+ Б 898 Брюшинин, М. А. Объемная и контактная фотоэдс в адаптивных фотоприемниках на основе арсенида галлия [Текст] / М. А. Брюшинин, В. В. Куликов, И. А. Соколов // Журнал технической физики. - 2002. - Т.72,N10. - Библиогр.: с.86 (14 назв.) . - ISSN 0044-4642 Рубрики: Радиоэлектроника--Квантовая электроника--Оптика Кл.слова (ненормированные): арсенид галлия -- фотоприемники -- фотоэдс Аннотация: Исследуются особенности генерации нестационарной фотоэдс в адаптивном фотоприемнике на основе полуизолирующего кристалла GaAs. Рассматриваются одно- и двухчастотные режимы возбуждения. Обнаружено, что для малых пространственных частот интерференционной картины и малых частот фазовой модуляции в датчике возникает значительная контактная составляющая фототока. Так как контактный сигнал оказывается чувствительным к медленному дрейфу фазы интерференционной картины, его присутствие негативно сказывается на адаптивных свойствах устройства. Экспериментально и теоретически показано, что выбором специальных значений амплитуды дополнительной фазовой модуляции и пространственной частоты можно эффективно подавлять сигнал контактной эдс на частоте основной фазовой модуляции. Приведен расчет спектральных компонент сигнала нестационарной фотоэдс при двухчастотном режиме возбуждения Доп.точки доступа: Куликов, В.В.; Соколов, И.А. |
32.85 Т 462 Тихов, С. В. Влияние водорода на фотоэлектрические свойства диодов Шоттки палладий/анодный окисел/арсенид галлия [Текст] / С. В. Тихов, Е. Л. Шоболов, В. В. Подольский, С. Б. Левичев // Журнал технической физики. - 2003. - Т.73,N2. - Библиогр.: с.92 (17 назв.) . - ISSN 0044-4642 Рубрики: Радиоэлектроника--Электроника Кл.слова (ненормированные): арсенид галлия -- водород -- диоды Шоттки -- фотоэдс -- хемасорбция Аннотация: Исследовано влияние водорода на фотоэдс и вольт-амперные характеристики диодов Шоттки палладий/анодный окисел/арсенид галлия. Определены оптимальные значения толщины окисла, при которой диоды имели высокую чувствительность к водороду, и глубина проникновения атомарного водорода в окисел. Установлен механизм воздействия водорода, заключающийся в хемасорбции атомарного водорода на поверхности арсенида галлия, что приводит к уменьшению высоты барьера и увеличению рекомбинационной составляющей тока. Показана неоднородность пленки туннельно-тонкого анодного окисла по толщине и обнаружено увеличение вероятности туннелирования через окисел под действием водорода. Установлено, что регистрация водорода по отклику фотоэдс характеризовалась большей чувствительностью и обнаружительной способностью, но меньшим быстродействием по сравнению с откликом по обратному току Доп.точки доступа: Шоболов, Е.Л.; Подольский, В.В.; Левичев, С.Б. |
535 Г 676 Горбунов, Н. А. Аналитическая модель плазменного фотопреобразователя [Текст] / Н. А. Горбунов, G. Flamant // Журнал технической физики. - 2004. - Т. 74, N 11. - Библиогр.: c. 100-101 (16 назв. ) . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Физика--Оптика Кл.слова (ненормированные): плазменные фотопреобразователи -- преобразование энергии -- фотоплазма -- фотоэдс Аннотация: Рассматривается вопрос об использовании фотоплазмы для прямого преобразования световой энергии в электрическую энергию. Показано, что возникновение фотоэдс является следствием амбиполярной разности потенциалов при неоднородной ионизации паров щелочных металлов оптическим излучением. Проведен расчет вольт-амперных характеристик и получена оценка эффективности плазменного фотопреобразователя с плоскими электродами. Перейти: http://www.ioffe.ru/journals/jtf/2004/11/page-97.html.ru Доп.точки доступа: Flamant, G. |
