Давыдов, С. Ю. О соотношении потенциала ионизации и работы выхода: металлы [Текст] / С. Ю. Давыдов // Журнал технической физики. - 2002. - Т.72,N1. - Библиогр.: с.99 (13 назв.) . - ISSN 0044-4642 Рубрики: Физика--Атомная физика Кл.слова (ненормированные): бинарные сплавы -- ионизация -- металлы -- работа выхода Аннотация: Анализируется связь между энергией ионизации атомов I и работой выхода phi металлов, построенных из этих атомов. Энергия перехода Sigma=I-phi представляется в виде суммы кинетической K и кулоновской C составляющих. Вклад K рассчитывается в рамках модели однородного газа квазисвободных электронов, затем C определяется по экспериментальным значениям Sigma. Расчеты, проведенные для широкого круга металлов, показали, что безразмерные коэффициенты, определяющие величину кулоновского вклада C, мало отличаются для различных групп металлов. Полученные соотношения применены к описанию работы выхода бинарных сплавов |
Давыдов, С. Ю. Влияние адсорбции атомов щелочных металлов на работу выхода рутила [Текст] / С. Ю. Давыдов, И. В. Носков // Журнал технической физики. - 2002. - Т.72,N11. - Библиогр.: с.139 (17 назв.) . - ISSN 0044-4642 Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): адсорбция -- работа выхода -- рутил -- щелочные металлы Аннотация: В рамках модели, учитывающей диполь-дипольное отталкивание адатомов и металлизацию адсорбированного слоя, проведен расчет изменения работы выхода Delta phi вследствие адсорбции на поверхности TiO2 атомов Na, K и Cs. Результаты расчета хорошо согласуются с данными эксперимента Доп.точки доступа: Носков, И.В. |
539.2 Д 138 Давыдов, С. Ю. Адсорбция атомов щелочных металлов на поверхности арсенида галлия: изменение работы выхода [Текст] / С. Ю. Давыдов, А. В. Павлык // Журнал технической физики. - 2004. - Т. 74, N 4. - Библиогр.: c. 100-101 (16 назв. ) . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): адсорбция -- арсенид галлия -- работа выхода -- щелочные металлы Аннотация: В рамках простой модели рассчитано изменение работы выхода при адсорбции атомов Cs на поверхности (100) и K, Rb и Cs на поверхности (110) GaAs. Модель включает как диполь-дипольное взаимодействие адатомов, так и уширение их квазиуровней за счет обменных эффектов. Результаты расчета хорошо согласуются с данными эксперимента. Перейти: http: //www. ioffe. ru/journals/jtf/2004/04/page-98. html. ru Доп.точки доступа: Павлык, А. В. |
539.2 Д 138 Давыдов, С. Ю. Адсорбция щелочных металлов на поверхности (100) кремния: расчет заряда адатомов и работы выхода [Текст] / С. Ю. Давыдов, А. В. Павлык // Журнал технической физики. - 2004. - Т. 74, N 8. - Библиогр.: c. 98-99 (30 назв. ) . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): адатомы -- адсорбция -- кремний -- работа выхода -- щелочные металлы Аннотация: В рамках модели, учитывающей диполь-дипольное отталкивание адатомов и металлизацию адсорбированного слоя, проведен расчет заряда адатомов и изменения работы выхода Deltaphi при нанесении на поверхности (100) кремния субмонослойных пленок щелочных металлов. Достигнуто хорошее согласие с данными эксперимента. Проанализировано изменение параметров модели в ряду Li->Cs. Перейти: http://www.ioffe.ru/journals/jtf/2004/08/page-95.html.ru Доп.точки доступа: Павлык, А. В. |
539.2 Д 13 Давыдов, С. Ю. Простые модели адсорбции водорода на германии [] / С. Ю. Давыдов // Журнал технической физики. - 2005. - Т. 75, N 1. - С. 112-114. - Библиогр.: c. 114 (12 назв. ) . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): адсорбция; водород; германий; диполь-дипольное взаимодействие Аннотация: В рамках простых моделей с учетом диполь-дипольного взаимодействия адатомов водорода рассчитана зависимость изменения работы выхода Deltaphi от степени покрытия Theta поверхностей (100) и (111) германия. Показано, что в случае Ge (111) для объяснения экспериментально наблюдаемой зависимости Deltaphi (Theta) необходим учет увеличения длины адсорбционной связи с ростом Theta. Рассчитан также заряд адатомов в функции от Theta и оценено изменение поверхностной проводимости подложки. Перейти: http://www.ioffe.rssi.ru/journals/jtf/2005/01/page-112.html.ru |
