621.38 А 465 Александров, С. Е. Устройство пирометрического контроля температуры подложки GaAs для установки молекулярно-лучевой эпитаксии [Текст] / С. Е. Александров, Г. А. Гаврилов [и др.] // Журнал технической физики. - 2004. - N 1. - Библиогр.: c. 127 (8 назв. ) . - ISSN 0044-4642
Рубрики: Радиоэлектроника--Электроника Кл.слова (ненормированные): пирометрический контроль -- арсенид галлия -- молекулярно-лучевая эпитаксия -- подложки -- температура подложки -- оптические пирометры Аннотация: Рассматривается оптический пирометр, специально разработанный для прецизионного контроля температуры GaAs подложки во время эпитаксиального роста в условиях молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ) . Особенностью разработанного устройства является возможность его калибровки на некоторую характерную абсолютную температуру, определяемую визуально по изменению картины дифракции быстрых электронов (ДБЭ) . Это позволяет рассчитать абсолютную температуру подложки с учетом ее излучательной способности и свести к минимуму погрешности определения температуры по излучению, связанные с запылением пирометрического окна установки ростовыми материалами. Перейти: http: //www. ioffe. ru/journals/jtf/2004/01/ Доп.точки доступа: Гаврилов, Г. А.; Капралов, А. А.; Сотникова, Г. Ю.; Черных, Д. Ф.; Алексеев, А. Н.; Дудин, А. Л.; Коган, И. В.; Шкурко, А. П. |