539.1/.18 З 127 Забродский, В. В. Результаты испытаний кремниевых фотодиодов в диагностических экспериментах по томсоновскому рассеянию на токамаке "Туман-3М" и в стендовых экспериментах [Текст] / В. В. Забродский, Д. В. Калинина [и др.] // Журнал технической физики. - 2003. - Т.73,N8. - Библиогр.: 6 назв. . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Радиоэлектроника--Электроника--Ядерная физика Кл.слова (ненормированные): Туман-3М (токамак) -- детекторы излучения -- плазма -- токамаки -- томсоновское рассеяние -- фотодиоды Аннотация: Проведены испытания кремниевых фотодиодов в качестве детекторов излучения в диагностическом эксперименте по томсоновскому рассеянию в плазме токамака "Туман-3М". В исследованиях, выполненных на испытательных стендах и путем численного моделирования, проведено сравнение двух типов фотоприемных устройств на основе фотодиодов и лавинных фотодиодов с регистрацией слабых импульсных сигналов разной длительности в присутствии фона стационарной засветки. Для прикладных задач диагностики плазмы токамака, когда фоновое излучение плазмы играет существенную роль, выигрыш чувствительности, обусловленный лавинным усилением, практически исчезает при увеличении длительности регистрируемых сигналов до нескольких сотен наносекунд. Доп.точки доступа: Калинина, Д.В.; Мухин, Е.Е.; Раздобарин, Г.Т.; Суханов, В.Л.; Толстяков, С.Ю.; Тукачинский, А.С. |
539.1/.18 Д 246 Дворянкин, В. Ф. Исследование свойств фотовольтаических детекторов рентгеновского излучения на основе эпитаксиальных структур GaAs [Текст] / В. Ф. Дворянкин, Ю. М. Дикаев, А. А. Кудряшов // Журнал технической физики. - 2004. - Т. 74, N 6. - Библиогр.: c. 128 (3 назв. ) . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Физика--Ядерная физика Кл.слова (ненормированные): арсенид галлия -- детекторы излучения -- рентгеновское излучение -- фотовольтаические детекторы -- эпитаксиальные структуры Аннотация: Представлены результаты исследования под действием тормозного рентгеновского излучения нового фотовольтаического детектора на основе эпитаксиальных структур GaAs, работающего без напряжения смещения и при комнатной температуре. Из измерений фотоотклика детектора рассчитана эффективность преобразования поглощенной энергии в ток короткого замыкания в диапазоне энергий фотонов от 12 до 120 keV. В этом диапазоне энергий процесс поглощения в GaAs определяется фотоэлектрическим эффектом. Максимальное значение эффективности преобразования в GaAs для тормозного рентгеновского излучения находится при энергии 80 keV. Для увеличения поглощения рентгеновских фотонов предложена и рассчитана схема наклонного облучения тонкого 50 mum детектора. При этом значительный эффект проявляется для жесткого рентгеновского излучения. Перейти: http://www.ioffe.ru/journals/jtf/2004/06/page-126.html.ru Доп.точки доступа: Дикаев, Ю. М.; Кудряшов, А. А. |
Детекторы УФ-излучения на основе нанокристаллических пленок ZnO [Текст] / В. А. Кривченко [и др. ] // Журнал технической физики. - 2008. - Т. 78, N 8. - С. 107-111. - Библиогр.: c. 111 (15 назв. ) . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Физика Экспериментальные методы и аппаратура оптики Оптические свойства твердых тел Кл.слова (ненормированные): УФ-узлучение -- детекторы излучения -- детекторы УФ-излучения -- ультрафиолетовое излучение -- нанокристаллические пленки -- оксид цинка -- магнетронное распыление -- УФ-детекторы Аннотация: Нанокристаллические пленки оксида цинка, осажденные методом магнетронного ВЧ-распыления, использовались в качестве рабочего материала для создания УФ-детекторов. Было исследовано влияние режимов осаждения оксида цинка на фотоэлектрические свойства УФ-детекторов. С помощью атомного силового микроскопа проведено сопоставление эффективности УФ-детекторов с топологией их поверхности. Доп.точки доступа: Кривченко, В. А.; Лопаев, Д. В.; Пащенко, П. В.; Пирогов, В. Г.; Рахимов, А. Т.; Суетин, Н. В.; Трифонов, А. С. |
Исследование защитных свойств субнанометровой алмазоподобной углеродной пленки [Текст] / М. Б. Цетлин [и др. ] // Поверхность. Рентгеновские, синхротронные и нейтронные исследования. - 2008. - N 12. - С. 94-98
