Кузьменко, Р. В. Комбинированные фотоотражательные/фотолюминесцентные измерения для исследования стабильности пассивации поверхности полупроводника [Текст] / Р. В. Кузьменко, А. В. Ганжа, Э. П. Домашевская, П. В. Рясной // Журнал технической физики. - 2002. - Т.72,N2. - Библиогр.: с.86-87 (15 назв.) . - ISSN 0044-4642 Рубрики: Физика--Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): арсенид галлия -- лазерное излучение -- пассивация поверхности -- фотолюминесценция -- фотоотражение Аннотация: Для исследования стабильности пассивации поверхности полупроводника впервые предлагается методика комбинированных фотоотражательных/фотолюминесцентных измерений, позволяющая изучить воздействие лазерного излучения и на заряженные, и на рекомбинационно-активные электронные состояния. Эффективность методики демонстрируется на примере пассивированных селеном подложек GaAs Доп.точки доступа: Ганжа, А.В.; Домашевская, Э.П.; Рясной, П.В. |
53 С 674 Сотников, А. Е. Универсальный волоконно-оптический спектроскоп для исследования модуляционного отражения от полупроводниковых структур [Текст] / А. Е. Сотников, М. А. Черников, О. А. Рябушкин // Приборы и техника эксперимента. - 2004. - N 5. - Библиогр.: с. 99 (17 назв. ) . - ISSN 0032-8162
Рубрики: Физика--Общие вопросы физики Кл.слова (ненормированные): модуляционная спектроскопия -- волоконно-оптические устройства -- спектроскопы -- отражение -- фотоотражение -- электроотражение -- полупроводники Аннотация: Разработан универсальный волоконно-оптический спектроскоп, позволяющий исследовать современные полупроводниковые структуры различными методами модуляционного отражения света. Доп.точки доступа: Черников, М. А.; Рябушкин, О. А. |
535 А 18 Авакянц, Л. П. Автоматизированная установка для регистрации спектров фотоотражения с использованием двойного монохроматора [] / Л. П. Авакянц, П. Ю. Боков, А. В. Червяков // Журнал технической физики. - 2005. - Т. 75, N 10. - С. 66-68. - Библиогр.: c. 68 (6 назв. ) . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Физика--Оптика Кл.слова (ненормированные): автоматизация экспериментов; автоматизированные установки; бесконтактные методы; двойные монохроматоры; регистрация спектров; сверхрешетки; фотоотражение Аннотация: Разработана и создана экспериментальная установка для исследования полупроводниковых структур методом спектроскопии фотоотражения. Предложенная оптическая схема на базе двойного монохроматора позволяет уменьшить неконтролируемый разогрев образца и связанный с фотогенерацией носителей изгиб зон, что дает возможность проводить регистрацию спектров фотоотражения с минимальным воздействием модулирующего и зондирующего излучений на образец. Преимущества экспериментальной установки позволили получить при комнатной температуре спектры фотоотражения в сверхрешетках на основе GaAs/GaAsP и определить энергии межзонных переходов и скачок потенциала в зоне проводимости указанных сверхрешеток. Перейти: http://www.ioffe.ru/journals/jtf/2005/10/page-66.html.ru Доп.точки доступа: Боков, П. Ю.; Червяков, А. В. |
Кузьменко, Р. В. Исследование воздействия плотности лазерного возбуждения на среднеполевую электромодуляционную компоненту E[0]-сигнала фотоотражения GaAs [Текст] / Р. В. Кузьменко, Ганжа А. В. , Э. П. Домашевская // Известия вузов. Физика. - 2002. - Т. 45, N 4. - С. 74-81. - Библиогр.: с. 81 (19 назв. ) . - ISSN 0021-3411
Физика твердого тела Кл.слова (ненормированные): арсенид галлия -- лазерное излучение -- фотоотражение Аннотация: Исследуется влияние плотности лазерного возбуждения L на величину А и характеристическую временную постоянную тау среднеполевой электромодуляционной компоненты спектров фотоотражения, измеряемых в области фундаментального перехода E[0] GaAs. Серии измерений проводились в области значений L=100мкВт/см{2}-1Вт/см{2} на кристаллических образцах с концентрацией носителей заряда n~10{16}см{-3}. Для всех исследованных образцов обнаружена логарифмическая зависимость величины электромодуляционного сигнала от плотности лазерного возбуждения. Установлено, что наблюдаемое изменение характеристической временной постоянной тау не оказывает какого-либо заметного влияния на ход зависимости A (L). Доп.точки доступа: Ганжа А. В.; Домашевская, Э. П. |
