Карпович, И. А. Влияние водорода на фотоэлектронные свойства гетероструктур с квантовыми ямами GaAs/InGaAs и островковым слоем палладия на поверхности [Текст] / И. А. Карпович, С. В. Тихов, Е. Л. Шоболов, Б. Н. Звонков // Журнал технической физики. - 2002. - Т.72,N10. - Библиогр.: с.66 (9 назв.) . - ISSN 0044-4642 Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): гетероструктуры -- квантовые ямы -- фотолюминесценция -- фотопроводимость Аннотация: Исследовано влияние водорода на фотолюминесценцию и планарную фотопроводимость гетероструктур с квантовыми ямами GaAs/InGaAs и с островковым слоем Pd на анодноокисленной поверхности. Установлено, что в отличие от нанесения сплошного слоя Pd нанесение островкового слоя не приводит к возникновению дефектов в приповерхностном слоле GaAs, но при этом слой Pd сохраняет высокую каталитическую активность по отношению к водороду. Обнаружены эффекты пассивации дефектов в квантовых ямах атомарным водородом при термообработке таких структур в атмосфере водорода. Исследованы характеристики планарных фоторезисторов с островковым слоем Pd как сенсоров водорода. Установлено, что они имеют почти на 2 порядка более высокую обнаружительную способность к водороду, чем диодные структуры со сплошным слоем Pd Доп.точки доступа: Тихов, С.В.; Шоболов, Е.Л.; Звонков, Б.Н. |
32.85 Т 462 Тихов, С. В. Влияние водорода на фотоэлектрические свойства диодов Шоттки палладий/анодный окисел/арсенид галлия [Текст] / С. В. Тихов, Е. Л. Шоболов, В. В. Подольский, С. Б. Левичев // Журнал технической физики. - 2003. - Т.73,N2. - Библиогр.: с.92 (17 назв.) . - ISSN 0044-4642 Рубрики: Радиоэлектроника--Электроника Кл.слова (ненормированные): арсенид галлия -- водород -- диоды Шоттки -- фотоэдс -- хемасорбция Аннотация: Исследовано влияние водорода на фотоэдс и вольт-амперные характеристики диодов Шоттки палладий/анодный окисел/арсенид галлия. Определены оптимальные значения толщины окисла, при которой диоды имели высокую чувствительность к водороду, и глубина проникновения атомарного водорода в окисел. Установлен механизм воздействия водорода, заключающийся в хемасорбции атомарного водорода на поверхности арсенида галлия, что приводит к уменьшению высоты барьера и увеличению рекомбинационной составляющей тока. Показана неоднородность пленки туннельно-тонкого анодного окисла по толщине и обнаружено увеличение вероятности туннелирования через окисел под действием водорода. Установлено, что регистрация водорода по отклику фотоэдс характеризовалась большей чувствительностью и обнаружительной способностью, но меньшим быстродействием по сравнению с откликом по обратному току Доп.точки доступа: Шоболов, Е.Л.; Подольский, В.В.; Левичев, С.Б. |
22.33 Т 462 Тихов, С. В. Влияние модификации поверхности полупроводника на свойства водородочувствительных диодов Шоттки на арсениде галлия [Текст] / С. В. Тихов, Е. Л. Шоболов, С. Б. Левичев, Н. В. Байдусь // Журнал технической физики. - 2003. - Т.73,N5. - Библиогр.: 16 назв. . - ISSN 0044-4642 Рубрики: Радиоэлектроника--Физика твердого тела--Электроника Кл.слова (ненормированные): арсенид галлия -- водородочувствительность -- диоды Шоттки -- квантовые точки -- квантовые ямы -- модификация поверхности -- травление Аннотация: Установлено, что модификация поверхности полупроводника в водородочувствительных диодах Шоттки на GaAs путем неполирующего травления или введения в область пространственного заряда полупроводника квантовых ям и квантовых точек может увеличивать чувствительность к водороду в 8-37 раз после травления и на два--три порядка после введения квантовых ям и квантовых точек. Показано, что это увеличение связано с уменьшением высоты барьера Pd / GaAs, с задерживанием диффузии водорода в объем GaAs напряженными квантованными слоями и с ростом рекомбинационной составляющей тока. Наличие рекомбинационной составляющей подтверждается электролюминесценцией от квантовых ям и квантовых точек и от GaAs. Для эффекта очувствления после травления определяющим является химический состав травителя Доп.точки доступа: Шоболов, Е.Л.; Левичев, С.Б.; Байдусь, Н.В. |
