621.38 А 465 Александров, С. Е. Устройство пирометрического контроля температуры подложки GaAs для установки молекулярно-лучевой эпитаксии [Текст] / С. Е. Александров, Г. А. Гаврилов [и др.] // Журнал технической физики. - 2004. - N 1. - Библиогр.: c. 127 (8 назв. ) . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Радиоэлектроника--Электроника Кл.слова (ненормированные): пирометрический контроль -- арсенид галлия -- молекулярно-лучевая эпитаксия -- подложки -- температура подложки -- оптические пирометры Аннотация: Рассматривается оптический пирометр, специально разработанный для прецизионного контроля температуры GaAs подложки во время эпитаксиального роста в условиях молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ) . Особенностью разработанного устройства является возможность его калибровки на некоторую характерную абсолютную температуру, определяемую визуально по изменению картины дифракции быстрых электронов (ДБЭ) . Это позволяет рассчитать абсолютную температуру подложки с учетом ее излучательной способности и свести к минимуму погрешности определения температуры по излучению, связанные с запылением пирометрического окна установки ростовыми материалами. Перейти: http: //www. ioffe. ru/journals/jtf/2004/01/ Доп.точки доступа: Гаврилов, Г. А.; Капралов, А. А.; Сотникова, Г. Ю.; Черных, Д. Ф.; Алексеев, А. Н.; Дудин, А. Л.; Коган, И. В.; Шкурко, А. П. |
Свойства GaAsN нитевидных нанокристаллов, полученных методом магнетронного осаждения [Текст] / И. П. Сошников [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2009. - Т. 43, вып: вып. 7. - С. 938-942 : ил. - Библиогр.: с. 941 (21 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Проводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): нанокристаллы -- нитевидные нанокристаллы -- ННК -- метод магнетронного осаждения -- метод МО -- фотолюминесценция -- ФЛ -- физические параметры ННК -- рост ННК -- азот -- температура подложки -- планарные слои -- CaAsN Аннотация: Продемонстрирована возможность использования метода магнетронного осаждения в плазмообразующей смеси Ar-N[2] для синтеза массивов GaAs[1-х]N[х] нитевидных нанокристаллов (ННК) с характерными диаметрами от 10 до 200 нм и длиной до 3000 нм. Получены данные о зависимости характера роста ННК от физических параметров (размера затравочных капель Au, скорости осаждения, кристаллографического типа поверхности и температуры подложки). Анализ зависимости высоты от диаметра ННК показывает, что механизм роста является преимущественно диффузионным. Стабильное содержание азота наблюдается при температуре роста в диапазоне 400-500{o}C и составляет выше 2. 7%. При температурах подложки в диапазоне 530-600{o}C наблюдается резкое падение содержания азота в твердых растворах. Исследования спектров фотолюминесценции полученных образцов показывают красное смещение полосы излучения, что связано с увеличением процентного содержания азота. Установлена зависимость положения полосы люминесценции и содержания азота от температуры. Наблюдается увеличение интенсивности фотолюминесценции образцов ННК GaAsN с содержанием азота 2. 7% в 5-10 раз по сравнению с планарными слоями, что объясняется отсутствием дефектов в структуре ННК. Доп.точки доступа: Сошников, И. П.; Цырлин, Г. Э.; Надточий, А. М.; Дубровский, В. Г.; Букин, М. А.; Петров, В. А.; Бусов, В. В.; Трошков, С. И. |
Влияние поверхностных химических обработок на свойства контактов Ti-p-Si[1-x]Ge[x] и Ni-p-Si[1]-xGe[x] [Текст] / И. Г. Атабаев [и др. ] // Физика и техника полупроводников. - 2010. - Т. 44, вып: вып. 12. - С. 1655-1659 : ил. - Библиогр.: с. 1659 (15 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Физика Движение заряженных частиц в электрических и магнитных полях Кл.