001(09) Г 808 Грехов, И. В. Создатель силовой полупроводниковой электроники [Текст] : к 100-летию со дня рождения академика В. М. Тучкевича / И. В. Грехов // Вестник Российской академии наук. - 2004. - Т. 74, N 12 . - ISSN 0869-5873
Рубрики: Наука. Науковедение--История науки Радиоэлектроника--Электроника Кл.слова (ненормированные): исследования -- ученые -- юбилеи -- полупроводники -- полупрводниковая электроника -- диэлектрики -- диэлектрическая электроника -- рентгеновское излучение -- германиевые диоды -- диоды -- реакторы -- тиристоры Аннотация: Академику Владимиру Максимовичу Тучкевичу - ученый, создатель силовой полупроводниковой электроники. Основными направлениями его работы были исследования электрических свойств диэлектриков и воздействия на них рентгеновского излучения; под его руководством были сделаны первые в стране мощные германиевые диоды, первые полупроводниковые устройства для бесперебойного питания реакторов атомных подводных лодок; проводились работы по созданию мощных тиристоров. Доп.точки доступа: Тучкевич, В. М. |
621.38 Б 649 Бирюков, С. Тиристорные переключатели серии КР1182КП1 [Текст] / С. Бирюков // Радио. - 2001. - N6
Рубрики: Радиоэлектроника--Электроника Кл.слова (ненормированные): тиристоры -- динисторы -- тиристорные переключатели -- переключатели -- электролюминесцентные лампы -- автогенераторы импульсов -- схемы Аннотация: В статье описываются приборы,предназначенные для коммутации тока через нити накала электролюминесцентных ламп, для применения в автогенераторах пилообразных импульсов и т.п.Зарубежный аналог-MN611А. Перейти: http://www.paguo.ru/ |
621.38 С 374 Симметричные тиристоры серии КУ503 [Текст] // Радио. - 2005. - N 3. - Библиогр.: с. 52 (3 назв. ) . - ISSN 0033-765X
Рубрики: Радиоэлектроника--Электроника Кл.слова (ненормированные): тиристоры симметричные -- симметричные тиристоры -- кремниевые тиристоры -- тиристоры кремниевые -- технические характеристики Аннотация: Кремниевые маломощные планарно-эпитаксиальные тиристоры КУ503А, КУ503Б, КУ503В, КУ503А9, КУ503Б9, КУ503В9 структуры n-p-n-р-n предназначены для работы в формирователях импульсов, открывающих мощные симисторы в регуляторах мощности переменного тока, в устройствах электронной защиты. |
621.38 Г 80 Грехов, И. В. Статические и динамические характеристики мощного интегрального тиристора с внешним полевым управлением [Текст] / И. В. Грехов, Т. Т. Мнацаканов [и др.] // Журнал технической физики. - 2005. - Т. 75, N 7. - С. 80-87. - Библиогр.: c. 87 (12 назв. ) . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Радиоэлектроника--Электроника Кл.слова (ненормированные): диффузионные слои; МОП транзисторы; мощные интегральные тиристоры; тиристорные чипы SGTO; тиристоры Аннотация: Представлен теоретический анализ физических процессов в мощном интегральном тиристоре с внешним полевым управлением. Рассмотрены особенности конструкции такого прибора и влияние параметров диффузионных слоев тиристорной структуры на вольт-амперную характеристику во включенном состоянии. Дан расчет и сделаны оценки предельного выключаемого тока, который определяется током удержания тиристорной структуры, зашунтированной внешним МОП транзистором. Приведены расчетные зависимости максимального запираемого тока от величины эффективного сопротивления, включающего в себя сопротивление канала МОП транзистора и сопротивление металлизации затвора. Выполнено численное моделирование процесса спада тока, которое показало, что при включении МОП транзистора ток после некоторой задержки спадает за доли микросекунды примерно на 90%, а затем следует участок более медленного спада. Перейти: http://www.ioffe.rssi.ru/journals/jtf/2005/07/page-80.html.ru Доп.точки доступа: Мнацаканов, Т. Т.; Юрков, С. Н.; Тандоев, А. Г.; Костина, Л. С. |
