001(09) Г 808 Грехов, И. В. Создатель силовой полупроводниковой электроники [Текст] : к 100-летию со дня рождения академика В. М. Тучкевича / И. В. Грехов // Вестник Российской академии наук. - 2004. - Т. 74, N 12 . - ISSN 0869-5873
Рубрики: Наука. Науковедение--История науки Радиоэлектроника--Электроника Кл.слова (ненормированные): исследования -- ученые -- юбилеи -- полупроводники -- полупрводниковая электроника -- диэлектрики -- диэлектрическая электроника -- рентгеновское излучение -- германиевые диоды -- диоды -- реакторы -- тиристоры Аннотация: Академику Владимиру Максимовичу Тучкевичу - ученый, создатель силовой полупроводниковой электроники. Основными направлениями его работы были исследования электрических свойств диэлектриков и воздействия на них рентгеновского излучения; под его руководством были сделаны первые в стране мощные германиевые диоды, первые полупроводниковые устройства для бесперебойного питания реакторов атомных подводных лодок; проводились работы по созданию мощных тиристоров. Доп.точки доступа: Тучкевич, В. М. |
Грехов, И. В. Прямое сращивание кремниевых пластин с одновременным формированием диффузионных слоев [Текст] / И. В. Грехов, Л. С. Костина [и др.] // Журнал технической физики. - 2001. - Т.71,N6. - Библиогр.: с. 50-51 (10 назв.) . - ISSN 0044-4642 Рубрики: Радиоэлектроника--Электроника Кл.слова (ненормированные): кремний -- прямое сращивание кремния -- диффузия -- легирование -- интерфейс Аннотация: Исследованы Si-Si структуры, изготовленные по предложенной авторами технологии создания диффузионных слоев в едином технологическом цикле с процессом прямого сращивания кремния из источника, находящегося на границе сращивания. В качестве легирующей примеси использовался алюминий. Диффузия атомов Al в полированную поверхность кремния при высокотемпературной термообработке в окисляющей среде приводила к образованию pn-перехода в n-кремнии. Показано, что присутствие алюминия на интерфейсе способствовало формированию непрерывной границы раздела. Для объяснения предложена модель, согласно которой соединение гидрофильных поверхностей пластин кремния в водном растворе нитрита алюминия Al(NO[3]) приводит к увеличению площади сцепления пластин при комнатной температуре за счет взаимодействия Al-OH групп с молекулами воды, адсорбированными на поверхности пластин Доп.точки доступа: Костина, Л.С.; Аргунова, Т.С.; Белякова, Е.И.; Шмидт, Н.М.; Костин, К.Б.; Ким, Е.Д.; Ким, С.Ч. |
001(09) Ю 13 Юбилеи [] : [Академикам : Ю. Н. Бубнову - 70 лет; Б. И. Каторгину - 70 лет; П. Г. Костюку - 80 лет; Ф. М. Митенкову - 80 лет; В. А. Струнникову - 90 лет; В. А. Черешневу - 60 лет; приветственный адрес чл.-корр. РАН Э. И. Воробьевой; чл.-корр.: Ю. Н. Авсюку - 70 лет; С. Т. Васькову - 70 лет; И. В. Грехову - 70 лет; А. В. Дмитриеву - 70 лет; А. Б. Жижченко - 70 лет; Д. Р. Каплунову - 70 лет; Э. А. Пастухову - 70 лет; М. Г. Слинько - 90 лет; В. Н. Соловьеву - 80 лет; М. И. Солонину - 60 лет; Томилину - 60 лет; А. Н. Ширяеву - 70 лет] // Вестник Российской академии наук. - 2005. - Т. 75, N 2. - С. 179-189 . - ISSN 0869-5873
Рубрики: Наука. Науковедение--История науки Кл.слова (ненормированные): юбилеи -- ученые -- академики -- Российская академия наук -- РАН Аннотация: Информируется о юбилее академика РАН. Доп.точки доступа: Бубнов, Ю. Н.; Каторгин, Б. И.; Костюк, П. Г.; Митенков, Ф. М.; Струнникова, В. А.; Черешнев, В. А.; Воробьева, Э. И.; Авсюк, Ю. Н.; Васьков, С. Т.; Грехов, И. В.; Дмитриев, А. В.; Жижченко, А. Б.; Каплунов, Д. Р.; Пастухов, Э. А.; Слинько, М. Г.; Соловьев, В. Н.; Солонин, М. И.; Томилин, Н. В.; Российская академия наук; РАН |
