539.2 Л 363 Левин, М. Н. Активация поверхности полупроводников воздействием импульсного магнитного поля [Текст] / М. Н. Левин, А. В. Татаринцев, О. А. Косцова, А. М. Косцов // Журнал технической физики. - 2003. - Т.73,N10. - Библиогр.: 7 назв. . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): адсорбция -- активация поверхности -- арсенид галлия -- германий -- импульсное магнитное поле -- кремний -- магнитоиндуцированная активация поверхности -- поверхность полупроводников Аннотация: Впервые показана возможность активации поверхности полупроводников, проявляющейся в долговременном изменении адсорбционной способности в результате кратковременного воздействия импульсного магнитного поля. Магнитоиндуцированная активация поверхности исследована на кристаллах кремния, германия и арсенида галлия. Обнаруженный эффект расширяет возможности технологических процессов формирования на поверхности полупроводниковых кристаллов тонких пленок. Доп.точки доступа: Татаринцев, А.В.; Косцова, О.А.; Косцов, А.М. |
621.38 К 859 Крячко, В. В. Бесконтактный метод исследования зарядового состояния границы раздела полупроводник-диэлектрик [Текст] / В. В. Крячко, М. Н. Левин, А. В. Татаринцев, Е. Н. Бормонтов // Журнал технической физики. - 2004. - Т. 74, N 10. - Библиогр.: c. 133 (10 назв. ) . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Радиоэлектроника--Электроника Кл.слова (ненормированные): бесконтактные методы исследований -- зарядовое состояние границы -- контактная разность потенциалов Аннотация: Представлен метод исследования зарядового состояния границы раздела полупроводник-диэлектрик по измерению контактной разности потенциалов между поверхностью диэлектрической пленки и вибрирующим зондом, в котором поверхностный электростатический потенциал варьируется изменением заряда на внешней поверхности диэлектрика. Величина заряда задается временем выдержки структуры в коронном разряде. Приведены результаты использования метода при исследовании воздействия на систему кремний-диоксид кремния радиации и импульсных магнитных полей. Перейти: http://www.ioffe.ru/journals/jtf/2004/10/page-128.html.ru Доп.точки доступа: Левин, М. Н.; Татаринцев, А. В.; Бормонтов, Е. Н. |
Бормонтов, Е. Н. Теория планарно-неоднородного МОП транзистора в области слабой инверсии. Методика определения поверхностных параметров [Текст] / Е. Н. Бормонтов, М. Н. Левин, С. А. Вялых, С. Н. Борисов // Журнал технической физики. - 2001. - Т.71,N2. - Библиогр.: с. 66 (19 назв.) . - ISSN 0044-4642 Рубрики: Радиоэлектроника--Электроника Кл.слова (ненормированные): МОП -- транзистор -- вольт-амперные характеристики -- поверхностные состояния -- эффективный заряд окисла Аннотация: Представлена модификация известной модели вольт-амперных характеристик Оверстратена и др. [1] для МОП транзистора в области слабой инверсии, учитывающая планарную неоднородность поверхностного потенциала полупроводника. Предложена простая и удобная методика определения спектральной плотности поверхностных состояний и флуктуационного параметра по выходным (сток-стоковым) и передаточным (сток-затворным) однопороговым вольт-амперным характеристикам. Дополнительное измерение порогового напряжения МОП транзистора дает возможность рассчитать эффективный заряд окисла. Методика позволяет определять указанные поверхностные параметры МОП транзисторов с достаточно хорошей точностью и удобна для текстового конторля интегральных микросхем Доп.точки доступа: Левин, М.Н.; Вялых, С.А.; Борисов, С.Н. |
Левин, М. Н. Анализ распределения заряда в диэлектрике МДП структуры по спектральным зависимотям фотоэмиссионного тока [Текст] / М. Н. Левин, Е. Н. Бормонтов [и др.] // Журнал технической физики. - 2001. - Т.71,N3. - Библиогр.: с. 51 (9 назв.) . - ISSN 0044-4642 Рубрики: Радиоэлектроника--Электроника Кл.слова (ненормированные): МДП -- фотоэмиссионные токи -- спектральные зависимости -- потенциальный барьер -- объемный заряд Аннотация: Рассмотрена полевая зависимость фотоэмиссионных токов в МДП структуре при произвольном распределении объемного заряда по толщине диэлектрического слоя. Аналитически установлено, что положение вершины потенциального барьера для фотоэммитируемых из затвора в диэлектрик МДП структуры электронов определяется производной высоты этого барьера по напряженности внешнего поля. Предложен метод корректного определения профиля объемной плотности заряда в диэлектрике МДП структуры по семейству спектральных характеристик, измеренных при различных напряжениях на затворе. Метод эффективен при исследовании распределения отрицательного заряда в диэлектрических слоях МДП структур Доп.точки доступа: Бормонтов, Е.Н.; Волков, О.В.; Остроухов, С.С.; Татаринцев, А.В. |