621.315 В 65 Войцеховский, А. В. Фотоэлектрические характеристики МДП-структур на основе гетероэпитаксиального HgCdTe [Текст] / А. В. Войцеховский, С. Н. Несмелов, А. П. Коханенко // Известия вузов. Физика. - 2005. - N 2. - С. 34-39. - Библиогр.: с. 38-39 (6 назв. ) . - ISSN 0021-3411
Рубрики: Энергетика--Электротехника Кл.слова (ненормированные): фотоэдс; МДП-структуры; метод молекулярно-лучевой эпитаксии; варизонные слои; гетероэпитаксиальные варизонные пленки Аннотация: Экспериментально исследованы зависимости фотоэдс от напряжения в МДП-структурах. Гетероэпитаксиальные варизонные пленки создавались методом молекулярно-лучевой эпитаксии. Установлена связь вида полевых зависимостей фотоэдс с типом проводимости полупроводника и наличием приповерхностных варизонных слоев. Доп.точки доступа: Несмелов, С. Н.; Коханенко, А. П. |
621.315 В 65 Войцеховский, А. В. Фотоэлектрические характеристики МДП-структур на основе гетероэпитаксиального HgCdTe [Текст] / А. В. Войцеховский, С. Н. Несмелов, А. П. Коханенко // Известия вузов. Физика. - 2005. - Т. 48, N 2. - С. 34-39. - Библиогр.: с. 38-39 (6 назв. ) . - ISSN 0021-3411
Рубрики: Энергетика--Электротехника Кл.слова (ненормированные): фотоэдс; МДП-структуры; метод молекулярно-лучевой эпитаксии; варизонные слои; гетероэпитаксиальные варизонные пленки Аннотация: Экспериментально исследованы зависимости фотоэдс от напряжения в МДП-структурах. Гетероэпитаксиальные варизонные пленки создавались методом молекулярно-лучевой эпитаксии. Установлена связь вида полевых зависимостей фотоэдс с типом проводимости полупроводника и наличием приповерхностных варизонных слоев. Доп.точки доступа: Несмелов, С. Н.; Коханенко, А. П. |
621.315 В 65 Войцеховский, А. В. Фотоэлектрические характеристики МДП-структур на основе варизонного HgCdTe (х=0, 21-0, 23 [Текст] / А. В. Войцеховский, С. Н. Несмелов [и др.] // Известия вузов. Физика. - 2006. - Т. 49, N 10. - С. 70-80. - Библиогр.: с. 80 (21 назв. ) . - ISSN 0021-3411
Рубрики: Энергетика--Техника высоких измерений Кл.слова (ненормированные): МПД-структуры; дифференциальное сопротивлнение; молекулярно-лучевая эпитаксия; приповерхностные варизонные слои; фотоэлектрические характеристики МПД-структур; варизонные пленки; фотоэдс Аннотация: Экспериментально исследованы зависимости фотоэдс от напряжения, частоты и температуры для МДП-структур HgCdTe/SiO[2]/Si[3]N[4] и HgCdTi/АОП. МПД-структуры формировались на основе гетероэпитаксиальных варизонных пленок Hg[1-x]Cd[x]Te, выращенных на подложках из GaAs методом молекулярно-лучевой эпитаксии. Установлено влияние приповерхностных варизонных слоев на фотоэлектрические характеристики МПД-структур. Выявлены механизмы, ограничивающие дифференциальное сопротивление области пространственного заряда при разных температурах. Доп.точки доступа: Несмелов, С. Н.; Дзядух, С. М.; Варавин, В. С.; Дворецкий, С. А.; Михайлов, Н. Н.; Сидоров, Ю. Г.; Васильев, В. В.; Захарьяш, Т. И.; Машуков, Ю. П. |
Гладун, А. Д. Изучение фотоэлектрических свойств солнечной батареи [Текст] / А. Д. Гладун, Ф. Ф. Игошин, Ю. М. Ципенюк // Физическое образование в вузах. - 2008. - Т. 14, N 4. - С. 43-49 : ил.: 5 рис. - Библиогр.: с. 49 (3 назв. ) . - ISSN 1609-3143
Рубрики: Радиоэлектроника Фотоэлектрические приборы Физика Общие вопросы физики Образование. Педагогика Методика преподавания учебных предметов Кл.слова (ненормированные): лабораторные работы -- работы -- солнечные батареи -- батареи -- вентильные фотоэлементы -- фотоэлементы -- фототок -- токи -- фотоэдс -- эдс -- электродвижущая сила -- сила -- p-n - переход -- полупроводники -- вентильный фотоэффект -- фотоэффект Аннотация: Приводится описание лабораторной работы по курсу общей физики, которая посвящена изучению фотоэлектрических свойств элемента солнечной батареи. Целью работы является исследование зависимостей фототока и фотоэдс вентильного фотоэлемента от длины волны падающего света. Доп.точки доступа: Игошин, Ф. Ф.; Ципенюк, Ю. М. |