621.38 Г 80 Грехов, И. В. Особенности процесса выключения мощного интегрального тиристора с внешним полевым управлением [Текст] / И. В. Грехов, С. Н. Юрков [и др.] // Журнал технической физики. - 2006. - Т. 76, N 5. - С. 76-81. - Библиогр.: c. 81 (8 назв. ) . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Радиоэлектроника--Электроника Кл.слова (ненормированные): выключение тиристора; мощные интегральные тиристоры; тиристоры; тиристоры с внешним полевым управлением Аннотация: Представлены результаты качественного и количественного анализа основных этапов процесса выключения мощного интегрального тиристора с внешним полевым управлением. Развита аналитическая модель этапа задержки выключения, адеквантность которой проверена численным расчетом переходного процесса спада тока при выключении n{+}pnn'p{+}-структуры. Обнаружен эффект гиперзадержки, который возникает при приближении запираемого анодного тока к предельной величине, зависящей от параметров тиристорной структуры и цепи управления. Выполнен расчет удельной энергии потерь и показано, что основная часть потерь при выключении приходится на этап медленного спада тока. Перейти: http://www.ioffe.rssi.ru/journals/jtf/2006/05/p76-81.pdf Доп.точки доступа: Юрков, С. Н.; Мнацаканов, Т. Т.; Тандоев, А. Г.; Костина, Л. С. |
530.1 Г 671 Горбатюк, А. В. N-S-переход на неизотермических характеристиках высоковольтных диодов и тиристоров [Текст] / А. В. Горбатюк, авт. К. В. Игумнов // Письма в журнал технической физики. - 2008. - Т. 34, вып. 3. - С. 58-65
Рубрики: Физика Теоретическая физика Кл.слова (ненормированные): высоковольтные диоды -- высоковольтные тиристоры -- амбиполярные диффузии -- тепловой пробой Аннотация: При численном моделировании стационарных неизотермических характеристик прямосмещенных высоковольтных диодов и тиристоров в интервале плотности тока J~200-500 A/cm2 в их форме обнаружен N-S-переход, а также гистерезис в режимах источника постоянного тока. Установлено, что механизм этого явления связан с температурным снижением коэффициента амбиполярной диффузии при усиливающейся рекомбинации. Показано, что приборы с такими ВАХ могут необратимо переключаться кратковременными импульсами тока из устойчивых состояний на рабочей ветви в состояния с высоким тепловыделением, что грозит тепловым пробоем. Доп.точки доступа: Игумнов, К. В. |
608 И 741 Информация Роспатента [Текст] // Интеллектуальная собственность: Промышленная собственность. - 2006. - N 10. - С. 71-73 . - ISSN 0201-7067
Рубрики: Право--Творческие правоотношения--Россия Кл.слова (ненормированные): патенты; изобретения; системы подсвета; космическая телефония; электронагреватели; тиристоры; стабилизаторы тока; источники электропитания; защита вычислительных сетей; высокочастотная связь; переменное напряжение; стиральные машинки; бронированные кабели; утилизация Аннотация: Представлены перспективные российские разработки в области электрорадиотехники, электросвязи. |
Исследование статических характеристик и особенностей процесса переключения интегрального тиристора с внешним полевым управлением [Текст] / И. В. Грехов [и др. ] // Журнал технической физики. - 2008. - Т. 78, N 12. - С. 78-84. - Библиогр.: c. 84 (13 назв. ) . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Радиоэлектроника Полупроводниковые приборы Кл.слова (ненормированные): интегральные тиристоры -- тиристоры -- тиристоры с внешнем полевым управлением -- переходные процессы -- переключение Аннотация: Представлены результаты экспериментального исследования статических параметров и переходных процессов переключения нового высоковольтного быстродействующего прибора ключевого типа - интегрального тиристора с внешним полевым управлением - и их зависимости от геометрических и электрофизических характеристик базовых слоев n+pnn'p+-структуры прибора. Показано, что остаточное сопротивление высоковольтного (~2. 5 kV) микротиристорного чипа во включенном состоянии существенно меньше, чем у аналогичных IGBT, а быстродействие достаточно высокое. Одним из достоинств разработанного прибора является его многофункциональность - способность работать в различных режимах эксплуатации. В частности, он может быть выключен не только шунтированием n+p-эмиттера внешним МОП-транзистором, но и путем запирания импульсом тока управления, а также в режиме каскадного выключения. В этих режимах существенно возрастает предельное значение выключаемого тока. Доп.точки доступа: Грехов, И. В.; Костина, Л. С.; Рожков, А. В.; Зитта, Н. Ф.; Матвеев, В. И. |