Влияние модификации покровного слоя на свойства водородочувствительных диодных гетероструктур с квантовой ямой Pd/GaAs/InGaAs [Текст] / С. В. Тихов [и др. ] // Письма в Журнал технической физики. - 2007. - Т. 33, вып: вып. 15. - С. 69-74 . - ISSN 0320-0116
Рубрики: Физика Квантовая теория поля Кл.слова (ненормированные): диодные гетероструктуры -- водородочувствительные гетероструктуры -- гетероструктуры -- квантовые ямы -- нанорельеф поверхности Аннотация: Исследовано влияние развитого нанорельефа поверхности покровного слоя, модифицированной анодным окислением и/или травлением, на характеристики водородочувствительных диодных гетероструктур с квантовой ямой Pd/GaAs/InGaAs. Показано, что значительное увеличение чувствительности и быстродействия таких структур в основном связано с уменьшением эффективного расстояния от модифицированной поверхности, на которой происходит ионная хемосорбция атомарного водорода, до упруго сжатого слоя квантовой ямы InGaAs, задерживающего диффузию водорода, что увеличивает его концентрацию на этой поверхности. Доп.точки доступа: Тихов, С. В.; Карпович, И. А.; Гущина, Ю. Ю.; Истомина, Л. А. |
621.315.592 Т 462 Тихов, С. В. Малосигнальный эффект поля в квантово-размерных гетероструктурах GaAs/InAs [Текст] / С. В. Тихов // Физика и техника полупроводников. - 2012. - Т. 46, вып. 10. - С. 1297-1303 : ил. - Библиогр.: с. 1302 (19 назв.) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): квантовые точки -- КТ -- квантово-размерные гетероструктуры -- гетероструктуры -- GaAs/InAs -- область пространственного заряда -- ОПЗ -- эпитаксиальные слои -- потенциальные барьеры -- электроны -- туннелирование -- энергетические уровни -- дефекты -- поверхностные состояния -- квантование -- уровни квантования -- дефектообразование -- квантовые ямы -- КЯ Аннотация: Квантовые точки InAs, встроенные в область пространственного заряда эпитаксиальной пленки n-GaAs на разные расстояния от поверхности (5-300 нм), уменьшают потенциальный барьер для электронов, локализованных в n-GaAs. Для туннельно-тонких покровных слоев это связано с туннелированием через энергетические уровни квантовых точек, а для толстых слоев - с отрицательным заряжением уровней квантования и дефектов, локализующихся вблизи квантовых точек. Уменьшение барьера увеличивает захват электронов на поверхностные состояния и смещает частотную дисперсию подвижности в эффекте поля, связанную с этим захватом, в сторону более высоких частот. При встраивании квантовых точек вблизи подножия барьера они проявляются в релаксации слабосигнального эффекта поля. Определены некоторые параметры уровней квантования. Обнаружено дефектообразование в слоях, прилегающих к квантовым точкам. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2012/10/p1297-1303.pdf |
621.315.592 Д 156 Дальнодействующее влияние облучения кремния светом на фотоэдс барьера Шоттки [Текст] / Д. И. Тетельбаум [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2012. - Т. 46, вып. 5. - С. 641-643 : ил. - Библиогр.: с. 643 (12 назв.) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): облучение светом -- кремний -- фотоэдс -- барьеры Шоттки -- Шоттки барьеры -- микротвердость кремния -- точечные дефекты -- генерация дефектов Аннотация: Установлено, что в результате облучения светом (со стороны базы) образца кремния с барьером Шоттки происходит уменьшение фотоэдс барьера. Величина фотоэдс восстанавливается приблизительно через 0. 5 ч после облучения. Изменения фотоэдс при облучении сопоставляются с поведением микротвердости кремния и интерпретируются на основе представления о генерации точечных дефектов в эффекте дальнодействия. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2012/05/p641-643.pdf Доп.точки доступа: Тетельбаум, Д. И.; Тихов, С. В.; Курильчик, Е. В.; Менделева, Ю. А. |
