621.382 У 740 Усанов, Дмитрий Александрович (1943-). Спектры выходного сигнала генератора на диоде Ганна в режиме НЧ и СВЧ-колебаний [Текст] / Д. А. Усанов, С. Б. Вениг, С. С. Горбатов, Э. В. Труфакин // Известия вузов. Прикладная нелинейная динамика. - 2001. - Т.9,N3. - Библиогр.: с.36-37 (11 назв.) . - ISSN 0869-6632
Кл.слова (ненормированные): диоды Ганна -- низкочастотные калебания -- СВЧ-колебания -- модуляция -- спектры выходного сигнала Аннотация: Представлены результаты экспериментального исследования влияния многочастотных НЧ-колебаний, возникающих в цепи питания СВЧ-генератора на диоде Ганна на спектр выходного сигнала генератора. Теоретически описаны условия возбуждения таких колебаний в генераторной схеме. Показано, что в условиях воздействия многочастотных НЧ-сигналов на СВЧ-генератор на диоде Ганна модуляция выходного сигнала может быть как преимущсетвенно амплитудной, так и частотной. Перейти: http://cas.ssu.runnet.ru Доп.точки доступа: Вениг, Сергей Борисович (1957-); Горбатов, Сергей Сергеевич (1946-); Труфакин, Эдуард Владимирович (1975-) |
621.382 U 88 Usanov, Дмитрий Александрович. Nonlinear Dynamics of Microwave and Optical Semoconductor Oscillators [Text] / D. A. Usanov, A. Skripal [et al.] // Известия вузов. Прикладная нелинейная динамика. - 2002. - Т.10,N3. - Библиогр.: с.168-170 (35 назв.). - Содерж. и анн. на рус. яз. . - ISSN 0869-6632
Рубрики: Энергетика--Электротехника Кл.слова (ненормированные): нелинейная динамика -- полупроводниковые лазеры -- полупроводники -- полупроводниковые генераторы -- оптические генераторы -- СВЧ генераторы -- микроволновое излучение -- автодинный режим -- лазеры Аннотация: Приведены результаты экспериментальных и теоретических исследований нелинейных явлений в полупроводниковых СВЧ и оптических генераторах. Показано, что одной из причин появления разнообразного спектра нелинейных явлений в полупроводниковых устройствах СВЧ-диапазона является изменение вида их вольтамперных характеристик при воздействии мощного мокроволнового излучения на полупроводниковые структуры. Перейти: http://cas.ssu.runnet.ru Доп.точки доступа: Skripal, Скрипаль Александр; Skripal, Скрипаль Анатолий; Abramov, Абрамов Антон; Kletsov, Клецов Алексей |
621.382 Г 180 Гаман, В. И. Пороговые характеристики кремниевых осцилляторов [Текст] / В. И. Гаман, П. Н. Дробот // Известия вузов. Физика. - 2001. - Т.44,N1. - Библиогр.: с.49 (11 назв.) . - ISSN 0021-3411
Кл.слова (ненормированные): кремниевые осцилляторы -- пороговые характеристики -- винтовая неустойчивость -- полупроводниковая плазма -- n+-пи-p+ Аннотация: Представлены результаты экспериментального исследования зависимости пороговых параметров кремниевых осцилляторов от магнитной индукции, температуры и расстояния между инжектирующими контактами. Показано, что в широком интервале температур от 77 до 400 К в осцилляторах возбуждается объемная винтовая неустойчивость полупроводниковой плазмы. Зависимости пороговой напряженности электрического поля (при которой возникает неустойчивость), порогового напряжения, пороговых силы тока и мощности электрического питания от указанных выше факторов хорошо описываются в рамках теории возбуждения винтовой неустойчивости в полупроводниковой пластине конечных размеров при наличии градиента концентрации неравновесных носителей заряда в направлении, перпендикулярном векторам напряженности электрического поля и магнитной индукции. Приближенная оценка показала, что среднее значение относительного градиента концентрации в исследованных образцах при 77 и 291 К порядка 1000 м(-1) Доп.точки доступа: Дробот, П.Н. |
621.382 Т 617 Торхов, Н. А. Формирование фрактальной структуры собственного оксида на поверхности n-GaAs при естественном окислении на воздухе [Текст] / Н. А. Торхов // Известия вузов. Физика. - 2002. - Т.45,N11. - Аннотация . - ISSN 0021-3411
