Бабичев, Г. Г.     Кремниевый однопереходный тензотранзистор [Текст] / Г. Г. Бабичев, С. И. Козловский, В. А. Романов, Н. Н. Шаран // Журнал технической физики. - 2002. - Т.72,N4. - Библиогр.: с.71 (15 назв.) . - ISSN 0044-4642 Рубрики: Радиоэлектроника--Электроника Кл.слова (ненормированные): S-приборы -- двухбазовые диоды -- кремний -- однопереходные транзисторы -- тензотранзисторы -- тензочувствителные приборы Аннотация: Приведены результаты исследования однопереходного тензотранзистора на основе кремния. Тензотранзистор относится к тензочувствительным биполярным полупроводниковым приборам с горизонтальной структурой и входной (эмиттерной) вольт-амперной характеристикой S-типа. Определена оптимальная топология прибора, а также рассчитаны его основные характеристики. На основе однопереходного тензотранзистора могут быть созданы релаксационные генераторы с физически интегрированным преобразованием механического напряжения в изменение частоты выходного сигнала Доп.точки доступа: Козловский, С.И.; Романов, В.А.; Шаран, Н.Н.

Бабичев, Г. Г.     Оптимизация параметров чувствительного элемента кремниевого преобразователя давления на основе двухстоковых МДП тензотранзисторов [Текст] / Г. Г. Бабичев, С. И. Козловский, В. А. Романов, Н. Н. Шаран // Журнал технической физики. - 2001. - Т.71,N2. - Библиогр.: с. 128 (8 назв.) . - ISSN 0044-4642 Рубрики: Радиоэлектроника--Электроника Кл.слова (ненормированные): преобразователи давления -- МДП -- тензотранзисторы -- чувствительные элементы -- интегральные преобразователи Аннотация: Приведены результаты исследования интегрального преобразователя давления с дифференциальным чувствительным элементом, состоящим из двух параллельно соединенных p-канальных двухстоковых МДП тензотранзисторов. Тензотранзисторы располагаются на планарной стороне кремниевой мембраны с жестким центром вблизи краев ее тонкой части (долины). Определена оптимальная топология преобразователя, а также рассчитаны его основные характеристики Доп.точки доступа: Козловский, С.И.; Романов, В.А.; Шаран, Н.Н.