621.38 А 194 Аверин, С. В. Импульсный отклик МПМ фотодиода с гетеробарьером [Текст] / С. В. Аверин // Журнал технической физики. - 2004. - Т. 74, N 6. - Библиогр.: c. 56 (20 назв. ) . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Радиоэлектроника--Электроника Кл.слова (ненормированные): гетеробарьеры -- дрейф носителей заряда -- МПМ диоды -- фотодиоды Аннотация: В рамках двумерной модели исследуются процессы дрейфа фотогенерированных носителей заряда в активном объеме быстродействующих фотодиодов в системе выпрямляющих контактов металл-полупроводник-металл (МПМ) обычной планарной структуры и структуры с гетеробарьером. Дается сравнение двух типов фотодиодных структур с точки зрения характеристик сигнала импульсного отклика детектора и квантовой эффективности. Анализируются ограничения в отклике планарного МПМ диода, возникающие при последовательном уменьшении размеров встречно-штыревой системы контактов. Обсуждается возможность увеличения скорости отклика МПМ диода. Показано, что структура с InP/GaInAs гетеробарьером сильно видоизменяет движение фотогенерированных носителей заряда и существенно увеличивает скорость отклика МПМ фотодиода. Перейти: http://www.ioffe.rssi.ru/journals/jtf/2004/06/page-51.html.ru |
621.3 С 340 Сибатов, Р. Т. Дробно-дифференциальная кинетика переноса заряда в неупорядоченных полупроводниках [Текст] / Р. Т. Сибатов, авт. В. В. Учайкин // Физика и техника полупроводников. - 2007. - Т. 41, Вып. 3. - С. 346-351 . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика--Электротехника Кл.слова (ненормированные): неупорядоченные полупроводники -- полупроводники -- перенос заряда -- дисперсионный перенос -- диффузия -- дрейф носителей заряда -- дробно-дифференциальный подход Аннотация: В предыдущих наших работах получено выражение для временной зависимости переходного тока в аморфных полупроводниках при дисперсионном переносе, содержащее устойчивую плотность с характеристическим показателем, равным дисперсионному параметру альфа < 1; концентрации избыточных носителей заряда выражены через дробно-устойчивые плотности с характеристическим показателем альфа. В настоящей работе получены обобщенные уравнения диффузии и дрейфа носителей заряда в неупорядоченных полупроводниках для дисперсионного переноса. Главная особенность этих уравнений - наличие частной производной по времени дробного порядка альфа. Решения этих уравнений выражены через дробно-устойчивые плотности. При альфа > 1 дробно-устойчивые распределения переходят в нормальные, а обобщенные уравнения переходят в обычные уравнения диффузии и дрейфа. Таким образом, дробно-дифференциальный подход позволяет описывать нормальный и дисперсионный перенос в рамках единой математической модели. Доп.точки доступа: Учайкин, В. В. |
539.21:537 Н 623 Никитенко, В. Р. Аналитическая модель дрейфа и диффузии носителей заряда в органических светодиодах при наличии объемного заряда / В. Р. Никитенко, Н. А. Санникова, М. Н. Стриханов // Журнал технической физики. - 2014. - Т. 84, № 9. - С. 107-112. - Библиогр.: c. 112 ( назв. ) . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Физика Электрические и магнитные свойства твердых тел Кл.слова (ненормированные): светодиоды -- органические светодиоды -- дрейф носителей заряда -- диффузия носителей заряда -- вольт-амперные характеристики -- тонкие слои -- транспорт зарядов -- неупорядоченные органические материалы -- объемные заряды -- эффект объемного заряда -- энергетический беспорядок -- высота энергетического барьера Аннотация: Предложена сравнительно простая аналитическая модель для расчета вольт-амперных характеристик для монополярного режима транспорта заряда в тонких слоях неупорядоченных органических материалов, которая учитывает энергетический беспорядок и эффекты объемного заряда. Определена зависимость минимальной высоты энергетического барьера для инжекции, при которой можно пренебречь эффектами объемного заряда. Перейти: http://journals.ioffe.ru/jtf/2014/09/p107-112.pdf Доп.точки доступа: Санникова, Н. А.; Стриханов, М. Н.; Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ"; Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ"Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ" |