слова (ненормированные): химическая обработка -- поверхностная обработка -- твердые растворы -- свойства контактов -- термическое напыление -- напыление в вакууме -- температура подложки -- никель -- вольт-амперные характеристики -- вольт-фарадные характеристики Аннотация: Исследовано влияние различных химических обработок поверхности твердого раствора на свойства контактов Ti-p-SiGe и Ni-p-SiGe, полученных термическим напылением в вакууме при температуре подложки 350-400{o}C. Травление в различных режимах использовалось для формирования исходной поверхности с различной плотностью поверхностных состояний. Показано, что в структурах на основе никеля при термическом напылении контактов образуется промежуточный слой германосилицида никеля, оказывающего существенное влияние на вольт-амперные и вольт-фарадные характеристики структур. Доп.точки доступа: Атабаев, И. Г.; Хажиев, М. У.; Матчанов, Н. А.; Салиев, Т. М.; Бобожонов, К. А. |
539.2 Э 454 Электрические, оптические и механические свойства аморфного гидрогенизированного углерода, полученного при различных условиях осаждения [Текст] / А. А. Бабаев [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2011. - Т. 45, вып. 1. - С. 120-122 : ил. - Библиогр.: с. 122 (18 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): энергия активации -- микротвердость -- углеродные пленки -- пленки -- аморфный углерод -- проводимость -- подложки -- кварцевые подложки -- кремниевые подложки -- температура подложки -- электрические свойства -- оптические свойства -- механические свойства -- осаждение пленок -- преломление пленок -- напряженность электрического поля -- электрическое поле Аннотация: Исследованы энергия активации проводимости на постоянном токе, показатель преломления, микротвердость аморфных гидрогенизированных углеродных пленок a-C: H. Пленки были получены из метан-аргоновой смеси при различных условиях осаждения на кварцевые и кремниевые подложки: E/p=40-180 В/мПа (E - напряженность электрического поля между электродами, p - давление газовой смеси в камере), температура подложки T[s]=50-300{o}C. Эти условия осаждения позволяют получать алмазоподобные, полимероподобные, графитоподобные пленки a-C: H, в которых энергия активации проводимости, микротвердость и показатель преломления меняются в значительных пределах. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2011/01/p120-122.pdf Доп.точки доступа: Бабаев, А. А.; Султанов, С. Б.; Абдулвагабов, М. Ш.; Теруков, Е. И. |
539.2 И 889 Исследование процессов самокаталитического роста GaAs нитевидных кристаллов на модифицированных поверхностях Si (111), полученных методом молекулярно-пучковой эпитаксии [Текст] / Ю. Б. Самсоненко [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2011. - Т. 45, вып. 4. - С. 441-445 : ил. - Библиогр.: с. 445 (17 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): нитевидные нанокристаллы -- ННК -- модифицированные поверхности -- молекулярно-пучковая эпитаксия -- метод молекулярно-пучковой эпитаксии -- МПЭ -- температура подложки -- температурная зависимость -- кристаллические структуры -- нанокристаллы -- GaAs Аннотация: Исследованы процессы роста самокаталитических GaAs нитевидных нанокристаллов, выращенных на модифицированных 3 различными методами поверхностях Si (111). В качестве технологического метода получения нанокристаллов была использована молекулярно-пучковая эпитаксия. Установлено, что в интервале температур подложки 610-630 {o} С имеет место резкое увеличение поверхностной плотности и диаметра нанокристаллов, в то время как температурная зависимость длины нанокристаллов имеет максимум при 610 {o} C. Повышение температуры до 640 {o} C приводит к подавлению формирования нитевидных нанокристаллов. Описан метод, позволяющий получать чисто кубические GaAs нитевидные нанокристаллы. Дано теоретическое обоснование появления кубической фазы в самокаталитических GaAs нитевидных нанокристаллах. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2011/04/p441-445.pdf Доп.точки доступа: Самсоненко, Ю. Б.; Цырлин, Г. Э.; Хребтов, А. И.; Буравлев, А. Д.; Поляков, Н. К.; Улин, В. П.; Дубровский, В. Г.; Werner, P. |