539.2 Д 13 Давыдов, С. Ю. Адсорбция атомов водорода на кремнии [] / С. Ю. Давыдов // Журнал технической физики. - 2005. - Т. 75, N 1. - С. 141-142. - Библиогр.: c. 141 (8 назв. ) . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): адсорбция; водород; диполь-дипольное взаимодействие; кремний Аннотация: В рамках модели, учитывающей наряду с диполь-дипольным взаимодействием адатомов водорода увеличение длины адсорбционной связи с ростом степени покрытия Theta, рассчитано изменение работы выхода Deltaphi (Theta) поверхности (100) кремния. Определена зависимость величины заряда адатомов от Theta и оценено изменение поверхностной проводимости подложки. Перейти: http://www.ioffe.rssi.ru/journals/jtf/2005/01/page-141.html.ru |
539.2 Д 13 Давыдов, С. Ю. О параметрах установки, определяющих скорость роста эпитаксиальных слоев карбида кремния в вакууме [] / С. Ю. Давыдов, А. А. Лебедев, Н. С. Савкина, А. А. Волкова // Журнал технической физики. - 2005. - Т. 75, N 4. - С. 114-117. - Библиогр.: c. 117 (9 назв. ) . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): карбид кремния; скорость роста пленок; эпитаксиальные слои; эпитаксиальный рост пленок Аннотация: Обобщение модели, развитой в [5], позволило рассмотреть влияние геометрии ростовой ячейки, градиентов температуры и давления на скорость роста эпитаксиальных слоев SiC в вакууме. Обсуждаются полученные экспериментальные данные по зависимости температуры подложки от тока в индукционной катушке для различных положений ячейки относительно индуктора. Перейти: http://www.ioffe.rssi.ru/journals/jtf/2005/04/page-114.html.ru Доп.точки доступа: Лебедев, А. А.; Савкина, Н. С.; Волкова, А. А. |
539.2 Д 13 Давыдов, С. Ю. Влияние адсорбции атомов VI группы на работу выхода кремния [] / С. Ю. Давыдов // Физика твердого тела. - 2005. - Т. 47, N 9. - С. 1711-1714. - Библиогр.: с. 1714 (22 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): S/Si[100]; Se/Si[111]; адсорбционные связи; адсорбция; адсорбция атома; кремний; метод связывающих орбиталей; работа выхода систем; селен; сера; теллур; энергии адсорбционных связей Аннотация: Предложена модель адсорбции атомов S, Se, Te на кремнии, с помощью которой удалось вполне адекватно описать изменения работы выхода систем S/Si[100] и Se/Si[111] в диапазоне покрытий от нулевого до монослойного. Методом связывающих орбиталей оценены энергии адсорбционной связи S-Si, Se-Si, Te-Si. |
539.2 Д 13 Давыдов, С. Ю. Политипизм карбида кремния и барьеры Шоттки [Текст] / С. Ю. Давыдов, авт. О. В. Посредник // Физика твердого тела. - 2006. - Т. 48, N 2. - С. 218-219. - Библиогр.: с. 219 (9 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): барьеры Шоттки; гетеропереходы; двухзонные модели; карбид кремния; политипизм карбида кремния; Шоттрки барьеры Аннотация: Исследованы гетеропереходы, образованные различными политипами SiC. Полученная из данных по барьерам Шоттки зависимость уровня вакансий в политипе от ширины его запрещенной зоны объяснена в рамках простой двухзонной модели. Доп.точки доступа: Посредник, О. В. |
539.2 Д 13 Давыдов, С. Ю. К расчету величины спонтанной поляризации политипа 2H-SiC [Текст] / С. Ю. Давыдов // Физика твердого тела. - 2006. - Т. 48, N 8. - С. 1407-1409. - Библиогр.: с. 1409 (15 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): метод псевдопотенциала; метод связывающих орбиталей Харрисона; спонтанная поляризация; тетраэдрические кристаллы; Харрисона связывающих орбиталей метод Аннотация: В рамках метода связывающих орбиталей Харрисона для гексагонального 2H-политипа SiC предложено выражение для дипольного момента тетраэдрической связи, позволившее получить значение поляризации, вполне удовлетворительно согласующееся с результатами предшествующих расчетов методом псевдопотенциала. |