Курилюк, В. В. Управление процессами фотоэлектрического преобразования в гетероструктурах GaAs/AlGaAs с помощью пьезоэлектрических полей акустических колебаний [Текст] / В. В. Курилюк, О. А. Коротченков // Журнал технической физики. - 2009. - Т. 79, N 8. - С. 146-149. - Библиогр.: c. 148-149 (13 назв. ) . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Физика Электрические и магнитные свойства твердых тел Кл.слова (ненормированные): гетероструктуры -- фотоэлектрическое преобразование -- акустические колебания -- пьезоэлектрические поля -- квантовые ямы -- арсенид галлия -- фотоэдс Аннотация: Контроль и управление транспортными и рекомбинационными процессами с участием носителей заряда в низкоразмерных гетероструктурах является важной задачей прикладной физики, актуальность которой связана как с необходимостью повышения эффективности работы существующих приборов опто- и наноэлектроники на их основе, так и с возможностью создания новых устройств. Изучается возможность управления процессами фотоэлектрического преобразования в гетероструктурах с квантовыми ямами GaAs при помощи пьезоэлектрических полей, генерированных акустическими колебаниями. Исследования спектральных зависимостей конденсаторной фотоЭДС гетероструктур свидетельствуют, что при изменении пространственной конфигурации пьезоэлектрических полей, которая определяется частотой колебаний в структуре, возможна реализация управления процессами разделения носителей заряда как в плоскости квантовых ям, так и в перпендикулярном направлении. Доп.точки доступа: Коротченков, О. А. |
Войцеховский, А. В. Исследование методами проводимости и фотоэдс МДП-структур на основе варизонного гетероэпитаксиального HgCdTe, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии [Текст] / А. В. Войцеховский, С. Н. Несмелов, С. М. Дзядух // Известия вузов. Физика. - 2009. - Т. 52, N 10. - С. 3-18. - Библиогр.: c. 18 (28 назв. ) . - ISSN 0021-3411
Рубрики: Энергетика Проводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): варизонные слои -- гетероэпитаксиальные структуры -- дифференциальное сопротивление -- диэлектрики -- метод молекулярно-лучевой эпитаксии -- метод проводимости -- МЛЭ -- полупроводники -- пространственный заряд в МДП-структурах -- теллурид кадмия ртути Аннотация: Исследовано влияние варизонных слоев на величину дифференциального сопротивления области пространственного заряда в МДП-структурах на основе HgCdTe МЛЭ. Показано, что учет влияния сопротивления объема эпитаксиальной пленки на измеряемые емкость и сопротивление необходим для корректного определения параметров области пространственного заряда. Наличие приповерхностных слоев с повышенным содержанием Сd приводит к увеличению сопротивления области пространственного заряда в сильной инверсии. Несмотря на подавление туннельной генерации-рекомбинации через глубокие уровни в МДП-структурах с варизонными слоями, получены значения произведения сопротивления полупроводника на площадь порядка 15 Ом. см[2], что может быть связано с фоновой фотогенерацией и диффузией неосновных носителей. Доп.точки доступа: Несмелов, С. Н.; Дзядух, С. М. |