539.2 Б 811 Бондарь, И. В. Спектры пропускания пленок тройного соединения CuGa[3]Se[5] в области края собственного поглощения [Текст] / И. В. Бондарь // Физика и техника полупроводников. - 2011. - Т. 45, вып. 4. - С. 453-455 : ил. - Библиогр.: с. 455 (8 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): лазерное осаждение -- метод лазерного осаждения -- температура подложки -- подложки -- тройные соединения -- пленки тройного соединения -- кристаллы -- спектры пропускания пленок -- собственное поглощение -- халькопирит -- оптические переходы -- модель Хопфилда -- Хопфилда модель -- валентные зоны -- спин-орбитальные расщепления Аннотация: Методом лазерного осаждения при температурах подложки 480 и 580 K получены пленки тройного соединения CuGa[3]Se[5]. Исследован их состав и структура. Установлено, что как кристаллы, так и пленки соединения CuGa[3]Se[5] кристаллизуются в структуре дефектного халькопирита. По спектрам пропускания в области края собственного поглощения определены значения энергий оптических переходов и их природа. В соответствии с квазикубической моделью Хопфилда рассчитаны величины энергий кристаллического (Delta[cr]) и спин-орбитального (Delta[SO]) расщепления валентной зоны для тройного соединения CuGa[3]Se[5]. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2011/04/p453-455.pdf |
621.315.592 Ф 815 Фоточувствительные тонкопленочные барьеры Шоттки In/p-Pb[x]Sn[1-x]S: создание и свойства [Текст] / В. Ф. Гременок [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2011. - Т. 45, вып. 8. - С. 1084-1089 : ил. - Библиогр.: с. 1089 (37 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Радиоэлектроника Фотоэлектрические приборы Кл.слова (ненормированные): барьеры Шоттки -- Шоттки барьеры -- фотоэлектрические солнечные преобразователи -- ФСП -- тонкие пленки -- метод горячей стенки -- температура подложки -- микроструктуры -- элементный состав -- морфология пленок -- электрические характеристики -- фоточувствительность структур -- спектры фоточувствительности -- межзонные переходы -- запрещенные зоны Аннотация: Методом "горячей стенки" при температурах подложки 210-330 °C получены тонкие пленки Pb[x]Sn[1-x]S. Исследованы микроструктура, элементный состав, морфология и электрические характеристики пленок. На основе полученных пленок впервые созданы фоточувствительные барьеры Шоттки In/p-Pb[x]Sn[1-x]S. Исследованы спектры фоточувствительности этих структур, из которых определены характер межзонных переходов и значения ширины запрещенной зоны. Сделан вывод о возможностях применения тонких поликристаллических пленок Pb[x]Sn[1-x]S в фотопреобразователях солнечного излучения. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2011/08/p1084-1089.pdf Доп.точки доступа: Гременок, В. Ф.; Рудь, В. Ю.; Рудь, Ю. В.; Башкиров, С. А.; Иванов, В. А. |
539.2 A 84 Ashraf, M. The influence of substrate temperature on the structural and optical properties of ZnS thin films [Текст] / M. Ashraf, S. M. J. Akhtar, Z. Ali, A. Qayyum // Физика и техника полупроводников. - 2011. - Т. 45, вып. 5. - С. 708-711 : ил. - Библиогр.: с. 711 (21 назв. ) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): температура подложки -- тонкие пленки -- ZnS -- структурные свойства -- оптические свойства -- рентгеновские дифракционные спектры Аннотация: Thin films of ZnS were deposited on soda lime glass substrates by a modified close-space sublimation technique. The change in optical and structural properties of the films deposited at various substrate temperatures (150-450{o}C) was investigated. X-ray diffraction spectra showed that films were polycrystalline in nature having cubic structure oriented only along (111) plan. The crystallinity of films increased with the substrate temperature up to 250{o}C. However, crystallinity decreased with further increase of substrate temperature and films became amorphous at 450{o}C. The atomic force microscopy data revealed that the films become more uniform and dense with the increase of substrate temperature. Optical properties of the films were determined from the transmittance data using Swanepoel model. It was observed that the energy band gap is increased from 3. 52 to 3. 65 eV and refractive index of the films are decreased with the increase of substrate temperature. Moreover, considerable improvement in blue response of the films was noticed with increasing substrate temperature. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2011/05/p708-711.pdf Доп.точки доступа: Akhtar, S. M. J.; Ali, Z.; Qayyum, A. |