621.396 Г 80 Грехов, И. В. Полупроводниковые наносекундные диоды для размыкания больших токов [] / И. В. Грехов, Г. А. Месяц // Успехи физических наук. - 2005. - Т. 175, N 7. - С. 735-744. - Библиогр.: с. 744 (28 назв. ). - ил.: 10 рис., 1 табл. . - ISSN 0042-1294
Рубрики: Физика--Физика твердого тела Радиоэлектроника--Общая радиотехника Кл.слова (ненормированные): наносекундные диоды -- полупроводниковые диоды -- наносекундные размыкатели -- радиоэлектроника -- импульсные устройства Аннотация: Разработка полупроводниковых наносекундных и субнаносекундных размыкателей больших токов необходима для развития современных исследований в области экспериментальной физики, а также радиоэлектроники. Разработка таких размыкателей крайне важна для увеличения мощности (до 10{10} Вт) и частоты следования (до 10{4} Гц) импульсных устройств. Главное влияние в обзоре уделено двум типам кремниевых диодов. Это дрейфовый диод с резким восстановлением (ДДРВ) и SOS-диоды. Перейти: http:www.ufn.ru Доп.точки доступа: Месяц, Г. А. |
620.9 Э 65 Энергетика России: проблемы и перспективы [Текст] : дневник научной сессии // Вестник Российской академии наук. - 2006. - Т. 76, N 5. - С. 387-388 . - ISSN 0869-5873
Рубрики: Наука. Науковедение--Организация науки Энергетика--Общие вопросы энергетики--Россия--Москва, 2005 г. Кл.слова (ненормированные): доклады -- академики -- дискуссии -- научные сессии -- энергетика -- проблемы энергетики Аннотация: Приводятся краткие содержания докладов и сообщений, с которыми выступили академики на научной сессии Общего собрания РАН "Энергетика России: проблемы и перспективы", прошедшей в декабре 2005 года. Доп.точки доступа: Осипов, Ю. С.; Фортов, В. Е.; Фаворский, О. Н.; Лаверов, Н. П.; Румянцев, А. Ю.; Чубайс, А. Б.; Горынин, И. В.; Воропай, Н. И.; Добрецов, Н. Л.; Грехов, И. В.; Алферов, Ж. И.; Велихов, Е. П.; Смирнов, В. П.; Моисеев, И. И.; Платэ, Н. А.; Варфоломеев, С. Д.; Скулачев, В. П.; Шувалов, В. А.; Российская академия наук; РАН; Энергетика России: проблемы и перспективы, научная сессия Общего собрания РАН |
621.38 Г 80 Грехов, И. В. Статические и динамические характеристики мощного интегрального тиристора с внешним полевым управлением [Текст] / И. В. Грехов, Т. Т. Мнацаканов [и др.] // Журнал технической физики. - 2005. - Т. 75, N 7. - С. 80-87. - Библиогр.: c. 87 (12 назв. ) . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Радиоэлектроника--Электроника Кл.слова (ненормированные): диффузионные слои; МОП транзисторы; мощные интегральные тиристоры; тиристорные чипы SGTO; тиристоры Аннотация: Представлен теоретический анализ физических процессов в мощном интегральном тиристоре с внешним полевым управлением. Рассмотрены особенности конструкции такого прибора и влияние параметров диффузионных слоев тиристорной структуры на вольт-амперную характеристику во включенном состоянии. Дан расчет и сделаны оценки предельного выключаемого тока, который определяется током удержания тиристорной структуры, зашунтированной внешним МОП транзистором. Приведены расчетные зависимости максимального запираемого тока от величины эффективного сопротивления, включающего в себя сопротивление канала МОП транзистора и сопротивление металлизации затвора. Выполнено численное моделирование процесса спада тока, которое показало, что при включении МОП транзистора ток после некоторой задержки спадает за доли микросекунды примерно на 90%, а затем следует участок более медленного спада. Перейти: http://www.ioffe.rssi.ru/journals/jtf/2005/07/page-80.html.ru Доп.точки доступа: Мнацаканов, Т. Т.; Юрков, С. Н.; Тандоев, А. Г.; Костина, Л. С. |