Исследование границы раздела слой-подложка в структурах Si-SiO[2]-p-Si с кремниевыми квантовыми точками методом температурных зависимостей фотоэдс [Текст] / Е. Ф. Венгер [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып: вып. 9. - С. 1224-1228 : ил. - Библиогр.: с. 1228 (26 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): границы раздела -- структуры -- Si-SiO[2]-p-Si -- кремниевые квантовые точки -- температурные зависимости -- фотоэдс -- граничные электронные состояния -- ГЭС -- электронный парамагнитный резонанс -- ЭПР -- слой-подложка -- магнетронное напыление -- кремниевые подложки -- кремниевые нанокристаллы -- оксидная матрица -- высокотемпературный отжиг -- нанокристаллы -- окисление Аннотация: Методом температурных зависимостей конденсаторной фотоэдс исследованы слои, полученные магнетронным напылением Si и SiO[2] на кремниевую подложку p-типа и содержащие кремниевые нанокристаллы в оксидной матрице. Изучено влияние на характеристики границы раздела слой-подложка ориентации подложки, а также естественного окисления слоя, предшествующего высокотемпературному отжигу, приводящему к образованию нанокристаллов Si в матрице SiO[2]. Оценена плотность быстрых граничных состояний, захватывающих основные носители. Установлено, что в случае подложки с ориентацией (111) на границе раздела слой-подложка имеют место структурные изменения, вызванные напряжениями, возникающими при понижении температуры. Показано, что естественное окисление напыленного слоя, предшествующее высокотемпературному отжигу, вызывает рост величины заряда, встроенного в окисел. Доп.точки доступа: Венгер, Е. Ф.; Кириллова, С. И.; Корсунская, Н. Е.; Старая, Т. Р.; Хоменкова, Л. Ю.; Савченко, А. В.; Goldstein, Y.; Savir, E.; Jedrzejewski, J. |
621.315.592 Д 156 Дальнодействующее влияние облучения кремния светом на фотоэдс барьера Шоттки [Текст] / Д. И. Тетельбаум [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2012. - Т. 46, вып. 5. - С. 641-643 : ил. - Библиогр.: с. 643 (12 назв.) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): облучение светом -- кремний -- фотоэдс -- барьеры Шоттки -- Шоттки барьеры -- микротвердость кремния -- точечные дефекты -- генерация дефектов Аннотация: Установлено, что в результате облучения светом (со стороны базы) образца кремния с барьером Шоттки происходит уменьшение фотоэдс барьера. Величина фотоэдс восстанавливается приблизительно через 0. 5 ч после облучения. Изменения фотоэдс при облучении сопоставляются с поведением микротвердости кремния и интерпретируются на основе представления о генерации точечных дефектов в эффекте дальнодействия. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2012/05/p641-643.pdf Доп.точки доступа: Тетельбаум, Д. И.; Тихов, С. В.; Курильчик, Е. В.; Менделева, Ю. А. |
621.315.592 Т 617 Торхов, Н. А. Влияние фотоэдс на токопрохождение в контактах металл-полупроводник с барьером Шоттки [Текст] / Н. А. Торхов // Физика и техника полупроводников. - 2011. - Т. 45, вып. 7. - С. 965-973 : ил. - Библиогр.: с. 972-973 (12 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): область пространственного заряда -- ОПЗ -- контакты -- металл-проводник -- МП -- барьеры Шоттки -- Шоттки барьеры -- БШ -- фотоэдс -- электрические поля -- световая энергия -- электрическая энергия -- эффективность преобразования -- вольт-амперные характеристики -- ВАХ -- полевая эмиссия -- электроны -- рекомбинационный ток -- фототоки -- токопрохождение -- приборные характеристики Аннотация: Показано, что изменение приборных характеристик и увеличение эффективности преобразования световой энергии в электрическую в контактах металл-полупроводник с барьером Шоттки связано с влиянием встроенного в контакт электрического поля периферии. Для исследуемых контактов с большим периметром изменения приборных характеристик и эффективность преобразования световой энергии в электрическую значительно больше. Из-за того, что электрическое поле