Кл.слова (ненормированные): арсенид галлия -- окисление -- фрактальные структуры Перейти: http://www.tsu.ru/ru/derision/physics.phtml |
621.382 В 751 Воробьев, Г. А. Инжекция заряженных частиц при пробое системы металл-диэлектрик-металл [Текст] / Г. А. Воробьев, В. А. Мухачев, П. Е. Троян // Известия вузов. Физика. - 2004. - N 11. - Библиогр.: с. 99 (3 назв. ) . - ISSN 0021-3411
Рубрики: Энергетика--Электрический нагрев Кл.слова (ненормированные): инжекция -- пробой системы -- разогрев металла -- плазма -- парообразная плазма -- электроимпульсные установки -- микроэлектроника Аннотация: Исследованы явления пробоя МДМ-системы и образование при этом плазмы, позволяющей извлекать из нее электроны и ионы. Доп.точки доступа: Мухачев, В. А.; Троян, П. Е. |
621.382 А 505 Алкеев, Н. В. Токовые шумы резонансно-туннельных диодов на основе гетероструктур InGaAIAs [Текст] / Н. В. Алкеев, В. Е. Любченко // Радиотехника и электроника. - 2002. - Т.47,N2 . - ISSN 0033-8494
Кл.слова (ненормированные): гетероструктура -- диоды -- резонансно-тунельные диоды -- структуры -- шумы -- электроны Аннотация: Исследованы шумы резонансно-туннельных диодов на основе структуры InGaAiAs на двух частотах. Выделен шум, обусловленный дробовым эффектом протекания тока через два барьера гетероструктуры. Перейти: http//www.maik.ru Доп.точки доступа: Любченко, В.Е. |
621.382 Б 649 Бирюков, С. Автоматы световых эффектов [Текст] / С. Бирюков // Радио. - 2001. - N5. - Библиогр.:с.53 (4 назв.).
Рубрики: Радиоэлектроника--Электроника Кл.слова (ненормированные): световые эффекты -- светодиоды -- автомобили -- стоп-сигналы -- Бегущие огни-автоматическая схема -- Фейерверк-схема игрушки -- автоматика -- игрушки электронные -- схемы Аннотация: Большинство автоматов световых эффектов содержит задающий генератор,формирователь импульсной последовательности,усилители мощности и гирлянды светодиодов или ламп накаливания.В итоге конструкция содержит много различных микросхем и других элементов.Подобные устройства можно значительно упростить,если применить в них микросхему К100ЗПП1.Как примеры ее использования в публикуемой статье описаны автоматы "бегущие огни","фейерверк",а также устройство "разбегающиеся огни",устанавливаемое в качестве дополнительного стоп-сигнала автомобиля. Перейти: http://www.paguo.ru/ |
621.382 В 378 Верютин, В. Нелинейные свойства p-n перехода [Текст] / В. Верютин // Радио. - 2001. - N8. - Библиогр.:с.57 (5 назв.).
Рубрики: Радиоэлектроника--Электроника Кл.слова (ненормированные): электроника -- полупроводниковые приборы -- диоды -- транзисторы -- радиосигналы -- схемы Аннотация: Известно,что p-n переход полупроводникового прибора (диод,транзистор) является нелинейным элементом,из-за чего при больших входных сигналах он вносит значительные искажения.Однако этот недостаток в ряде случаев можно использовать с пользой для дела. Перейти: http://www.paguo.ru/ |
621.382 Б 591 Бибилашвили, А. П. Исследование контактов сплава Ni-Ge на GaAs [Текст] / А. П. Бибилашвили, А. Б. Герасимов [и др.] // Физика и химия обработки материалов. - 2004. - N 4 . - ISSN 0015-3214
Рубрики: Радиоэлектроника--Электроника Кл.слова (ненормированные): сплавы -- гелий -- омические контакты -- подложки -- полупроводниковые приборы -- интегральные микросхемы -- микросхемы -- потенциальные барьеры -- исследования Аннотация: Исследованы процессы формирования контактов на основе барьера Шоттки и омических контактов при фотонной обработке сплавов Ni-Ge с различным содержанием Ge. Продемонстрирована возможность получения контакта барьера Шоттки и омического контакта в едином технологическом цикле на одной подложке. Доп.точки доступа: Герасимов, А. Б.; Самадашвили, З. Д.; Кванталиани, И. О.; Казаров, Р. Э. |