537 К 130 Каданцев, А. В. Автоматизированная установка для емкостной спектроскопии полупроводников [Текст] / А. В. Каданцев, Г. И. Котов [и др.] // Приборы и техника эксперимента. - 2004. - N 6. - Библиогр.: с. 139 (1 назв. ) . - ISSN 0032-8162
Рубрики: Физика--Электричество и магнетизм Кл.слова (ненормированные): спектроскопия -- полупроводники -- автогенераторы -- импульсы -- частотомеры -- автоматизированные установки Аннотация: Установка предназначена для исследования полупроводниковых материалов методом нестационарной спектроскопии глубоких уровней. Доп.точки доступа: Котов, Г. И.; Левин, М. Н.; Татаринцев, А. В.; Шлык, Ю. К. |
539.2 Б 44 Белявский, В. И. Магнонный механизм реакций дефектов в твердых телах [Текст] / В. И. Белявский, Ю. В. Иванков, М. Н. Левин // Физика твердого тела. - 2006. - Т. 48, N 7. - С. 1255-1259. - Библиогр.: с. 1259 (17 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): возбуждения кристалла; магнитная обработка; магнонный механизм реакций дефектов; твердые тела; феноменологическая теория Аннотация: Предложена феноменологическая теория, позволяющая описать влияние магнитного поля на реакции дефектов в твердых телах. Феноменология описана на концепции решеточного магнетизма, допускающей возникновение индуцированной дефектом магнитоактивной (магнонной) ветви в спектре элементарных возбуждений кристалла, не обладающего магнитной структурой в отсутствие дефектов. В рамках механизма реакции вычислена вероятность распада дефектного комплекса в магнитном поле. Доп.точки доступа: Иванков, Ю. В.; Левин, М. Н. |
53.07 Л 363 Левин, М. Н. Устройство одноосевого сжатия для определения симметрии дефектов полупроводниковых кристаллов [Текст] / М. Н. Левин, А. В. Татаринцев [и др.] // Приборы и техника эксперимента. - 2008. - N 4. - С. 166-167. - Библиогр.: с. 167 (3 назв. ) . - ISSN 0032-8162
Рубрики: Физика Физические приборы и методы физического эксперимента Кл.слова (ненормированные): полупроводниковые кристаллы -- одноосевое сжатие -- дефекты кристаллов -- мартенситное превращение -- преобразование Лапласа -- Лапласа преобразование Аннотация: Разработано устройство одноосевого сжатия для определения симметрии дефектов полупроводниковых кристаллов. Доп.точки доступа: Татаринцев, А. В.; Каданцев, А. В.; Ахкубеков, А. Э.; Василенко, А. Ю. |
Левин, М. Н. Метод Laplace-DLTS с выбором параметра регуляризации по L-кривой [Текст] / М. Н. Левин, А. В. Татаринцев, А. Э. Ахкубеков // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып: вып. 5. - С. 613-616
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): полупроводники -- запрещенная зона -- глубокие уровни -- дефекты -- параметр регуляризации Аннотация: Метод DLTS (Deep Level Transient Spectroscopy) является одним из основных методов, широко используемых для определения параметров дефектов, приводящх к возникновению глубоких уровней в запрещенной зоне полупроводникового материала. Предложено использовать подход L-кривой при выборе параметра регуляризации в методе Laplace-DLTS для исключения некотролируемых ошибок и повышения достоверности получаемых результатов. Возможности метода продемонстрированы численным анализом модельного релаксационного сигнала, содержащего 3 экспоненты с близкими значениями показателей и малую шумовую составляющую. Показано, что предложенный вариант Laplace-DLTS с использованием L-кривой для выбора параметра регуляризации или LL-DLTS обладает большей надежностью по сравнению с методом Laplace-DLTS с выбором параметра регуляризации по невязке. Доп.точки доступа: Татаринцев, А. В.; Ахкубеков, А. Э. |
Методика определения параметров радиационных дефектов и прогноза радиационной стойкости МОП-транзисторов [Текст] / М. Н. Левин [и др. ] // Письма в "Журнал технической физики". - 2010. - Т. 36, вып: вып. 15. - С. 38-44 : ил. - Библиогр.: с. 44 (6 назв. ) . - ISSN 0320-0116