539.2 Д 13 Давыдов, С. Ю. К расчету линейной и квадратичной диэлектрических восприимчивостей гексагонального карбида кремния [Текст] / С. Ю. Давыдов // Физика твердого тела. - 2006. - Т. 48, N 10. - С. 1748-1750. - Библиогр.: с. 1749-1750 (15 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): гексагональный карбид кремния; карбид кремния; квадратичная диэлектрическая восприимчивость; линейная диэлектрическая восприимчивость; метод связывающих орбиталей Харрисона; решеточные вклады; Хариссона орбиталей связывающих метод; электронные вклады Аннотация: В рамках метода связывающих орбиталей Харрисона вычислены электронные и решеточные вклады в линейную и квадратичную восприимчивость гексагонального политипа карбида кремния 2H-SiC. Полученные результаты удовлетворительно согласуются с расчетами других авторов и по порядку величины вблизи к соответствующим значениям для политипа 2H-SiC. |
539.19 Д 13 Давыдов, С. Ю. Адсорбция молекул кислорода и окиси углерода на диоксиде олова [Текст] / С. Ю. Давыдов, В. А. Мошников, А. А. Федотов // Журнал технической физики. - 2006. - Т. 76, N 1. - С. 141-142. - Библиогр.: c. 142 (8 назв. ) . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Физика--Молекулярная физика Кл.слова (ненормированные): адсорбция; адсорбция газов; диоксид олова; кислород; окись углерода; поверхностная проводимость Аннотация: В рамках предложенной ранее модели [3] адсорбция газов на полупроводниковых оксидах рассматривается влияние кислорода и углекислого газа на поверностную проводимость SnO[2]. Проведен расчет изменения работы выхода адсорбционной системы. Перейти: http://www.ioffe.rssi.ru/journals/jtf/2006/01/p141-142.pdf Доп.точки доступа: Мошников, В. А.; Федотов, А. А. |
539.2 Д 13 Давыдов, С. Ю. Об оценках заряда изолированного адатома [Текст] / С. Ю. Давыдов, авт. А. В. Павлык // Журнал технической физики. - 2006. - Т. 76, N 2. - С. 141-142. - Библиогр.: c. 142 (10 назв. ) . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): адатомы; адсорбция; заряд атома; изолированные адатомы; орбитали Харрисона; работа выхода; харрисона орбитали Аннотация: Методом связывающих орбиталей Харрисона в рамках модели поверхностной молекулы расчитаны значения заряда изолированного адатома Z[0] и сопоставлены с величинами Z[0], полученными нами ранее [2, 3] из зависимости работы выхода адсорбционной системы от поверхностной концентрации адатомов. Перейти: http://www.ioffe.rssi.ru/journals/jtf/2006/02/p141-142.pdf Доп.точки доступа: Павлык, А. В. |
621.3 Д 138 Давыдов, С. Ю. Кинетика вакансий в процессе гетерополитипной эпитаксии SiC [Текст] / С. Ю. Давыдов, авт. А. А. Лебедев // Физика и техника полупроводников. - 2007. - Т. 41, Вып. 6. - С. 641-644 . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика--Электротехника Кл.слова (ненормированные): карбид кремния -- политипы карбида кремния -- кинетика вакансий -- гетерополитипная эпитаксия Аннотация: Предложена модель трансформации политипов SiC в процессе роста эпитаксиального слоя, основанная на изменении во времени концентрации углеродных и кремниевых вакансий в переходном слое, в рамках которой получено соотношение между их временами жизни. Доп.точки доступа: Лебедев, А. А. |
621.3 Д 138 Давыдов, С. Ю. Об электронном сродстве политипов карбида кремния [Текст] / С. Ю. Давыдов // Физика и техника полупроводников. - 2007. - Т. 41, Вып. 6. - С. 718-720 . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика--Электротехника Кл.слова (ненормированные): карбид кремния -- политипы карбила кремния -- электронное сродство политипов -- гетеропереходы Аннотация: Значения электронного сродства рассчитаны двумя различными способами с помощью представления разрывов зон в гетеропереходах, образованных контактом 3C-SiC с некубическим политипом, в виде линейных функций от степени гексагональности. |
539.2 Д 138 Давыдов, С. Ю. Оценки величины спонтанной поляризации в карбиде кремния [Текст] / С. Ю. Давыдов, авт. А. В. Трошин // Физика твердого тела. - 2007. - Т. 49, N 4. - С. 723-724. - Библиогр.: с. 724 (13 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): карбид кремния; поляризация; спонтанная поляризация Аннотация: Обсуждаются различные подходы к расчету величины спонтанной поляризации P[sp] для различных политипов карбида кремния. Приведенные оценки наряду с данными других авторов показывают значительный разброс значений P[sp] для политипа 2H-SiC от - 1. 11 до 4. 32 x 10{-2} C/m{2}. Сделан вывод о необходимости дальнейших исследований. Доп.точки доступа: Трошин, А. В. |