544.72 Т 190 Тарала, В. А. Моделирование влияния температуры подложки и давления плазмы, содержащей C[2], на структуру пленок углерода / В. А. Тарала, авт. Б. М. Синельников // Неорганические материалы. - 2012. - Т. 48, № 9. - С. 1011-1016 : 3 рис., 2 табл. - Библиогр.: с. 1015-1016 (29 назв. ) . - ISSN 0002-337Х
Рубрики: Химия Физическая химия поверхностных явлений Кл.слова (ненормированные): моделирование -- температура подложки -- давление плазмы -- углерод -- аморфные пленки -- кристаллические пленки -- процесс осаждения Аннотация: Проведена оценка роли молекул углерода (С[2]) в процессах формирования структуры кристаллических и аморфных пленок алмаза. На основании анализа потенциальных энергий хемосорбированных частиц и возможных взаимодействий между ними смоделированы процессы сборки слоев. Полученные в результате моделирования выражения показывают, как изменение двух наиболее важных технологических параметров (температуры подложки и парциального давления C[2]) влияет на структуру пленок алмазоподобного углерода. Доп.точки доступа: Синельников, Б. М. |
539.2 В 586 Влияние ионной обработки на свойства пленок In[2]O[3]:Sn / П. Н. Крылов [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2013. - Т. 47, вып. 6. - С. 859-863 : ил. - Библиогр.: с. 862-863 (24 назв.) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): свойства пленок -- пленки ITO -- оксид индия -- магнетронное напыление -- метод реактивного ВЧ магнетронного напыления -- температура подложки -- индий -- олово -- электропроводность -- рентгеноаморфные пленки -- оптическое поглощение -- длина волны -- ионная обработка Аннотация: Представлено изменение свойств пленок ITO, полученных методом реактивного ВЧ магнетронного напыления с одновременной ионной обработкой в зависимости от тока ионной обработки и температуры подложки. Ионная обработка растущей пленки в процессе напыления незначительно меняет относительное количество олова и индия, но существенно увеличивает электропроводность. Пленки, полученные при температуре ниже 50 °C без ионной обработки, являются рентгеноаморфными. Ионная обработка и увеличение температуры конденсации приводят к кристаллизации пленок и сдвигу края оптического поглощения в сторону коротких длин волн. Увеличение тока ионной обработки вызывает появление текстуры. The paper shows the change in the properties of ITO films depending on the ion current and the temperature of the substrate. The films were prepared by reactive RF magnetron sputtering with simultaneous ion-beam treatment. Ion treatment of the growing film during the deposition process slightly changes the relative amount of tin and indium, but significantly increases the electrical conductivity. The films obtained at temperatures below 50°С without ion treatment are the X-ray amorphous. Ion treatment and increase the condensing temperature leads to crystallization of the films and the optical absorption edge shifts towards shorter wavelengths. Increasing the ionic current treatment causes the appearance of texture. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2013/06/p859-863.pdf Доп.точки доступа: Крылов, П. Н.; Закирова, Р. М.; Федотова, И. В.; Гильмутдинов, Ф. З. |
544.33 Ш 256 Шардаков, Н. Т. Определение массы и скорости химического нанесения металлических покрытий по изменению температуры подложки / Н. Т. Шардаков // Заводская лаборатория. Диагностика материалов. - 2013. - Т. 79, № 6. - С. 29-33. - Библиогр.: с. 33 (10 назв. ) . - ISSN 1028-6861