621.38 Г 80 Грехов, И. В. Формирование области пространственного заряда в диффузионных p-n-переходах при обрыве тока высокой плотности [Текст] / И. В. Грехов, авт. А. С. Кюрегян // Журнал технической физики. - 2005. - Т. 75, N 7. - С. 88-96. - Библиогр.: c. 96 (20 назв. ) . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Радиоэлектроника--Электроника Кл.слова (ненормированные): p-n-переходы; область пространственного заряда; обратное восстановление диодов; обрыв тока; пространственные разряды Аннотация: Проведен анализ процесса обратного восстановления диодов с диффузионными p-n-переходами при высокой плотности обратного тока j. Получено условие нарушения квазинейтральности в диффузионных слоях, учитывающее зависимость подвижностей носителей заряда mu от напряженности поля E и пригодное для широкого диапазона j. Задача о формировании области пространственного заряда (ОПЗ) в контуре с индуктивностью L и активной нагрузкой R сведена к системе двух обыкновенных дифференциальных уравнений. Аппроксимация результатов численного решения этой системы позволила получить приближенные аналитические соотношения между плотностью обрываемого тока j, параметрами контура, диода и формирующегося импульса напряжения (амлитудой V[m] и фронтом t[p]) . Изучен вопрос о предельно достижимых параметрах импульса генераторов с индуктивным накопителем энергии и прерывателем тока на основе диффузионных диодов. Определена критическая плотность обрываемого тока j[B], при которой поле в ОПЗ вблизи анода достигает пробивного значения E[B] и начинается интенсивная ударная ионизация дырками, приводящая к замедлению скоростей спада тока и роста напряжения на ОПЗ, вследствие чего при j>j[B] начинает увеличиваться tp и уменьшаться коэффициент перенапряжения генератора. Величина V[m], соответствующая значению j=j[B], равна V[B]~ m (epsilon*v[h]*l[p]/ j[B]) {1/2}E[B]{3/2}, где m - число диодов в прерывателе, epsilon - диэлектрическая проницаемость полупроводника, v[h] - насыщенная дрейфовая скорость дырок, l[p] - глубина залегания p-n-перехода. Выводы теории подтверждены точным численным моделированием процесса восстановления и качественно согласуются с известными экспериментальными данными. Перейти: http://www.ioffe.rssi.ru/journals/jtf/2005/07/page-88.html.ru Доп.точки доступа: Кюрегян, А. С. |
621.38 Г 80 Грехов, И. В. Особенности процесса выключения мощного интегрального тиристора с внешним полевым управлением [Текст] / И. В. Грехов, С. Н. Юрков [и др.] // Журнал технической физики. - 2006. - Т. 76, N 5. - С. 76-81. - Библиогр.: c. 81 (8 назв. ) . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Радиоэлектроника--Электроника Кл.слова (ненормированные): выключение тиристора; мощные интегральные тиристоры; тиристоры; тиристоры с внешним полевым управлением Аннотация: Представлены результаты качественного и количественного анализа основных этапов процесса выключения мощного интегрального тиристора с внешним полевым управлением. Развита аналитическая модель этапа задержки выключения, адеквантность которой проверена численным расчетом переходного процесса спада тока при выключении n{+}pnn'p{+}-структуры. Обнаружен эффект гиперзадержки, который возникает при приближении запираемого анодного тока к предельной величине, зависящей от параметров тиристорной структуры и цепи управления. Выполнен расчет удельной энергии потерь и показано, что основная часть потерь при выключении приходится на этап медленного спада тока. Перейти: http://www.ioffe.rssi.ru/journals/jtf/2006/05/p76-81.pdf Доп.точки доступа: Юрков, С. Н.; Мнацаканов, Т. Т.; Тандоев, А. Г.; Костина, Л. С. |
53 Г 80 Грехов, И. В. О модели мультистримерного переключения высоковольтных кремниевых p-n-переходов за порогом зинеровского пробоя [Текст] / И. В. Грехов, авт. П. Б. Родин // Письма в журнал технической физики. - 2007. - Т. 33, N 4. - С. 87-94 . - ISSN 0320-0116