535.2/.3 Г 901 Грузинцев, А. Н. Исследование фотомодулированного отражения монокристаллов 6H-SiC / А. Н. Грузинцев // Физика и техника полупроводников. - 2013. - Т. 47, вып. 4. - С. 442-446 : ил. - Библиогр.: с. 446 (9 назв.) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Физика Физическая оптика Кл.слова (ненормированные): монокристаллы -- ультрафиолетовое облучение -- УФ облучение -- карбид кремния -- SiC -- оптическое отражение -- фотоотражение -- электроотражение -- токоотражение -- угол Брюстера -- Брюстера угол -- поляризация света -- поверхностные слои -- показатель преломления -- облучение лазером -- лазерное облучение -- азотные лазеры -- генерация свободных носителей -- неравновесные свободные носители Аннотация: Исследовано влияние ультрафиолетового облучения поверхности монокристаллов карбида кремния (6H-SiC) на их оптическое отражение в видимой и фиолетовой областях спектра. Показано, что сигнал фотоотражения максимален при падении света под углом Брюстера с поляризацией, параллельной плоскости падения. Установлено относительное изменение показателя преломления (10{-3}) поверхностных слоев кристалла при облучении азотным лазером, обусловленное генерацией неравновесных свободных носителей в зоне проводимости материала. The influence of ultraviolet radiation of the silicon carbide monocrystalline surface (6H-SiC) on the its optical reflection in the visible and violet spectrum region is investigated. It was shown, that the photoreflection signal is maximum under the Bruster angle of the reflected light with parallel polarization. The relative change (10{-3}) of refraction index of the crystal surface layers under nitrogen laser beam, related with the generation of the nonequilibrium free carriers in conduction band of material, is determined. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2013/04/p442-446.pdf |
539.21:535 О-627 Оптические свойства слоев CdS(O), ионно-легированных кислородом, с позиции теории антипересекающихся зон / Н. К. Морозова [и др.] ; Национальный исследовательский университет Московский энергетический институт, Национальный исследовательский университет Московский энергетический институт, Национальный исследовательский университет Московский энергетический институт, Институт кристаллографии им. А. В. Шубникова Российской академии наук (Москва) // Физика и техника полупроводников. - 2013. - Т. 47, вып. 8. - С. 1014-1021 : ил. - Библиогр.: с. 1021 (24 назв.) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Физика Оптические свойства твердых тел Кл.слова (ненормированные): оптические свойства -- микрокатодолюминесценция -- МКЛ -- фотоотражение -- катодолюминесценция -- КЛ -- ионно-легирование -- кислород -- легированные слои -- спектры микрокатодолюминесценции -- сульфид кадмия -- стехиометрия подложек -- подложки -- растровая электронная микроскопия -- РЭМ -- радиационный отжиг -- теория антипересекающихся зон -- антипересекающиеся зоны -- наночастицы -- твердые растворы Аннотация: Исследованы спектры микрокатодолюминесценции и фотоотражения слоев CdS (O), ионно-легированных кислородом до 4 x 10{20} см{-3}. Методика съемки спектров микрокатодолюминесценции давала информацию из объема легированного слоя. Получены экситонные спектры микрокатодолюминесценции, которые определяют концентрацию растворенного кислорода в слоях CdS (O) и влияние отклонения от стехиометрии подложек. В режиме катодолюминесценции растрового электронного микроскопа КЛ РЭМ исследована однородность ионно-легированных слоев. Установлено возникновение светящихся участков, которые обязаны полосе ~630 нм. Выяснена причина усиления этой микрокатодолюминесценции при радиационном отжиге и подтверждена ее природа как свечение центров F{+} в CdS. Получены новые результаты по спектрам фотоотражения, которые описывают особенности поведения кислорода как изоэлектронной примеси типа HMAs на поверхности слоев. Показано, что сера полностью связывает и удаляет кислород из CdS (O). Чистый по кислороду CdS остается на поверхности в виде наночастиц, размер которых зависит от концентрации кислорода в слое. Результаты не противоречат теории антипересекающихся зон. In this work were explored microcathodoluminescence (MCL) and photoreflection spectra of CdS (O) layers ion-implanted with oxygen in quantity 4 x 10{20} cm{-3}. The investigation method of MCL spectra gave the information from volume of doped layer. Excitons spectra, which