Горбатюк, А. В. N-S-переход на неизотермических характеристиках высоковольтных диодов и тиристоров [Текст] / А. В. Горбатюк, К. В. Игумнов // Письма в журнал технической физики. - 2008. - Т. 34, вып: вып. 3. - С. 58-65
Рубрики: Физика Теоретическая физика Кл.слова (ненормированные): высоковольтные диоды -- высоковольтные тиристоры -- амбиполярные диффузии -- тепловой пробой Аннотация: При численном моделировании стационарных неизотермических характеристик прямосмещенных высоковольтных диодов и тиристоров в интервале плотности тока J~200-500 A/cm2 в их форме обнаружен N-S-переход, а также гистерезис в режимах источника постоянного тока. Установлено, что механизм этого явления связан с температурным снижением коэффициента амбиполярной диффузии при усиливающейся рекомбинации. Показано, что приборы с такими ВАХ могут необратимо переключаться кратковременными импульсами тока из устойчивых состояний на рабочей ветви в состояния с высоким тепловыделением, что грозит тепловым пробоем. Доп.точки доступа: Игумнов, К. В. |
Горбатюк, А. В. Аналитическая модель запираемого тиристора с немонотонным оттеснением остаточной плазмы [Текст] / А. В. Горбатюк // Письма в журнал технической физики. - 2008. - Т. 34, вып: вып. 5. - С. 54-62
Рубрики: Физика Электронные и ионные явления. Физика плазмы Кл.слова (ненормированные): остаточная плазма -- динамические поля -- силовые микросхемы -- тиристоры Аннотация: Предложена модель механизма обратного восстановления запираемого тиристора, учитывающая диффузионное сглаживание и возможную немонотонность движения границы между остаточной плазмой и блокирующим полевым доменом в слаболегированной базе. |
Никишин В. Дроссельно-конденсаторный блок зажигания [Текст] / Никишин В. // Радио. - 2001. - N 9. - С. 38-39
Рубрики: Радиоэлектроника Электроника Транспорт Автодорожный транспорт Кл.слова (ненормированные): электроника -- автомобили -- системы зажигания -- электронные системы зажигания -- тиристоры -- транзисторы -- схемы -- ВАЗ-21053 Аннотация: Наибольшее распространение в настоящее время получили тиристорные (конденсаторные) и транзисторные электронные системы зажигания. Как тем, так и другим присущи свои положительные и отрицательные свойства. Автор статьи создал интересный гибрид этих двух систем, в котором мощный выходной транзистор выполняет одновременно две коммутирующие функции, что позволило упростить устройство и повысить его КПД. |
Исследование каскодного режима выключения интегральных тиристоров с внешним полевым управлением [Текст] / И. В. Грехов [и др. ] // Журнал технической физики. - 2010. - Т. 80, N 1. - С. 155-158. - Библиогр.: c. 158 (5 назв. ) . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Радиоэлектроника Полупроводниковые приборы Кл.слова (ненормированные): тиристоры -- каскодный режим -- интегральные тиристоры -- выключение тиристоров Аннотация: Существенным недостатком основного прибора современной силовой электроники - биполярно-полевого транзистора (IGBT) - является значительно большее, чем у приборов транзисторного типа, остаточное напряжение во включенном состоянии. Определенные перспективы применения в высоковольтных преобразователях большой мощности имеет интегральный тиристор с внешним полевым управлением, имеющий малое остаточное напряжение, как у обычного тиристора, и одновременно малые затраты энергии в цепи управления при включении и выключении, как у IGBT. Проведены исследования процесса выключения этих приборов в каскодном режиме с последовательно соединенным низковольтным мощным полевым транзистором. Доп.точки доступа: Грехов, И. В.; Рожков, А. В.; Костина, Л. С.; Зитта, Н. Ф.; Матвеев, В. И.; Машовец, Д. В. |
Р. в. д. -коммутатор мощных импульсов тока [Текст] / С. В. Коротков [и др. ] // Приборы и техника эксперимента. - 2010. - N 1. - С. 172-173. - Библиогр.: с. 173 (5 назв. ) . - ISSN 0032-8162