Рубрики: Физика--Общие вопросы физики Кл.слова (ненормированные): высоковольтные диодные структуры -- диодные структуры -- кремниевые структуры -- мультистримерное переключение -- зинеровский пробой Аннотация: Рассматривается модель мульстистримерного переключения высоковольтной диодной структуры из блокирующего в проводящее состояние. Показано, что данная модель не позволяет непротиворечиво объяснить явление сверхбыстрого переключения в проводящее состояние кремниевых структур в сильных (~1 MV/cm) электрических полях, которое наблюдалось при быстром росте обратного напряжения. Доп.точки доступа: Родин, П. Б. |
53 Г 808 Грехов, И. В. О модели мультистримерного переключения высоковольтных кремниевых p-n-переходов за порогом зинеровского пробоя [Текст] / И. В. Грехов, авт. П. Б. Родин // Письма в журнал технической физики. - 2007. - Т. 33, N 4. - С. 87-94 . - ISSN 0320-0116
Рубрики: Физика--Общие вопросы физики Кл.слова (ненормированные): высоковольтные диодные структуры -- диодные структуры -- кремниевые структуры -- мультистримерное переключение -- зинеровский пробой Аннотация: Рассматривается модель мульстистримерного переключения высоковольтной диодной структуры из блокирующего в проводящее состояние. Показано, что данная модель не позволяет непротиворечиво объяснить явление сверхбыстрого переключения в проводящее состояние кремниевых структур в сильных (~1 MV/cm) электрических полях, которое наблюдалось при быстром росте обратного напряжения. Доп.точки доступа: Родин, П. Б. |
53 Г 808 Грехов, И. В. О возможности создания малого плазменного облака электрическим импульсом с 20-пикосекундным фронтом нарастания [Текст] / И. В. Грехов, авт. М. Л. Шматов // Письма в журнал технической физики. - 2007. - Т. 33, N 7. - С. 58-63 . - ISSN 0320-0116
Рубрики: Физика--Общие вопросы физики Кл.слова (ненормированные): плазменные облака -- электрические импульсы -- фотолитография Аннотация: Показано, что электрические импульсы с 20-пикосекундным фронтом нарастания могут быть использованы для создания плазменных облаков с линейными размерами порядка 1 мюm и внутренней энергией порядка 10-100 eV/ion. Эти облака могут представлять интерес как источник излучения для фотолитографии. Доп.точки доступа: Шматов, М. Л. |
53.07 А 813 Аристов, Ю. В. Мощный полупроводниковый переключатель высоковольтных импульсов с наносекундным фронтом нарастания [Текст] / Ю. В. Аристов, В. Б. Воронков [и др.] // Приборы и техника эксперимента. - 2007. - N 2. - С. 87-90. - Библиогр.: с. 90 (6 назв. ) . - ISSN 0032-8162
Рубрики: Физика--Физические приборы Кл.слова (ненормированные): полупроводниковые пленки; высоковольтные импульсы; динисторы; импульсная техника; нано-техника Аннотация: Приведены результаты исследования новых быстродействующих полупроводниковых приборов - динисторов с глубокими уровнями, предназначенных для использования в мощных устройствах нано-и микросекундной импульсной техники. Доп.точки доступа: Воронков, В. Б.; Грехов, И. В.; Козлов, А. К.; Коротков, С. В.; Люблинский, А. Г. |
53.07 А 813 Аристов, Ю. В. Р. в. д.- переключатель микросекундных импульсов гигаваттного диапазона мощности [Текст] / Ю. В. Аристов, В. Б. Воронков [и др.] // Приборы и техника эксперимента. - 2007. - N 2. - С. 91-97. - Библиогр.: с. 95 (10 назв. ) . - ISSN 0032-8162
Рубрики: Физика--Физические приборы Кл.слова (ненормированные): рвд-переключатели; микросекундные импульсы; малогабаритные переключатели; динисторы; коксиальные дроссели; дроссели насыщения Аннотация: Описан мощный (150 кА, 16кВ) малогабаритный переключатель на основе блока последовательно соединенных реверсивно включаемых динисторов (р. в. д. ) и коксиального дросселя насыщения, создающего условия для их эффективного переключения. Доп.точки доступа: Воронков, В. Б.; Грехов, И. В.; Жмодиков, А. Л.; Козлов, А. К.; Коротков, С. В.; Рольник, И. А. |