621.382 Ф 33 Федорова, Е. А. Выбор материала оснований для формирования гибридных интегральных микросхем и технологии их обработки [Текст] / Е. А. Федорова, М. В. Понявин, Е. К. Лысова // Физика и химия обработки материалов. - 2006. - N 2. - С. 84-85 . - ISSN 0015-3214
Рубрики: Радиоэлектроника--Электроника Кл.слова (ненормированные): гибридные интегральные микросхемы; ГИС; вакуумное осаждение; технологии вакуумного осаждения; керамические материалы; оксиды алюминия; нитриды; ситаллы; бериллий; алюминий; технологии обработки керамических материалов Аннотация: Изучена возможность применения в качестве подложек гибридных интегральных микросхем (ГИС) , приготовленных по технологии вакуумного осаждения, керамических материалов на основе оксидов алюминия или бериллия, нитридов и ситаллов. Доп.точки доступа: Понявин, М. В.; Лысова, Е. К. |
621.382 А 65 Андреев, В. В. Радиационная ионизация в структурах металл-диэлектрик-полупроводник в режиме сильнополевой инжекции электронов [Текст] / В. В. Андреев, Г. Г. Бондаренко [и др.] // Физика и химия обработки материалов. - 2006. - N 5. - С. 19-23 . - ISSN 0015-3214
Рубрики: Радиоэлектроника--Электроника Кл.слова (ненормированные): радиационная ионизация; инжекция электронов; диэлектрические пленки; режимы сильнополевой инжекции электронов; инжекционный ток; ионизационый ток; облучение нейтронами; ионизационные процессы в диэлектрических пленках; подзатворные диэлектрики; туннельная инжекция; структуры металл-диэлектрик-полупроводник Аннотация: Установлена полевая зависимость ионизационного тока, протекающего через подзатворный диэлектрик МДП-структуры, при воздействии a-излучения, в том числе и в режиме сильнополевой инжекции электронов. Доп.точки доступа: Бондаренко, Г. Г.; Лычагин, А. А.; Столяров, А. А.; Ульяненко, С. Е. |
621.382 К 61 Колпаков, В. А. Механизм адгезии в структурах металл-диэлектрик после бомбардировки потоком заряженных частиц [Текст] / В. А. Колпаков // Физика и химия обработки материалов. - 2006. - N 5. - С. 41-48 . - ISSN 0015-3214
Рубрики: Физика--Физика твердого тела Радиоэлектроника--Электроника Кл.слова (ненормированные): адгезия; заряженные частицы; диэлектрики; тонкие пленки; ситаллы; диэлектрические подложки; высоковольтные газовые разряды; металлические пленки; бомбардировка потоком заряженных частиц; структуры металл-диэлектрик; вакуумно-плазменное травление Аннотация: Исследовано влияние бомбардировки потоком заряженных частиц из плазмы высоковольтного газового разряда на адгезию тонких пленок меди на поверхности диэлектрических подложек из диоксида кремния и ситалла. |
621.396 Л 550 Ли Цзень Фень Эрозия мишени из GaAs при воздействии импульсного мощного ионного пучка [Текст] / Ли Цзень Фень, Г. Е. Ремнев [и др.] // Известия вузов. Физика. - 2007. - Т. 50, N 1. - С. 66-70. - Библиогр.: с. 69-70 (9 назв. ) . - ISSN 0021-3411
Рубрики: Радиоэлектроника--Общая радиотехника Кл.слова (ненормированные): ионный пучок; плотность тока на мишени; плотность энергии на мишени; энергия ионов; эрозия мишени Аннотация: В статье приведены результаты исследования эрозии мишени из GaAs при воздействии импульсного мощного ионного пучка. В экспериментах использовался источник мощных ионных пучков со следующими параметрами: энергия ионов - 250 кэВ, плотность тока на мишени - до 350 А/см{2}, длительность импульса - 80 нс, плотность энергии на мишени - до 7 Дж/см{2}. Измерен коэффициент эрозии мишени и его зависимость от числа последовательных импульсов. Отмечено увеличение параметра шероховатости поверхности с увеличением числа последовательных импульсов тока пучка и формирование регулярной структуры рельефа поверхности при числе импульсов более 20-40. Доп.точки доступа: Ремнев, Г. Е.; Салтымаков, М. С.; Гусельников, В. И.; Макеев, В. А.; Ивонин, И. В.; Найден, Е. П.; Юрченко, В. И. |