Рубрики: Радиоэлектроника Радиоэлектроника в целом Кл.слова (ненормированные): полупроводниковые приборы -- тиристоры -- динисторы -- р. в. д. -коммутаторы -- мощные импульсы тока -- импульсные технологии Аннотация: Для развития современных импульсных технологий большой интерес представляют разработанные в России полупроводниковые приборы тиристорного типа - реверсивно включаемые динисторы, имеющие принципиально малые потери энергии при коммутации быстронарастающих импульсов тока. Доп.точки доступа: Коротков, С. В.; Аристов, Ю. В.; Воронков, В. Б.; Жмодиков, А. Л.; Козлов, А. К.; Коротков, Д. А.; Люблинский, А. Г. |
Грехов, И. В. Сверхбыстрое выключение больших токов интегральным тиристором с полевым управлением [Текст] / И. В. Грехов, Л. С. Костина, А. В. Рожков // Письма в "Журнал технической физики". - 2010. - Т. 36, вып: вып. 19. - С. 107-111 : ил. - Библиогр.: с. 111 (4 назв. ) . - ISSN 0320-0116
Рубрики: Радиоэлектроника Квантовая электроника Кл.слова (ненормированные): большие токи -- интегральные тиристоры -- тиристоры -- полевое управление -- результаты исследований -- процессы выключения -- коммутаторы -- высоковольтные коммутаторы -- динамические характеристики -- плазма -- микротиристорные ячейки -- напряжения -- предельная плотность тока -- режимы замыкания Аннотация: Представлены результаты исследования процесса выключения нового типа мощного высоковольтного коммутатора - интегрального тиристора с внешним полевым управлением. Изучены динамические характеристики в условиях размыкания больших токов. Рассасывание плазмы при выключении производится полным силовым током. Предельная плотность выключаемого тока составляла 600 A/cm2. Режим замыкания накоротко нескольких десятков тысяч параллельно работающих микротиристорных ячеек достаточно эффективен - длительность спада тока составляет ~ 40 ns, что в несколько раз меньше, чем у всех высоковольтных коммутаторов с рабочими напряжениями более 1. 5 kV. Доп.точки доступа: Костина, Л. С.; Рожков, А. В. |
621.382 Г 671 Горбатюк, А. В. Эффекты локализации тока в мощных биполярных переключателях с микрозатворами при неидеальной связи управляемых элементов [Текст] / А. В. Горбатюк, И. В. Грехов, Д. В. Гусин // Журнал технической физики. - 2012. - Т. 82, № 5. - С. 57-65. - Библиогр.: c. 64-65 (16 назв. ) . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Радиоэлектроника Полупроводниковые приборы Кл.слова (ненормированные): биполярные переключатели -- мощные биполярные переключатели -- микрозатворы -- запирание -- неидеальные электрические связи -- локализация тока -- управляемые ячейки -- численное моделирование -- интегральные тиристоры -- тиристоры -- предельный коммутируемый ток -- динамические локализации тока Аннотация: Проанализировано влияние неидеальных электрических связей управляемых ячеек биполярных переключателей с микрозатворами на возникновение локализации тока на стадии запирания. Для количественного учета сопротивления распределенных электродов вся приборная структура представлена в виде двух параллельных подсистем управляемых ячеек, соединенных через эффективное сопротивление в цепи затвора. При помощи численного моделирования исследованы различные сценарии процесса выключения при неидеальных связях ячеек на примере интегрального тиристора с внешним полевым управлением в трех схемных режимах запирания в зависимости от величины эффективного сопротивления и соотношения рабочих площадей двух подсистем ячеек тиристорого чипа. Проведено сравнение ограничений по предельному коммутируемому току. Для случая малого масштаба неоднородности последовательных сопротивлений цепи затвора предельный выключаемый ток в каскодном режиме и при запирании с помощью источника отрицательного напряжения остается на порядок более высоким по сравнению с режимом короткого замыкания катодных эмиттеров. Перейти: http://journals.ioffe.ru/jtf/2012/05/p57-65.pdf Доп.точки доступа: Грехов, И. В.; Гусин, Д. В. |