Рубрики: Химия Термохимия Техника Обработка материалов Кл.слова (ненормированные): определение массы -- определение скорости -- нанесение покрытий -- металлические покрытия -- температура подложки -- изменение температуры -- химическое нанесение покрытий -- изотермические зависимости -- металлический титан -- расплав хлорида меди -- гетерогенные реакции Аннотация: Предложена методика определения массы и скорости химического нанесения металлических покрытий по изменению температуры подложки. Рассмотрено уравнение теплового баланса, сделаны допущения, учитывающие специфику изучаемых систем. Описан алгоритм перехода от начальных неизотермических зависимостей к изотермическим. |
539.2 М 750 Молекулярно-пучковая эпитаксия гибридных AlGaAs/Zn(Mn)Se наноструктур с квантовыми точками InAs/AlGaAs вблизи гетеровалентного интерфейса / Г. В. Климко [и др.]. // Физика и техника полупроводников. - 2014. - Т. 48, вып. 1. - С. 36-43 : ил. - Библиогр.: с. 43 (28 назв.) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): молекулярно-пучковая эпитаксия -- метод молекулярно-пучковой эпитаксии -- МЭП -- квантовые точки -- InAs -- температура подложки -- наноструктуры -- гибридные гетероструктуры -- гетероструктуры -- фотолюминесценция -- интерфейсы -- GaAs/ZnSe -- арсенидгаллиевые структуры -- арсенид индия Аннотация: Изучены особенности роста методом молекулярно-пучковой эпитаксии квантовых точек InAs в матрице Al[0. 35]Ga[0. 65]As в зависимости от температуры подложки, скорости осаждения и количества осажденного InAs. Определены оптимальные условия для получения массива самоорганизующихся квантовых точек с низкой плотностью (меньше либо равно 2 x 10{10} см{-2}) и малыми размерами (высота менее 4 нм). Продемонстрирована возможность формирования оптически активных квантовых точек InAs, излучающих в диапазоне энергий 1. 3-1. 4 эВ, на расстоянии не более 10 нм от когерентного гетеровалентного интерфейса GaAs/ZnSe. Установлено, что вставка в верхний барьерный слой AlGaAs оптически неактивной квантовой ямы GaAs (5 нм), туннельно-связанной с квантовыми точками InAs, улучшает эффективность фотолюминесценции массива квантовых точек в гибридных гетероструктурах. Peculiarities of molecular beam epitaxy of InAs quantum dots (QDs) in an Al0. 35Ga0. 65As matrix have been studied as dependent on substrate temperature, deposition rate, and amount of deposited InAs. Optimum conditions of formation of a low-density (less-than or equal to 2 x 10{10} cm{-2}) and low-height (below 4 nm) array of self-organized QDs have been defined. The possibility of fabrication of optically active InAs QDs, emitting within the energy range of 1. 3-1. 4 eV, at a distance below 10 nm from the coherent heterovalent interface GaAs/ZnSe has been demonstrated. It has been found that inserting into the upper AlGaAs barrier of the InAs QDs an optically inactive 5-nm-thick GaAs quantum well resonantly coupled with the QDs improves their luminescence efficiency in the hybrid structures. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2014/01/p36-43.pdf Доп.точки доступа: Климко, Г. В.; Сорокин, С. В.; Седова, И. В.; Гронин, С. В.; Лиачи, Ф.; Кайбышев, В. Х.; Севрюк, В. А.; Брунков, П. Н.; Ситникова, А. А.; Торопов, А. А.; Иванов, С. В.; Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе Российской академии наук (Санкт-Петербург); Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе Российской академии наук (Санкт-Петербург); Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе Российской академии наук (Санкт-Петербург); Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе Российской академии наук (Санкт-Петербург); Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе Российской академии наук (Санкт-Петербург); Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе Российской академии наук (Санкт-Петербург); Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе Российской академии наук (Санкт-Петербург); Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе Российской академии наук (Санкт-Петербург); Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе Российской академии наук (Санкт-Петербург); Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе Российской академии наук (Санкт-Петербург); Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе Российской академии наук (Санкт-Петербург) |