Рубрики: Физика Физика твердого тела. Кристаллография в целом Кл.слова (ненормированные): алмазоподобные углеродные покрытия -- цирконий -- детекторы излучения -- ионно-плазменное распыление Аннотация: Изучено влияние алмазоподобных углеродных покрытий на коррозионную стойкость циркония. Исследовались пленки циркония толщиной 20 нм при разных толщинах защитной углеродной пленки. Для определения химического состояния атомов поверхности были измерены фотоэлектронные спектры, спектры характеристических потерь электронов и оже-электронные спектры. Полученные результаты свидетельствуют о том, что уже при толщине алмазоподобной углеродной пленки около 1 нм происходит практически полная защита металлической пленки от окисления. Это связано с высокой химической инертностью покрытия и его однородностью по толщине. Доп.точки доступа: Цетлин, М. Б.; Назин, В. Г.; Руднева, М. И.; Рогалев, В. А. |
Эдельман, В. С. Погружной микрокриостат растворения [Текст] / В. С. Эдельман // Приборы и техника эксперимента. - 2009. - N 2. - С. 159-165. - Библиогр.: с. 165 (3 назв. ) . - ISSN 0032-8162
Рубрики: Физика Физические приборы и методы физического эксперимента Кл.слова (ненормированные): автономные микрокриостаты -- микрокриостаты -- погружные микрокриостаты растворения -- детекторы излучения -- охлаждение Аннотация: Описан автономный микрокриостат растворения, циркуляция {3}He в котором осуществляется за счет его конденсации в объеме, охлаждаемом сорбционной откачкой {3}He из отдельной ванны. Основное предназначение прибора - охлаждение чувствительных детекторов излучения. |
535.33 Т 350 Терагерцовый отклик болометров на основе тонких пленок YBCO [Текст] / А. В. Смирнов [и др.] // Журнал технической физики. - 2012. - Т. 82, № 12. - С. 108-111. - Библиогр.: c. 111 (19 назв. ) . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Физика Спектроскопия Кл.слова (ненормированные): болометры -- тонкие пленки -- ультратонкие пленки -- терагерцовые отклики -- болометрические отклики -- высокотемпературные сверхпроводники -- ВТСП -- YBCO -- ВТСП-болометры -- детекторы излучения -- детекторы терагерцового излучения -- терагерцовое излучение -- чувствительность детекторов -- THz-излучение -- THz-спетроскопия Аннотация: Представлены первые результаты измерения болометрического отклика высокотемпературных сверхпроводниковых детекторов на основе тонких пленок YBCO на электромагнитное излучение с частотой 2. 5 THz. Минимальное значение оптической мощности, эквивалентной шуму созданных детекторов, составило 3. 5*10{-9} W/sqrt (Hz). Обсуждена возможность дальнейшего увеличения чувствительности исследуемых детекторов. Перейти: http://journals.ioffe.ru/jtf/2012/12/p108-111.pdf Доп.точки доступа: Смирнов, А. В.; Карманцов, М. С.; Смирнов, К. В.; Вахтомин, Ю. Б.; Мастеров, Д. В.; Тархов, М. А.; Павлов, С. А.; Парафин, А. Е. |
543.4/.5 В 235 Ващенко, П. В. Восстановление распределения интенсивности излучения на поверхности многоэлементного твердотельного детектора [Текст] / П. В. Ващенко, В. А. Лабусов, А. В. Лихачев // Заводская лаборатория. Диагностика материалов. - 2012. - Т. 78, № 1, ч. 2. - С. 94-95. - Библиогр.: с. 95 (5 назв. ) . - ISSN 1028-6861
Рубрики: Химия Физико-химические методы анализа Кл.слова (ненормированные): восстановление распределения излучения -- распределение интенсивности излучения -- интенсивность излучения -- поверхности детекторов -- многоэлементные твердотельные детекторы -- твердотельные детекторы -- линейки фотодиодов -- решение обратной задачи -- детекторы излучения -- стационарные во времени спектры Аннотация: Описан алгебраический метод решения обратной задачи для восстановления распределения интенсивности излучения на поверхности линейки фотодиодов. Доп.точки доступа: Лабусов, В. А.; Лихачев, А. В. |
621.315.592 В 586 Влияние облучения нейтронами на характеристики делителей потенциала кремниевых детекторов излучений [Текст] / В. К. Еремин [и др.] // Физика и техника полупроводников. - 2012. - Т. 46, вып. 7. - С. 971-978 : ил. - Библиогр.: с. 978 (7 назв.) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Физика Ядерная физика в целом Кл.