621.38 Б 269 Барыбин, А. А. Анализ параметрического взаимодействия волн пространственного заряда в тонкопленочных полупроводниковых структурах асимметричного типа на основе арсенида галлия n-типа [Текст] / А. А. Барыбин, А. И. Михайлов // Журнал технической физики. - 2003. - Т.73,N6. - Библиогр.: 22 назв. . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Радиоэлектроника--Электроника Кл.слова (ненормированные): арсенид галлия -- волны пространственного заряда -- параметрическое взаимодействие волн -- тонкие пленки -- тонкопленочные полупроводниковые структуры Аннотация: На основе общей теории, ранее разработанной авторами, проведен анализ параметрического взаимодействия волн пространственного заряда в тонкопленочных полупроводниковых структурах с отрицательной дифференциальной проводимостью в приближении жесткой границы дрейфового потока носителей заряда при условии, что частота низкочастотной накачки равна граничной частоте f[c] усиливаемых волн (в рассматриваемом случае f[c] около 30 GHz). Для структур асимметричного типа общая многомодовая система связанных уравнений сведена к двум дифференциальным уравнениям относительно амплитуд возбуждения основной моды волн пространственного заряда на частоте сигнала omegas и холостой частоте omega[i]=omega[s]-omega[p]. Полученные уравнения численно решены на основе арсенида галлия n-типа. Приводятся результаты анализа полученного решения Доп.точки доступа: Михайлов, А.И. |
621.315.592 А 852 Арсентьев, И. Н. Морфология поверхности автоэпитаксиальных слоев на пористых подложках InP и вольтамперные характеристики диодов Шоттки на их основе [Текст] / И. Н. Арсентьев, М. В. Байдакова [и др.] // Физика и химия обработки материалов. - 2008. - N 2. - С. 43-47 . - ISSN 0015-3214
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): автоэпитаксиальные пленки -- полупроводниковые структуры -- тонкопленочные полупроводниковые структуры -- пористые подложки -- стандартные подложки -- безбуферные подложки -- подложки с буфером -- диоды Шоттки -- Шоттки диоды -- эпитаксиальные слои Аннотация: Изучена морфология поверхности автоэпитаксиальных пленок n-InP, выращенных на пористых и стандартных "жестких" подложках n{+}-InP ( 100) с буферным слоем и без него. Доп.точки доступа: Байдакова, М. В.; Бобыль, А. В.; Конников, С. Г.; Ситникова, А. А.; Улин, В. П.; Болтовец, Н. С.; Иванов, В. Н.; Беляев, А. Е.; Камаилов, А. Б.; Конакова, Р. В.; Кудрик, Я. Я.; Литвин, О. С.; Миленин, В. В. |