539.21:537 К 642 Конденсаторы с нелинейными характеристиками на основе стабилизированного диоксида циркония с встроенными наночастицами золота / С. В. Тихов [и др.] // Письма в "Журнал технической физики". - 2014. - Т. 40, вып. 9. - С. 9-16 : ил. - Библиогр.: с. 16 (11 назв.) . - ISSN 0320-0116
Рубрики: Физика Электрические и магнитные свойства твердых тел Кл.слова (ненормированные): конденсаторы -- нелинейные характеристики -- диоксид циркония -- наночастицы -- золото -- Au -- диэлектрические слои -- микроэлектроника -- элементы памяти -- оптическая спектрометрия Аннотация: Показано, что конденсаторы на основе стабилизированного диоксида циркония с наночастицами золота проявляют нелинейные свойства: адмиттанс таких конденсаторов оказывается зависящим от амплитуды управляющего напряжения, частоты тестирующего сигнала и температуры. Нелинейность обусловлена явлениями захвата электронов ловушками, образованными в процессе формирования наночастиц. Установлена возможность определения параметров ловушек путем измерения адмиттанса конденсаторов. Перейти: http://journals.ioffe.ru/pjtf/2014/09/p9-16.pdf Доп.точки доступа: Тихов, С. В.; Горшков, О. Н.; Павлов, Д. А.; Антонов, И. Н.; Бобров, А. И.; Касаткин, А. П.; Коряжкина, М. Н.; Шенина, М. Е. |
539.21:537 О-754 Особенности пиннинга уровня Ферми на границе раздела Al[0.3] Ga[0.7] As с анодным оксидом и стабилизированным диоксидом циркония / С. В. Тихов [и др.] // Письма в "Журнал технической физики". - 2013. - Т. 39, вып. 23. - С. 72-79 : ил. - Библиогр.: с. 79 (8 назв.) . - ISSN 0320-0116
Рубрики: Физика Электрические и магнитные свойства твердых тел Кл.слова (ненормированные): уровень Ферми -- Ферми уровень -- пиннинг -- анодные оксиды -- диоксид циркония -- пленки -- эпитаксия -- металлоорганические соединения -- долговременная память -- электроны -- эффект памяти -- диэлектрики -- границы раздела Аннотация: В структурах металл-оксид-полупроводник на основе пленок Al[0. 3]Ga[0. 7]As, полученных методом эпитаксии с использованием металлоорганических соединений, наблюдался пиннинг уровня Ферми на границе раздела Al[0. 3]Ga[0. 7]As/оксид на расстоянии 1. 1 eV от потолка зоны проводимости Al[0. 3]Ga[0. 7]As. В этих структурах обнаружено явление долговременной памяти, которое обусловлено поступлением электронов из Al[0. 3]Ga[0. 7]As в анодный окисел и их захватом там глубокими ловушками. Наблюдалось обратимое изменение состояний структур, связанных с этим эффектом памяти, под действием электрического поля или света. Перейти: http://journals.ioffe.ru/pjtf/2013/23/p72-79.pdf Доп.точки доступа: Тихов, С. В.; Горшков, О. Н.; Антонов, И. Н.; Касаткин, А. П.; Коряжкина, М. Н. |
539.21:537 П 845 Процесс формовки в элементах резистивной памяти на основе структур металл-диэлектрик-полупроводник / С. В. Тихов [и др.]. // Письма в "Журнал технической физики". - 2014. - Т. 40, вып. 19. - С. 18-26 : ил. - Библиогр.: с. 26 (12 назв.) . - ISSN 0320-0116
Рубрики: Физика Электрические и магнитные свойства твердых тел Кл.слова (ненормированные): формовка -- резистивная память -- структуры -- металл-диэлектрик-полупроводник -- GaAs -- арсенид галлия -- оксид иттрия -- диоксид циркония Аннотация: На примере структур металл-диэлектрик-полупроводник на основе GaAs со стабилизированным (оксидом иттрия) диоксидом циркония, проявляющих эффект резистивной памяти, показана возможность контроля происходящих при формовке явлений как в диэлектрике, так и на границе раздела диэлектрик-полупроводник и в полупроводнике путем измерения отклика полупроводника. Перейти: http://journals.ioffe.ru/pjtf/2014/19/p18-26.pdf Доп.точки доступа: Тихов, С. В.; Горшков, О. Н.; Антонов, И. Н.; Касаткин, А. П.; Коряжкина, М. Н.; Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского; Научно-исследовательский физико-технический институт ННГУ (Нижний Новгород); Научно-исследовательский физико-технический институт ННГУ (Нижний Новгород); Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского; Нижегородский государственный университет им. Н. И. Лобачевского |