Рубрики: Радиоэлектроника Полупроводниковые приборы Кл.слова (ненормированные): транзисторы -- МОП-транзисторы -- металл-окисел-полупроводник -- радиационная стойкость -- радиационные дефекты -- определение параметров -- радиационно-индуцированные заряды -- эффекты образования заряда -- окислы -- металлы -- полупроводники -- поверхностные состояния -- релаксационные процессы -- туннельная разрядка -- термическая разрядка -- дозовые зависимости -- мощность радиации -- температурно-временные зависимости -- пороговые напряжения -- релаксация напряжения -- излучение -- низкоинтенсивная радиация Аннотация: Представлен анализ радиационной стойкости МОП-транзисторов, учитывающий как эффекты образования радиационно-индуцированного заряда в объеме окисла и на поверхностных состояниях, так и релаксационные процессы термической и туннельной разрядки накопленного заряда. Методика прогнозирования радиационной стойкости включает процедуру определения параметров радиационных дефектов из экспериментальной дозовой зависимости, полученной при большой мощности радиации, и температурно-временных зависимостей релаксации порогового напряжения. Установленные параметры позволяют предсказать поведение МОП-транзистора под воздействием излучения любой мощности, включая низкоинтенсивную радиацию. Доп.точки доступа: Левин, М. Н.; Бондаренко, Е. В.; Бормонтов, А. Е.; Татаринцев, А. В.; Гитлин, В. Р. |
Релаксационная спектроскопия глубоких уровней в полупроводниках методом LAPLACE-DLTS [Текст] / М. Н. Левин [и др. ] // Письма в "Журнал технической физики". - 2010. - Т. 36, вып: вып. 21. - С. 61-69 : ил. - Библиогр.: с. 69 (12 назв. ) . - ISSN 0320-0116
Рубрики: Физика Физика полупроводников и диэлектриков Спектроскопия Кл.слова (ненормированные): релаксационная спектроскопия -- полупроводники -- метод LAPLACE-DLTS -- метод DLTS -- локализация заряда -- электрически активные центры -- преобразования Лапласа -- Лапласа преобразования -- обратные преобразования -- параметры центров -- коэффициенты эмиссии Аннотация: Метод DLTS является одним из основных при определении параметров электрически активных центров локализации заряда в полупроводниках. С целью повышения точности и адекватности получаемых результатов в работе предложен метод, основанный на применении обратного преобразования Лапласа. Показано, что использование этого метода позволяет определять параметры центров, имеющих близкие значения коэффициентов эмиссии, что невозможно при использовании традиционного метода DLTS. Доп.точки доступа: Левин, М. Н.; Бормонтов, А. Е.; Ахкубеков, А. Э.; Татохин, Е. А. |
539.143:621.382 Л 363 Левин, М. Н. Определение симметрии радиационных дефектов высокоразрешающим методом Laplase-DLTS [Текст] / М. Н. Левин, А. Э. Ахкубеков, А. В. Татаринцев // Известия РАН. Серия физическая. - 2008. - Т. 72, N 11. - С. 1671-1675. - Библиогр.: c. 1675 (15 назв. ) . - ISSN 0367-6765
Рубрики: Физика Атомное ядро Кл.слова (ненормированные): метод Laplase-DLTS -- параметры регуляризации -- радиационные дефекты -- глубокие уровни -- метод L-кривой -- спектры Laplase-DLTS -- симметрия дефекта -- расчетные данные Аннотация: Впервые показано, что использование подхода L-кривой для выбора параметра регуляризации в методе Laplase-DLTS существенно повышает достоверность получаемых результатов. Доп.точки доступа: Ахкубеков, А. Э.; Татаринцев, А. В. |
541.124 В 586 Влияние слабых магнитных полей на реакции радикальных пар [Текст] / М. Н. Левин [и др.] // Известия РАН. Серия физическая. - 2009. - Т. 73, N 2. - С. 249-252. - Библиогр.: c. 252 (6 назв. ) . - ISSN 0367-6765
Рубрики: Химия Физическая химия в целом Физика Общие вопросы физики Кл.слова (ненормированные): радикальные пары -- спиновые состояния -- сверхтонкое взаимодействие -- уравнение Лиувилля -- Лиувилля уравнение -- внешние магнитные поля -- временные зависимости -- расчетные данные Аннотация: Расчитаны временные зависимости заселенностей спиновых состояний радикальной пары и амплитуды переходов между ними для постоянного и импульсного магнитных полей с учетом сверхтонкого взаимодействия. Доп.точки доступа: Левин, М. Н.; Иванков, Ю. В.; Иванкова, Е. Ю.; Иванова, О. А. |
539.043:621.382 М 744 Моделирование воздействия ионизирующих излучений низкой интенсивности на МОП-элементы интегральных схем [Текст] / М. Н. Левин [и др.] // Известия РАН. Серия физическая. - 2009. - Т. 73, N 2. - С. 264-267. - Библиогр.: c. 267 (6 назв. ) . - ISSN 0367-6765
Рубрики: Физика Общие вопросы физики Кл.слова (ненормированные): ионизирующее излучение -- МОП-элементы -- космическое излучение -- туннелирование -- термоэмиссия -- радиационная стойкость -- радиационные заряды -- релаксация Аннотация: Предложена методика прогноза радиационной стойкости МОП ИС к воздействию низкоинтенсивного космического излучения, основанная на анализе отклика структуры к воздействию радиации большой мощности дозы и на решения системы уравнений, описывающей процессы накопления радиационного заряда в подзатворном окисле структуры poly-Si-SiO[2] (P) -Si и его релаксация за счет туннелирования и термоэмиссии. Доп.точки доступа: Левин, М. Н.; Бондаренко, Е. В.; Татаринцев, А. В.; Гитлин, В. Р.; Макаренко, В. А. |