621.38 А 194 Аверин, С. В. Импульсный отклик МПМ фотодиода с гетеробарьером [Текст] / С. В. Аверин // Журнал технической физики. - 2004. - Т. 74, N 6. - Библиогр.: c. 56 (20 назв. ) . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Радиоэлектроника--Электроника Кл.слова (ненормированные): гетеробарьеры -- дрейф носителей заряда -- МПМ диоды -- фотодиоды Аннотация: В рамках двумерной модели исследуются процессы дрейфа фотогенерированных носителей заряда в активном объеме быстродействующих фотодиодов в системе выпрямляющих контактов металл-полупроводник-металл (МПМ) обычной планарной структуры и структуры с гетеробарьером. Дается сравнение двух типов фотодиодных структур с точки зрения характеристик сигнала импульсного отклика детектора и квантовой эффективности. Анализируются ограничения в отклике планарного МПМ диода, возникающие при последовательном уменьшении размеров встречно-штыревой системы контактов. Обсуждается возможность увеличения скорости отклика МПМ диода. Показано, что структура с InP/GaInAs гетеробарьером сильно видоизменяет движение фотогенерированных носителей заряда и существенно увеличивает скорость отклика МПМ фотодиода. Перейти: http://www.ioffe.rssi.ru/journals/jtf/2004/06/page-51.html.ru |