621.03 Б 439 Белый, В. И. Люминесценция пленок диоксида гафния, полученных из дипивалоилметаната гафния [Текст] / В. И. Белый, авт. А. А. Расторгуев // Известия вузов. Физика. - 2007. - Т. 50, N 4. - С. 63-67. - Библиогр.: c. 67 (10 назв. ) . - ISSN 0021-3411
Рубрики: Техника--Техническая физика Кл.слова (ненормированные): водородная лампа; диоксид гафния; дипивалоилметанат гафния; люминесценция пленок диоксида гафния; спектры люминесценции неотожженных пленок; спектры люминесценции отожженных пленок Аннотация: Создана методика измерения спектров люминесценции диоксида гафния с использованием в качестве источника возбуждения водородной лампы. При комнатной температуре проведены измерения спектров люминесценции отожженных и неотожженных пленок диоксида гафния, синтезированного методом химического осаждения из летучего дипивалоилметаната гафния на подложках Si (111). Интенсивная люминесценция является характеристикой для нанокристаллитов моноклинной модификации. Определена ширина запрещенной зоны, примерно равной 5, 76 эВ. Пленки характеризуются значительным отклонением состава от стехиометрического. Доп.точки доступа: Расторгуев, А. А. |
621.382 Г 577 Говорков, А. В. Идентификация дислокаций и их влияние на процессы рекомбинации носителей тока в нитриде галлия [Текст] / А. В. Говорков, А. Я. Поляков [и др.] // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. - 2007. - N 7. - С. 18-24 . - ISSN 0207-3528
Рубрики: Радиоэлектроника Полупроводниковые приборы Кл.слова (ненормированные): твердые растворы -- рекомбинация носителей тока -- нитрид галлия -- плотность дислокаций Аннотация: Исследовалась связь между плотностью ямок травления, выявляемых в GaN селективным травлением в эвтектике KOH/NaOH, и плотностью дислокаций, выявленных методом ПЭМ, а также связь между плотностью дислокаций и плотностью областей в виде темных точек, которые наблюдаются в GaN в картинах распределения интенсивности сигналов микрокатодолюминесценции и наведенного тока. Показано, что селективное травление может служить надежным экспресс-методом определения типа и плотности дислокаций в GaN в диапазоне 10\{6\}-10\{8\} см\{-2\}, а методы МКЛ и НТ могут быть использованы для экспрессного неразрушающего контроля плотности дислокаций в диапазоне 10\{6\}-10\{8\} см\{-2\}. Установлена также связь с дислокациями ряда глубоких электронных и дырочных ловушек. Доп.точки доступа: Поляков, А. Я.; Югова, Т. Г.; Смирнов, Н. Б.; Петрова, Е. А.; Меженный, М. В.; Марков, А. В.; Ли, И.- Х.; Пиртон, С. Дж. |
621.382 Б 441 Бельник, С. А. Дефекты со светлым контрастом в режиме наведенного тока в светоизлучающих структурах на основе GaN [Текст] / С. А. Бельник, П. С. Вергелес, Н. М. Шмидт, Е. Б. Якимов // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. - 2007. - N 7. - С. 34-37 . - ISSN 0207-3528
Рубрики: Радиоэлектроника Полупроводниковые приборы Кл.слова (ненормированные): светоизлучающие структуры -- GaN -- наведенный ток -- квантовые ямы Аннотация: Методом наведенного тока исследованы светоизлучающие структуры с множественными квантовыми ямами на основе InGaN/GaN. Показано, что исследование зависимости наведенного тока от энергии пучка позволяет оценить долю неравновесных носителей заряда, рекомбинирующих в квантовых ямах. Обнаружены два типа дефектов со светлым контрастом. Показано, что светлый контраст связан с формированием каналов повышенной проводимости поперек структуры с квантовыми ямами. Исследована зависимость контраста от тока пучка. Доп.точки доступа: Вергелес, П. С.; Шмидт, Н. М.; Якимов, Е. Б. |