621.3 Д 138 Давыдов, С. Ю. Роль спонтанной поляризации в формировании гетеропереходов на основе политипов карбида кремния [Текст] / С. Ю. Давыдов, А. А. Лебедев, А. В. Трошин // Физика и техника полупроводников. - 2007. - Т. 41, Вып. 3. - С. 307-311 . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика--Электротехника Кл.слова (ненормированные): гетеропереходы -- спонтанная поляризация -- поляризация -- карбид кремния -- политипы карбида кремния -- уравнение Пуассона -- Пуассона уравнение Аннотация: В рамках модели истощенного контактного слоя рассмотрено решение уравнения Пуассона для гетероперехода, одним из компонентов которого является некубический политип карбида кремния, обладающй спонтанной поляризацией P[sp]. Показано, что учет P[sp] приводит к уширению областей объемного заряда. Установлено, что модельным объектом для исследования влияния спонтанной поляризации на свойства гетеропереходов SiC может служить изотипный p-p-переход с квантовой ямой в валентной зоне области 3C-политипа на контакте с H-политипом SiC. В модели треугольной потенциальной ямы продемонстрирована возможность заметного влияния P[sp] на энергию основного состояния электрона в яме. Доп.точки доступа: Лебедев, А. А.; Трошин, А. В. |
539.2 Д 138 Давыдов, С. Ю. Пиннинг уровня Ферми, вызванный адсорбцией [Текст] / С. Ю. Давыдов, авт. С. В. Трошин // Физика твердого тела. - 2008. - Т. 50, вып. 3. - С. 397-401. - Библиогр.: с. 400-401 (34 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): пиннинг -- пиннинг уровня Ферми -- адсорбция Андерсона-Ньюнса -- Андерсона-Ньюнса адсорбция Аннотация: Показано, что наведенный адсорбцией пиннинг уровня Ферми имеет место при степенях покрытия тета, соответствующих мелкому экстремуму или насыщению работы выхода системы. В рамках модифицированной модели Андерсона-Ньюнса получены уравнения для определения тета. Приведен анализ экспериментальных данных по адсорбции атомов щелочных, щелочно-земельных (Ba) и редкоземельных металлов и водорода на полупроводниках (кремнии, арсениде галлия и диоксиде титана). Сделаны оценки положения уровня ферми на поверхности полупроводника. Доп.точки доступа: Трошин, С. В. |
539.2 Д 138 Давыдов, С. Ю. Адсорбция на металлах и полупроводниках: модели Андерсона-Ньюнса и Халдейна-Андерсона [Текст] / С. Ю. Давыдов, авт. С. В. Трошин // Физика твердого тела. - 2007. - Т. 49, вып. 8. - С. 1508-1513. - Библиогр.: с. 1512-1513 (28 назв. ) . - ISSN 0367-3294
Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): адсорбция на металлах; адсорбция на полупроводниках; Андерсона-Ньюнса модель; металлические подложки; модель Андерсона-Ньюнса; полупровдниковые подложки; Халдейна-Андерсона модель; Халдейна-Андерсона модель Аннотация: Приведен сравнительный анализ моделей Андерсона-Ньюнса и Халдейна-Андерсона при описании адсорбции атомов (молекул) на металлических и полупроводниковых подложках. Выявлены общие черты моделей и их различия. Рассмотрена адсорбция как изолированного адатома, так и субмонослойной пленки. Обсуждается влияние различных каналов взаимодействия адатомов на их электронную структуру и работу выхода адсорбционной системы. Доп.точки доступа: Трошин, С. В. |
Давыдов, С. Ю. Об адсорбции на поликристаллических подложках [Текст] / С. Ю. Давыдов, С. В. Трошин // Журнал технической физики. - 2008. - Т. 78, N 5. - С. 134-137. - Библиогр.: c. 137 (20 назв. ) . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): адсорбция -- модель Андерсона-Ньюнса -- Андерсона-Ньюнса модель -- поликристаллические подложки Аннотация: В рамках модели Андерсона-Ньюнса рассмотрено влияние поликристалличности подложки на заряд адатомов и работу выхода. Поликристалличность характеризуется отклонением работы выхода i-й грани delta*phi[i] от среднего значения Доп.точки доступа: Трошин, С. В. |