слова (ненормированные): облучение нейтронами -- нейтронное облучение -- кремниевые детекторы -- детекторы излучения -- ядерные излучения -- нейтроны -- распределение потенциалов -- VTS -- Voltage Terminating Structure -- p-n переходы -- кольцевые структуры -- электроны -- дырки Аннотация: Проведено исследование распределения потенциалов по VTS (VTS - Voltage Terminating Structure) кремниевых детекторов ядерных излучений, облученных нейтронами в диапазоне доз от 1 x 10{10} до 5 x 10{15} экв. нейтр. /см{2}, где VTS представляет собой систему плавающих кольцевых p{+}-n-переходов. Показано, что изменение профиля электрического поля в объеме детектора при увеличении дозы облучения является определяющим фактором в распределении потенциалов по VTS. Установлены механизмы функционирования VTS: при дозах облучения менее 5 x 10{14} экв. нейтр. /см{2} распределение потенциалов между кольцами осуществляется по механизму "прокола" межкольцевого промежутка, а при больших дозах контролируется токовым механизмом, определяемым плотностью протекающего в объеме детектора генерационного тока электронов и дырок. Предложенные механизмы функционирования VTS подтверждены экспериментально и путем моделирования. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2012/07/p971-978.pdf Доп.точки доступа: Еремин, В. К.; Фадеева, Н. Н.; Вербицкая, Е. М.; Теруков, Е. И. |
621.371.8 С 409 Система контроля температуры рабочего торца оптоволокна лазерных модулей с волоконным выводом излучения для медицинской аппаратуры / С. Е. Александров [и др.]. // Физика и техника полупроводников. - 2014. - Т. 48, вып. 1. - С. 135-141 : ил. - Библиогр.: с. 141 (4 назв.) . - ISSN 0015-3222
Рубрики: Радиоэлектроника Квантовые приборы Энергетика Полупроводниковые материалы и изделия Кл.слова (ненормированные): оптоволокно -- мощные лазерные диоды -- лазерные диоды -- оптическое волокно -- фотодиоды -- инфракрасный диапазон -- ИК диапазон -- тепловое излучение -- детекторы излучения -- лазерная аппаратура -- контроль температуры -- медицинская аппаратура Аннотация: В данной работе предлагается устройство контроля температуры торца оптоволокна, встраиваемое в блок питания мощных лазерных диодов и модулей (с оптоволоконным выходом), используемых в медицинских лазерных аппаратах. В качестве чувствительного элемента выбран фотодиод на основе A{III}B{V} среднего инфракрасного диапазона, разработанный в Физико-техническом институте им. А. Ф. Иоффе РАН, из класса фотодиодов, по своим параметрам оптимально подходящих для создания детекторов теплового излучения (пирометрических сенсоров) различного назначения. Разработанное устройство позволяет осуществлять контроль температуры на торце рабочего оптоволокна лазерного "скальпеля" в диапазоне 600-1100°C с погрешностью не хуже 1% при быстродействии 1 мс. Устройство имеет цифровой и аналоговые выходы сигнала температуры, которые могут быть использованы для управления током накачки лазера. Тем самым расширяются функциональные возможности медицинской лазерной аппаратуры, повышается ее эффективность, безопасность и увеличивается срок службы. The paper presents an optoelectronic fiber tip temperature controlling device embedded in drivers of high power fiber-coupled laser diodes and modules designed for medical laser equipment. The A{III}B{V} mid-infrared photodiode developed at the Ioffe Physicotechnical Institute was chosen as a sensitive element. Its parameters have been optimized for the creation of various-application thermal radiation detectors (pyrometric sensors). The developed device allows to control the temperature of the working fiber tip of a laser "knife" in the temperature range 600-1100°C with an accuracy better than 1% at the time of response equal to 1ms. The device has a digital and analog outputs of the temperature signal that can be used to control the pump laser current, thus extending the functionality of the medical laser equipment in a variety of surgical applications and increasing its efficiency, safety and service life. Перейти: http://journals.ioffe.ru/ftp/2014/01/p135-141.pdf Доп.точки доступа: Александров, С. Е.; Гаврилов, Г. А.; Сотникова, Г. Ю.; Тер-Мартиросян, А. Л.; Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе Российской академии наук (Санкт-Петербург); Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе Российской академии наук (Санкт-Петербург); Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе Российской академии наук (Санкт-Петербург); ЗАО "Полупроводниковые приборы" (Санкт-Петербург)Полупроводниковые лазеры: физика и технология, симпозиум (3 ; 2012 ; Санкт-Петербург) |