабильность электрических свойств кремния обусловлена двойным водородсодержащим донором. Доп.точки доступа: Петух, А. Н.; Дзичковский, О. А. |
621.315.592 А 852 Арсентьев, И. Н. Морфология поверхности автоэпитаксиальных слоев на пористых подложках InP и вольтамперные характеристики диодов Шоттки на их основе [Текст] / И. Н. Арсентьев, М. В. Байдакова [и др.] // Физика и химия обработки материалов. - 2008. - N 2. - С. 43-47 . - ISSN 0015-3214
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): автоэпитаксиальные пленки -- полупроводниковые структуры -- тонкопленочные полупроводниковые структуры -- пористые подложки -- стандартные подложки -- безбуферные подложки -- подложки с буфером -- диоды Шоттки -- Шоттки диоды -- эпитаксиальные слои Аннотация: Изучена морфология поверхности автоэпитаксиальных пленок n-InP, выращенных на пористых и стандартных "жестких" подложках n{+}-InP ( 100) с буферным слоем и без него. Доп.точки доступа: Байдакова, М. В.; Бобыль, А. В.; Конников, С. Г.; Ситникова, А. А.; Улин, В. П.; Болтовец, Н. С.; Иванов, В. Н.; Беляев, А. Е.; Камаилов, А. Б.; Конакова, Р. В.; Кудрик, Я. Я.; Литвин, О. С.; Миленин, В. В. |
621.315.592 Б 420 Бекбергенов, С. Е. Эффект немонотонного изменения функциональных параметров арсенид-галлиевых диодов Шоттки при лазерной обработке [Текст] / С. Е. Бекбергенов, авт. А. Б. Камалов // Физика и химия обработки материалов. - 2008. - N 3. - С. 15-18 . - ISSN 0015-3214
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): лазерная обработка -- арсенид-галлиевые диоды -- полупроводниковые диоды -- диоды Шоттки -- Шоттки диоды -- облучение лазерными импульсами Аннотация: Исследовано влияние лазерной обработки на электрофизические характеристики арсенид-галлиевых диодных структур с барьером Шоттки. Показана возможность управления параметрами диодов при облучении лазерными импульсами небольшой интенсивности. Доп.точки доступа: Камалов, А. Б. |
Стабилизация частоты излучения первичного источника субтерагерцового диапазона частотной гребенкой фемтосекундного лазера [Текст] / М. Ю. Третьяков [и др. ] // Письма в журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2010. - Т. 91, вып: вып. 5. - С. 240-243
Рубрики: Радиоэлектроника Квантовые приборы Кл.слова (ненормированные): фазовая стабилизация -- эквидистантные компоненты -- широкополосные спектры -- фемтосекундные лазеры -- лазерные импульсы -- диоды Шоттки -- Шоттки диоды -- фазовые шумы Аннотация: Осуществлена фазовая стабилизация частоты излучения первичного источника субтерагерцового диапазона по эквидистантным компонентам широкополосного спектра, получаемым с помощью фемтосекундного лазера. Оптико-терагерцовое преобразование последовательности лазерных импульсов и ее смешение с субтерагерцовым излучением осуществлено на диоде Шоттки. Работа открывает возможность создания принципиально нового поколения синтезаторов частоты с требуемой мощностью, уровень фазовых шумов в которых в тысячи раз ниже, чем в традиционных аналогах. Доп.точки доступа: Третьяков, М. Ю.; Шкаев, А. П.; Киселев, А. М.; Бодров, С. Б.; Андрианов, А. В.; Макаров, Д. С. |
Высоковольтные (1800 В) планарные p-n-переходы на основе 4H-SiC с плавающими охранными кольцами [Текст] / П. А. Иванов [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып: вып. 4. - С. 527-530
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): охранные кольца -- диоды Шоттки -- Шоттки диоды -- планарные p-n переходы Аннотация: Изготовлены планарные p-n-переходы на основе 4H-SiC с плавающими охранными кольцами. Основной переход и кольца формировались имплантацией бора при комнатной температуре с последующим высокотемпературным отжигом. Напряжение пробоя изготовленных p-n-переходов составляет 1800 В, что вдвое больше по сравнению с напряжением пробоя аналогичных переходов без охраны и достигает 72% от расчетного напряжения пробоя плоскопараллельного p-n-перехода с такими же параметрами эпитаксиального слоя. Доп.точки доступа: Иванов, П. А.; Грехов, И. В.; Ильинская, Н. Д.; Самсонова, Т. П.; Потапов, А. С. |
Резонансное детектирование терагерцового излучения в субмикронных полевых транзисторах GaAs/AlGaAs с двумерным электронным газом [Текст] / А. В. Антонов [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып: вып. 4. - С. 552-555
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): электромагнитые волны -- терагерцевое излучение -- приемники излучения -- диоды Шоттки -- Шоттки диоды -- спектральный анализ -- дифракционные решетки Аннотация: Исследовано резонансное детектирование терагерцового излучения субмикронными полевыми транзисторами GaAs/AlGaAs (длина затвора L=250 нм) с двумерным электронным газом в канале при T=4. 2 K. Для таких транзисторов впервые продемонстрировано смещение максимума отклика (фотоэдс сток-исток) с ростом частоты в область больших напряжений на затворе в соответствии с моделью Дьяконова-Шура. Показано, что при повышении температуры до 77 K зависимость фотоэдс от напряжения на затворе становится нерезонансной, что связано с уменьшением подвижности. Доп.точки доступа: Антонов, А. В.; Гавриленко, В. И.; Маремьянин, К. В.; Морозов, С. В.; Teppe, F.; Knap, W. |
Диоды с барьером Шоттки Au-TiBx-n-6H-SiC: особенности токопереноса в выпрямляющих и невыпрямляющих контактах [Текст] / О. А. Агеев [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып: вып. 7. - С. 897-903 : ил. - Библиогр.: с. 902 (22 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Проводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): токоперенос -- барьеры Шоттки -- Шоттки барьеры -- диоды Шоттки -- Шоткки диоды -- вольт-амперные характеристики -- ВАХ -- выпрямляющие контакты -- омические контакты -- монокристаллы -- карбид кремния -- туннельные токи -- концентрация -- дислокации -- пространственный заряд Аннотация: Исследован механизм токопереноса в диоде на основе карбида кремния с барьером Шоттки, сформированным квазиаморфной фазой внедрения TiB[х] на поверхности монокристаллов n-6H-SiC (0001), с концентрацией нескомпенсированных доноров (азот) ~10{18}см{-3}и концентрацией дислокаций ~ (10{6}-10{8}) см{-2}. Показано, что при температурах T= Доп.точки доступа: Агеев, О. А.; Беляев, А. Е.; Болтовец, Н. С.; Иванов, В. Н.; Конакова, Р. В.; Кудрик, Я. Я.; Литвин, П. М.; Миленин, В. В.; Савченко, А. В. |