621.38 А 194 Аверин, С. В. Импульсный отклик МПМ фотодиода с гетеробарьером [Текст] / С. В. Аверин // Журнал технической физики. - 2004. - Т. 74, N 6. - Библиогр.: c. 56 (20 назв. ) . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Радиоэлектроника--Электроника Кл.слова (ненормированные): гетеробарьеры -- дрейф носителей заряда -- МПМ диоды -- фотодиоды Аннотация: В рамках двумерной модели исследуются процессы дрейфа фотогенерированных носителей заряда в активном объеме быстродействующих фотодиодов в системе выпрямляющих контактов металл-полупроводник-металл (МПМ) обычной планарной структуры и структуры с гетеробарьером. Дается сравнение двух типов фотодиодных структур с точки зрения характеристик сигнала импульсного отклика детектора и квантовой эффективности. Анализируются ограничения в отклике планарного МПМ диода, возникающие при последовательном уменьшении размеров встречно-штыревой системы контактов. Обсуждается возможность увеличения скорости отклика МПМ диода. Показано, что структура с InP/GaInAs гетеробарьером сильно видоизменяет движение фотогенерированных носителей заряда и существенно увеличивает скорость отклика МПМ фотодиода. Перейти: http://www.ioffe.rssi.ru/journals/jtf/2004/06/page-51.html.ru |
Козлов, В. А. Туннельный транспорт электронов через гетеробарьеры с нанометровыми неоднородностями [Текст] / В. А. Козлов, В. А. Вербус // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 46, вып: вып. 11. - С. 1547-1551 : ил. - Библиогр.: с. 1551 (7 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Физика Движение заряженных частиц в электрических и магнитных полях Кл.слова (ненормированные): туннельный транспорт -- электроны -- гетеробарьеры -- полупроводниковые барьеры -- туннельный ток -- нанометровые неоднородности -- неоднородности -- волновые функции -- рассеяние электронов -- рассеиватели -- вихревые токовые структуры Аннотация: Исследовалось влияние квантовых объектов сферической формы (рассеивателей), встроенных в полупроводниковые барьеры, на протекание через них туннельного тока. Для этого решалась задача рассеяния затухающих (при энергии, меньшей потенциала барьера) падающей и отраженной волновых функций электрона на ступенчатом сферически-симметричном потенциале рассеивателя. Показано, что при этом внутри барьера могут возникать вихревые токовые структуры. Доп.точки доступа: Вербус, В. А. |