show up concentration of oxygen in CdS (O) layers and influence of deviation from stoichiometry in substrates, were obtained. Homogeneity of implanted layers was investigated in CL SEM. The interdependence between light areas and band MCL ~ 630 nm was revealed. The role of radiation annealing in appearance of this band was cleared and its nature as luminescence F{+} centre CdS was confirmed. New results were obtained by photoreflection spectra, which describe specific features of oxygen, as isoelectronic HMAs impurity, on the surface of layers. It was shown that sulfur completely couple and remove oxygen out of CdS (O). Oxygen-free CdS remain on surface in form of nanoparticles, which size depends on oxygen concentration in volume of CdS (O). Results correspond to band anticrossing theory. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2013/08/p1014-1021.pdf Доп.точки доступа: Морозова, Н. К.; Канахин, А. А.; Мирошникова, И. Н.; Галстян, В. Г.; Национальный исследовательский университет Московский энергетический институт; Национальный исследовательский университет Московский энергетический институт; Национальный исследовательский университет Московский энергетический институт; Институт кристаллографии им. А. В. Шубникова Российской академии наук (Москва) |
535.33 Э 455 Электрофизические и оптические свойства приповерхностных квантовых ям AlGaAs/InGaAs/AlGaAs c различной глубиной залегания / Р. А. Хабибуллин [и др.]. // Физика и техника полупроводников. - 2013. - Т. 47, вып. 9. - С. 1215-1220 : ил. - Библиогр.: с. 1219-1220 (17 назв.) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Физика Спектроскопия Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): электрофизические свойства -- оптические свойства -- молекулярно-лучевая эпитаксия -- МЛЭ -- метод молекулярно-лучевой эпитаксии -- гетероструктуры -- квантовые ямы -- КЯ -- двумерные электроны -- электроны -- спектроскопия фотоотражения -- фотоотражение -- ФО -- спектры фотоотражения -- электрические поля -- напряженность поля -- зонные структуры -- барьерные слои -- фотолюминесценция -- спектры фотолюминесценции -- подвижность электронов -- диффузия -- сегрегация Аннотация: Методом молекулярно-лучевой эпитаксии выращена серия гетероструктур с разной глубиной залегания квантовой ямы и приблизительно одинаковой концентрацией двумерных электронов. На основании данных спектроскопии фотоотражения относительно напряженности встроенного электрического поля в образцах проведен расчет зонной структуры для области квантовой ямы. Обнаружено, что максимальная подвижность двумерных электронов mu[e] достигается в образце с толщиной барьерного слоя L[b]=11 нм. Из спектров фотолюминесценции и расчетов зонной структуры образцов установлено, что при приближении квантовой ямы к поверхности происходит пространственное уширение профиля легирования из-за процессов диффузии и сегрегации. Объяснена немонотонность зависимости mu[e] от глубины залегания квантовой ямы. The series of AlGaAs/InGaAs/AlGaAs heterostructures with different distances between the surface and quantum well and approximately the same concentration of electrons have been grown by means of molecular-beam epitaxy. The built-in electric field was estimated from the photo reflectance data. The band structures of samples under investigation have been calculated. It is established that maximum of carrier mobility mu[e] is achieved in the sample with the barrier thickness L[b] = 11 nm. From the photoluminescence measurements and the band structure calculation it is shown that the broadening of doping profile is connected with the diminution of the distance between the surface and the quantum well due to diffusion and segregation. The non monotonous dependence of mu[e] from the distance between the surface and the quantum well has been explained. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2013/09/p1215-1220.pdf Доп.точки доступа: Хабибуллин, Р. А.; Галиев, Г. Б.; Климов, Е. А.; Пономарев, Д. С.; Васильевский, И. С.; Кульбачинский, В. А.; Боков, П. Ю.; Авакянц, Л. П.; Червяков, А. В.; Мальцев, П. П.; Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук (Москва); Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук (Москва); Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук (Москва); Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук (Москва); Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ" (Москва); Московский государственный университет им. М. В. Ломоносова; Московский государственный университет им. М. В. Ломоносова; Московский государственный университет им. М. В. Ломоносова; Московский государственный университет им. М. В. Ломоносова; Московский государственный университет им. М. В. Ломоносова |