фотоэдс, как и электрическое поле периферии, в области контакта сонаправлено с собственным электрическим полем области пространственного заряда, освещение контакта приводит к более сильному увеличению "мертвой" области на прямых ветвях вольт-амперных характеристик, более сильному уменьшению эффективной высоты барьера Шоттки и увеличению полевой эмиссии электронов. Увеличение полевой эмиссии в обратном направлении под воздействием фотоэдс приводит к увеличению рекомбинационного тока в области пространственного заряда, что и обеспечивает протекание постоянного фототока в цепи. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2011/07/p965-973.pdf |
621.3 Ф 815 Фотоэлектрические свойства МДП-структур на основе гетероэпитаксиального n-Hg_1-xCd_xTe (x = 0,21-0,23) / А. В. Войцеховский [и др.] // Известия вузов. Физика. - 2012. - Т. 55, № 8. - С. 56-62 : рис. - Библиогр.: c. 62 (19 назв. ) . - ISSN 0021-3411
Рубрики: Энергетика Детали и узлы электрических аппаратов Кл.слова (ненормированные): МДП-структура -- металл-диэлектрик-полупроводник -- молекулярно-лучевая эпитаксия -- теллурид кадмия ртути -- фотоэдс -- фотоэлектрические свойства МДП-структур Аннотация: Экспериментально исследованы зависимости фотоЭДС МДП-структур на основе n-Hg_1-xCd_xTe (x = 0, 21-0, 23) от напряжения смещения, частоты и температуры. Рассчитаны фотоэлектрические характеристики МДП-структур на основе эпитаксиального n-Hg_1-xCd_xTe (x = 0, 21-0, 23), в том числе с учетом наличия приповерхностных варизонных слоев с повышенным составом CdTe при различных температурах. Проведено сравнение расчетных зависимостей с экспериментальными данными и показано, что дифференциальное сопротивление области пространственного заряда для МДП-структур на основе n-Hg_1-xCd_xTe (x = 0, 21-0, 23) без варизонного слоя ограничено туннелированием через глубокие уровни, а для структур с варизонным слоем - диффузией носителей заряда. Доп.точки доступа: Войцеховский, А. В.; Несмелов, С. Н.; Дзядух, С. М.; Васильев, В. В.; Варавин В. С.; Дворецкий, С. А.; Михайлов, Н. Н.; Сидоров, Ю. Г.; Якушев, М. В. |
537.311.33 Н 178 Надточий, А. Б. Подповерхностная локализация носителей заряда в наноструктурах Si/SiO[2]/Si[x]Ge[1-x] / А. Б. Надточий, О. А. Коротченков, В. В. Курилюк // Журнал технической физики. - 2013. - Т. 83, № 3. - С. 84-90. - Библиогр.: c. 89-90 (25 назв. ) . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Физика Физика полупроводников и диэлектриков Кл.слова (ненормированные): наноструктуры -- вольт-фарадные характеристики -- подповерхностная локализация носителей заряда -- локализация носителей заряда -- кремний -- диоксид кремния -- кремний-германий -- кремниевые подкладки -- упругонапряженные области -- наноостровки -- электронная плотность -- границы раздела структур -- рекомбинация носителей заряда -- рассеяние носителей заряда -- фотоэдс Аннотация: Исследованиями вольт-фарадных (F-V) характеристик обнаружена повышенная концентрация носителей заряда под поверхностью кремниевой подкладки вследствие возникновения в ней упругонапряженных областей, индуцированных наноостровками Si[x]Ge[1-x], выращенных на предварительно окисленной поверхности Si. F-V-характеристики демонстрируют пики зарядовой плотности на глубине от 700 до 1000 nm для структур Si/SiO[2]/Si[x]Ge[1-x] с различной толщиной слоя SiO[2]. Результаты теоретических расчетов распределения электронной плотности в глубине кремниевой подкладки в целом соответствуют данным F-V-характеристик. Состояние границ раздела структуры с разной толщиной слоя окисла, влияющее на эффекты поверхностной и интерфейсной рекомбинации, рассеяния носителей заряда, исследовалось с помощью кинетики спада сигнала фотоэдс, а также ее распределения по поверхности структуры. Полученные результаты могут найти применение при разработке различных устройств на базе SiGe с включениями оксидных слоев. Перейти: http://journals.ioffe.ru/jtf/2013/03/p84-90.pdf Доп.точки доступа: Коротченков, О. А.; Курилюк, В. В. |