621.375 А 813 Аристов, Ю. В. Полупроводниковые формирователи наносекундных импульсов высокого напряжения [Текст] / Ю. В. Аристов, В. Б. Воронков [и др.] // Приборы и техника эксперимента. - 2007. - N 3. - С. 72-74. - Библиогр.: с. 74 (6 назв. ) . - ISSN 0032-8162
Рубрики: Радиоэлектроника--Квантовая электроника Кл.слова (ненормированные): импульсы напряжения; высокие напряжения; наносекундные импульсы; полупроводниковые приборы; динисторы Аннотация: Описан малогабаритный формирователь высоковольтных наносекундных импульсов на основе новых полупроводниковых приборов - динисторов с глубокими уровнями. Доп.точки доступа: Воронков, В. Б.; Грехов, И. В.; Жмодиков, А. Л.; Козлов, А. К.; Коротков, С. В. |
621.375 В 753 Воронков, В. Б. Высокочастотный полупроводниковый генератор высоковольтных наносекундных импульсов [Текст] / В. Б. Воронков, И. В. Грехов [и др.] // Приборы и техника эксперимента. - 2007. - N 3. - С. 75-77. - Библиогр.: с. 77 (3 назв. ) . - ISSN 0032-8162
Рубрики: Радиоэлектроника--Квантовая электроника Кл.слова (ненормированные): генераторы импульсов; высокочастотные генераторы; дрейфовые диоды; транзисторные цепи Аннотация: Описан высокочастотный генератор высоковольтных наносекундных импульсов на основе сборки дрейфовых диодов с резким восстановлением. Доп.точки доступа: Грехов, И. В.; Козлов, А. К.; Коротков, С. В.; Степанянц, А. Л. |
621.375 В 753 Воронков, В. Б. Полупроводниковый генератор высоковольтных наносекундных импульсов прямоугольной формы [Текст] / В. Б. Воронков, И. В. Грехов [и др.] // Приборы и техника эксперимента. - 2007. - N 3. - С. 78-80. - Библиогр.: с. 80 (7 назв. ) . - ISSN 0032-8162
Рубрики: Радиоэлектроника--Квантовая электроника Кл.слова (ненормированные): динисторы; диоды; генераторы импульсов; высокочастотные генераторы Аннотация: Описан генератор высоковольтных наносекундных импульсов прямоугольной формы с переключателями в виде сборок последовательно соединенных динисторов с глубокими уровнями. Доп.точки доступа: Грехов, И. В.; Козлов, А. К.; Коротков, С. В.; Степанянц, А. Л.; Христюк, Д. В. |
621.3 А 798 Аргунова, Т. С. Структурные и электрические свойства гетеропереходов Ge[x]Si[1-x]/Si, полученных методом прямого сращивания [Текст] / Т. С. Аргунова, Е. И. Белякова [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2007. - Т. 41, Вып. 6. - С. 700-705 . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика--Электротехника Кл.слова (ненормированные): гетеропереходы -- прямое сращивание пластин -- Ge[x]Si[1-x]/Si -- кристаллы -- твердые растворы -- метод Чохральского -- Чохральского метод -- структурные свойства -- электрические свойства Аннотация: Приведены результаты исследования структурных и электрических свойств композиций, изготовленных методом прямого сращивания пластин Ge[x]Si[1-x] и Si. Пластины были вырезаны из кристаллов, выращенных методом Чохральского. Непрерывность интерфейса и дефекты кристаллической решетки исследованы рентгеновскими методами с использованием синхротронного излучения и сканирующей электронной микроскопией. Измерение прямых и обратных вольт-амперных характеристик диодов p-Ge[x]Si[1-x]/n-Si позволило оценить влияние дефектов кристаллической структуры на электрические свойства гетеропереходов. Удовлетворительные электрические параметры позволяют сделать вывод о том, что технология прямого сращивания перспективна для изготовления гетеропереходов Ge[x]Si[1-x]/Si большой площади. Доп.точки доступа: Белякова, Е. И.; Грехов, И. В.; Забродский, А. Г.; Костина, Л. С.; Сорокин, Л. М.; Шмидт, Н. М.; Yi, J. M.; Jung, J. W.; Je, J. H.; Абросимов, Н. В. |