621.375 Т 440 Тиристоры на основе гетероструктур GaAs-AlGaAs с полностью оптической связью [Текст] / В. Г. Данильченко [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2011. - Т. 45, вып. 4. - С. 524-527 : ил. - Библиогр.: с. 527 (8 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Радиоэлектроника Квантовая электроника Кл.слова (ненормированные): гетероструктуры -- GaAs-AlGaAs -- тиристоры -- эммитерный ток -- оптическая связь -- оптотранзисторы -- оптическая передача тока -- переключатели -- нелегированные слои -- p-n переходы -- транзисторы -- фоновые примеси -- коммутаторы Аннотация: Рассмотрены несколько вариантов тиристоров на основе гетероструктур GaAs-AlGaAs с оптической передачей эмиттерного тока. На основе результатов исследования n-p-n- и p-n-p-оптотранзисторов, в которых эмиттерный ток преобразуется в свет с последующим преобразованием света в ток коллектора, показана принципиальная возможность создания тиристоров с полностью оптической передачей эмиттерного тока. Приведены структуры таких переключателей. С учетом особенностей технологии получения нелегированных слоев GaAs и формирования на их основе высоковольтных p{0}-n{0}-переходов с участием фоновых примесей для кардинального снижения времени задержки включения и повышения рабочих частот предложен и реализован коммутатор, имеющий три составных транзистора. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2011/04/p524-527.pdf Доп.точки доступа: Данильченко, В. Г.; Корольков, В. И.; Пономарев, С. И.; Солдатенков, Ф. Ю. |
621.315.592 П 270 Перегрев SiC фототиристора в процессе включения и распространения включенного состояния [Текст] / М. Е. Левинштейн [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2012. - Т. 46, вып. 9. - С. 1224-1229 : ил. - Библиогр.: с. 1229 (24 назв.) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): фототиристоры -- адиабатические модели -- область первоначального включения -- ОПВ -- карбид кремния -- SiC -- структура -- ток -- ультрафиолетовые источники света -- перегрев структуры -- время включения -- тиристоры -- радиусы окон -- оптические окна Аннотация: Развита простая адиабатическая модель включения и распространения включенного состояния в SiC-фототиристоре, позволяющая оценить перегрев структуры с учетом величины коммутируемого тока I[max], скорости нарастания тока dI/dt, мощности/энергии используемого для коммутации ультрафиолетового источника света, площади, первоначально включаемой светом, и постоянной времени включения тиристора tau. Обоснована применимость адиабатического приближения при оценке перегрева структур. Показано, что мгновенная максимальная плотность мощности приблизительно обратно пропорциональна площади первоначального включения тиристора. Полученные оценки показывают, что во избежание недопустимого перегрева структуры значение максимальной плотности тока при включении j[max] не должно превышать ~ (2-3) x 10{4} А/см{2}. Принимая для оценки j[max]~ I[max]/pi r{2}[0]~ U[0]/pi r{2}[0]R[l], можно для заданного напряжения, с которого включается структура, U0 и выбранного сопротивления нагрузки R[l] оценить радиус оптического окна r[0]. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2012/09/p1224-1229.pdf Доп.точки доступа: Левинштейн, М. Е.; Мнацаканов, Т. Т.; Юрков, С. Н.; Palmour, J. W. |
539.21:537 И 621 Инжекционно-ионизационный механизм неустойчивости тока при выключении интегрального тиристора с полевым управлением / И. В. Грехов [и др.] // Письма в "Журнал технической физики". - 2013. - Т. 39, вып. 23. - С. 18-25 : ил. - Библиогр.: с. 25 (7 назв.) . - ISSN 0320-0116