621.382 Ф 369 Феклисова, О. В. Исследование электрических и оптических свойств кремния, содержащего кислородные преципитаты [Текст] / О. В. Феклисова, А. Н. Терещенко, Э. А. Штейнман, Е. Б. Якимов // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. - 2007. - N 7. - С. 38-41 . - ISSN 0207-3528
Рубрики: Радиоэлектроника Полупроводниковые приборы Кл.слова (ненормированные): кремний -- кислородные преципитаты -- электрические свойства -- оптические свойства Аннотация: Методами наведенного электронным пучком тока (НТ), нестационарной спектроскопии глубоких уровней (НСГУ) и фотолюминесценции (ФЛ) исследовались свойства кремния n-типа, содержащего кислородные преципитаты, введенные посредством трехстадийного отжига. Методом НТ выявлено наличие протяженных дефектов с концентрацией меньше равно 10\{9\} см\{-3\}. Из величины контраста оценена концентрация электрически активных дефектов, образующихся в кремнии в процессе преципитации кислорода, которая затем сравнивалась с концентрацией, полученной из данных НСГУ. Сравнение спектров в образцах с кислородными преципитатами и пластически деформированных кристаллах позволило предположить, что спектры ГУ и ФЛ кремния с кислородными преципитатами определяются, главным образом, наличием дислокаций. Доп.точки доступа: Терещенко, А. Н.; Штейнман, Э. А.; Якимов, Е. Б. |
621.382 Ч-965 Чучева, Г. В. Определение электрофизических характеристик структур металл-окисел-полупроводник по данным вольт-емкостного анализа области обеднения поверхности полупроводника [Текст] / Г. В. Чучева, Р. Д. Тихонов, А. Г. Ждан, В. Г. Нарышкина // Приборы и техника эксперимента. - 2008. - N 4. - С. 108-112. - Библиогр.: с. 112 (10 назв. ) . - ISSN 0032-8162
Рубрики: Радиоэлектроника Полупроводниковые приборы Кл.слова (ненормированные): металл-окисел-полупроводник -- вольт-емкостный анализ -- вольт-емкостная спектроскопия -- полупроводники -- электрофизические характеристики -- сверхтонкие окислы -- тонкие окислы Аннотация: Итоги настоящей работы приводят к необходимости переоценки многих результатов вольт-емкостной спектроскопии пограничных состояний в м. о. п.-структурах, в особенности на основе тонких и сверхтонких окислов. Доп.точки доступа: Тихонов, Р. Д.; Ждан, А. Г.; Нарышкина, В. Г. |
621.382 Г 200 Гарбер, Г. З. Моделирование скачков выходной мощности квазиактивного сверхвысокочастотного ограничителя на p-i-n диодах [Текст] / Г. З. Гарбер // Радиотехника и электроника. - 2007. - Т. 52, N 12. - С. 1518-1523. - Библиогр.: с. 1523 (6 назв. ) . - ISSN 0033-8494
Рубрики: Радиоэлектроника Полупроводниковые приборы Кл.слова (ненормированные): моделирование скачков мощности -- выходная мощность -- p-i-n диоды -- сверхвысокочастотные ограничители -- свч-ограничители Аннотация: Разработана программа моделирования во временной области GaAs интегральной схемы ограничителя мощности на двух p-i-n-диодах путем численного решения задачи с начальными условиями для нелинейной системы уравнений, описывающей электрическую схему ограничителя. Показано, что для ограничителя с 1. 8-микронным i-слоем на частоте 9. 4 ГГц зависимость амплитуды основной гармоники тока через диод от амплитуды основной гармоники напряжения на нем является S-образной и именно эта S-образность для детектирующего диода является причиной скачков выходной мощности. Приведены результаты моделирования ограничителя с 1. 2-микронным i-слоем на частотах 3, (. 4 и 25 ГГц наблюдается амплитудная модуляция выходного сигнала. |
621.382 К 630 Комаров, С. М. Бумажный транзистор [Текст] / С. М. Комаров // Химия и жизнь - XXI век. - 2008. - N 9. - С. 18 . - ISSN 1727-5903
Рубрики: Радиоэлектроника Полупроводниковые приборы Кл.слова (ненормированные): транзисторы -- бумажные транзисторы -- кремний -- микросхемы -- электрический ток -- полевые транзисторы -- изоляторы -- бумажные дисплеи Аннотация: Ученые сделали транзистор на бумажной основе вместо кремниевой. |