621.317.765.8 Б 725 Бобров, Максим Борисович (1981-). Сложная динамика генератора на диоде с N-образной характеристикой [Текст] / М. Б. Бобров // Известия вузов. Прикладная нелинейная динамика. - 2001. - Т.9,N6. - Библиогр.: с.152 (8 назв.) . - ISSN 0869-6632
Рубрики: Энергетика--Электрические и магнитные измерения Кл.слова (ненормированные): нелинейная динамика -- генераторы -- диоды -- N-образная характеристика -- бифуркации -- туннельные диоды Аннотация: Приведены результаты исследования сложного и хаотического поведения кусочно-линейной модели на диоде с N-образной характеристикой. Построена детальная картина бифуркационных множеств в пространстве управляющих параметров. Выявлена тонкая структура фрагментов карты режимов. Перейти: http://cas.ssu.runnet.ru |
621.3 Л 228 Лантратов, В. М. Высокоэффективные двухпереходные GaInP/GaAs солнечные элементы, полученные методом МОС-гидридной эпитаксии [Текст] / В. М. Лантратов, Н. А. Калюжный [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2007. - Т. 41, Вып. 6. - С. 751-755 . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика--Электротехника Кл.слова (ненормированные): солнечные элементы -- МОС-гидридная эпитаксия -- GaInP/GaAs -- туннельные диоды -- каскадные солнечные элементы Аннотация: Методом МОС-гидридной эпитаксии проведены исследования по созданию монолитных двухпереходных солнечных элементов GaInP/GaAs. Определены и оптимизированы условия роста изопериодических с GaAs тройных твердых растворов Ga[x]In[1-x]P и Al[x]In[1-x]P. Разработана технология создания туннельного диода с высоким пиковым током 207 А/см\{2\} на основе сильно легированных слоев n\{++\}-GaAs : Si и p\{++\}-AlGaAs : C. Полученные в результате исследований каскадные солнечные элементы GaInP/GaAs имели хорошую эффективность преобразования солнечной энергии как для космических, так и для наземных применений. Максимальное значение кпд составило 30. 03% (AM1. 5D, 40 солнц). Доп.точки доступа: Калюжный, Н. А.; Минтаиров, С. А.; Тимошина, Н. Х.; Шварц, М. З.; Андреев, В. М. |
Абсолютное отрицательное сопротивление и многозначности на вольт-амперных характеристиках туннельных диодов [Текст] / К. М. Алиев [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып: вып. 4. - С. 517-521
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): туннельные диоды -- высокочастотные сигналы -- нелинейные системы -- двухбарьерные гетероструктуры -- лазерные поля Аннотация: Экспериментально исследовано влияние внешних возмущений большой амплитуды в виде когерентного или шумового сигнала на поведение динамических и статических вольт-амперных характеристик туннельных диодов. Показано, что при подборе соответствующей частоты с ростом амплитуды внешнего когерентного сигнала на вольт-амперных характеристиках туннельных диодов появляются многозначности и абсолютное отрицательное сопротивление. Шумовое воздействие приводит к подавлению отрицательного дифференциального сопротивления N-типа на вольт-амперных характеристиках туннельных диодов и сильной деформации самих характеристик. Предложен возможный механизм появления абсолютного отрицательного сопротивления. Доп.точки доступа: Алиев, К. М.; Камилов, И. К.; Ибрагимов, Х. О.; Абакарова, Н. С. |
Исследование туннельных диодов GaAs: Si/GaAs: C, выращенных методом МОС-гидридной эпитаксии [Текст] / Д. А. Винокуров [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып: вып. 9. - С. 1253-1256 : ил. - Библиогр.: с. 1256 (12 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Проводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): диоды -- туннельные диоды -- GaAs: Si/GaAs: C -- исследование диодов -- МОС-гидридная эпитаксия -- метод МОС-гидридной эпитаксии -- p-n переходы -- вольт-амперные характеристики -- ВАХ -- акцепторные примеси -- донорные примеси -- сопротивления -- дифференциальные сопротивления Аннотация: Определены технологические режимы для создания высокоэффективных туннельных структур GaAs: Si/GaAs: С методом МОС-гидридной эпитаксии. Продемонстрировано, что использование легирующих примесей С и Si позволяет получить р-n-переход с малым диффузионным размытием профилей легирующих примесей. Показано, что для создания высокоэффективных туннельных диодов необходимо легирование слоев GaAs акцепторной и донорной примесью до уровня ~ 9 x 10{19}см{-3}. На основе созданных туннельных структур изготовлены туннельные диоды и исследованы их вольт-амперные характеристики. В туннельных диодах достигнуты значения плотности пикового тока J[p] ~ 1. 