Рубрики: Физика Электрические и магнитные свойства твердых тел Кл.слова (ненормированные): тиристоры -- полевое управление -- тиристорные чипы -- выключение -- индуктивные нагрузки -- катодный ток -- измерение -- эмиттеры -- шунтирование -- инжекция электронов -- численное моделирование -- распределение токов -- аварийность Аннотация: Выполнено экспериментальное и расчетное исследование процесса выключения интегрального тиристорного чипа с внешним полевым управлением, работающего в цепи с индуктивной нагрузкой. С помощью независимых измерений анодного и катодного эмиттерного токов установлено, что в реализуемых на практике условиях шунтирование управляемых эмиттеров по внешней цепи не позволяет мгновенно прервать инжекцию электронов во всех элементарных ячейках структуры, и определен максимальный выключаемый ток при работе в таком режиме. Выполненное численное моделирование выявило неустойчивость распределения тока по рабочей площади, способствующую аварийной его локализации, и показало критическую необходимость уменьшения паразитных индуктивностей и сопротивлений в самих чипах и шунтирующей цепи при разработке высоковольтных интегральных тиристоров и силовых модулей на их основе. Перейти: http://journals.ioffe.ru/pjtf/2013/23/p18-25.pdf Доп.точки доступа: Грехов, И. В.; Гусин, Д. В.; Иванов, Б. В.; Рожков, А. В. |
535.2/.3 Э 949 Эффективность управления мощного лазера-тиристора, излучающего в спектральном диапазоне 890-910 нм / С. О. Слипченко [и др.]. // Физика и техника полупроводников. - 2014. - Т. 48, вып. 5. - С. 716-718 : ил. - Библиогр.: с. 718 (7 назв.) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Физика Физическая оптика Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): токовые потери -- оптические потери -- лазеры-тиристоры -- лазерная генерация -- плотность тока -- спектральный диапазон Аннотация: Разработана конструкция мощного лазера-тиристора, обеспечивающая низкие токовые и оптические потери при использовании малосигнального токового управления. Показана возможность управления временем задержки включения лазерной генерации мощного лазера-тиристора в диапазоне 8-2600 нс. Минимальные значения энергии и амплитуды импульса плотности тока управления, необходимые для включения лазера-тиристора c пиковой выходной оптической мощностью 28 Вт, составили 1. 4 нДж и 0. 6 А/см{2} соответственно. High power laser-thyristor construction providing low current and optical losses was developed. Control of laser thyristor generation turn on time delay from 8 to 2600 ns was demonstrated. The minimum values of energy and control signal current density amplitude required for laser-thyristor turn on at peak output power of 28W were 1. 4 nJ and 0. 6A/cm{2}, respectively. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2014/05/p716-718.pdf Доп.точки доступа: Слипченко, С. О.; Подоскин, А. А.; Васильева, Н. А.; Пихтин, Н. А.; Рожков, А. В.; Горбатюк, А. В.; Золотарев, В. В.; Веселов, Д. А.; Жаботинский, А. В.; Петухов, А. А.; Тарасов, И. С.; Багаев, Т. А.; Зверков, М. В.; Коняев, В. П.; Курнявко, Ю. В.; Ладугин, М. А.; Лобинцев, М. А.; Мармалюк, А. А.; Падалица, А. А.; Симаков, В. А.; Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе Российской академии наук (Санкт-Петербург); Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе Российской академии наук (Санкт-Петербург); Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе Российской академии наук (Санкт-Петербург); Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе Российской академии наук (Санкт-Петербург); Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе Российской академии наук (Санкт-Петербург); Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе Российской академии наук (Санкт-Петербург); Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе Российской академии наук (Санкт-Петербург); Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе Российской академии наук (Санкт-Петербург); Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе Российской академии наук (Санкт-Петербург); Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе Российской академии наук (Санкт-Петербург); Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе Российской академии наук (Санкт-Петербург); НИИ "Полюс" им. М. Ф. Стельмаха (Москва); НИИ "Полюс" им. М. Ф. Стельмаха (Москва); НИИ "Полюс" им. М. Ф. Стельмаха (Москва); НИИ "Полюс" им. М. Ф. Стельмаха (Москва); НИИ "Полюс" им. М. Ф. Стельмаха (Москва); НИИ "Полюс" им. М. Ф. Стельмаха (Москва); НИИ "Полюс" им. М. Ф. Стельмаха (Москва); НИИ "Полюс" им. М. Ф. Стельмаха (Москва); НИИ "Полюс" им. М. Ф. Стельмаха (Москва) |