538.9 М 597 Микроволновый отклик баллистической квантовой точки / З. Д. Квон [и др.]. // Письма в журнал экспериментальной и теоретической физики. - 2013. - Т. 98, вып. 11. - С. 806-810
Рубрики: Физика Общие вопросы физики Кл.слова (ненормированные): квантовые точки -- баллистические квантовые точки -- латеральные квантовые точки -- двумерный электронный газ -- гетеропереходы -- фотоЭДС -- фотокондактанс -- соотношение Онсагера -- Онсагера соотношение Аннотация: Экспериментально исследован микроволновый отклик (фотоЭДС и фотокондактанс) латеральной баллистической квантовой точки, созданной на основе высокоподвижного двумерного электронного газа в гетеропереходе AlGaAs/GaAs, в диапазоне частот 110-170 ГГц. Найдено, что асимметрия фотоЭДС по знаку магнитного поля носит мезоскопический характер в зависимости не только от магнитного поля, но и от мощности излучения. Это свидетельствует о нарушении соотношения Онсагера, связанного с эффектами межэлектронного взаимодействия, в мезоскопическом фотогальваническом эффекте. Обнаружен сильный рост кондактанса точки под действием микроволнового излучения, имеющий не разогревную природу, а также индуцированные этим излучением магнитоосцилляции. Доп.точки доступа: Квон, З. Д.; Гусев, Г. М.; Левин, А. Д.; Козлов, Д. А.; Родякина, Е. Е.; Латышев, А. В.; Институт физики полупроводников им. Ржанова СО РАН; Новосибирский государственный университет; Universidade de Sao Paulo (Brazil); Universidade de Sao Paulo (Brazil); Институт физики полупроводников им. Ржанова СО РАН; Институт физики полупроводников им. Ржанова СО РАНИнститут физики полупроводников им. Ржанова СО РАН |
539.21:537 С 429 Скиданов, В. А. Абсолютный эталон диффузионной длины и времени жизни неосновных носителей заряда в монокристаллическом кремнии / В. А. Скиданов // Письма в "Журнал технической физики". - 2014. - Т. 40, вып. 21. - С. 46-53 : ил. - Библиогр.: с. 53 (5 назв.) . - ISSN 0320-0116
Рубрики: Физика Электрические и магнитные свойства твердых тел Кл.слова (ненормированные): эталон диффузионной длины -- носители заряда -- монокристаллический кремний -- рекомбинация -- электроны -- комплексы -- ионы железа -- легированный бром -- фотоэдс -- диффузионная длина Аннотация: Существенное различие в сечениях рекомбинации электронов на комплексах Fe-B sigma[1] и на активированных ионах железа sigma[2] в монокристаллическом кремнии, легированном бором, использовано для независимого определения времени жизни электронов в эталоне T[st] с помощью метода поверхностной фотоэдс. Пары значений времени жизни электронов T[1] и T[2] до и после разложения комплексов Fe-B были измерены для каждого из 600 слитков при произвольно выбранном значении диффузионной длины L[cal] для калибрующего образца и размещены на плоскости (T[1], T[2]). На границе заполненной точками области представлены слитки, загрязненные только ионами железа, так что T[2]/T[1]= sigma[1]/sigma[2]. Истинные значения L[st] и T[st] калибрующего образца и отношение sigma[1]/sigma[2]=12. 5 плюс минус 0. 5 определены с помощью подбора нового значения диффузионной длины для калибрующего образца, спрямляющего границу заполненной точками области после пересчета величин T[1] и T[2]. Перейти: http://journals.ioffe.ru/pjtf/2014/21/p46-53.pdf Доп.точки доступа: Институт проблем проектирования в микроэлектронике РАН (Москва) |