539.21:537 Ф 815 Фотоотражение структур GaAs с дельта ( Mn)-легированным слоем / О. С. Комков [и др.] // Письма в "Журнал технической физики". - 2013. - Т. 39, вып. 22. - С. 56-63 : ил. - Библиогр.: с. 62-63 (16 назв.) . - ISSN 0320-0116
Рубрики: Физика Электрические и магнитные свойства твердых тел Кл.слова (ненормированные): встроенные электрические поля -- арсенид галлия -- оптическая спектроскопия -- фотомодуляция -- марганец -- газофазная эпитаксия -- металлоорганические соединения -- лазерное распыление -- уравнение Шредингера -- Шредингера уравнение Аннотация: Методом фотомодуляционной оптической спектроскопии (фотоотражения) определена напряженность встроенного электрического поля в структурах арсенида галлия с дельта-слоем при различном содержании марганца в последнем. Исследованные образцы выращивались с использованием технологии, комбинирующей газофазную эпитаксию из металлорганических соединений и лазерное распыление мишеней Mn и GaAs при пониженной температуре (T[g] равно 400 °С). Увеличение содержания Mn в дельта-слое от нуля до 0. 35 долей монослоя приводило к росту средненного по приповерхностной области встроенного электрического поля с 14 до 25 kV/cm. Полученные данные хорошо согласуются с результатами самосогласованного решения уравнений Шредингера и Пуассона для реального профиля распределения примеси марганца. Перейти: http://journals.ioffe.ru/pjtf/2013/22/p56-63.pdf Доп.точки доступа: Комков, О. С.; Докичев, Р. В.; Кудрин, А. В.; Данилов, Ю. А. |
535.33 Ф 627 Фирсов, Д. Д. Фотомодуляционная ИК фурье-спектроскопия полупроводниковых структур: особенности фазовой коррекции и применение метода / Д. Д. Фирсов, О. С. Комков // Письма в "Журнал технической физики". - 2013. - Т. 39, вып. 23. - С. 87-94 : ил. - Библиогр.: с. 93-94 (15 назв.) . - ISSN 0320-0116
Рубрики: Физика Спектроскопия Кл.слова (ненормированные): полупроводниковые структуры -- фурье-спектроскопия -- фотомодуляция -- фазовая корреляция -- инфракрасные фурье-спектрометры -- фотоотражение -- инфракрасные спектры -- энергетические спектры -- квантовые ямы -- измерения -- эпитаксиальные слои Аннотация: Реализован метод измерения фотоотражения на основе инфракрасного фурье-спектрометра. Выявлены особенности применения фазовой коррекции, необходимые для сохранения информации о знаке спектра. В ближнем инфракрасном диапазоне метод был применен для измерения энергетического спектра носителей заряда в одиночных квантовых ямах In[x]Ga[1]-[x]As/GaAs. В этом диапазоне наблюдалось хорошее согласие с результатами, полученными для тех же образцов на дифракционном спектрометре. В среднем ИК диапазоне развиваемый метод фотомодуляционной фурье-спектроскопии продемонстрирован при измерении фотоотражения эпитаксиальных слоев InSb (в интервале длин волн 2-10 mum). Перейти: http://journals.ioffe.ru/pjtf/2013/23/p87-94.pdf Доп.точки доступа: Комков, О. С. |
024 Б 431 Беленко, Ксения (сотрудник). "Дорога натюрЛИТа", или Фотоотражение писательских эмоций / К. Беленко // Библиотека. - 2014. - № 12. - С. 1, 2-я с. обл. : 7 фот. . - ISSN 0869-4915
Рубрики: Библиотечное дело Библиотечное обслуживание читателей Кл.слова (ненормированные): передвижные выставки -- выставки -- фотографы -- фотографии -- читатели -- библиотеки -- литературные квесты -- квесты -- писатели -- поэты -- художественная литература -- классическая литература -- библиотечные выставки Аннотация: Статья посвящена передвижной выставке "Дорога НатюрЛИТа", которую подготовила и проводит в библиотеках Самарской области Самарская областная универсальная научная библиотека. Читателям представлен некий литературный квест, отправляющий участников в визуальное путешествие по произведениям самарского фотографа Олега Вязанкина и творениям известных всему миру писателей и поэтов, классиков художественного слова. Доп.точки доступа: Вязанкин, Олег (самарский фотограф); Самарская областная универсальная научная библиотека |