539.2 А 941 Афанасьев, В. П. Оже-спектроскопия и свойства наноразмерных тонкопленочных структур Ir (Pt) /PZT (PZT/PT) /Ir [Текст] / В. П. Афанасьев, П. В. Афанасьев [и др.] // Физика твердого тела. - 2006. - Т. 48, N 6. - С. 1130-1134. - Библиогр.: с. 1134 (10 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): конденсаторные структуры; метод электронной Оже-спектроскопии; нанорамерные тонкопленочные структуры; Оже-спектроскопия Аннотация: Изучение профилей распределения элементов по толщине тонкопленочных сегнетоэлектрических конденсаторных структур методом Оже-спектроскопии позволило установить связь между элементным и фазовым составом структур и их электрофизическими свойствами. Выявлены особенности поведения подслоя титаната свинца сразу после изготовления и старения структур. Показано, что в процессе старения изменение характеристик конденсаторных структур связано с диффузией элементов на интерфейсах и в пленке PZT на фоне значительного увеличения концентрации кислорода, в результате чего формируются оксидные слои, модифицирующие границы раздела, уменьшается плотность ловушек на верхнем и нижнем интерфейсах для всех образцов. Доп.точки доступа: Афанасьев, П. В.; Грехов, И. В.; Делимова, Л. А.; Ким, С. П.; Коо, Ю. М.; Машковец, Д. В.; Панкрашкин, А. В.; Парк, Я.; Петров, А. А.; Шин, С. |
621.3 Т 990 Тягинов, С. Э. Определение характерного пространственного масштаба флуктуаций толщины туннельно-тонкого диэлектрика в МДП структурах на основе данных электрических измерений [Текст] / С. Э. Тягинов, М. И. Векслер, И. В. Грехов, V. Zaporojtchenko // Физика и техника полупроводников. - 2007. - Т. 41, вып. 10. - С. 1198-1202 . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Электротехника Кл.слова (ненормированные): флуктуации толщины -- корреляционная длина -- туннельно-тонкие диэлектрики -- МДП структуры Аннотация: Предложены и опробованы методики определения "корреляционной длины" для флуктуаций толщины тонкого диэлектрика с использованием данных измерений электрических характеристик туннельных МДП структур, т. е. без применения средств микроскопии. Один из предложенных подходов основан на статистической обработке результатов измерений тока для случайной выборки образцов. Другой метод базируется на анализе скачков тока в сторону уменьшения, происходящих при испытании приборов на достаточно высоком постоянном напряжении. Апробация методов проведена на туннельных структурах Al/SiO[2]/Si. Полученные оценки пространственного масштаба флуктуаций толщины сопоставляются с результатами непосредственного измерения этого масштаба для тех же слоев окисла. Доп.точки доступа: Векслер, М. И.; Грехов, И. В.; Zaporojtchenko, V. |
621.3 Г 808 Грехов, И. В. Низкотемпературный (77 K) примесный пробой в 4H-SiC p-типа [Текст] / И. В. Грехов, П. А. Иванов, А. С. Потапов, Т. П. Самсонова // Физика и техника полупроводников. - 2007. - Т. 41, Вып. 5. - С. 561-564 . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика--Электротехника Кл.слова (ненормированные): эпитаксиальные пленки -- 4H-SiC -- ударная ионизация акцепторов -- низкотемпературный примесный пробой -- примесный пробой Аннотация: Исследована ударная ионизация акцепторов в эпитаксиальных пленках 4H-SiC, легированных алюминием (концентрация 2 10\{15\} см\{-3\}), при температуре 77 K. Установлено, что коэффициент ионизации экспоненциально зависит от обратного поля: альфа[p]=альфа*[p]exp (-F*/F). Максимальный коэффициент ионизации alpha*[p]=7. 1 10\{6\} см\{-3\} с\{-1\}, а пороговое поле F*=2. 9 10\{4\} В/см. Доп.точки доступа: Иванов, П. А.; Потапов, А. С.; Самсонова, Т. П. |