53 к А/см[2] и при обратном смещении дифференциальное сопротивление R ~30 мОм. Доп.точки доступа: Винокуров, Д. А.; Ладугин, М. А.; Мармалюк, А. А.; Падалица, А. А.; Пихтин, Н. А.; Симаков, В. А.; Сухарев, А. В.; Фетисова, Н. В.; Шамахов, В. В.; Тарасов, И. С. |
621.382 С 884 Ступенчатые осцилляции тока в туннельных и высокочастотных диодах [Текст] / К. М. Алиев [и др.] // Письма в "Журнал технической физики". - 2011. - Т. 37, вып. 17. - С. 42-50 : ил. - Библиогр.: с. 50 (12 назв. ) . - ISSN 0320-0116
Рубрики: Радиоэлектроника Полупроводниковые приборы Кл.слова (ненормированные): диоды -- высокочастотные диоды -- туннельные диоды -- токи -- ступенчатые осцилляции -- амплитуды -- вольт-амперные характеристики -- ВАХ -- высокочастотные сигналы -- гармонические сигналы -- внешние гармонические сигналы -- экспериментальные исследования -- внешние сигналы -- частоты -- механизмы возникновения -- полупроводниковые структуры Аннотация: Экспериментально исследован отклик туннельных и высокочастотных диодов на внешний гармонический сигнал большой амплитуды. На вольт-амперных характеристиках, измеренных на постоянном токе при наложении внешнего высокочастотного сигнала, обнаружены ступенчатые осцилляции тока, частота которых уменьшается с ростом частоты внешнего сигнала. Приведены аналоги механизма возникновения ступенчатых осцилляций тока в полупроводниковых и других структурах. Перейти: http://journals.ioffe.ru/pjtf/2011/17/p42-50.pdf Доп.точки доступа: Алиев, К. М.; Камилов, И. К.; Ибрагимов, Х. О.; Абакарова, Н. С. |
621.396 М 820 Москаленко, О. И. Граница обобщенной синхронизации в системе двух однонаправленно связанных генераторов на туннельном диоде [Текст] / О. И. Москаленко, авт. А. С. Павлов // Письма в "Журнал технической физики". - 2011. - Т. 37, вып. 23. - С. 45-52 : ил. - Библиогр.: с. 51-52 (16 назв. ) . - ISSN 0320-0116
Рубрики: Радиоэлектроника Общая радиотехника Кл.слова (ненормированные): генераторы -- однонаправленно связанные генераторы -- обобщенная синхронизация -- границы обобщенной синхронизации -- диоды -- туннельные диоды -- исследования -- взаимодействующие системы -- собственные частоты систем -- спектральный состав сигнала -- трансформация спектрального состава -- физические механизмы Аннотация: Исследовано расположение границы обобщенной синхронизации в системе двух однонаправленно связанных генераторов на туннельном диоде. Обнаружены особенности ее поведения в области относительно больших значений расстройки собственных частот взаимодействующих систем. С помощью анализа трансформации спектрального состава сигнала с ведомой системы объяснены характер расположения границы и физические механизмы, приводящие к установлению режима обобщенной синхронизации. Перейти: http://journals.ioffe.ru/pjtf/2011/23/p45-52.pdf Доп.точки доступа: Павлов, А. С. |
011/016 Н 761 Новости физики в сети Internet [Текст] : (по материалам электронных препринтов) // Успехи физических наук. - 2012. - Т. 182, № 2. - С. 146 . - ISSN 0042-1294
Рубрики: Литература универсального содержания Библиографические пособия Кл.слова (ненормированные): коллайдеры -- адроны -- магнитные поля -- магнито-оптические ловушки -- электроны -- сверхтекучий гелий -- туннельные диоды -- гамма-излучение -- термоядерные взрывы -- космические лучи Аннотация: Представлен аннотированный список литературы по материалам электронных препринтов. Доп.точки доступа: Ерошенко, Ю. Н. \сост.\ |